CN1704492A - 强度、导电性及弯曲加工性优良的钛铜及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种强度、导电性及弯曲加工性优良的钛铜，其特征在于，其含有Ti 1.5－2.3质量％，其余由Cu与不可避免的杂质构成，其中，0.2％屈服强度(YS)为750MPa以上，导电率(EC)为17％IACS以上，且在与压延方向垂直的方向进行JIS H3130所述的W弯曲试验时，不产生龟裂的最小弯曲半径(MBR∶mm)与板厚(t∶mm)的比(MBR/t)与0.2％屈服强度(YS∶MPa)之间存在MBR/t≤0.04×YS－30的关系。

Description

强度、导电性及弯曲加工性优良的钛铜及其制造方法
技术领域
本发明涉及强度、导电性及弯曲加工性优良的钛铜及其制造方法。
背景技术
随着电子仪器的小型化、轻量化，连接器等电气、电子元件的小型化、轻量化(薄壁化、窄间距化)不断发展。连接器在进行薄壁化、窄间距化时由于接点的截面积减少，故必须弥补截面积减少所导致的接压与导电性的降低，接点使用的金属材料要求更高的强度和导电性。另外，由于元件的小型化，从而对所使用的金属材料要实施苛刻且严格的弯曲加工，故金属材料必须有良好的弯曲加工性。
作为高强度的铜合金，近年来，时效固化型的铜合金使用量在增加。时效固化型铜合金，通过对已固溶处理的过饱和固溶体进行时效处理，使微细的析出物均匀地分散在合金中，提高合金的强度。
时效固化型的铜合金中，含有Ti的铜合金(以下称为“钛铜”)由于具有高的机械强度和优异的弯曲加工性，故广泛作为电子仪器的各种端子、连接器使用。现在，工业实用化的钛铜是JIS C1990，这种合金含有Ti 2.9-3.5质量％。如特开平7-258803号公报(特许文献1)、特开2002-356726号公报(特许文献2)等的实施例所示，这是因为如果降低Ti含量则不能得到足够强度的缘故。
作为与钛铜同样的时效固化型的高强度铜合金，有高铍铜(JISC1720)。钛铜与高铍铜相比较，强度与弯曲加工性相同，耐应力松弛特性好，故例如在烧进插座(バ一ンインソケツト)这种要求耐热的用途中，钛铜比高铍铜适用。另一方面，若比较导电率，现状是钛铜为10-16％IACS，比高铍铜的20％ IACS差。因此，在需要导电性的用途中使用高铍铜。然而，高铍铜存在铍化合物具有毒性，及制造工序复杂、成本高的问题，故对钛铜的需求进一步增高。
由于Ti固溶在铜中时导电率降低，故通过使Ti作为Cu-Ti金属间化合物相析出，可以减少固溶Ti量，提高导电率。在特愿2003-78751号说明书(特许文献3)中，对含Ti 2.5-4.5质量％的钛酮，通过调节Cu-Ti金属间化合物相的析出量来改善导电率，但考查该说明书公开的钛铜的弯曲加工性，结果，弯曲加工性特别差。作为弯曲加工性恶化的原因，可确认大量析出的粗大的Cu-Ti金属间化合物相成为龟裂的起点。尤其是，存在直径大于2μm的Cu-Ti金属间化合物相的场合，弯曲加工性明显地差。通过使结晶粒径及最终压延加工度合适化，可以兼具钛铜的强度和弯曲加工性(例如，特许文献2)。然而，还没实现充分平衡改善钛铜的强度、弯曲加工性、导电率的技术。
[特许文献1]特开平7-258803号公报
[特许文献2]特开2002-356726号公报
[特许文献3]特愿2003-78751号说明书
发明内容
本发明的目的在于提供强度、导电性及弯曲加工性优良的钛铜。
本发明人为了提供高强度，且弯曲加工性好、具有与高铍铜同等导电率的钛铜，潜心进行研究，结果，通过将Ti浓度、Cu-Ti金属间化合物相的大小及面积率、平均结晶粒径调整到最佳范围，可以制得具有所期望的强度、弯曲加工性和导电率的钛铜。
