CN1717461A - B阶小片连接粘合剂 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及b阶小片连接粘合剂，制备这种粘合剂的方法，将这种粘合剂施加到小片和其它基底表面上的方法，和用其制备的连接微电子电路的组件。该粘合剂包括：a)在第一温度下可热固化的固体组分；b)或者在第二温度下可热固化或者当暴露于电磁光谱范围内的辐射线下可固化的液体组分；和c)用于该固体可固化组分的热固化催化剂。

Description

B阶小片连接粘合剂
相关申请的数据
根据35U.S.C.§119(e)，本申请要求2002年11月25日提交的美国临时申请No.60/428724的优先权提交日，其公开内容在此通过参考引入。
发明背景
发明领域
本发明涉及b阶小片(die)连接粘合剂，制备这种粘合剂的方法，将这种粘合剂施加到小片和其它基底表面上的方法，和用其制备的连接微电子电路的组件。
相关技术的简要说明
双马来酰亚胺在热固性树脂领域内占据着重要的位置，和许多双马来酰亚胺是可商购的。双马来酰亚胺已用于生产模制品和粘合剂接合点，耐热复合材料，和高温涂层。最近，Henkel Loctite Corporation商业化了部分基于某些双马来酰亚胺的许多产品，用于连接半导体芯片到电路板上，在微电子工业上，这些产品在商业上的接受度良好。在一个或多个美国专利Nos.5789757(Husson)、6034194(Dershem)、6034195(Dershem)和6187886(Husson)中涵盖这些产品。
希望提供b阶形式的小片连接材料，如其晶片施加或基底施加的变体。当分配可流动形式的反应性粘合剂，其中包括小片连接粘合剂时，这种变体省去了已有的许多储存、分配、处理和加工问题。
b阶预施加粘合剂本身不是一个新的商业物体。例如，HenkelLoctite在连接螺母和螺栓组件中使用的预施加的螺纹锁扣粘合剂中具有巨大的业务，该粘合剂牵涉(甲基)丙烯酸酯化学，可通过或者光固化机理、热固化机理或其结合，和任选的辅助厌氧固化机理固化。还参见美国专利Nos.2928446、4325985、4632944和5300608。
另外，Henkel Loctite也已设计并开发了预施加的底层填充(underfill)胶囊剂(参见国际专利申请No.PCT/US00/07494)。
然而，迄今为止，不存在基于液体和固体可固化组分结合的b阶可热固化组合物，或者用于商业的制造制品，如半导体芯片或半导体晶片，其具有预施加到其上的这种b阶小片连接粘合剂，用于维护可流动的小片连接粘合剂的微电子封装或组装终端用户在不需要中间加工步骤的情况下施加。
发明概述
本发明涉及b阶可固化组合物，它包括在第一温度下可热固化的固体组分；在第二温度下可热固化或者当暴露于电磁光谱范围内的辐射线下可固化的液体组分；和用于该固体可固化组分的热固化催化剂。
本发明进一步提供制备b阶可热固化的组合物的方法，该方法包括提供在第一温度下可热固化的固体组分，在第二温度下可热固化或者当暴露于电磁光谱范围内的辐射线下可固化的液体组分，和用于该固体可固化组分的热固化催化剂；和一起混合该固体可固化组分、液体可固化组分与热固化催化剂。此处的方法可进一步包括将该组合物暴露于对液体可固化组分固化有利的条件下，将该组合物暴露于足以使固体可固化组分熔融的温度条件下，和将该组合物暴露于足以使该熔化的固体可固化组分固化的温度条件下。
本发明仍进一步提供将一种基底，如芯片小片(chip die)粘合连接到另一基底，如电路板或另一芯片小片上的方法，该方法包括施加本发明的组合物到基底之一上；将施加了组合物的基底暴露于使其中的液体可固化组分有利地进行固化的条件下，从而形成b阶可固化膜；将该b阶可固化膜暴露于足以使其中的固体可固化组分熔融的温度条件下；连接各基底，形成组件，其中通过事先施加的组合物隔开基底；并将可固化膜暴露于足以使该熔化的固体可固化组分固化的温度条件下。
另外或者附加地，该b阶可热固化组合物可预施加到基底上的一个或多个金属化的接触垫上。
b阶膜的热固化条件可包括使该组件经历约150℃-约200℃范围内的温度约0.25分钟-约2分钟的时间段。
附图简述
图1是在与基底组装之前，在本发明一个实施方案内的半导体芯片的示意图。
图2是电路组件的示意图，该电路组件包括组装到基底上的图1的半导体芯片。
图3是电路组件的示意图，该电路组件包括在本发明的进一步的实施方案中，组装到芯片级封装件上的半导体芯片。
图4是层叠的芯片小片应用的示意图。
发明详述
作为固体可热固化的组分，尤其理想的是环氧化物、环硫化物、马来酰亚胺、衣康酰亚胺和桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺(nadimide)。
呈固体状态的环氧树脂可包括单官能的环氧化合物：C4-C28烷基缩水甘油醚；C2-C28烷基-和链烯基缩水甘油酯；和C1-C28烷基-和单-酚缩水甘油醚；以及多官能环氧化合物：焦儿茶酚、间苯二酚、氢醌、4，4｀-二羟基二苯甲烷(或双酚F，如商购于日本Nippon Kayuku的RE-303-S或RE-404-S)、4，4｀-二羟基-3，3｀-二甲基二苯甲烷、4，4｀-二羟基二苯基二甲基甲烷(或双酚A)、4，4｀-二羟基二苯基甲基甲烷、4，4｀-二羟基二苯基环己烷、4，4｀-二羟基-3，3｀-二甲基二苯丙烷、4，4｀-二羟基二苯砜和三(4-羟苯基)甲烷的多缩水甘油醚；过渡金属络合物的多缩水甘油醚；以上所述的二酚的氯化和溴化产物；线形酚醛清漆的多缩水甘油醚；通过酯化二酚的醚而获得的二酚的多缩水甘油醚，其中所述二酚的醚通过用二卤代烷烃或二卤代烷基醚酯化芳族羧酸的盐而获得；通过缩合酚类和含至少两个卤素原子的长链卤素烷属烃而获得的多酚的多缩水甘油醚；N，N｀-二缩水甘油基苯胺；N，N｀-二甲基-N，N｀-二缩水甘油基-4，4｀-二氨基二苯甲烷；N，N，N｀，N｀-四缩水甘油基-4，4｀-二氨基二苯甲烷；N，N｀-二缩水甘油基-4-氨基苯基缩水甘油醚；双-4-氨基苯甲酸N，N，N｀，N｀-四缩水甘油基-1，3-亚丙酯；可溶可熔酚醛环氧树脂；甲酚可溶酚醛环氧树脂；及其结合。
在这些固态可商购环氧树脂当中，适用于本发明的有：酚类化合物的多缩水甘油基衍生物，如以商品名EPON，如EPON 1009F[双酚A环氧树脂(CAS No.25036-25-3)]、EPON 1001F、EPON 1002F、EPON1004F、EPON 1007F、EPON 3001、EPON 3002、EPON 2002、EPON 2003、EPON 2004、EPON 2005、EPON 2012、EPON 2014、EPON 2024和EPON 2042获自Resolution Performance；以商品牌号DER，如DER 331、DER 332、DER383、DER354和DER542获自Dow Chemical Co.；以商品名ARALDITE，如ARALDITE[苯酚-4，4｀-双(1-甲基偏亚乙基)和(氯甲基)环氧乙烷(CAS No.25068-38-6)]、ARALDITE ECN 1299[甲醛，具有(氯甲基)环氧乙烷和2-甲基苯酚的聚合物，熔点85-100℃(CSA No.29690-82-2)]和ARALDITE ECN 1285[甲醛，具有(氯甲基)环氧乙烷和2-甲基苯酚的聚合物，熔点80-90℃(CSA No.29690-82-2)]，和ARALDITE GT 7097US[(苯酚，4-(1，1-二甲基乙基)，具有(氯甲基)环氧乙烷和4，4｀-双(1-甲基偏亚乙基)的聚合物，熔点113-123℃(CAS No.67924-34-9))获自纽约Vantico Inc.，Brewster；和以BREN获自日本Nippon Kayaku，的那些。其它合适的环氧树脂包括由多元醇和类似物制备的聚环氧化物，和线形酚醛树脂的多缩水甘油基衍生物，其中后者以商品名DEN，如DEN431、DEN438和DEN439商购于Dow Chemical Company。
胺、氨基醇和多羧酸的多缩水甘油基加合物也可用于本发明，其商购树脂包括获自BP Chemicals，LTD的GLYAMINE 135、GLYAMINE 125和GLYAMINE 115；获自Vantico Inc.的ARALDITE MY 720、ARALDITEMY721、ARALDITE MY0500和ARALDITE MY0510。
当然，不同环氧树脂的结合对于此处的应用也是所需的。
除了环氧化物以外，同样环硫化物也是所需的，而不管它们是全部或部分的环硫化物，条件是它们为固态。环硫化物可以商购或者容易由相应的环氧通过已知的合成方法来制备。
固态的马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺和衣康酰亚胺分别包括具有下述结构I、II和III的那些化合物：
其中：
m＝1-15，
p＝0-15，
每一R2独立地选自氢或低级烷基，和
J是含有机或有机硅氧烷基的单价或多价部分，和其中的两种或多种的结合。
固态的马来酰亚胺、衣康酰亚胺和桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺的更具体的代表包括对应于结构I、II或III的那些，其中
m＝1-6，
p＝0，
R2独立地选自氢或低级烷基，和
