CN1742113B - 真空处理装置 - Google Patents

真空处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1742113B
CN1742113B CN2004800027367A CN200480002736A CN1742113B CN 1742113 B CN1742113 B CN 1742113B CN 2004800027367 A CN2004800027367 A CN 2004800027367A CN 200480002736 A CN200480002736 A CN 200480002736A CN 1742113 B CN1742113 B CN 1742113B
Authority
CN
China
Prior art keywords
space
purge gas
processing vessel
mounting table
isolation part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2004800027367A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1742113A (zh
Inventor
河西繁
河东进
小松智仁
齐藤哲也
田中澄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN1742113A publication Critical patent/CN1742113A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1742113B publication Critical patent/CN1742113B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明的真空处理装置具有以下部件：具有底部且可真空排气的处理容器；设置在所述处理容器内的载置台；对载置台上的基板进行加热的加热部；向处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；包围载置台和处理容器底部之间的空间，使该空间与处理容器内的处理空间隔离的隔离部；向由隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；从由隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；应调整由隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部及/或清洗气体排气部的控制部；和贯通处理容器底部，插入由所述隔离部包围的空间内，并具有与载置台接触的前端部的温度检测部，隔离部具有与处理容器底部面接触的下端部，控制部将被隔离部包围的空间内的压力调整到比处理容器内的处理空间内的压力高。

Description

真空处理装置
技术领域
本发明涉及在真空环境气氛下(减压下)，对基板进行例如成膜处理等的真空处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造工序中存在半导体晶片(以下称为晶片)上形成的孔或沟槽中通过CVD(化学气相淀积)处理埋入金属或金属化合物，形成配线的工序。在晶片上对金属或金属化合物成膜的装置在例如特开2003-133242(专利申请2001-384649)上记载。
图7示出该特开2003-133242上记载的成膜装置的概略。1是腔室，在上部侧作成扁平的圆筒部1a形成的同时，下部侧作成小直径圆筒部1b形成。在圆筒部1a内设置通过埋设有由电阻发热体形成的加热器11a、11b的陶瓷构成的载置台12。在该载置台12背面侧中央部上接合由陶瓷形成的筒状体13的上端。在腔室1的底面中央部上形成开口部14。前述筒状体13的下端经环状树脂密封部件(O型圈)15气密地安装在腔室1的底面上，包围着该开口部14。因此，筒状体13的内部是大气气氛。在其中，配置用于分别对加热器11a、11b供电的供电电缆16a、16b及用于检测载置台12温度的热电偶17。
加热器11a设置在载置台12的中央部上。加热器11b环状地设置在加热器11a的外侧上。热电偶17的前端与载置台12的中央部接触，检测该接触部位的温度。根据该温度，边维持例如供给加热器11a及加热器11b的功率比一定，边进行对加热器11a、11b供给功率的控制。
在载置台12上方设置这样构成的、称作气体喷淋头等的气体供给部18，以便可以对遍及晶体10全体表面在高度均匀性下供给气体。在从该气体供给部18供给处理气体的同时，从在圆筒部1b底部附近设置的未图示的排气口进行排气，维持腔室1内在规定压力的真空气氛下。处理气体在晶片10表面引起热化学反应，在晶片10表面对规定薄膜例如W(钨)、WSix(硅化钨)Ti或TiN(氮化钛)等的金属或金属化合物进行成膜。
筒状体13将存在供给电缆16a、16b及热偶对17的空间与处理环境气氛侧隔离，防止因成膜气体或清洗时的清洁气体对这些部件腐蚀。此外，筒状体13有助于通过热电偶17在高精度下进行温度检测。热电偶17通过其前端部和载置台12之间的接触，检测载置台12的温度。假设该接触部位暴露于处理气体的环境气氛下，则在处理气体流动时和不流动时，该环境气体压力变化，在接触部位之间存在的空间热传导大小改变。因此，温度控制变为不稳定。为了回避这样的问题，筒状体13内与处理气体的环境气氛气密地分隔开。在本例，筒状体13内作成大气压。
可是，伴随晶片10的大口径化，如何进行使面内均匀性高的工艺过程是问题之一。因此，对载置台12的温度控制要求更高的精度。可是，由于在上述的装置上只检测载置台12中央部的温度，所以即使载置台12的周缘部温度因干扰而紊乱，也不能实施追随该紊乱的温度控制。
另一方面，为了在外侧的配置有加热器11b的区域上设置热电偶17，有必要增大筒状体13的直径.在该种情况下腔室1的容积变得颇大，使装置大型化.
