CN1711146A - 电解电容器用铌铝合金粉末、其制造方法及电解电容器 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的在于提供一种用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,该合金粉末可以形成具有稳定介电层、电容器容量大、高耐压的电解电容器。根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,通过在表面形成介电层而作为电解电容器的阳极使用,其特征在于,具有:以NbAl3、Nb2Al、Nb3Al或Nb为主体的微细枝晶组织;基体,由选至NbAl3、Nb2Al、Nb3Al或Nb的两种物质组成的共晶组织或由Al组成,基体围绕枝晶组织。
Description
技术领域
本发明涉及用于电解电容器的铌铝(Nb-Al)合金粉末及使用该合金粉末制造的电解电容器。
背景技术
近年来,安装在电子设备等的电容器需具备如下特点:体积小,容量大,价格合理,供应稳定。作为该用途的电解电容器,通常使用的是将钽粉末的烧结体用作阳极的电容器,这是因为其体积较小,容量大,电容器性能好。但是,由于钽电容器价格昂贵,同时用户也不能确定供应是否稳定,尤其是在大容量的电容器中必然导致钽粉末的使用量增加,因此,研究不使用钽的新的电容器电极材料是近年来的发展方向。
因此,为实现使用钽以外的其他金属材料制造体积小、容量大的电解电容器,大量研究工作正在尝试使用铌制造电解电容器的阳极(特开昭55-157226号公报等),原因在于氧化铌较氧化钽具有更高的介电常数,同时铌价格便宜,供应稳定。并且,在特开昭60-66806、特开昭60-216530和特开平1-124212号公报中披露了将钽-铝合金粉末或钽-铝合金箔用作阳极的构成材料。但是,在使用了具有上述文献记载的构成的阳极的电解电容器存在一些问题:当由铌单体形成粉末的时候,由氧化铌形成的介电层具有热不稳定性;回流焊接处理后的漏电特性比钽电容器差。另外,根据在特开昭60-66806号公报等中披露的方法制造的铌-铝合金,尽管合金氧化膜具有很高的热稳定性,但合金中铌含量不足而氧化膜的介电常数不够大,并由于直接使用通过淬火法制造的薄带原材料,因此和由钽粉或铌粉末相比,不能确保充分大的比表面积,因此,不适合用于高容量电容器的制造,影响实际使用。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其可以形成具有稳定介电层、电容器容量大、高耐压的电解电容器。
另外,本发明的另一个目的在于提供一种用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其为了使氧化物的介电层的介电常数大而增加Nb的含量,将Nb-Al作为基本构成添加一种或多种第三种元素,从而可以形成电容器容量大、高耐压的电解电容器。
另外,本发明的另一个目的是提供一种使用上述用于电解电容器的Nb-Al合金粉末的电解电容器。
为实现上述目的,本发明采取了如下的构成。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,所述合金粉末在表面形成介电层而作为电解电容器的阳极使用,其特征在于,具有:以NbAl3、Nb2Al、Nb3Al或Nb为主体的微细枝晶组织;基体,其由选至NbAl3、Nb2Al、Nb3Al或Nb的两种物质组成的共晶组织或由Al组成,所述基体围绕所述枝晶组织。
同那些用于制造作为电解电容器的阳极使用的金属烧结体的钽等的一次粉相比,本发明的Nb-Al合金粉末,通过上述构成以及进行微细的粉末化,可以作为具有更高的耐压性和大容量的电容器材料。
具有上述构成的本发明的Nb-Al合金粉末,在表面形成的介电层含氧化铌和氧化铝,因此,具有高介电常数的同时,同仅含氧化铌的介电层相比更加稳定,泄漏电流小。