J是单价或多价基团，其选自烃基、取代烃基、含杂原子的烃基、取代的含杂原子的烃基、亚烃基、取代亚烃基、含杂原子的亚烃基、取代的含杂原子的亚烃基、聚硅氧烷、聚硅氧烷-聚氨酯嵌段共聚物，和其中的两种或多种的结合，所述单价或多价基团任选地含有一个或多个连接基，所述连接基选自共价键、-O-、-S-、-NR-、-O-C(O)-、-O-C(O)-O-、-O-C(O)-NR-、-NR-C(O)-、-NR-C(O)-O-、-NR-C(O)-NR-、-S-C(O)-、-S-C(O)-O-、-S-C(O)-NR-、-S(O)-、-S(O)2-、-O-S(O)2-、-O-S(O)2-O-、-O-S(O)2-NR-、-O-S(O)-、-O-S(O)-O-、-O-S(O)-NR-、O-NR-C(O)-、O-NR-C(O)-O-、-O-NR-C(O)-NR-、-NR-O-C(O)-、-NR-O-C(O)-O-、-NR-O-C(O)-NR-、-O-NR-C(S)-、O-NR-C(S)-O-、O-NR-C(S)-NR-、NR-O-C(S)-、-NR-O-C(S)-O-、NR-O-C(S)-NR-、-O-C(S)-、-O-C(S)-O-、-O-C(S)-NR-、-NR-C(S)-、-NR-C(S)-O-、-NR-C(S)-NR-、-S-S(O)2-、-S-S(O)2-O-、-S-S(O)2-NR-、-NR-O-S(O)-、-NR-O-S(O)-O-、-NR-O-S(O)-NR-、-NR-O-S(O)2-、-NR-O-S(O)2-O-、-NR-O-S(O)2-NR-、-O-NR-S(O)-、-O-NR-S(O)-O-、-O-NR-S(O)-NR-、-O-NR-S(O)2-O-、-O-NR-S(O)2-NR-、-O-NR-S(O)2-、-O-P(O)R2-、-S-P(O)R2-、NR-P(O)R2-，其中每一R独立地为氢、烷基或取代烷基，和其中的两种或多种的结合。
正如本领域的熟练技术人员容易意识到的，当一个或多个以上所述的单价或多价基团含有一个或多个以上所述的连接基形成马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺或衣康酰亚胺的侧基“J”时，可产生各种连接基，如氧基烷基、硫代烷基、氨基烷基、羧基烷基、氧基链烯基、硫代链烯基、氨基链烯基、羧基链烯基、氧基炔基、硫代炔基、氨基炔基、羧基炔基、氧基环烷基、硫代环烷基、氨基环烷基、羧基环烷基、氧基环烯基、硫代环烯基、氨基环烯基、羧基环烯基、杂环、氧基杂环、硫代杂环、氨基杂环、羧基杂环、氧基芳基、硫代芳基、氨基芳基、羧基芳基、杂芳基、氧基杂芳基、硫代杂芳基、氨基杂芳基、羧基杂芳基、氧基烷芳基、硫代烷芳基、氨基烷芳基、羧基烷芳基、氧基芳烷基、硫代芳烷基、氨基芳烷基、羧基芳烷基、氧基芳基链烯基、硫代芳基链烯基、氨基芳基链烯基、羧基芳基链烯基、氧基链烯基芳基、硫代链烯基芳基、氨基链烯基芳基、羧基链烯基芳基、氧基芳基炔基、硫代芳基炔基、氨基芳基炔基、羧基芳基炔基、氧基炔基芳基、硫代炔基芳基、氨基炔基芳基或羧基炔基芳基、氧基亚烷基、硫代亚烷基、氨基亚烷基、羧基亚烷基、氧基亚烯基、硫代亚烯基、氨基亚烯基、羧基亚烯基、氧基亚炔基、硫代亚炔基、氨基亚炔基、羧基亚炔基、氧基环亚烷基、硫代环亚烷基、氨基环亚烷基、羧基环亚烷基、氧基环亚烯基、硫代环亚烯基、氨基环亚烯基、羧基环亚烯基、氧基亚芳基、硫代亚芳基、氨基亚芳基、羧基亚芳基、氧基烷基亚芳基、硫代烷基亚芳基、氨基烷基亚芳基、羧基烷基亚芳基、氧基芳基亚烷基、硫代芳基亚烷基、氨基芳基亚烷基、羧基芳基亚烷基、氧基芳基亚烯基、硫代芳基亚烯基、氨基芳基亚烯基、羧基芳基亚烯基、氧基链烯基亚芳基、硫代链烯基亚芳基、氨基链烯基亚芳基、羧基链烯基亚芳基、氧基芳基亚炔基、硫代芳基亚炔基、氨基芳基亚炔基、羧基芳基亚炔基、氧基炔基亚芳基、硫代炔基亚芳基、氨基炔基亚芳基、羧基炔基亚芳基、杂亚芳基、氧基杂亚芳基、硫代杂亚芳基、氨基杂亚芳基、羧基杂亚芳基、含杂原子的二-或多价环部分、含氧杂原子的二-或多价环部分、含硫杂原子的二-或多价环部分、含氨基杂原子的二-或多价环部分、含羧基杂原子的二-或多价环部分、二硫化物、氨磺酰和类似物。
在另一实施方案中，在本发明的实践中加以考虑应用的马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺或衣康酰亚胺具有结构I、II或III，其中m＝1-6，p＝0-6，J选自饱和直链烷基或支链烷基，其任选地含有任选取代的芳基部分作为在烷基链上的取代基或作为烷基链的一部分主链，和其中烷基具有最多约20个碳原子；
具有下述结构的硅氧烷：-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-、-(C(R3)2)d-C(R3)-C(O)O-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-O(O)C-(C(R3)2)e-、或-(C(R3)2)d-C(R3)-O(O)C-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-C(O)O-(C(R3)2)e-，其中：
每一R3独立地为氢、烷基或取代烷基，
每一R4独立地为氢、低级烷基或芳基，
d＝1-10，
e＝1-10，和
f＝1-50；
具有下述结构的聚氧化亚烷基：
[(CR2)r-O-]f-(CR2)s-
其中：
每一R独立地为氢、烷基或取代烷基，
r＝1-10，
s＝1-10，和
f如上所定义；
具有下述结构的芳基：
其中：
每一Ar为具有3-10个碳原子的单取代、二取代或三取代的芳族或杂芳环，和
Z是：
饱和直链亚烷基或支链亚烷基，其任选地含有饱和环部分作为在亚烷基链上的取代基或作为亚烷基链的一部分主链，或
具有下述结构的聚氧化亚烷基：
[(CR2)r-O-]q-(CR2)s-
其中：
每一R独立地为氢、烷基或取代烷基，r和s如上所定义，和
q落在1-50范围内；
具有下述结构的二或三取代的芳族部分：
其中：
每一R独立地为氢、烷基或取代烷基，
t落在2-10范围内，
u落在2-10范围内，
Ar如上所定义；
具有下述结构的芳基：
Figure A20038010408000171
Figure A20038010408000172
或
Figure A20038010408000173
其中：
每一R独立地为氢、烷基或取代烷基，
t＝2-10，
k＝1，2或3，
g＝1-约50，
每一Ar如上所定义，
E是-O-或-NR5-，其中R5是氢或低级烷基；和
W是直链或支链烷基、亚烷基、氧基亚烷基、链烯基、亚烯基、氧基亚烯基、酯或聚酯，具有下述结构的硅氧烷：-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-、-(C(R3)2)d-C(R3)-C(O)O-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-O(O)C-(C(R3)2)e-、或-(C(R3)2)d-C(R3)-O(O)C-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-C(O)O-(C(R3)2)e-，其中：
每一R3独立地为氢、烷基或取代烷基，
每一R4独立地为氢、低级烷基或芳基，
d＝1-10，
e＝1-10，和
f＝1-50；或
具有下述结构的聚氧化亚烷基，其任选地含有选自羟基、烷氧基、羧基、腈、环烷基或环烯基的取代基：
[(CR2)r-O-]f-(CR2)X-
其中：
每一R独立地为氢、烷基或取代烷基，
r＝1-10，
s＝1-10，和
f如上所定义；
具有下述结构的氨基甲酸酯基：
R7-U-C(O)-NR6-R8-NR6-C(O)-(O-R8-O-C(O)-NR6-R8-NR6-C(O))v-U-R8-
其中：
每一R6独立地为氢或低级烷基，
每一R7独立地为具有1-18个碳原子的烷基、芳基或芳烷基，
每一R8为在链中具有最多约100个原子的烷基或烷氧基链，其任选地被Ar取代，
U是-O-、-S-、-N(R)-、或-P(L)1，2-，其中R如上所定义，和其中每一L独立地为＝O、＝S、-OR或-R；和
V＝0-50；
多环链烯基；或
其中的两种或多种的混合物。
当然选择可用作固体可固化组分的含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺和衣康酰亚胺的化合物，以便它们为固态且熔点为90℃至160℃。
用作本发明的b阶小片连接粘合剂中固体组分的尤其所需的马来酰亚胺包括，例如具有下述结构的马来酰亚胺：
Figure A20038010408000191
Figure A20038010408000192
Figure A20038010408000193
或
Figure A20038010408000194
作为液体可固化组分，尤其所需的是环氧化物、环硫化物、马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺、衣康酰亚胺、(甲基)丙烯酸酯、马来酸酯、富马酸酯、乙烯醚、乙烯酯、烯丙基酰胺、苯乙烯及其衍生物，聚(亚烯基)、降冰片烯基、硫醇烯(thiolene)和类似物。
此处可使用的液态环氧化物包括同样以商品名EPON，如EPON825、EPON826、EPON828、EPON862、EPON8019、EPON8101、EPON8112、EPON813、EPON8131、EPON8132、EPON8133、EPON815C和EPON824商购于Resolution Performance的那些。