而且，如图7所示，即使用从载置台12中央部延伸的小直径筒状体13，由于有必要使下部圆筒部1b的长度大，所以从设置空间这一点而言，不算上策。(如果载置台12的温度例如在500℃～700℃左右，则该热经筒状体13传递到腔室1的底部，由于在腔室1底部和筒状体13下端部之间介入的O型圈15的耐热性小，所以有必要使筒状体13长度颇长)。
此外，如果重复进行成膜处理，在载置台12上附着的薄膜的膜厚变厚，存在因膜剥离产生颗粒的危险。因此，腔室1内通过清洗气体定期地进行清洗。在这里，成膜处理后直到清洗开始为止存在所谓费时长的问题。即：在清洗时，载置台12的温度为例如250℃，比成膜处理的温度更低，然而由于载置台12周围是真空环境气氛，所以为了使载置台12放热，降温要化费长时间的。如果提高腔室1内的压力，促进放热，则直到用于其后进行清洗的合适压力下，对成膜装置进行真空抽气要化费长的时间。
发明内容
本发明是在这样背景下作的，其目的是提供真空处理装置，可以防止处理气体回入载置台背侧，防止用于检测载置台温度的温度检测部腐蚀，在设置用于对电阻发热体供给电力的供电路部件的情况下，也防止该供电路部件的腐蚀，回避树脂制密封材料的热老化问题，减小载置台和处理容器底部之间距离。本发明的另外目的是提供可使载置台的温度快速降低，提高运转效率的真空处理装置。
本发明是一种真空处理装置，包括：具有底部且可真空抽气的处理容器；在前述处理容器内设置的、可载置基板的载置台；可对载置在前述载置台上的基板加热的加热部；可把处理气体供给前述处理容器内的处理气体供给部；包围前述载置台和前述处理容器的底部之间的空间，使该空间从前述处理容器内的处理容间隔离的隔离部；向被前述隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；从被前述隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；调整被前述隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部及清洗气体排气部的至少一方的控制部；和贯通前述处理容器的底部，插入被前述隔离部包围的空间内的同时，具有与前述载置台接触的前端部的温度检测部；其特征为，前述隔离部具有与前述处理容器的底部面接触的下端部，前述控制部调整被前述隔离部包围的空间内的压力，使比前述处理容器内的处理空间内的压力更高。
根据本发明，因为载置台下方侧的空间被隔离部包围，不用树脂制的密封部件，因为通过使隔离部内的压力作成正压力防止了从周围向隔离部内的气体侵入，所以可防止因处理气体或清洗气体等产生的温度检测部的腐蚀。因为没有必要在隔离部和处理容器底部之间设置树脂制密封部件，所以可以不担心因从载置台来的传导热引起的树脂制密封部件的热老化。因此，可以缩短载置台和处理容器底部之间的距离。
前述加热部优选具有在前述载置台上设置的电阻发热体，用于把电力供给前述加热部的供电路部件贯通前述处理容器底部，插入到被前述隔离部包围的空间内。在这种情况下，可防止因处理气体或清洗气体等产生的供电路部件的腐蚀。
前述控制部优选可使被前述隔离部包围的空间内压力升压。
前述真空处理装置优选还具有使前述清洗气体冷却的清洗气体冷却部。在这种情况下，前述控制部优选也控制前述清洗气体冷却部。
前述处理容器优选具有侧壁部，遍及前述间隔部和前述侧壁部之间设置缓冲板，以便使前述处理容器内的处理空间分离为处理侧空间和排气侧空间，前述缓冲板上形成连通前述处理侧空间和前述排气侧空间的孔部，在前述侧壁上设置从前述排气空间内对处理气体可进行排气的处理气体排气口。
这种情况下，优选在前述缓冲板上设置温度调节部。
本发明是使用真空处理装置实施真空处理的方法，该真空处理装置包括：具有底部且可真空抽气的处理容器；在前述处理容器内设置的、可载置基板的载置台；可对载置在前述载置台上的基板加热的加热部：可把处理气体供给前述处理容器内的处理气体供给部；包围前述载置台和前述处理容器底部之间的空间，使该空间与前述处理容器内的处理容间隔离的隔离部；向被前述隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；冷却前述清洗气体的清洗气体冷却部；从被前述隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；应调整从被前述隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部及清洗气体排气部的至少一方的控制部；和贯通前述处理容器的底部，插入被前述隔离部包围的空间内的同时，具有与前述载置台接触的前端部的温度检测部，前述隔离部具有与前述处理容器的底部面接触的下端部，其特征为，该方法具有以下工序：在将被前述隔离部包围的空间内压力调整到比前述处理容器内的处理空间内的压力高的状态下，对前述基板实施规定的真空处理的处理工序；和在实施前述真空处理后，使被前述隔离部包围的空间内的压力再升压到更高压力的状态下，使前述载置台的温度降温的降温工序。
前述方法优选还包含在前述降温工序之后，对前述处理容器内进行清洗的清洗工序。
本发明是一种使用真空处理装置，实施真空处理的方法，该真空处理装置包括：具有底部且可真空抽气的处理容器；在前述处理容器内设置的、可载置基板的载置台；可对载置在前述载置台上的基板加热的加热部；可把处理气体供给前述处理容器内的处理气体供给部；包围前述载置台和前述处理容器底部之间的空间，使该空间与前述处理容器内的处理容间隔离的隔离部；向被前述隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；从被前述隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；应调整从被前述隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部及清洗气体排气部的至少一方的控制部；和贯通前述处理容器的底部，插入被前述隔离部包围的空间内的同时，具有与前述载置台接触的前端部的温度检测部，前述隔离部具有与前述处理容器的底部面接触的下端部，其特征为，该方法包括以下工序：在将被前述隔离部包围的空间内压力调整到比前述处理容器内的处理空间内压力高的状态下，对前述基板实施规定的真空处理的处理工序；和在实施前述真空处理后，通过前述清洗气体冷却部使前述清洗气体冷却，并使前述载置台的温度降温的降温工序。
附图说明
图1是示出本发明一实施方式的真空处理装置(成膜装置)的全体构成的纵断面图。
图2是示出图1的真空处理装置控制系统的构成图。
图3是表示隔离形成载置台下方侧的空间的隔离部的面接触部的气体流的说明图.