使前述特许文献3所示的钛铜的弯曲加工性恶化的原因，是大量析出的粗大的Cu-Ti金属间化合物相。本发明通过降低Ti浓度，减少粗大的Cu-Ti金属间化合物相，进而在低Ti浓度下将组织及制造条件最佳化，使之获得所期望的强度、弯曲加工性。
(1)本发明涉及强度、导电性及弯曲加工性优良的钛铜，其特征在于，其含有Ti 1.5-2.3质量％，其余由Cu与不可避免的杂质构成，其中，0.2％屈服强度为750MPa以上，导电率为17％ IACS以上，且在与压延方向垂直的方向进行JIS H3130所述的W弯曲试验时，不产生龟裂的最小弯曲半径(MBR：mm)与板厚(t：mm)的比(MBR/t)与0.2％屈服强度(YS：MPa)之间存在MBR/t≤0.04×YS-30的关系。
(2)上述钛铜含有Ti 1.5-2.3质量％，其余由Cu与不可避免的杂质构成，其特征在于，在与压延方向垂直的截面观察的Cu-Ti金属间化合物相的直径是2.0μm以下，且在与压延方向垂直的截面观察的直径为0.02-2.0μm的Cu-Ti金属间化合物相的面积率(S：％)与Ti含量([Ti]：质量％)存在8.1×[Ti]-11.5≤S≤7.5的关系，并且与压延方向垂直的截面的平均结晶粒径(采用JIS H0501切断法测定)是2-10μm。
(3)上述钛铜可通过在依次进行铸块的热压延、冷压延、固溶处理、冷压延、时效处理的钛铜的制造工序中，固溶处理前的冷压延加工度为89％以上，固溶处理中的加热温度T(℃)的范围为[6580/{7.35-In[Ti]}]-333≤T≤[6580/{7.35-In[Ti]}]-273，固溶处理中的平均冷却速度为300℃/s以上，时效处理前的冷压延加工度为10-70％，时效处理中的加热温度为350-450℃，加热保持时间为5-20小时，由时效处理中的加热温度开始的平均冷却速度为10-50℃/小时进行制造。
根据本发明，可以提供能符合近年电子仪器小型化、薄壁化需要的强度、弯曲加工性及导电性优良的钛铜合金。
具体实施方式
以下，对本发明详细地进行说明。
(1)导电率
若提高导电率，则将材料用作各种端子、连接器时，伴随通电的发热量减少。为了达到与高铍铜同等程度的低发热量，必须是17％IACS以上的导电率。更优选的导电率是20％ IACS以上。
(2)0.2％屈服强度
0.2％屈服强度未满750MPa时，将材料用作连接器时，由于接点处的接压降低，故接触电阻增大，即使将导电率调整到17％ IACS以上，也不能得到与高铍铜同等程度的低接触电阻。因此，0.2％屈服强度定为750MPa以上。更优选0.2％屈服强度是800MPa以上。
(3)弯曲加工性
将材料用作各种端子、连接器时，0.2％屈服强度与弯曲加工性的平衡是关键。本发明人对Ti浓度为1.5-2.3质量％且有17％ IACS以上导电率的钛铜，定量地分析近年电子元件所要求的0.2％屈服强度与弯曲加工性的关系，结果发现，满足连接器用材料要求用的一定的尺度。即，在0.2％屈服强度(YS)与在与压延方向垂直的方向对材料进行W弯曲(JIS H3130)时不产生龟裂而可弯曲的最小弯曲半径与板厚的比(MBR/t)之间，可以满足MBR/t≤0.04×YS-30关系的钛铜，使强度与弯曲加工性平衡，可以符合近年的要求。
(4)Ti含量