对于含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺和/或衣康酰亚胺的化合物来说，如果含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺和/或衣康酰亚胺的化合物的官能团分别连接到单价基团J上，或者通过多价基团J分开，每一单价基团或多价基团具有足够的长度和支化度使得含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺和/或衣康酰亚胺的化合物为液体，则这种化合物适于用作液体可固化组分。
在结构I、II和III的这种含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺和/或衣康酰亚胺的化合物的更具体的列举中，每一R独立地为氢或低级烷基，-J-包括支链烷基、亚烷基或氧化亚烷基物质，其具有够的长度和支化度使得马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺和/或衣康酰亚胺化合物为液体，和m为1，2或3。
可用作本发明液体组分的含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺或衣康酰亚胺的化合物可选自美国专利Nos.5789757(Husson)、6034194(Dershem)、6034195(Dershem)和6187886(Husson)中描述且要求保护的那些，每一篇的公开内容在此通过参考引入，和美国专利Nos.6063828(Ma)、6265530(Herr)、6281314(Tong)和6136566(Ma)中所述的那些，每一篇的公开内容同样在此通过参考引入。
可从许多不同化合物中选择(甲基)丙烯酸酯。正如此处所使用的，就单体和含单体的组分来说，同义地使用术语(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸酯。术语(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸酯包括那些丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。
(甲基)丙烯酸酯组分可包括选自下式表示的单体中的一种或多种成员：
Figure A20038010408000211
其中G是氢、卤素或具有1-4个碳原子的烷基，R1具有1-16个碳原子且是烷基、环烷基、链烯基、环烯基、烷芳基、芳烷基或芳基，其任选地被硅烷、硅、氧、卤素、羰基、羟基、酯、羧酸、脲、氨基甲酸乙酯、氨基甲酸酯、胺、酰胺、硫、磺酸酯或砜取代或插入；
下式表示的聚氨酯丙烯酸酯或酰脲丙烯酸酯：
Figure A20038010408000212
其中：
G是氢、卤素或具有1-4个碳原子的烷基；
R8表示通过在-O-原子和-X-原子或基团处示出的一个或多个碳原子键合的二价脂族、脂环族、芳族或芳脂族基团；
X是-O-、-NH-或-N(烷基)-，其中烷基具有1-8个碳原子；
z是2-6；和
R9是通过一个或多个碳原子键合到一个或多个NH基上的z价脂环族、芳族或芳脂族基团；和
选自下述的二-或三-(甲基)丙烯酸酯：聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、四氢呋喃二(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯或其结合。
合适的可聚合的(甲基)丙烯酸酯单体包括三甘醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、双酚A乙氧化物二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷乙氧化物三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷丙氧化物三(甲基)丙烯酸酯和双酚A二环氧化物二(甲基)丙烯酸酯。
另外，可使用单官能的(甲基)丙烯酸酯单体，其中包括四氢呋喃(甲基)丙烯酸酯和二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸香茅酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸四氢二环戊二烯基酯、三甘醇(甲基)丙烯酸酯、三甘醇(甲基)丙烯酸酯及其结合。
当然，也可使用(甲基)丙烯酸酯化硅氧烷，条件是当固化时，硅氧烷主链没有大到最小化(甲基)丙烯酸酯的效果即可。
适用于此处的其它(甲基)丙烯酸酯包括在美国专利NO.6211320(Dershem)中所披露且要求保护的低粘度的丙烯酸酯，其公开内容特意在此通过参考引入。
富马酸酯包括含下述通式结构的那些：
Figure A20038010408000221
马来酸酯包括含下述通式结构的那些：
对于富马酸酯和马来酸酯每一种来说，R可从以上定义的R1中选择。
乙烯基醚和乙烯基酯包括含下述通式结构的那些：
Figure A20038010408000223
其中
q是1，2或3，
每一R独立地如以上R1中的定义，每一Q独立地选自-O-、-O(O)C-、-C(O)-或-C(O)-O-和
Y与相对于结构I、II和III中X定义的一样。
由以上通式结构包括的乙烯基醚和乙烯基酯的实例包括，硬脂基乙烯基醚、二十二烷基乙烯基醚或酯、二十烷基乙烯基醚或酯、异二十烷基乙烯基醚或酯、异二十四烷基乙烯基醚或酯、聚(四氢呋喃)二乙烯基醚或酯、四甘醇二乙烯基醚或酯、三-2，4，6-(1-乙烯基氧基丁烷-)-4-氧基-1，3，5-三嗪、双-1，3-(1-乙烯基氧基丁烷-4-)-氧基羰基苯(或称为双(4-乙烯基氧基丁基)间苯二甲酸酯；以商品名VECTOMER4010获自Allied-Signal Inc.，Morristown，NJ)、通过低级乙烯基醚和较高分子量的二醇之间的乙烯基交换反应制备的二乙烯基醚。特别所需的二乙烯基树脂包括硬脂基乙烯基醚或酯、二十二烷基乙烯基醚或酯、二十烷基乙烯基醚或酯、异二十烷基乙烯基醚或酯、聚(四氢呋喃)二乙烯基醚或酯、通过低级乙烯基醚和较高分子量的二醇之间的乙烯基交换反应制备的二乙烯基醚。
作为烯丙基酰胺，可选择各种化合物，如满足以上对马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺和/或衣康酰亚胺中的“J”列出的准则的那些。例如，在更具体的列举中，对应于下述结构的那些：
其中
R｀是氢、C1-约C18烷基或氧基烷基、烯丙基、芳基或取代芳基，
m是1-6，和
X如以上对J的定义。
含苯乙烯的组分包括含下述通式结构的那些，其连接到以上所定义的X上：
Figure A20038010408000232
其中n是1-6。
降冰片烯基组分包括含下述通式结构的那些，其连接到以上所定义的X上：
其中m是1-6。
硫醇烯组分包括含下述通式结构的那些，其连接到以上所定义的X上：
其中m是1-6。
固体组分可固化时的第一温度应当大于或等于固体组分熔融-亦即，从固态变为液态时的温度(或温度范围)。一般来说，这一温度应当在约100℃-约300℃范围内，但理想的是温度高于约100℃。当制备在本发明范围内的组合物时，尤其在其中特定的一组物理性能参数是所需或被规定的情况下，这些不同温度范围提供配制者宽范围的可能性。
热固化催化剂可包括在组合物内，以降低固化发生时的温度或者当合适的温度条件被选择用于发生固化时，加强固化程度。
热固化催化剂可选自自由基催化剂、阴离子固化剂、阳离子固化剂及其结合。例如，自由基催化剂可选自过氧化物、偶氮化合物及其结合。尤其理想的的过氧化物催化剂包括过氧化二枯基、过氧化二苯甲酰、过氧化2-丁酮、过苯甲酸叔丁酯、过氧化二叔丁基、2，5-双(叔丁基过氧)-2，5-二甲基己烷、双(叔丁基过氧异丙基)苯和叔丁基过氧化氢，和偶氮化合物包括2，2｀-偶氮双(2-甲基丙腈)、2，2｀-偶氮双(2-甲基丁腈)、和1，1｀-偶氮双(环己腈)。