另外,本发明的Nb-Al合金粉末具有如下优点:通过部分或者全部除去基体,容易制造将微细枝晶组织作为主要部分的多孔质粉末。将这种多孔质粉末应用于电解电容器的阳极,得到表面积大、介电层的耐压高、高性能的电解电容器。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,所述Nb-Al合金的铝含量为大于等于46质量百分比并小于等于90质量百分比;并且,具有:以NbAl3为主体的枝晶组织;Al基体,其围绕所述枝晶组织的周围。根据该合金粉末,将Al基体通过蚀刻容易除去,因此制造多孔质粉末,得到表面积更大的电容器用合金粉末。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,所述Nb-Al合金的铝含量为大于等于27质量百分比并小于46质量百分比;并且,具有:以NbAl3为主体的枝晶组织;NbAl3和Nb2Al的共晶状基体,其围绕所述枝晶组织的周围。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,所述Nb-Al合金的铝含量为大于等于14质量百分比并小于27质量百分比;并且,具有:以Nb2Al为主体的枝晶组织;NbAl3和Nb2Al的共晶状基体,其围绕所述枝晶组织的周围。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,所述Nb-Al合金的铝含量为大于等于10质量百分比并小于14质量百分比;并且,具有:以Nb3Al为主体的枝晶组织;Nb3Al和Nb2Al的共晶状基体,其围绕所述枝晶组织的周围。
根据根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,所述Nb-Al合金的铝含量为小于等于10质量百分比;并且,具有:以Nb为主体的枝晶组织;Nb3Al和Nb的共晶状基体或者以Nb3Al为主体的基体,其围绕所述枝晶组织的周围。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,在所述Nb-Al合金中添加选至钽、钛、铪、锆、钼、钡、锶和硼中的至少一种元素。通过添加这些元素,形成电解电容器时显著提高在表面形成的介电层的介电常数。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,所述添加元素的含量优选为小于等于3质量百分比。当元素含量超过3质量百分比,阳极氧化膜的介电特性不稳定,在耐压高的条件下,将导致泄漏电流增加,无法得到上述的效果。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,在所述Nb-Al合金粉末中,作为杂质的铁的含量优选小于等于100ppm。当作为杂质的铁的含量超过100ppm时,形成电解电容器的阳极时,在表面形成的介电层的耐压下降,因此,不优选。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,所述微细枝晶组织的树枝间距(粗细)优选小于等于3μm。根据这种构成,粉末的表面积增加,能制造出大容量的电解电容器。特别是若使用蚀刻法除去基体而制造多孔质粉末,可以进一步增加粉末的表面积。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,容积密度优选为大于等于2.8g/cm3小于等于5.0g/cm3。
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,比表面积优选为1m2/g~10m2/g。
根据本发明的电解电容器,具有上述的Nb-Al合金粉末的阳极。具有这种结构的电解电容器体积小,容量大。
根据本发明的制造用于电解电容器的Nb-Al合金粉末的方法,所述合金粉末在表面形成介电层而作为电解电容器的阳极使用,对Al含量为大于等于27质量百分比并小于等于90质量百分比的Nb-Al熔融金属进行淬火,制造具有枝晶间距小于等于3μm的微细枝晶组织的Nb-Al合金的粉状体或者薄带。
根据上述方法,通过蚀刻,表面积容易增加,上述基体或枝晶相部分优先被蚀刻,形成保留上述枝晶组织的多孔质部。这样制造的Nb-Al合金粉末,粒子小、表面积大,并且如果在表面形成氧化物的介电层的时候,具有很大的介电常数。因此,可以实现体积小、大容量的电解电容器。
另外,根据本发明的制造用于电解电容器的Nb-Al合金粉末的方法,在所述通过熔融金属的淬火制造Nb-Al合金的粉状体或者薄带的步骤中,冷却速度优选大于等于103℃/秒。通过将冷却速度设置在上述的范围中,可以在上述粉状体或者薄带中有效形成微细的枝晶组织,并可以提高制造的Nb-Al合金粉末的表面积。另外,上述冷却速度更优选为大于等于104℃/秒。