对钛铜进行时效处理时，引起偏聚分解，在母材中生成钛浓度的调制结构，由此可得到非常高的强度。钛含量未满1.5质量％时，难得到750MPa以上的0.2％屈服强度。另一方面，钛含量超过2.3质量％时，在后述的获得17％ IACS以上导电率的条件下进行制造的场合，直径大于2μm的粗大的Cu-Ti金属间化合物相析出，故材料的弯曲加工性恶化。因此，本发明的钛铜的钛含量是1.5-2.3质量％，优选是1.6-2.0质量％。再者，迄今这种Ti浓度范围的钛铜没有实用化。虽然特许文献中有报道，但不是充分平衡改善强度、弯曲性及导电率的报道。例如，特开2002-356726的实施例1报道了Ti为1.7质量％的合金，虽然该合金的导电率20.3％ IACS与本发明合金相同，但其0.2％屈服强度低，是710MPa。另外，特开2002-356726的实施例2报道了Ti为1.5质量％与2.3质量％的合金，但这些合金的0.2％屈服强度分别是720MPa与1180MPa，导电率分别是26.4％IACS与10.2％IACS，不能兼具强度与导电率。
(5)Cu-Ti金属间化合物相的直径
通过使Ti作为Cu-Ti金属间化合物相析出，可以减少固溶Ti量，提高导电率。但是，在与压延方向垂直的截面观察的一个含Cu-Ti金属间化合物相的最小圆的直径(Cu-Ti金属间化合物相的最大径)超过2.0μm时，成为材料弯曲加工时龟裂的起点，从而弯曲加工性降低。因此，Cu-Ti金属间化合物相的直径定为2μm以下。
(6)Cu-Ti金属间化合物相的面积率
为了提高钛铜的导电率，充分析出Ti、极力减少固溶Ti量是关键。即，若增加Cu-Ti金属间化合物相的量，则导电率上升。另外，通过使微细的Cu-Ti金属间化合物相析出，也实现了材料的高强度化。本发明人发现，在含有Ti 1.5-2.3质量％的钛铜中，在与压延方向垂直的截面观察的直径为0.02-2.0μm的Cu-Ti金属间化合物相的面积率为S(％)、Ti含量为[Ti](质量％)时，若满足S≥8.1×[Ti]-11.5的关系，则可以得到17％ IACS以上的导电率。另一方面，即使析出的Cu-Ti金属间化合物相的直径是2.0μm以下，但如果S超过7.5％，则材料的弯曲加工性降低，难确保本发明规定的0.2％屈服强度与弯曲加工性的平衡。因此，要使Cu-Ti金属间化合物相的面积率S为8.1×[Ti]-11.5≤S≤7.5。此外，还发现Ti＝1.5-2.0质量％时，如果可以满足8.1×[Ti]-9.5≤S≤7.5的关系，则不仅满足本发明规定的0.2％屈服强度与弯曲加工性的关系，而且可以得到20％ IACS以上的导电率。
(7)平均结晶粒径
与压延方向垂直的截面的平均结晶粒径(采用JIS H0501切断法测定)超过10μm时，不能实现结晶粒微细化所致的材料的高强度化，难得到750MPa以上的0.2％屈服强度。另外，若将平均结晶粒径调整到未满2μm，则有可能残留未重结晶部分，若残留未重结晶部分，则弯曲加工性恶化。因此，将本发明钛铜的与压延方向垂直的截面的平均结晶粒径定为2-10μm。
(8)制造方法
本发明人发现，在依次进行原料的熔解铸造、铸块的热压延、冷压延、固溶处理、冷压延、时效处理的钛铜制造工序中，通过分别使固溶处理前的冷压延、固溶处理、固溶处理后的冷压延、时效处理为适宜的条件，可以得到满足本发明特性的钛铜。以下，对各工序的制造条件进行说明。
溶体化处理前的冷压延加工度
材料进行重结晶时，利用压延导入的应变成为重结晶粒的晶核。固溶处理前的冷压延加工度越高，越可导入大量的应变，故重结晶粒的生成显著，结晶粒的成长得到抑制，可得到微细的结晶粒径。通过使固溶处理前的冷压延加工度为89％以上，可以得到10μm以下的平均结晶粒径。
固溶处理