这些自由基催化剂的可商购实例包括由Akzo Nobel推销的那些，如下述过氧化物过氧化二异丁酰(CAS No.3437-84-1)，过新癸酸枯酯(CAS No.36748-47-0)，过二碳酸酯混合物(CAS No.105-64-6；19910-65-7；78350-78-4)，过新癸酸2，4，2-三甲基2-戊酯(CASNo.51240-95-0)，过新庚酸枯酯(CAS No.68299-16-1)，过二碳酸二仲丁酯(CAS No.19910-65-7)，过新癸酸叔丁酯(CAS No.26748-41-4)，过二碳酸二丁酯(CAS No.16215-49-9)，过二碳酸二鲸蜡酯(CASNo.26332-14-5)，过二碳酸二(4-叔丁基环己酯)(CASNo.15520-11-3)，过二碳酸二(2-乙基己酯)(CAS No.16111-62-9)，过二碳酸二肉豆蔻酯(CAS No.53220-22-7)，过新庚酸叔丁酯(CASNo.26748-38-9)，过新戊酸叔戊酯(CAS No.29240-17-3)，过新戊酸叔丁酯(CAS No.927-07-1)，过氧化二-(3，5，5-三甲基己酰)(CASNo.3851-87-4)，过氧化二月桂酰(CAS No.105-74-8)，过氧化二辛酰(CAS No.762-16-3)，过氧化二癸酰(CAS No.762-12-9)，2，5-二甲基-2，5-二(2-乙基己酰基过氧)己烷(CAS No.13052-09-0)，过氧-2-乙基己酸叔戊酯(CAS No.686-31-7)，过氧-2-乙基己酸叔丁酯(CASNo.3006-82-4)，过氧化二苯甲酰(CAS No.94-36-0)，1，1-二(叔丁基过氧)-3，3，5-三甲基环己烷(CAS No.6731-36-8)，2，2-双[4，4-二-(叔丁基过氧环己基)丙烷](CAS No.1705-60-8)，1，1-二(叔戊基过氧)-环己烷(CAS No.15667-10-4)，1，1-二(叔丁基过氧)-环己烷(CASNo.3006-86-8)，过氧-2-乙基己基碳酸叔戊酯(CAS No.70833-40-8)，过氧-3，5，5-三甲基己酸叔丁酯(CAS No.13122-18-4)，过氧-2-甲基苯甲酸叔丁酯(CAS No.22313-62-8)，2，2-二(叔丁基过氧)丁烷(CASNo.2167-23-9)，过氧异丙基碳酸叔丁酯(CAS No.2372-21-6)，过氧2-乙基己基碳酸叔丁酯(CAS No.34443-12-4)，过苯甲酸叔戊酯(CASNo.4511-39-1)，过乙酸叔丁酯(CAS No.107-71-1)，4，4-二(叔丁基过氧)戊酸丁酯(CAS No.995-33-5)，过苯甲酸叔丁酯(CASNo.614-45-9)，过氧化二叔戊基(CAS No.10508-09-5)，过氧化二枯基(CAS No.80-43-3)，二(叔丁基过氧异丙基)苯(CASNo.25155-25-3)，2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧)己烷(CASNo.78-63-7)，过氧化叔丁基枯基(CAS No.3457-61-2)，2，5-二甲基-2，5-二(过氧叔丁基)己炔-3(CAS No.1068-27-5)，过氧化二叔丁基(CAS No.110-05-4)，3，6，9-三乙基-3，6，9-三甲基-1，4，7-三peroxonane(CAS No.24748-23-0)，1，1，3，3-四甲基丁基氢过氧化物(CAS No.5809-08-5)，二异丙基苯单氢过氧化物(CASNo.26762-93-6)，枯基氢过氧化物(CAS No.80-15-9)，叔丁基氢过氧化物(CAS No.75-91-2)，和叔戊基氢过氧化物(CAS No.3425-61-4)，和下述偶氮化合物2，2｀-偶氮双(异丁腈)(CAS No.78-67-1)，2，2｀-偶氮双(2-甲基丁腈)(CAS No.13472-08-7)和1，1｀-偶氮双(1-环己腈)(CAS No.2094-98-6)。
热固化催化剂也可以是阴离子固化剂，如广义地描述为氮杂化合物、胺化合物、酰胺化合物、咪唑化合物及其结合的那些。氮杂化合物的更具体实例包括：
Figure A20038010408000261
1，5-二氮杂双环[4.3.0]壬-5-烯
Figure A20038010408000262
1，8-二氮杂双环[5.4.0]十一烷-5-烯(DBU)
1，5，7-三氮杂双环[4.4.0]癸-5-烯
Figure A20038010408000271
奎宁环
Figure A20038010408000272
1，4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷
胺化合物的更具体实例包括脂族多胺、芳族多胺、脂环族多胺，如二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、二乙基氨基丙胺、苄基二甲胺、间二甲苯二胺、二氨基二苯胺、喹喔啉、异佛尔酮二胺、烯薄荷烯二胺及其结合。
酰胺化合物的更具体的实例是官能化酰胺、双氰胺。
咪唑化合物的更具体的实例包括异咪唑、咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2，4-二甲基咪唑、丁基咪唑、2-十七碳烯基-4-甲基咪唑、2-甲基咪唑、2-十一碳烯基咪唑、1-乙烯基-2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-苯基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-丙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-胍胺基乙基-2-甲基咪唑，咪唑和甲基咪唑的加成产物，咪唑和偏苯三酸的加成产物，2-正十七烷基-4-甲基咪唑、苯基咪唑、苄基咪唑、2-甲基-4，5-二苯基咪唑、2，3，5-三苯基咪唑、2-苯乙烯基咪唑、1-(十二烷基苄基)-2-甲基咪唑、2-(2-羟基-4-叔丁基苯基)-4，5-二苯基咪唑、2-(2-甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑、2-(3-羟苯基)-4，5-二苯基咪唑、2-(对二甲基氨基苯基)-4，5-二苯基咪唑、2-(2-羟苯基)-4，5-二苯基咪唑、二(4，5-二苯基-2-咪唑)-苯-1，4，2-萘基-4，5-二苯基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、2-对甲氧基苯乙烯基咪唑及其结合。
热固化催化剂也可以是阳离子固化剂，如广义地描述为有机酸、酸酐和路易斯酸的那些。有机酸包括酚类、苯硫酚、硫醇、羧酸及其结合。酸酐尤其包括六氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、5-(2，5-二氧基四氢)-3-甲基-3-环己烯-1，2-羧酸酐，及其结合。路易斯酸包括本领域已知的作为路易斯酸的各种物质，其实例是膦、烷基卤、磷酸酯、三氟化硼醚合物和类似物。
液体组分或者在不同于第一温度的第二温度下可热固化，或者当暴露于电磁光谱内的辐射线下可固化。第二温度常常在约50℃-约150℃范围内，但理想地温度小于约100℃。
如上所述，另一热固化催化剂可包括在该组合物内以降低液体组分发生固化时的温度或者当合适的温度条件被选择用于发生固化时，加快液体组分固化的程度。以上援引的那些热固化催化剂适合作为另一热固化催化剂，条件是它们在指定的温度下催化液体组分的反应或者与液体组分反应。
在对于一些商业应用来说希望通过暴露于电磁光谱内的辐射线下而固化液体组分的情形下，光引发剂也应当包括在该组合物内。应当着眼于在将引发固化时的电磁光谱内的辐射线范围选择光引发剂。例如，在电磁光谱内合适的辐射线范围包括UV、UV/VIS、VIS、IR、电子束、X-射线、和微波辐射线。
UV和UV/VIS光引发剂的代表性实例包括以商品名“IRGACURE”和“DAROCUR”商购于Ciba Specialty Chemicals，Tarrytown，纽约的那些，具体地为“IRGACURE”184(1-羟基环己基苯基酮)、907(2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基丙-1-酮)、369(2-苄基-2-N，N-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-1-丁酮)、500(1-羟基环己基苯基酮和二苯酮的结合)、651(2，2-二甲氧基-2-苯基乙酰苯)、1700(双(2，6-二甲氧基苯甲酰基-2，4，4-三甲基戊基)氧化膦和2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮的结合)和819[双(2，4，6-三甲基苯甲酰基苯基氧化膦)]和“DAROCUR”1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙烷)和4265(2，4，6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦和2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮的结合)；和可见光[蓝]光引发剂，d1-樟脑醌和“IRGACURE”784DC。当然，此处也可使用这些物质的结合。
可用于此处的其它光引发剂包括丙酮酸烷酯，如丙酮酸甲酯、乙酯、丙酯和丁酯，和丙酮酸芳酯，如苯酯、苄酯，和它的合适取代衍生物。
尤其适于此处使用的光引发剂包括紫外光引发剂，如2，2-二甲氧基-2-苯基乙酰苯(例如，“IRGACURE”651)，和2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙烷(例如，“DAROCUR”1173)，双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦(例如，“IRGACURE”819)，和双(2，6-二甲氧基苯甲酰基-2，4，4-三甲基戊基)氧化膦和2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮的紫外/可见光引发剂的结合(例如，“IRGACURE”1700)，以及可见光引发剂双(-5-2，4-环戊二烯-1-基)-双[2，6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)苯基]钛(例如，“IRGACURE”784DC)。