图4是用于说明图1的真空处理装置中的工序的流程图。
图5是示出本发明另一实施方式的真空处理装置(成膜装置)的局部构成的纵断面图。
图6是示出清洗气体冷却部的构成例的概略图。
图7是示出现有技术的真空处理装置的概略构成的纵侧面图。
具体实施方式
图1是示出本发明的真空处理装置一实施方式全体构成的图。本实施方式的真空处理装置是用于对例如Ti或TiN成膜的成膜装置，具有圆筒状气密的处理容器(腔室)2。在该处理容器2内设置作为用于水平地支持基板例如晶片10的基板保持部的载置台3。以比晶片10更大尺寸的圆柱状地形成该载置台3。设置与载置台3的外周缘连续，向下方侧垂直地延伸的圆筒部4。载置台3及圆筒部4通过例如氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)等的陶瓷一体制作，上端侧开口，下端侧构成有底的筒状体。
另一方面，在处理容器2的底壁21的内壁面上设置与圆筒部4的口径对应的直径的环状隔热体41。隔热体41例如是石英制的。该隔热体41的断面形状是四边形，与前述底壁21的内壁面面接触。在隔热体41之上载置断面形状呈反L字型的环状按压部件42。按压部件42与隔热体41上面面接触。前述圆筒部4的下端部向外侧弯曲形成凸缘部(带缘部)43。在由隔热体41及按压部件42形成的朝向内侧的环状沟槽部内配合前述凸缘部43。圆筒部4，隔热体41及按压部件42相互之间面接触。底壁21的内壁面，隔热体41，按压部件42以及圆筒部4相互之间接触的面被研磨。据此，通过相互的面接触应当尽可能确保气密性。
因此，通过圆筒部4，隔热体41以及按压部件42包围载置台3和处理容器2底部之间的空间S的周围，该空间S与处理环境气氛隔离。即：在本例，圆筒部4，隔热体41以及按压部件42相当于隔离部。
在处理容器2的底壁21上连接形成用于对前述空间S供给清洗气体例如氮气等非活性气体的清洗气体供给部的清洗气体供给管51的同时，连接形成用于从空间S来对清洗气体进行排气的清洗气体排气部的清洗气体排气管52。
图2是详细记载图1成膜装置的工作系统以及控制系统的构成图。如图2所示地，经阀V以及作为流量调整部的质量流量控制器53，清洗气体供给源54与清洗气体供给管51连接。经例如蝶形阀等的压力调整部55(与后述的控制部6一起构成权利要求1的控制部)，作为真空排气机构的真空泵56与清洗气体排气管52连接。也可以利用用于对例如后述的处理容器2内进行排气的真空泵20作为真空泵56。在清洗气体排气管52的处理容器2的附近设置用于检测前述空间S压力的压力检测部57。
图2中，6是控制部(与前述的压力调整部55一起构成权利要求1的控制部).控制部6具有根据由压力检测部57检测的压力检测值，把控制信号传递到压力调整部55而控制空间S内的压力的功能、和将控制信号送到流量调整部53而调整清洗气体流量的功能.而且，通过由控制部6的压力控制进行调整，使空间S的压力成为比处理环境气氛的压力高.在降低载置台3温度时(例如通过处理气体对晶片10进行成膜处理终止后，移行到使处理容器2内清洗的工序时)，为了使载置台3的热经清洗气体高效地散热到处理容器2的底壁21侧，进行调整，使空间S的压力升压.除了使载置台3的温度降低时之外(例如从成膜处理的准备阶段直到晶片10的连续成膜终止为止之间)，前述空间S的压力设定在通过后述的热电偶前端部与载置台3之间的接触部的微小间隙进行充分的热传导、得到精度好的温度检测值的压力，例如从133Pa到2660Pa.