根据本发明的制造用于电解电容器的Nb-Al合金粉末的方法,包括粉碎所述粉状体或者薄带而对用于电解电容器的Nb-Al合金粉末进行粉末化的步骤。
具体实施方式
根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末具有如下特点,以Nb或者Nb-Al金属互化物作为主体,并具有:树枝状延伸的微细枝晶组织;由Nb-Al金属互化物组成的基体,该基体围绕上述枝晶组织。由于具有这样的结晶组织,可以容易粉碎至极其微细的粉末,与以前用于制造电解电容器的钽的一次粉相比,实现了粒径的大幅度微细化,因此,可以提高用Nb-Al合金粉末制造而成的烧结体的表面积。若是使用Nb-Al合金粉末制造电解电容器,由于表面积大,并且在表面形成介电层的时候可以形成具有高介电常数的氧化物,因此,可以实现小型而大容量的电解电容器。
另外,根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,以NbAl3为主体,并具有微细枝晶组织和围绕该枝晶组织的由Nb2Al或Al组成的基体,当将这种合金粉末作为电解电容器的阳极使用时,构成形成在粒子表面的介电层的氧化物包括氧化铌和氧化铝,比铝电容器具有更大的介电常数,同时,这种介电层同只含氧化铌的介电层相比,具有良好的稳定性。因此,若是使用上述本发明的Nb-Al合金粉末制造电解电容器,就可以实现小型而大容量的电解电容器。
另外,同当前常用于制造电解电容器的Ta相比较而言,Nb更便宜,因此,可以低成本制造具有与Ta电容器相同性能的电解电容器。
下面,阐述本发明中用于电解电容器的Nb-Al合金粉末的制造方法的一例。
(1)为制造本发明的Nb-Al合金粉末,首先需要准备具有预定组成的Nb-Al的熔融金属。本方法中上述组成可任意选择。
(2)准备好上述熔融金属之后,通过气体雾化法或RSR(回旋电极)法将上述熔融金属淬火凝固而形成粉状体,或通过所谓的熔体旋转法形成薄带。并且,将上述合金粉状体或薄带用球磨机或者喷射粉碎机粉碎,这样可得到本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末。另外,如果将通过上述淬火步骤得到的合金粉状体或者薄带,提供给氢化步骤进行氢化,之后提供给粉碎步骤,就会得到更为微细的合金粉末。
根据本发明的制造方法,在使用上述任何一种方法时,将制造条件优选设置为:冷却(淬火)速度大于等于103℃/秒,更优选为大于等于104℃/秒。通过将冷却速度设置在上述的范围中,可以在上述粉状体或者薄带中有效形成微细的枝晶组织,并可以提高制造的Nb-Al合金粉末的表面积。
根据上述的步骤,就可以制造根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其具有:微细枝晶组织,其以金属互化物为主体;金属互化物的基体,其围绕该枝晶组织。
另外,铝的含量大于等于27质量百分比(%)的根据本发明的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,通过蚀刻技术可以增加粉末的表面积,并可以增加电解电容器的容量。具体地,通过蚀刻法可以部分或者全部除去以NbAl3为主体的围绕微细枝晶组织的基体,从而可以得到将上述枝晶组织作为骨架的多孔质的粉末。
比如,当合金粉末的基体为Al时,容易进行蚀刻,使用含有盐酸或者硝酸等的常规蚀刻溶液选择性地除去Al基体,可以形成将微细枝晶组织作为骨架的多孔质粉末。另外,当有一NbAl3为主体的微细枝晶组织以及NbAl3和Nb2Al的共晶状部分同时存在的时候,可以通过使用氟酸或者硝酸等蚀刻NbAl3部分,增加粉末的表面积,形成能制造大容量的电解电容器的合金粉末。
(实施例)
现在就本发明中的实施例进行阐述。
表1示出的实施例1是Al含量为大于等于20质量百分比并小于等于75质量百分比的例子。其中,在Al含量为大于等于46质量百分比并小于等于90质量百分比的样品3和6中,Nb-Al合金粉末是由作为初晶的NbAl3的枝晶相和Al基体组织组成的混合组织,如果用盐酸或硝酸等蚀刻溶液蚀刻,就可以大大提高Al基体相的表面积。对该粉末进行烧结,并经过转化处理后能得到同钽粉末相比具有更高的CV值和耐压性的元件。