可从以商品名“ESACURE”和“SARCAT”获自Sartomer，Inc.，Exton，Pennsylvania的那些中选择额外的光引发剂。实例包括“ESACURE”KB1(苯偶酰二甲基缩酮)、“ESACURE”EB3(苯偶姻和丁基醚的混合物)、“ESACURE”TZT(三甲基二苯酮的共混物)、“ESACURE”KIP100F(羟基酮)、“ESACURE”KIP150(聚合物羟基酮)、“ESACURE”KT37(“ESACURE”TZT和KIP150的共混物)，“ESACURE”KT046(三苯基氧化膦、“ESACURE”KIP150和TZT的共混物)、和“ESACURE”X33(2-和4-异丙基噻吨酮、4-(二甲基氨基)苯甲酸乙酯和“ESACURE”TZT的共混物)。
当然，熟练本领域的那些技术人员可视需要使用这种光引发剂的结合。
另外，光引发剂可以是阳离子光引发剂，一旦暴露于合适的辐射条件下，它能催化本发明组合物的液体组分聚合。用于本发明的所需的阳离子光引发剂包括含非亲核抗衡离子的三芳基锍盐和二芳基碘鎓盐，和芳基二氮鎓盐，其实例包括4-甲氧基苯六氟磷酸二氮鎓盐、苯四氟硼酸二氮鎓盐、二苯基氯化碘鎓、二苯基六氟磷酸碘鎓盐、4，4-二辛基氧基二苯基六氟磷酸碘鎓盐、三苯基四氟硼酸锍盐、二苯基甲苯基六氟磷酸锍盐、苯基二甲苯基六氟砷酸锍盐、和二苯基硫代苯氧基苯基六氟锑酸锍盐，和商购于Sartomer的那些，如“SARCAT”CD1010[三芳基六氟锑酸锍盐(50％的碳酸亚丙酯)]、“SARCAT”DC1011[三芳基六氟磷酸锍盐(50％的碳酸亚正丙酯)]、“SARCAT”DC1012[二芳基六氟锑酸碘鎓盐]、和“SARCAT”K185[三芳基六氟磷酸锍盐(50％的碳酸亚丙酯)]。
基于组合物的总重量，该b阶可热固化的组合物可进一步包括约20-90wt％范围内的填料。
在本发明的实践中加以考虑的填料任选地可以是传导(导电和/或导热)填料。
在本发明的实践中加以考虑的导电填料包括，例如银、镍、金、钴、铜、铝、石墨、银涂布的石墨、镍涂布的石墨，这种金属的合金，和类似物，以及其混合物。可在此处使用粉末和薄片状形式的填料。薄片形式时，填料的厚度可小于约2微米，其中平面尺寸为约20-约25微米。此处所使用的薄片的表面积可以是约0.15-5.0m2/g，和堆密度为约0.4-约5.5g/cc。粉末形式时，填料颗粒的直径可以是约0.5-30微米，如约20微米。
在本发明的实践中加以考虑的导热填料包括，例如氮化铝、氮化硼、碳化硅、金刚石、石墨、氧化铍、氧化镁、氧化硅、氧化铝和类似物。
导电和/或导热填料通过用螯合剂、还原剂、非离子润滑剂或这种试剂的混合物处理，应当使得基本上不含催化活性的金属离子。这种处理公开于美国专利No.5447988中，特意将其全文在此通过参考引入。
任选地，除了传导填料以外或作为传导填料的可供替代的方案，还可使用既不导电，也不导热的填料。这种填料可以所需地赋予配方一些其它的物理性能，例如固化组合物降低的热膨胀，降低的介电常数，改进的韧度，增加的疏水性等等。这种填料的实例包括全氟化烃聚合物(即，TEFLON)、热塑性聚合物、热塑性弹性体、云母、煅制氧化硅、玻璃粉、间隔基元素等等。
可在使用这种集成组件的过程中，以可实现芯片小片与基底之间充分粘合并在其间提供合适性能的任何厚度或用量，将b阶可热固化的组合物预施加到或者(a)电路芯片的至少一部分相对表面上或者(b)至少一部分基底的粘结垫上。
该组合物可基本上不含非反应性溶剂或稀释剂，或取决于所使用的成分，可包括非反应性溶剂或稀释剂。当添加稀释剂时，所需的是稀释剂是反应性稀释剂，其与含马来酰亚胺的化合物结合，形成热固性树脂组合物。这种反应性稀释剂包括单官能和多官能团醇的丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯，此处比较详细地描述的乙烯基化合物，苯乙烯单体(即，衍生于乙烯基苄氯与单-、二-、或三官能的羟基化合物反应的醚)和类似物。
在本发明的实践中加以考虑的例举偶联剂包括硅酸酯、金属丙烯酸盐(例如甲基丙烯酸铝)、钛酸酯(例如甲基丙烯酰氧基乙基乙酰乙酸三异丙醇钛)，或含有可共聚基团和螯合配体的化合物(例如，膦、硫醇、乙酰乙酸酯和类似物)。一般来说，使用在约0.1-10wt％范围内的至少一种偶联剂(基于有机相的总重量)，其中优选在约0.5-2wt％范围内。
一些所需的偶联剂含有可共聚的官能团(例如乙烯基部分、丙烯酸酯部分、甲基丙烯酸酯部分、苯乙烯部分、环戊二烯部分等等)以及硅酸酯官能团。偶联剂中的硅酸酯部分能与存在于基底的矿物表面上的金属氢氧化物缩合，同时可共聚的官能团能与本发明的粘合剂组合物中的其它反应性组分共聚。这种偶联剂的一个实例是低聚硅酸酯偶联剂，如聚(甲氧基乙烯基硅氧烷)。
其它尤其所需的偶联剂包括用以下结构表示的那些：
Aa-L-Zb
其中每一A独立地为可自由基聚合的基团，每一L独立地为共价键或多价有机基团；每一Z独立地为与在其表面上具有游离羟基的基底形成氢键和/或共价键的反应性部分，a是1-200，和b是1-200。
可自由基聚合的基团A，包括任选取代的马来酰亚胺，任选取代的乙烯基醚、任选取代的乙烯基硫醚、任选取代的乙烯基酯、任选取代的富马酸酯、任选取代的乙烯基硫酯、任选取代的二烯丙基酰胺、任选取代的苯乙烯官能团、任选取代的聚丁二烯基等等。当通过小量的自由基抑制剂催化时，这些官能团可通过自由基机理与双马来酰亚胺或丙烯酸酯树脂体系共固化。或者，在没有使用自由基引发剂的情况下，若将该体系暴露于升高的固化温度、紫外辐射线或类似物下，这种官能团也可与马来酰亚胺或丙烯酸酯树脂体系共固化。
本发明的b阶可热固化组合物可进一步含有其它添加剂，如消泡剂、流平剂、染料和颜料。
参考附图，其中在数幅视图中，类似的标记特征是指类似的部件，图1和2描述了电路组件50。一般来说，电路组件50包括小片连接粘合剂预施加到小片背侧60上的半导体芯片，和载体基底如电路板基底70。
电路芯片60包括芯片小片62。芯片小片62可以由本领域已知的任何材料制造。例如，芯片小片62可由硅、锗或类似物制造。芯片小片62也可用能抑制环境腐蚀的钝化材料，例如聚酰亚胺-、聚苯并环丁烷-或氮化硅基材料涂布。
基底70也可以由本领域已知的任何材料制造。例如，基底70可以由陶瓷基底(其中包括Al2O3、氮化硅(SiN3)和富铝红柱石(Al2O3-SiO2))；耐热树脂如聚酰亚胺的基底或带状物；玻璃增强的环氧基底；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)基底；和酚醛树脂基底，由具有各种表面整理剂如点状镀Ag、Pd、闪蒸Au等的金属材料如Cu、Alloy42等制造的基底。基底70包括在基底表面74上的电路，其中包括多个电路粘结垫76。
芯片小片62包括相对的第一和第二表面，其中包括芯片表面64作为第一表面和连接表面68作为第二表面。在芯片表面64上提供电路，其中所属芯片表面64包括多个电路接触垫，如金属化的粘结垫66，其以预定的图案排列。这些电接触垫可连接到基底70的粘结垫76上。通过在芯片小片62上的每一接触垫66与基底70上的接触垫76之间的粘结(例如通过布线80建立)，从而提供在芯片小片62上的电路与在基底70上的电路之间的电连接和啮合(engagement)。可在固化小片连接材料之后，通过粘结布线80到接触垫76上，从而建立电连接。尽管为了描述本发明，本发明的附图描述了粘结到芯片小片62上的两根布线80和在基底70上的两个相应的接触垫76，但要理解布线粘结和接触垫76的数量可根据特定的所需应用和电路芯片的特定结构而变化，和此处所述的具体结构不应当认为是限制本发明。
在本发明中，芯片小片62包括在芯片表面64上呈接触垫66形式的金属化的电接触点，和包括在芯片小片62与基底70组装之前，预施加到相对的连接表面68上的b阶小片连接粘合剂90。在暴露于合适的固化条件下之后，b阶小片连接材料90提供具有高的粘合强度供芯片小片62粘合到基底70上的电路组件50。一般来说，通过暴露于足以促进b阶小片连接粘合剂90进行b阶固化的升高的温度条件下，通过形成固体形式的完全固化材料以供芯片小片62连接和粘合到基底70上，从而发生这种粘合。
本发明进一步提供组装形式的电路组件50，如图2所示，其中芯片小片62与基底70相连，并暴露于合适的条件下，引起b阶小片连接粘合剂90把芯片小片62连接并粘着到基底70上。此外，芯片小片62然后可与基底70通过在接触垫66和接触垫76之间建立的电连接，例如通过在其间焊接或以其它方式粘结布线80，从而被电连接。
在一个实施方案中，本发明因此提供芯片小片形式的制造制品，其具有能提供与打算被电连接的另一芯片小片或载体基底电啮合的第一表面，和与第一表面相对的第二表面，且具有置于其中至少一部分上的b阶小片连接粘合剂。直接在芯片小片表面上提供b阶小片连接粘合剂，省去了调剂体积和温度的生产问题，和存放、处理以及储存期问题，这些同样常常与可流动或液体的小片连接粘合剂一起考虑。也就是说，终端用户不再需要使用复杂的调剂设备和低温储存容器用于施加这种材料。另外，终端用户现可根据本发明使用或者半导体芯片或者半导体晶片，所述半导体芯片或者半导体晶片具有预施加到其中至少一部分表面上的b阶小片连接粘合剂，并更加容易和增加产量地组装半导体器件。