在载置台3内，如图2所示，设置加热机构，例如由电阻发热体构成的加热器7。在该例，加热器7具有在载置台3的中央部上设置的圆形或环状的加热器71和在该加热器71的外侧上设置的环状加热器72。例如供电电缆等2条供电路部件73、74贯通处理容器2底部，从外部插入前述空间S。这些供电部件73、74的前端部分别与加热器71、72电连接。据此，从供电路部件73、74的另一端部侧的电源部61、62分别把电力供给加热器71、72。温度检测部，例如2根热电偶75、76贯通处理容器2的底部，从外部插入到前述空间S。这些热电偶75、76的前端部与载置台3的加热器71、72的加热区域下部侧接触(例如，嵌入从载置台3下面侧突出的孔部)。控制部6基于从热电偶75来的温度检测值，把控制信号传送到电源部61，控制内侧加热器71的发热量，此外，基于从热电偶76来的温度检测值，把控制信号传送到电源部62，控制外侧加热器72的发热量。
在图1，为了图示的方便，加热器71、72省略记载，对于供电路部件73、74以及热电偶75、76分别只记载1条。如图1所示，供电路部件73、74使用组合了套管(sleeve)的安装部件77以及作为树脂制环状密封部件的O型环77a，边确保与处理容器2的底壁21之间的气密性，边支撑在该底部21上。热电偶75、76使用组合了套管的安装部件78及O型环78a，边确保与处理容器2底壁21之间气密性，边支撑在该底壁21。在本例，加热器分成2部分，也可以分成3部分以上。也可以设置与分成份数对应的供电路部件以及热电偶，使各加热器独立加以控制。
此外，在载置台3和处理容器2的底壁21之间与载置台3对置地设置有上面成为加工成镜面的反射面部的反射板31，以便使从载置台3来的幅射热反射到载置台3侧。如果设置这样的反射板31，则可以抑制底壁21的温度上升的同时，提高加热器71、72的加热效率。反射面部也可以是使处理容器底壁表面加工成镜面形成的。
在前述处理容器2的底壁21的周缘部上例如沿周方向形成多个排气口22。经排气管23，作为真空排气机构的真空泵20与这些排气口22连接。据此，对处理容器2内进行真空排气。在前述圆筒部4的周围，按照堵塞在沿着周方向延伸的圆筒部4和处理容器2的侧壁之间的方式，设置缓冲板32。在该缓冲板32上沿周方向穿透设置多个孔部33，以便使从处理空间来的处理气体在晶片10的周方向均匀地排气到排气口22侧。据此，即使圆筒部4，隔热体41，按压部件42以及处理容器2的底壁21之间的面接触部位例如因热收缩摩擦而产生颗粒，也可抑制该颗粒流入处理空间内，可防止对晶片10的污染。
在缓冲板32内，如图2所示，设置作为温度调整部的例如冷却介质流路34.从冷却介质供给流路35供给的冷却介质，例如冷却水，热传导液(ァゥジモント公司的注册商标)等在冷却介质流路34流通，冷却缓冲板32，从冷却介质排出流路36排出.从冷却介质排出流路36排出的冷却介质通过冷却单元37冷却，经冷却介质供给流路35循环流向冷却介质流路34.冷却单元37基于从控制部6来的信号，调整冷却介质流量及/或冷却介质温度.在图2简略化地记载冷却介质供给流路35及冷却介质排出流路36，例如通过贯通处理容器2的底壁的配管构成.缓冲板32的温度调整部也可以在冷却介质流路之外具有例如电阻发热体等的加热机构.这种情况下可以遍及更广的温度范围调整缓冲板32的温度.缓冲板32的温度优选调整到对应成膜处理的种类的温度，例如薄膜或付产品(by-product)附着的温度以上的温度.这种情况下，可以防止它们附着在缓冲板32上.