表1
样品 | 组成 | 粉末的制造工艺 | 粒径d50μm | 烧结元件的容积密度gr/cm3 | 转化电压Vf | CV值μFV/g | 泄漏电流μA |
1 | Nb-20%Al | 单辊熔体旋转后,粉碎 | 1.2 | 4.5 | 40 | 80,000 | <0.3 |
2 | Nb-40%Al | 单辊熔体旋转后,粉碎 | 1.5 | 4.2 | 100 | 43,000 | <0.3 |
3 | Nb-75%Al | 单辊熔体旋转后,粉碎 | 1.5 | 3.9 | 240 | 16,000 | <0.5 |
4 | Nb-20%Al-3%Zr | 单辊熔体旋转后,粉碎 | 1.4 | 4.4 | 120 | 33,000 | <0.5 |
5 | Nb-40%Al-5%Zr | 单辊熔体旋转后,粉碎 | 1.3 | 4.2 | 240 | 14,000 | <0.5 |
6 | Nb-75%Al-5%Zr | 单辊熔体旋转后,粉碎 | 1.8 | 3.7 | 480 | 20,000 | <0.5 |
表2示出的实施例2是Al含量为大于等于27质量百分比并小于46质量百分比的例子。具有该范围组成的淬火雾化粉是由作为初晶的NbAl3的枝晶相以及NbAl3和Nb2Al的共晶状组织组成的混合组织,如果用氟酸和硝酸的混合溶液进行蚀刻,NbAl3相被蚀刻,就可以大大提高表面积。对该粉末进行烧结,并经过转化处理后能得到同钽粉末相比具有更高的CV值和耐压性的元件。
表2
样品 | 组成 | 粉末的制造工艺 | 粒径d50μm | 烧结元件的容积密度gr/cm3 | 转化电压Vf | CV值μFV/g | 泄漏电流μA |
1 | Nb-35%Al | 气体雾化后蚀刻 | 35 | 3.5 | 120 | 16,000 | <0.5 |
2 | Nb-10%Ta-35%Al | RSR法 | 1.5 | 3.8 | 120 | 33,000 | <0.5 |
3 | Nb-3%Zr-35%Al | REP法后粉碎,蚀刻 | 1.5 | 3.2 | 120 | 28,000 | <0.5 |
4 | Nb-35%Al | 气体雾化后蚀刻 | 55 | 3.4 | 240 | 13,000 | <0.5 |
5 | Nb-10%Ta-35%Al | 气体雾化后蚀刻 | 50 | 3.9 | 240 | 12,000 | <0.5 |
6 | Nb-3%Zr-35%Al | REP法后粉碎,蚀刻 | 1.2 | 3.6 | 240 | 25,000 | <0.5 |
7 | Nb-10%Ta-30%Al | REP法 | 1.3 | 3.2 | 240 | 32,000 | <0.5 |
8 | Nb-10%Ta-30%Al-5%Ba | REP法后粉碎,蚀刻 | 1.3 | 3.9 | 480 | 20,000 | <0.1 |
9 | Nb-10%Ta-30%Al-3%Sr | REP法后粉碎,蚀刻 | 1.2 | 3.9 | 400 | 16,000 | <0.1 |
表3示出的实施例3是Al含量为大于等于14质量百分比并小于27质量百分比的例子。具有该范围组成的淬火雾化粉是由作为初晶的Nb2Al的枝晶相以及NbAl3和Nb2Al的共晶状组织组成的混合组织,如果用氟酸和硝酸的混合溶液进行蚀刻,Nb2Al相被蚀刻,就可以大大提高表面积。对该粉末进行烧结,并经过转化处理后能得到同钽粉末相比具有更高的CV值和耐压性的元件。
表3
样品 | 组成 | 粉末的制造工艺 | 粒径d50μm | 烧结元件的容积密度gr/cm3 | 转化电压Vf | CV值μFV/g | 泄漏电流μA |
1 | Nb-20%Al | REP法后粉碎,蚀刻 | 1.2 | 3.6 | 120 | 35,000 | <0.5 |
2 | Nb-20%Al | 气体雾化后粉碎,蚀刻 | 1.7 | 3.8 | 120 | 47,000 | <0.5 |
3 | Nb-20%Al | RSR法后粉碎,蚀刻 | 1.5 | 3.7 | 120 | 38,000 | <0.5 |