用b阶小片连接粘合剂预施加的半导体芯片也能使最终用户实施更密封的封装设计技术要求。也就是说，由于与许多已知的小片连接粘合剂相比，从这种b阶小片连接粘合剂中的流出和渗出下降，因此可实现在小片边缘和粘结点之间更密封的容限(tolerance)。另外，现可层叠半导体芯片，以便半导体器件总的尺寸可下降，或者在长度与宽度方向上至少基本上保持相同，但可显著增加层叠的半导体芯片的性能。参见，例如美国专利Nos.5323060、5286679、5140404和6465893，每一篇的公开耐热在此通过参考引入。
此外，许多常规的小片连接粘合剂受益于更密封的加工控制来避免在粘结薄的小片过程中的切缝蠕动和接触的粘结垫污染，但当使用本发明的b阶小片连接粘合剂时，不需要这种防护。再者，它提供封装设计师大得多的设计灵活性和能力。
本发明的b阶小片连接粘合剂可通过镂花印刷、筛网印刷或喷涂来施加。
在镂花印刷或筛网印刷到预切割的晶片的情况下，晶片可均匀地用本发明的小片连接粘合剂涂布，之后固化。在晶片切割过程中，切割的锯屑然后完全切割通过固化的小片连接粘合剂层和晶片。
在镂花印刷或筛网印刷到切割的晶片的情况下，制造镂花或筛网具有设计成部分涂布单个小片或半导体芯片的孔隙。具体地说，使用镂花或筛网的网格，原地维持本发明的小片连接粘合剂。也就是说，不希望小片连接粘合剂进入切割的街道(street)内，这将有助于小片布置过程中的小片分离。设计网格的宽度，或者相反，孔隙的尺寸，以便在小片布置之后，可实现目标的湿粘结线，和小片连接粘合剂可在小片下方形成所需高度的嵌线(fillet)。
在镂花印刷或筛网印刷到层压基底上的情况下，制造镂花或筛网具有设计成部分涂布小片垫的孔隙，具体地说，在小片布置之后，使用镂花或筛网的网格，原地维持小片连接粘合剂。设计网格的宽度，或者相反，孔隙的尺寸，以便在小片布置之后，可实现目标的湿粘结线，和小片连接粘合剂可在小片下方形成所需高度的嵌线且具有最小到没有被导电连接的小片连接粘合剂的润湿。
在施加到层压基底上的情况下，可用本发明的小片连接粘合剂实现“零间隙粘结线”。例如，可在小片垫上没有焊剂掩膜层的情况下，首先制造层压体。因此，管芯垫区域的高度相对低于非粘结管芯垫区域，其深度等于焊剂掩膜层的厚度，典型地为约1mil。然后使用镂花印刷、筛网印刷或喷涂，用小片连接粘合剂填充这些下凹的小片垫。
优选地，施加适量的本发明的b阶小片连接粘合剂，直到施加粘合剂的表面与焊剂掩膜层齐平。下凹的小片垫没有完全用小片连接粘合剂填充；而是使用适量的小片连接粘合剂，以便在小片布置中，小片连接粘合剂流到小片下方覆盖以前暴露的小片垫底部。该方法便于半导体封装制造者在没有改变粘结线粘合剂的情况下，实现更薄的封装件。
或者，本发明的b阶小片连接粘合剂可用作焊剂掩膜的替代，不管在小片垫区域内部或者外部，还是这两种情况。
在喷涂的情况下，薄的半导体晶片是在其上涂布小片连接粘合剂的理想基底。这些薄的半导体晶片具有约2-3mil的典型厚度。尽管一旦被合适地承载，即粘结到挠性基底上并包封或模塑上(overmold)，则机械坚固，但由这些晶片得到的未承载形式的薄的小片发脆且相当容易破碎。因此，有利的是，在进行如此操作的同时，施加小片连接粘合剂到薄晶片上的方法采用最小的力。
在使用任何一种上述方法施加本发明的b阶小片连接粘合剂到晶片或小片上之后，然后干燥粘合剂，以除去溶剂(若存在的话)，或冷却，以固结粘合剂(若在温和升高的温度条件下施加的话)。
典型的干燥时间可以是在约100℃的温度下约30分钟，但可选择低于b阶小片连接粘合剂中可固化组分的固化开始点的任何温度。时间长度可根据在所选温度下小片连接粘合剂的表面变为无粘性时要求的时间而变化。
在小片连接粘合剂表面无粘性(通过或者干燥或者冷却)之后的任何时刻，可发生小片的粘结。
适于固化b阶小片连接粘合剂的条件包括使本发明的粘合剂经历至少约175℃但小于约300℃的温度约0.5-约2分钟。典型的小片粘结设定值为在7.6mm×7.6mm小片的情况下，使用500cN的涂敷量，在约100℃的温度下约10秒的时间。可以以各种方式，例如采用在线的快速固化站，如由Nihon Sanso制造的那些，安装在小片粘结器上的加热段，或者由EFOS Novacure IR单元提供的IR束，以实现这一快速、持续时间短的加热。
在层叠的小片组件情况下(参考图4，如下所述；参见美国专利Nos.5323060、5286679、5140404和6465893，每一篇的公开内容特意在此通过参考引入)，可以有利地在小片布置之前，通过使热脉动经过小片夹套(die collet)(这是在膜的小片粘结器中存在的特征)，如由ESC制造的那些，从而加热小片。在薄的小片的情况下，所述薄的小片由于在研磨工艺过程中残留机械应力的累积导致典型地翘曲，在高于某一温度下加热小片常常使小片退火并进而降低翘曲。
要注意，此处所述的芯片小片62可作为单独的芯片小片提供，或者可作为芯片级封装件，如图3中描述为160的形式提供。因此，在图3中，提供包括芯片级封装件160的电路组件150。本领域已知芯片级封装件用于电路与电路板基底的电连接。在本发明的实施方案中，电路组件150包括类似于图2所示实施方案那样的结构，所不同的是用芯片级封装件160替换芯片小片62。例如，电路组件150包括电路板基底70，而所述电路板基底70包括在其上的接触垫76。基底70连接到芯片级封装件160上，所述芯片级封装件160可包括例如连接到分开的载体基底或席间层(interposer layer)上的芯片小片，这是本领域公知的。在这一实施方案中，可在这一分开的载体基底上或者在席间层上提供接触垫66和/或布线80，其方式类似于前面关于电路芯片60的说明中所列出的。此外，将芯片级封装件160通过小片连接材料90连接到基底70上，其方式类似于前面的说明。
和在层叠的小片应用的相关内容中，图4描述了在层叠的小片组件350内层叠的两个小片的截面示意图包括预施加的小片连接电路芯片360形式的半导体芯片(其具有芯片小片62和置于其上的本发明的b阶小片连接粘合剂90)，和预施加的小片连接电路芯片360将连接到其上的另一芯片小片62A。
电路芯片360包括芯片小片62(参考图1，与上述的一样)。类似于芯片小片62，另一芯片小片62A可由本领域已知的任何材料制造，和可以由相同或不同的材料制造。
另一芯片小片62A包括相对的第一和第二表面，其中包括芯片表面64A作为第一表面，该表面是芯片小片62的连接表面。以预定图案排列的电接触垫，如金属化的接触垫66A，可与基底的接触垫或另一芯片小片(均未示出)连接。藉助在芯片小片62上的每一接触垫66和在另一芯片小片62A上的接触垫66A之间的粘结(如通过布线80所建立的)，提供在芯片小片62上的电路和在另一芯片小片62A上的电路之间的电连接和啮合。可在b阶小片连接粘合剂固化之前，或者优选之后，通过将布线80粘结到接触垫66A上，从而建立电连接。或者，可通过将布线80粘结到直接在基底70上的接触垫上，从而建立电连接。尽管为了说明本发明的目的，本发明的附图描述了粘结到芯片小片62上的两根布线80和在另一芯片小片62A上的两个相应的接触垫66A，但要理解，布线粘结和接触垫66A的数量可根据特定的所需用途和电路芯片的特定结构而变化，和此处所述的具体结构不应当解释为限制本发明(参见美国专利No.5323060)。
参考随后的实施例，本发明将变得更容易理解。
实施例
实施例1：
以所述用量使用以下列出的组分，制备b阶小片连接粘合剂。根据美国专利No.5973166中列出的工序制备马来酰亚胺，其公开内容在此通过参考引入。
十二烷基双马来酰亚胺               69.3g
X-BMI1                            10.8g
RICON 1302                        2.9g
2-苯氧基丙烯酸酯                   15.8g
偶联剂3                           1.0
过氧化物4                         0.2g
1X-BMI(10，11-二辛基二十烷的1，20-双马来酰亚胺衍生物)，根据美国专利No.5973166中列出的工序制备，其公开内容在此通过参考引入。
2用马来酸酐接枝的20％聚丁二烯(商购于Sartomer)。
3(β-3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷
4过二碳酸二(4-叔丁基环己酯)
在室温下加完每一组分之后，彻底混合b阶小片连接粘合剂，在玻璃载片上分配，并加热到90℃的温度10分钟，接着加热到125℃的温度1分钟。
加热b阶小片连接粘合剂到125℃-130℃的温度小于60秒，和在其上放置硅片。然后通过在150℃的温度下加热1小时的时间段，将硅片连接到玻璃载片上。
然后，在校正的Dage 4000小片剪切测试仪上，评价该b阶小片连接粘合剂的室温小片剪切和热小片剪切。观察到室温小片剪切大于100kg-f，并观察到热小片剪切为45+/-19。
实施例2：
以所述用量使用以下列出的组分，制备b阶小片连接粘合剂。如上所述，根据美国专利No.5973166中列出的工序制备马来酰亚胺。
十二烷基双马来酰亚胺               68.6g
X-BMI                              10.7g
RICON 130                          23.0g
2-苯氧基丙烯酸酯                   15.6g
偶联剂                             0.8
过氧化物5                     12g
5枯基氢过氧化物