此外，如图1所示，用于递送晶片10的支持部件24支持晶片10的周缘部，通过升降部25升降。支持部件24在递送时以外，收容在在载置台3形成的台阶部26内。在处理容器2的侧壁上形成晶片输送口27。晶片输送口27通过闸阀28与未图示的预真空室连通。在处理容器2的上部设置由气体喷淋头构成的气体供给部29，与载置台3对置，从多条气体供给管(在图1，为了方便记载了2条气体供给管29a，29b)分别供给的成膜气体分别地供给到处理容器2内。
其次，对上述实施方式的作用加以阐述。首先通过加热器71、72，使载置台3加热到例如400～700℃左右范围内的规定温度。另一方面，处理容器2内成为基于真空泵20的抽真空状态。经输送口27通过未图示的臂把作为基板的晶片10搬入处理容器2内，经支持部件24在载置台3上载置。在晶片10加热到400～700℃左右范围内的规定的工艺温度之后，边将处理环境气氛维持在例如100～1000Pa左右范围内的规定压力，边在各自的规定流量下从气体供给部29把处理气体例如TiCl4(四氯化钛)及NH3(氨)供给处理容器2内。这些处理气体引起热化学反应，在晶片10上形成薄膜，例如TiN成膜。这时，缓冲板32的表面温度调整在未使TiN膜或付产品成膜的温度，例如170℃。此外供给H2代替NH3，也可以对Ti成膜。
另一方面，从清洗气体供给管51把作为清洗气体例如N2气供给载置台3下方的空间S。通过压力调整部55，空间S的压力调整到比处理环境气氛的压力更高的例如1330Pa左右。因此，如图3所示，空间S的清洗气体从在处理容器2底壁21和隔热体41之间、在隔热体41和按压部件42之间、在圆筒部4下端部和隔热体41及按压部件42之间的各微小间隙泄漏到处理环境气氛侧。据此，可以抑制处理环境气氛体侧的处理气体流入空间S。
一旦这样做的成膜工序终止，对下一晶片10进行同样的成膜工序。重复进行这样的成膜工序，如果累计的总膜厚达到规定的膜厚，则对处理容器2内进行清洗。图4是示出这样顺序的流程图。在步骤S1，边使前述空间S的压力维持在规定压力P1，边进行已述的成膜处理。一旦成膜工序终止(步骤S2)，判断是否是进行清洗的时间(步骤S3)。如果不是进行清洗的时间，则对下一晶片进行成膜处理。如果是进行清洗的时间，则停止向载置台3的加热器71、72供电，使载置台3向清洗工序设定温度例如250℃降温。在这里，为了增大从载置台3来的散热，促进降温，使空间S的压力从成膜时的压力P1升压直到压力P2例如2660Pa(步骤S4)。一旦使载置台3降温直到设定温度，把清洗气体例如ClF3(三氟化氯)或F2(氟)气+HF(氟化氢)气体供给处理容器2内，通过蚀刻进行除去在处理容器2的内壁或载置台3上附着的薄膜的工序(步骤S5)。
在进行清洗时，空间S的压力也可以仍然维持在压力P2，为了减少散热，也可以从压力P2开始降压。即使在这种情况下，空间S的压力也设定在比处理环境气氛体的压力更高，以使清洗气体不进入空间S。
作为设定空间S的压力比处理环境气氛的压力更高的控制方法，把从处理容器2内设置的压力传感器(未图示)来的信号输入控制部6，基于压力传感器及压力检测部57来的各检测信号，控制空间S的压力，以便成为比例如处理容器2内的压力更高的某一定值的高压力，或者控制空间S的压力，以便成为比处理容器2的压力高一定倍数的高压力也是可以的.
根据上述实施方式，在载置晶片10的载置台3的下方侧上，沿着该载置台3的周缘向下方延伸的圆筒部4(隔离部)与该载置台3一体地设置的同时，该圆筒部4的下端的凸缘部43嵌合在隔热体41及按压部件42之间，而且在处理容器2的底面和隔热体41之间、隔热体41和按压部件42之间、圆筒部4的下端部和隔热体41及按压部件42之间面接触，载置台3的下方侧空间S和处理环境气氛之间密封隔离成某种程度的气密性，使前述空间S的压力通过清洗气体成为比处理环境气氛的压力更高。据此，可防止气体向载置台3背侧回流，即：可防止处理气体或清洗气体从处理环境气氛向前述空间S的流入。因此可防止热电偶75、76及供电路部件73、74的腐蚀。因为使热电偶75、76和载置台3之间的接触部的微小空间的热传导良好，因为设定前述空间S的压力在可满足规定的温度检测精度的程度，所以可以进行稳定的载置台3的温度控制。
可是，因为由于气密地间隔前述空间S和处理环境气氛未用O型环，所以可以不担心O环的热老化。因此，可以缩短载置台3和处理容器2底部之间的距离，可以减小处理容器2的设置空间。而且，因为包含载置台3的下方侧区域全体的空间S与处理环境气氛隔开，所以热电偶75(76)及供电路部件73(74)的设置数及其设置位置没有限制。因此使载置台3分成所希望的区域，而可极精细地控制。作为结果，对于晶片10的温度得到高度的面内均匀性。因为热电偶75、76以及供电路部件73、74的各自直径小，所以在它们向下方侧传送的热也少。因此，在这些各部件和处理容器2底部之间介入O型环，可以确保气密性。
此外，为了终止成膜处理进行下一工序(例如为了进行清洗)，使载置台3的温度降温的情况下，提高前述空间S的压力，促进载置台3的散热。据此，载置台3可在短时间降温到规定温度。因此可以快速地实施清洗工序，提高装置的工作效率。与此相反，如果为了加速载置台3的降温，提高处理环境气氛的压力，则在其后的清洗工序，为了将处理环境气氛降低到设定压力要化费长时间。即，使空间S升压是非常有效的。
在沿着载置台3的外周设置的缓冲板32上从载置台3经处理气体传递热。因此，与处理第1枚晶片10时的缓冲板32的温度相比，紧接其后处理晶片10时的缓冲板32的温度高。因此，在晶片10之间(在面间)，在晶片10表面上的气体消耗量各异，所以恐怕气体浓度分布改变。可是，通过温度调整部冷却缓冲板32，通过抑制各晶片10的处理中的缓冲板32的温度波动，就成膜处理而言。可以对膜厚而言得到高度面间均匀性。
在上述实施方式，在使载置台3降温时，应当提高空间S的压力，促进散热。可是，通过在清洗气体供给管51上设置清洗气体冷却部，使清洗气体冷却，也可以促进载置台3的降温。在图6示出清洗气体冷却部的构成例。或者也可以组合空间S的升压和清洗气体的冷却。在使载置台3降温时，不限于清洗工序，在从某一工艺过程移行到另一工艺过程时，例如在对相互各异的膜连续成膜的情况，也可以是后半部的成膜处理温度比前半部的成膜处理温度更低情况等。
使载置台3的下方侧空间S与处理环境气氛隔离的构造不限于图1的构成.例如，如图5所示，设置形成隔离部的筒状隔热体8，包围载置台3的下方侧空间S，使隔热体8上端弯曲，在其弯曲部的上面和载置台3的下面之间面接触的同时，使隔热体8的下端弯曲，使其弯曲部的下面和处理容器2的底壁21面接触也是可以的.如果这样作，可以进一步增大载置台3和底壁21之间的隔热效果.
隔热体8的下端部通过环状按压部件81推压。按压部件81和隔热体8之间以及按压部件81和底壁21之间面接触。此外，载置台3的周缘部和缓冲板32之间的间隙通过环状中间部件82堵塞。该中间部件82和载置台3以及缓冲板32之间也面接触，防止颗粒或金属粒子飞散到处理环境气氛中。