4 | Nb-20%Al | 气体雾化后粉碎,蚀刻 | 5.5 | 3.1 | 120 | 22,000 | <0.5 |
5 | Nb-20%Al-5%Ba | REP法后粉碎,蚀刻 | 1.2 | 3.6 | 240 | 40,000 | <0.5 |
表4示出的实施例4是Al含量为大于等于10质量百分比并小于14质量百分比的例子。具有该范围组成的淬火雾化粉是由作为初晶的Nb3Al的枝晶相以及Nb3Al和Nb2Al的共晶状组织组成的混合组织,如果进行吸氢处理而粉碎,就可以形成微细的粉状体,从而可以得到大大提高表面积的烧结元件。对该烧结元件进行转化处理后能得到同钽粉末相比具有更高的CV值和耐压性的元件。
表4
样品 | 组成 | 粉末的制造工艺 | 粒径d50μm | 烧结元件的容积密度gr/cm3 | 转化电压Vf | CV值μFV/g | 泄漏电流μA |
1 | Nb-12%Al | RSR法后粉碎,蚀刻 | 1.3 | 3.6 | 24 | 145,000 | <0.5 |
2 | Nb-12%Al | 气体雾化后粉碎,蚀刻 | 1.6 | 3.8 | 80 | 51,000 | <0.5 |
3 | Nb-12%Al | RSR法后粉碎,蚀刻 | 1.6 | 3.7 | 120 | 29,000 | <0.5 |
4 | Nb-5%Ta-12%Al | 气体雾化后粉碎,蚀刻 | 5.2 | 3.1 | 120 | 35,000 | <0.5 |
5 | Nb-12%Al-5%Ba | RSR法后粉碎,蚀刻 | 1.1 | 3.6 | 240 | 24,000 | <0.5 |
表5示出的实施例5是Al含量为小于10质量百分比的例子。具有该范围组成的淬火雾化粉是由作为初晶的Nb的枝晶相以及Nb3Al和Nb的共晶状组织组成的混合组织,如果进行吸氢处理而粉碎,就可以形成微细的粉状体,从而可以得到大大提高表面积的烧结元件。对该烧结元件进行转化处理后能得到同钽粉末相比具有更高的CV值和耐压性的元件。
表5
样品 | 组成 | 粉末的制造工艺 | 粒径d50μm | 烧结元件的容积密度gr/cm3 | 转化电压Vf | CV值μFV/g | 泄漏电流μA |
1 | Nb-7%Al | RSR法后粉碎,蚀刻 | 1.1 | 3.6 | 80 | 75,000 | <0.5 |
2 | Nb-7%Al | 气体雾化后粉碎,蚀刻 | 1.4 | 3.8 | 80 | 65,000 | <0.5 |
3 | Nb-7%Al | RSR法后粉碎,蚀刻 | 1.5 | 3.7 | 120 | 30,000 | <0.5 |
4 | Nb-5%Ta-7%Al | 气体雾化后粉碎,蚀刻 | 2.2 | 4.1 | 120 | 32,000 | <0.5 |
5 | Nb-7%Al-5%Ba | RSR法后粉碎,蚀刻 | 1.1 | 3.6 | 240 | 25,000 | <0.5 |
工业应用性
如上所述,本发明提供一种用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,所述合金粉末在表面形成介电层而作为电解电容器的阳极使用,其特征在于,具有:微细枝晶组织,其以NbAl3、Nb2Al、Nb3Al或Nb为主体;基体,其由选至NbAl3、Nb2Al、Nb3Al或Nb的两种物质组成的共晶组织、或由Al组成,所述基体围绕所述枝晶组织。因此,可以进行微细的粉末化。另外,当将这种合金粉末作为电解电容器的阳极使用时,构成形成在粒子表面的介电层的氧化物包括氧化铌和氧化铝,比铝电容器具有更大的介电常数,同时,这种介电层同只含氧化铌的介电层相比,具有良好的稳定性。因此,若是使用上述本发明的Nb-Al合金粉末制造电解电容器,就可以实现小型而大容量的电解电容器。
另外,对根据本发明的Nb-Al合金粉末进行蚀刻而部分或者全部除去上述基体,从而可以得到将上述极其微细的枝晶组织作为骨架的多孔质的粉末,因此,可以增加表面积,并提高电解电容器的容量。
Claims (14)
1.一种用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,所述合金粉末通过在表面形成介电层而作为电解电容器的阳极使用,其特征在于,所述Nb-Al合金粉末具有:
以NbAl3、Nb2Al、Nb3Al或Nb为主体的微细枝晶组织;以及基体,所述基体由选自NbAl3、Nb2Al、Nb3Al或Nb的两种物质组成的共晶状组织或由Al组成,所述基体围绕所述枝晶组织。
2.根据权利要求1所述的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其特征在于,所述Nb-Al合金的铝含量为大于等于46质量百分比并小于等于90质量百分比;
并且,具有:以NbAl3为主体的所述枝晶组织;以及Al基体,所述Al基体围绕在所述枝晶组织的周围。
3.根据权利要求1所述的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其特征在于,所述Nb-Al合金的铝含量为大于等于27质量百分比并小于46质量百分比;
并且,具有:以NbAl3为主体的所述枝晶组织;以及NbAl3和Nb2Al的共晶状基体,所述基体围绕在所述枝晶组织的周围。
4.根据权利要求1所述的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其特征在于,所述Nb-Al合金的铝含量为大于等于14质量百分比并小于27质量百分比;
并且,具有:以Nb2Al为主体的所述枝晶组织;以及NbAl3和Nb2Al的共晶状基体,所述基体围绕在所述枝晶组织的周围。
5.根据权利要求1所述的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其特征在于,所述Nb-Al合金的铝含量为大于等于10质量百分比并小于14质量百分比;
并且,具有:以Nb3Al为主体的所述枝晶组织;以及Nb3Al和Nb2Al的共晶状基体,所述基体围绕在所述枝晶组织的周围。
6.根据权利要求1所述的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其特征在于,所述Nb-Al合金的铝含量为小于等于10质量百分比;
并且,具有:以Nb为主体的所述枝晶组织;以及Nb3Al和Nb的共晶状基体或者以Nb3Al为主体的基体,所述基体围绕在所述枝晶组织的周围。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其特征在于,在所述Nb-Al合金中添加选至钽、钛、铪、锆、钼、钡、锶和硼中的至少一种元素。
8.根据权利要求7所述的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其特征在于,所述添加元素的含量为小于等于3质量%。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其特征在于,在所述Nb-Al合金粉末中,作为杂质的铁的含量小于等于100ppm。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的用于电解电容器的Nb-Al合金粉末,其特征在于,所述微细枝晶组织的粗细小于等于3μm。
11.一种电解电容器,其特征在于,具有由权利要求1至10中任一项所述的Nb-Al合金粉末烧结的阳极。
12.一种制造用于电解电容器的Nb-Al合金粉末的方法,所述合金粉末通过在表面形成介电层而作为电解电容器的阳极使用,其特征在于,对Al含量为大于等于27质量%并小于等于90质量%的Nb-Al熔融金属进行淬火,制造具有枝晶间距小于等于3μm的微细枝晶组织的Nb-Al合金的粉状体或者薄带。
13.根据权利要求12所述的制造用于电解电容器的Nb-Al合金粉末的方法,其特征在于,在所述通过熔融金属的淬火制造Nb-Al合金的粉状体或者薄带的步骤中,冷却速度大于等于103℃/秒。
14.根据权利要求12或13所述的制造用于电解电容器的Nb-Al合金粉末的方法,其特征在于,包括粉碎所述薄带而进行粉末化的步骤。
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- 2003-11-17 CN CN 200380103478 patent/CN1711146A/zh active Pending
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