在室温下加完每一组分之后，彻底混合b阶小片连接粘合剂，在玻璃载片上分配，并加热到90℃的温度10分钟，接着加热到125℃的温度1分钟。
加热b阶小片连接粘合剂到125℃-130℃的温度小于60秒，和在其上放置硅片。然后通过在150℃的温度下加热1小时的时间段，将硅片连接到玻璃载片上。
然后，在校正的Dage 4000小片剪切测试仪上，评价该b阶小片连接粘合剂的室温小片剪切和热小片剪切。观察到室温小片剪切大于100kg-f，并观察到热小片剪切为63+/-23。
实施例3：
以所述用量使用以下列出的组分，制备填充银的b阶小片连接粘合剂。与实施例1一样，根据美国专利No.5973166中列出的工序制备马来酰亚胺。
十二烷基双马来酰亚胺                  9.4g
X-BMI                                 3.35g
BMI柠康酰胺                           5.7g
RICON 130                             2.9g
2-苯氧基丙烯酸酯                      4.9g
偶联剂                                0.25
过氧化物6                            0.1g
银填料7                              75.5g
6过二碳酸二(4-叔丁基环己酯)
7粒度介于1至50微米
在室温下加完每一组分之后，彻底混合b阶小片连接粘合剂，在玻璃载片上分配，并加热到90℃的温度10分钟，接着加热到125℃的温度1分钟。
加热b阶小片连接粘合剂到125℃-130℃的温度小于60秒，和在其上放置硅片。然后通过在150℃的温度下加热1小时的时间段，将硅片连接到玻璃载片上。
然后，在校正的Dage 4000小片剪切测试仪上，评价该b阶小片连接粘合剂的室温小片剪切和热小片剪切。观察到室温小片剪切大于100kg-f，并观察到热小片剪切为51+/-13。
实施例4：
以所述用量使用以下列出的组分，制备另一填充银的b阶小片连接粘合剂。再次与实施例1一样，根据美国专利No.5973166中列出的工序制备马来酰亚胺。
十二烷基双马来酰亚胺                    7.6g
X-BMI                                   2g
RICON 130                               1.3g
二环戊二烯基MA                          4.5g
双酚A二(甲基)丙烯酸酯                   2.3g
偶联剂                                  1.3g
过氧化物                                1g
银填料                                  80g
在室温下加完每一组分之后，彻底混合b阶小片连接粘合剂，并测定1rpm的粘度为349000cps。将该b阶小片连接粘合剂分配到玻璃载片上，并加热到125℃的温度5分钟。
加热b阶小片连接粘合剂到175℃的温度1小时。此刻，使固化的小片连接粘合剂冷却到室温，并测定其体积电阻为0.00023Ω-cm。
将该b阶小片连接粘合剂筛网印刷到陶瓷基底上，并加热到125℃的温度5分钟。使该b阶小片连接粘合剂冷却到室温。加热该b阶小片连接粘合剂到125℃的温度，使固体组分熔化，以便可在其上放置硅片。通过在175℃的温度下加热1小时的时间段，将该组件粘结在一起。
然后，在校正的Dage 4000小片剪切测试仪上，评价该b阶小片连接粘合剂在275℃下的热小片剪切。观察到热小片剪切为46+/-约10。

Claims (44)

1.一种b阶可固化的组合物，它包括：
a.在第一温度下可热固化的固体组分；
b.或者在第二温度下可热固化或者当暴露于电磁光谱范围内的辐射线下可固化的液体组分；和
c.用于该固体可固化组分的热固化催化剂。
2.权利要求1的组合物，其中固体可固化组分的熔点范围小于该固体可固化组分固化时的温度。
3.权利要求1的组合物，其中固体可固化组分的熔点范围与该固体可固化组分固化时的温度基本上相同。
4.权利要求1的组合物，进一步包括反应性稀释剂。
5.权利要求1的组合物，其中该组合物基本上不含非反应性溶剂。
6.权利要求1的组合物，进一步包括溶剂。
7.权利要求1的组合物，进一步包括填料。
8.权利要求7的组合物，其中填料是传导填料。
9.权利要求7的组合物，其中填料导热。
10.权利要求7的组合物，其中填料导电。
11.权利要求7的组合物，其中填料是非传导填料。
12.权利要求7的组合物，其中填料的颗粒尺寸小于约50微米。
13.权利要求1的组合物，进一步包括光引发剂。
14.权利要求13的组合物，其中光引发剂选自在电磁光谱的UV、UV/VIS、VIS、IR、电子束、X-射线、和微波范围内的辐射引发的催化剂。
15.权利要求1的组合物，其中热固化催化剂选自自由基催化剂、阴离子固化剂、阳离子固化剂及其结合。
16.权利要求15的组合物，其中自由基催化剂是选自过氧化物、偶氮化合物及其结合的成员。
17.权利要求15的组合物，其中阴离子固化剂是选自氮杂化合物、胺化合物、咪唑化合物及其结合的成员。
18.权利要求17的组合物，其中氮杂化合物包括选自下述中的一个或多个成员：
1，5-二氮杂双环[4.3.0]壬-5-烯
Figure A2003801040800003C2
1，8-二氮杂双环[5.4.0]十一烷-5-烯(DBU)
1，5，7-三氮杂双环[4.4.0]癸-5-烯
Figure A2003801040800003C4
奎宁环
Figure A2003801040800003C5
1，4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷。
19.权利要求17的组合物，其中胺化合物包括选自脂族多胺、芳族多胺、脂环族多胺及其结合的一个或多个成员。
20.权利要求17的组合物，其中胺化合物包括选自二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、二乙基氨基丙胺、苄基二甲胺、间二甲苯二胺、二氨基二苯胺、喹喔啉、异佛尔酮二胺、烯二胺及其结合的一个或多个成员。
21.权利要求17的组合物，其中咪唑化合物包括选自异咪唑、咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2，4-二甲基咪唑、丁基咪唑、2-十七碳烯基-4-甲基咪唑、2-甲基咪唑、2-十一碳烯基咪唑、1-乙烯基-2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-苯基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-丙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-胍胺基乙基-2-甲基咪唑，咪唑和甲基咪唑的加成产物，咪唑和偏苯三酸的加成产物，2-正十七烷基-4-甲基咪唑、苯基咪唑、苄基咪唑、2-甲基-4，5-二苯基咪唑、2，3，5-三苯基咪唑、2-苯乙烯基咪唑、1-(十二烷基苄基)-2-甲基咪唑、2-(2-羟基-4-叔丁基苯基)-4，5-二苯基咪唑、2-(2-甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑、2-(3-羟苯基)-4，5-二苯基咪唑、2-(对二甲基氨基苯基)-4，5-二苯基咪唑、2-(2-羟苯基)-4，5-二苯基咪唑、二(4，5-二苯基-2-咪唑)-苯-1，4，2-萘基-4，5-二苯基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、2-对甲氧基苯乙烯基咪唑及其结合的一个或多个成员。
22.权利要求15的组合物，其中阳离子固化剂是选自有机酸、酸酐、路易斯酸及其结合的成员。
23.权利要求22的组合物，其中有机酸是选自酚类、苯硫酚、硫醇、羧酸及其结合的成员。
24.权利要求1的组合物，进一步包括液体可固化组分用的第二热固化催化剂。
25.权利要求24的组合物，其中通过第二热固化催化剂固化该液体可固化组分在约50℃-约150℃范围内的温度下进行，和通过第一热固化催化剂固化该固体可固化组分在约100℃-约300℃范围内的温度下进行。
26.权利要求24的组合物，其中通过第二热固化催化剂固化该液体可固化组分在小于约100℃的温度下进行，和通过第一热固化催化剂固化该固体可固化组分在高于约100℃的温度下进行。
27.权利要求1的组合物，其中液体可固化组分包括环氧化物、环硫化物、马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺、衣康酰亚胺、(甲基)丙烯酸酯、乙烯醚、乙烯酯、苯乙烯及其衍生物，聚(亚烯基)、烯丙基酰胺、降冰片烯基、硫醇烯及其结合。
28.权利要求1的组合物，其中固体可固化组分包括环氧化物、环硫化物、马来酰亚胺、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺、衣康酰亚胺、(甲基)丙烯酸酯、乙烯醚、乙烯酯、苯乙烯及其衍生物，聚(亚烯基)、烯丙基酰胺、降冰片烯基、硫醇烯及其结合。