在以上，本发明也可以适用于使用WF6(六氟化钨)气体和氢气或SiH4(硅烷)气体进行W成膜的情况，也可以对使用WF6气或SiH2Cl2(二氯硅烷)进行WSi2成膜的情况。此外，对晶片10加热的机构，也可以是例如与载置台3的上方对置的加热灯。本发明也可以适用于进行蚀刻或灰化等真空处理的装置。

Claims (10)

1.一种真空处理装置，其特征在于，包括：
具有底部且可真空排气的处理容器；
设置在所述处理容器内，可载置基板的载置台；
可以对载置在所述载置台上的基板进行加热的加热部；
可以向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；
包围所述载置台和所述处理容器底部之间的空间，使该空间与所述处理容器内的处理空间隔离的隔离部；
向由所述隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；
从由所述隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；
应调整由所述隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部以及清洗气体排气部至少一方的控制部；和
贯通所述处理容器底部，插入到由所述隔离部包围的空间内，并具有与所述载置台接触的前端部的温度检测部，
所述隔离部具有与所述处理容器的底部面接触的下端部，
所述控制部将由所述隔离部包围的空间内的压力调整到比所述处理容器内的处理空间内的压力高，
所述处理容器具有侧壁部，
跨越在所述隔离部和所述侧壁部之间而设置缓冲板，使所述处理容器内的处理空间分离为处理侧空间和排气侧空间，
从由所述隔离部包围的空间内泄漏清洗气体的微小间隙配置在由所述缓冲板分离出的排气侧空间，
所述微小间隙为所述处理容器与所述隔离部之间、以及所述隔离部的各组成部分之间的间隙，
在所述侧壁部上设置有可从所述排气侧空间内排出处理气体的处理气体排气口。
2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征为，
所述加热部具有在所述载置台上设置的电阻发热体，
用于把电力供给所述加热部的供电路部件贯通所述处理容器底部，插入被所述隔离部包围的空间内。
3.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征为，
所述控制部可使被所述隔离部包围的空间内的压力升压。
4.一种真空处理装置，其特征为，
具有底部且可真空排气的处理容器；
设置在所述处理容器内，可载置基板的载置台；
可以对载置在所述载置台上的基板进行加热的加热部；
可以向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；
包围所述载置台和所述处理容器底部之间的空间，使该空间与所述处理容器内的处理空间隔离的隔离部；
向由所述隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；
从由所述隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；
应调整由所述隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部以及清洗气体排气部至少一方的控制部；
贯通所述处理容器底部，插入到由所述隔离部包围的空间内，并具有与所述载置台接触的前端部的温度检测部；和
冷却所述清洗气体的清洗气体冷却部，
所述隔离部具有与所述处理容器的底部面接触的下端部，
所述控制部将由所述隔离部包围的空间内的压力调整到比所述处理容器内的处理空间内的压力高。
5.根据权利要求4所述的真空处理装置，其特征为，
所述控制部也控制所述清洗气体冷却部。
6.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征为，
在所述缓冲板上形成有连通所述处理侧空间和所述排气侧空间的孔部。
7.根据权利要求6所述的真空处理装置，其特征为，
在所述缓冲板上设置有温度调整部。
8.一种真空处理方法，使用真空处理装置进行真空处理，其特征在于，该真空处理装置包括：
具有底部且可真空排气的处理容器；
设置在所述处理容器内，可载置基板的载置台；
可以对载置在所述载置台上的基板进行加热的加热部；
可以向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；
包围所述载置台和所述处理容器底部之间的空间，使该空间与所述处理容器内的处理空间隔离的隔离部；
向由所述隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；
从由所述隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；
应调整由所述隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部以及清洗气体排气部的至少一方的控制部；和
贯通所述处理容器底部，插入到由所述隔离部包围的空间内，并具有与所述载置台接触的前端部的温度检测部，
所述隔离部具有与所述处理容器的底部面接触的下端部，
该真空处理方法包括以下工序：
在将被所述隔离部包围的空间内的压力调整到比所述处理容器内的处理空间内的压力高的状态下，对所述基板实施规定的真空处理的处理工序；和
在实施所述真空处理后，在使被所述隔离部包围的空间内的压力升压到更高的状态下，使所述载置台的温度降温的降温工序。
9.根据权利要求8所述的真空处理方法，其特征为，
在所述降温工序之后还具有对所述处理容器内进行清洗的清洗工序。
10.一种真空处理方法，使用真空处理装置进行真空处理，其特征在于，该真空处理装置包括：
具有底部且可真空排气的处理容器；
设置在所述处理容器内，可载置基板的载置台；
可以对载置在所述载置台上的基板进行加热的加热部；
可以向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；
包围所述载置台和所述处理容器底部之间的空间，使该空间与所述处理容器内的处理空间隔离的隔离部；
向由所述隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；
冷却所述清洗气体的清洗气体冷却部；
从由所述隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；
应调整由所述隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部以及清洗气体排气部的至少一方的控制部；和
贯通所述处理容器的底部，插入到由所述隔离部包围的空间内，并具有与所述载置台接触的前端部的温度检测部，
所述隔离部具有与所述处理容器的底部面接触的下端部，
该真空处理方法包括以下工序：
在将被所述隔离部包围的空间内的压力调整到比所述处理容器内的处理空间内的压力高的状态下，对所述基板实施规定的真空处理的处理工序；和
在实施所述真空处理后，利用所述清洗气体冷却部冷却所述清洗气体并使所述载置台的温度降温的降温工序。
CN2004800027367A 2003-02-26 2004-02-12 真空处理装置 Expired - Fee Related CN1742113B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003049632A JP4251887B2 (ja) 2003-02-26 2003-02-26 真空処理装置
JP49632/2003 2003-02-26
JP049632/2003 2003-02-26
PCT/JP2004/001479 WO2004076715A1 (ja) 2003-02-26 2004-02-12 真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1742113A CN1742113A (zh) 2006-03-01
CN1742113B true CN1742113B (zh) 2010-05-05

Family

ID=32923314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004800027367A Expired - Fee Related CN1742113B (zh) 2003-02-26 2004-02-12 真空处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20060160359A1 (zh)
JP (1) JP4251887B2 (zh)
KR (1) KR100715054B1 (zh)
CN (1) CN1742113B (zh)
WO (1) WO2004076715A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0106410D0 (en) 2001-03-15 2001-05-02 Ucb Sa Labels
JP4597894B2 (ja) * 2006-03-31 2010-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
JP5105396B2 (ja) * 2006-04-12 2012-12-26 東京応化工業株式会社 加熱処理装置
JP4913695B2 (ja) * 2007-09-20 2012-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びそれに用いる基板載置台
JP5171969B2 (ja) * 2011-01-13 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5832173B2 (ja) * 2011-07-11 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
KR101804128B1 (ko) * 2011-12-26 2017-12-05 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치
KR20130086806A (ko) * 2012-01-26 2013-08-05 삼성전자주식회사 박막 증착 장치
KR101452318B1 (ko) * 2012-06-29 2014-10-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US10385448B2 (en) 2012-09-26 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for purging gaseous compounds
JP6107327B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法
DE102013020106A1 (de) * 2013-12-06 2015-06-11 Oliver Feddersen-Clausen Reaktionskammer insbesondere für Atomic Laver Deposition
CN106367731A (zh) * 2015-07-20 2017-02-01 广东昭信半导体装备制造有限公司 一种氧化物化学气相沉积装置和方法
US10607817B2 (en) 2016-11-18 2020-03-31 Applied Materials, Inc. Thermal repeatability and in-situ showerhead temperature monitoring
US20220178029A1 (en) * 2020-12-03 2022-06-09 Tokyo Electron Limited Deposition apparatus and deposition method
KR102621848B1 (ko) * 2020-12-18 2024-01-09 세메스 주식회사 지지 유닛 및 기판 처리 장치
JP7317083B2 (ja) * 2021-09-01 2023-07-28 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1137296A (zh) * 1993-12-17 1996-12-04 布鲁克斯自动化公司 加热或冷却晶片的设备
CN1195036A (zh) * 1996-07-26 1998-10-07 Memc电子材料有限公司 外延圆筒反应器用的冷却系统和操作方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07153706A (ja) * 1993-05-27 1995-06-16 Applied Materials Inc サセプタ装置
JP3165938B2 (ja) * 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
US5592581A (en) * 1993-07-19 1997-01-07 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus
JP4236329B2 (ja) * 1999-04-15 2009-03-11 日本碍子株式会社 プラズマ処理装置