29.权利要求1的组合物，其中液体可固化组分是包括下述的含马来酰亚胺的化合物、含衣康酰亚胺的化合物或含桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺的化合物：
Figure A2003801040800005C1
其中：
m＝1-15，
p＝0-15，
每一R2独立地选自氢或低级烷基，和
J是含有机或有机硅氧烷基团的单价或多价部分，和其中的两种或多种的结合。
30.权利要求1的组合物，其中液体可固化组分是包括结构I、II和III的含马来酰亚胺的化合物、含衣康酰亚胺的化合物或含桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺的化合物，其中
m＝1-6，
p＝0，
R2独立地选自氢或低级烷基，和
J是单价或多价基团，其选自烃基、取代烃基、含杂原子的烃基、取代的含杂原子的烃基、亚烃基、取代亚烃基、含杂原子的亚烃基、取代的含杂原子的亚烃基、聚硅氧烷、聚硅氧烷-聚氨酯嵌段共聚物，和其中的两种或多种的结合，所述单价或多价基团任选地含有一个或多个连接基，所述连接基选自共价键、-O-、-S-、-NR-、-O-C(O)-、-O-C(O)-O-、-O-C(O)-NR-、-NR-C(O)-、-NR-C(O)-O-、-NR-C(O)-NR-、-S-C(O)-、-S-C(O)-O-、-S-C(O)-NR-、-S(O)-、-S(O)2-、-O-S(O)2-、-O-S(O)2-O-、-O-S(O)2-NR-、-O-S(O)-、-O-S(O)-O-、-O-S(O)-NR-、-O-NR-C(O)-、-O-NR-C(O)-O-、-O-NR-C(O)-NR-、-NR-O-C(O)-、-NR-O-C(O)-O-、-NR-O-C(O)-NR-、-O-NR-C(S)-、-O-NR-C(S)-O-、-O-NR-C(S)-NR-、-NR-O-C(S)-、-NR-O-C(S)-O-、-NR-O-C(S)-NR-、-O-C(S)-、-O-C(S)-O-、-O-C(S)-NR-、-NR-C(S)-、-NR-C(S)-O-、-NR-C(S)-NR-、-S-S(O)2-、-S-S(O)2-O-、-S-S(O)2-NR-、-NR-O-S(O)-、-NR-O-S(O)-O-、-NR-O-S(O)-NR-、-NR-O-S(O)2-、-NR-O-S(O)2-O-、-NR-O-S(O)2-NR-、-O-NR-S(O)-、-O-NR-S(O)-O-、-O-NR-S(O)-NR-、-O-NR-S(O)2-O-、-O-NR-S(O)2-NR-、-O-NR-S(O)2-、-O-P(O)R2-、-S-P(O)R2-、-NR-P(O)R2-，其中每一R独立地为氢、烷基或取代烷基，和其中的两种或多种的结合。
31.权利要求1的组合物，其中固体可固化组分是在室温下为固态的含马来酰亚胺的化合物、含衣康酰亚胺的化合物或含桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺的化合物。
32.权利要求31的组合物，其中含马来酰亚胺的化合物、含衣康酰亚胺的化合物或含桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺的化合物是固体并包括：
Figure A2003801040800007C1
其中：
m＝1-15，
p＝0-15，
每一R2独立地选自氢或低级烷基，和
J是含有机或有机硅氧烷基团的单价或多价部分，和其中的两种或多种的结合。
33.权利要求1的组合物，其中含马来酰亚胺的化合物、含衣康酰亚胺的化合物或含桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺的化合物分别包括连接到单价基团上的马来酰亚胺官能团、衣康酰亚胺官能团或桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺官能团，或者通过多价基团分开的马来酰亚胺官能团、衣康酰亚胺官能团或桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺官能团，每一单价基团或多价基团具有足够的长度和支化度使得含马来酰亚胺、的化合物、含衣康酰亚胺的化合物或含桥亚甲基四氢化邻苯二甲酰亚胺的化合物分别为液体。
34.一种制备权利要求1的组合物的方法，其步骤包括：
a.提供在第一温度下可热固化的固体组分，在第二温度下可热固化或者当暴露于电磁光谱范围内的辐射线下可固化的液体组分，和用于该固体可固化组分的热固化催化剂；和
b.一起混合该固体可固化组分、液体可固化组分与热固化催化剂。
35.权利要求34的方法，进一步包括：
c.将该组合物暴露于对液体可固化组分固化有利的条件下。
36.权利要求35的方法，进一步包括：
d.将该组合物暴露于足以使固体可固化组分熔融的温度条件下。
37.权利要求36的方法，进一步包括：
e.将该组合物暴露于足以使该熔化的固体可固化组分固化的温度条件下。
38.将第一种基底粘合连接到第二种基底上的方法，所述方法包括：
a.施加权利要求1的组合物到所述第一种基底或所述第二种基底之一或二者上；
b.将施加了组合物的基底暴露于使其中的液体可固化组分有利地进行固化的条件下，从而形成b阶可固化膜；
c.将b.中的b阶可固化膜暴露于足以使其中的固体可固化组分熔融的温度条件下；
d.连接所述第一种基底与所述第二种基底，形成组件，其中通过在a.中施加的组合物隔开第一种基底和所述第二种基底；和
e.将c.中的可固化膜暴露于足以使该熔化的固体可固化组分固化的温度条件下。
39.权利要求38的方法，其中所述第一种基底是芯片小片。
40.权利要求38的方法，其中所述第一种基底和所述第二种基底是芯片小片。
41.权利要求38的方法，其中所述第一种基底是电路板。
42.权利要求38的方法，其中所述第一种基底是不具有焊剂掩膜的电路板。
43.权利要求38的方法，其中所述第一种基底是具有焊剂掩膜的电路板。
44.一种制造的制品，它包括为附着且与另一半导体芯片或载体基底电连接而提供的一种半导体芯片，该半导体芯片具有第一和第二表面，其中第一表面具有在其上以预定图案排列的电接触点用以分别提供与另一半导体芯片或载体基底的电啮合，和第二表面具有置于其一层或一部分上的权利要求1的b阶可热固化的组合物。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103779299A (zh) * 2012-10-25 2014-05-07 矽品精密工业股份有限公司 半导体封装件及其制法
CN108699411A (zh) * 2016-02-04 2018-10-23 汉高知识产权控股有限责任公司 可脱粘粘合剂及其高温用途
CN109439206A (zh) * 2013-10-10 2019-03-08 艾利丹尼森公司 胶黏剂和相关方法
CN110914978A (zh) * 2017-07-31 2020-03-24 贺利氏德国有限两合公司 用于制造水性包封料的组合物
WO2022183481A1 (en) * 2021-03-05 2022-09-09 Henkel Ag & Co. Kgaa Curable adhesive composition comprising maleimide and thiol

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI456012B (zh) * 2010-06-08 2014-10-11 Henkel IP & Holding GmbH 使用脈衝式ｕｖ光源之晶圓背面塗覆方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4412048A (en) * 1981-09-11 1983-10-25 Westinghouse Electric Corp. Solventless UV dryable B-stageable epoxy adhesive

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103779299A (zh) * 2012-10-25 2014-05-07 矽品精密工业股份有限公司 半导体封装件及其制法
CN103779299B (zh) * 2012-10-25 2016-11-09 矽品精密工业股份有限公司 半导体封装件的制法
CN109439206A (zh) * 2013-10-10 2019-03-08 艾利丹尼森公司 胶黏剂和相关方法
CN108699411A (zh) * 2016-02-04 2018-10-23 汉高知识产权控股有限责任公司 可脱粘粘合剂及其高温用途
CN110914978A (zh) * 2017-07-31 2020-03-24 贺利氏德国有限两合公司 用于制造水性包封料的组合物
CN110914978B (zh) * 2017-07-31 2023-07-28 贺利氏德国有限两合公司 用于制造水性包封料的组合物
WO2022183481A1 (en) * 2021-03-05 2022-09-09 Henkel Ag & Co. Kgaa Curable adhesive composition comprising maleimide and thiol

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