JP2001053030A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
JP4592856B2 (ja) * 1999-12-24 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及びガス処理装置
US20040020599A1 (en) * 2000-12-27 2004-02-05 Sumi Tanaka Treating device
JP4009100B2 (ja) * 2000-12-28 2007-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法
WO2003049173A1 (fr) * 2001-12-07 2003-06-12 Tokyo Electron Limited Procede de nitruration de film isolant, dispositif a semi-conducteur et son procede de production et dispositif et procede de traitement de surface
JP2003253449A (ja) * 2002-02-27 2003-09-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体／液晶製造装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1137296A (zh) * 1993-12-17 1996-12-04 布鲁克斯自动化公司 加热或冷却晶片的设备
CN1195036A (zh) * 1996-07-26 1998-10-07 Memc电子材料有限公司 外延圆筒反应器用的冷却系统和操作方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2002-198416A 2002.07.12
JP特开平7-153706A 1995.06.16
JP特开平7-78766A 1995.03.20

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004263209A (ja) 2004-09-24
CN1742113A (zh) 2006-03-01
WO2004076715A1 (ja) 2004-09-10
KR100715054B1 (ko) 2007-05-07
KR20050105249A (ko) 2005-11-03
JP4251887B2 (ja) 2009-04-08
US20060160359A1 (en) 2006-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1742113B (zh) 真空处理装置
US6716772B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
US20190233940A1 (en) Treatment methods for silicon nitride thin films
US4817558A (en) Thin-film depositing apparatus
US6736147B2 (en) Semiconductor-processing device provided with a remote plasma source for self-cleaning
KR100447284B1 (ko) 화학기상증착 챔버의 세정 방법
US20150152554A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer readable recording medium
WO2001004376A1 (en) A method of forming a silicon nitride layer on a semiconductor wafer
JP2007146270A (ja) ガス供給装置及び基板処理装置
US20120220116A1 (en) Dry Chemical Cleaning For Semiconductor Processing
US20130247826A1 (en) Apparatus for variable substrate temperature control
US11420217B2 (en) Showerhead for ALD precursor delivery
TWI575100B (zh) 基板處理設備
US11236424B2 (en) Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
US6530992B1 (en) Method of forming a film in a chamber and positioning a substitute in a chamber
US10655223B2 (en) Advanced coating method and materials to prevent HDP-CVD chamber arcing
JP2020132942A (ja) 成膜装置および成膜方法
KR20010110291A (ko) 기판처리방법
US6363624B1 (en) Apparatus for cleaning a semiconductor process chamber
US20050263073A1 (en) Furnace for heating a wafer and chemical vapor deposition apparatus having the same
JPH05109654A (ja) 成膜処理装置
US20100203243A1 (en) Method for forming a polysilicon film
US20220298636A1 (en) Methods and apparatus for processing a substrate
US6794308B2 (en) Method for reducing by-product deposition in wafer processing equipment
KR20050112203A (ko) 반도체 소자 제조장비에서의 가스 플로잉 노즐 세팅구조

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100505

Termination date: 20170212