钛铜的固溶处理一般在Cu中Ti的溶解度与所含有的Ti的浓度相等的温度以上的条件下进行。然而，在该温度范围进行固溶处理时，结晶粒径超过10μm。本发明人通过实验求出了稳定地获得2-10μm结晶粒径用的固溶处理温度范围。即，在固溶处理温度T(℃)为T＞[6580/{7.35-In[Ti]}]-273(这里x表示Ti含量)的条件下，结晶粒径超过10μm，难得到750MPa以上的0.2％屈服强度。另外，在溶体处理温度T为T＜[6580/{7.35-In[Ti]}]-333的条件下，结晶粒径未满2μm，材料的弯曲加工性劣化。通过使固溶处理温度T为[6580/{7.35-In[Ti]}]-333≤T≤[6580/{7.35-In[Ti]}]-273，可得到2-10μm的结晶粒径。此外，从固溶处理的加热温度到25℃的材料的平均冷却速度未满300℃/s时，直径大于2.0μm的Cu-Ti金属间化合物相在材料冷却过程中在结晶粒界析出，故对材料施加弯曲应力时，在粒界容易产生龟裂。因此，固溶处理中的平均冷却速度设定为300℃/s以上。另外，此时的冷却方法没有特殊限定，但一般多进行水冷。
固溶处理后的冷压延加工度
固溶处理后的冷压延加工度未满10％时，不能期望加工硬化形成的高强度化，不仅难得到750MPa以上的0.2％屈服强度，而且由于通过压延导入的应变少，故在下一工序的时效处理中，Cu-Ti金属间化合物相的析出速度慢，难得到17％ IACS以上的导电率。另外，加工度超过70％时，由于延性降低故弯曲加工性明显劣化，因此，难得到本发明规定的0.2％屈服强度与弯曲加工性的关系。因此，固溶处理后的冷压延加工度设定为10-70％。为了获得更好的0.2％屈服强度与弯曲加工性的关系，优选固溶处理后的冷压延加工度为40-65％。
时效处理
时效处理中，为了使本发明规定的Cu-Ti金属间化合物相析出，例如如下所述调节时效条件。
(1)加热温度
加热温度未满350℃时，Cu-Ti金属间化合物相的析出不充分，不能得到750MPa以上的0.2％屈服强度、17％ IACS以上的导电率。另外，加热温度超过450℃时，由于Cu-Ti金属间化合物相进行粗大化，故强度及弯曲加工性降低。因此，将加热温度定为350-450℃。这里的加热温度为对材料进行加热的炉的温度。
(2)加热温度下的保持时间
加热温度下的保持时间未满5小时时，Cu-Ti金属间化合物相的析出不充分，难得到17％ IACS以上的导电率。加热温度下的保持时间超过20小时时，由于Cu-Ti金属间化合物相进行粗大化，故强度及弯曲加工性降低。因此，把加热温度下的保持时间定为5-20小时。这里的保持时间为材料的温度达到炉的温度以后，直至开始冷却的时间。
(3)平均冷却速度
时效处理中，从加热温度到200℃的平匀冷却速度比50℃/小时快时，尽管得到17％ IACS以上的导电率，但不引起充分的Cu-Ti金属间化合物相的析出。另外，平均冷却速度未满10℃/小时时，Cu-Ti金属间化合物相的析出明显，直径0.02-2.0μm的Cu-Ti金属间化合物相的面积率超过7.5％，故弯曲加工性劣化。因此，从时效处理中的加热温度到200℃的平均冷却速度定为10-50℃/小时。
[实施例]
以电气铜作为原料，使用高频真空熔化炉，将表1所示各种组成的锭(宽60mm×厚30mm)熔化铸造后，在900℃下热压延成8mm。然后，在表1所示的条件下进行固溶处理前的冷压延、固溶处理、固溶处理后的冷压延及时效处理，使平均结晶粒径、Cu-Ti金属间化合物相的大小及面积率发生变化。此外，溶体化处理中，在供试验材料的温度达到表1的温度后保持1分钟，然后进行冷却。该冷却中，为了使冷却速度变化，采用空冷、喷射Ar气、喷水、在水槽中浸渍的方法进行冷却，此外，改变Ar气与水的喷射量。把热电偶焊接在供试验材料上，测定供试验材料的温度达到25℃(室温)的平均冷却速度。时效处理中，通过控制炉的温度改变冷却速度，测定供试验材料的温度从加热温度到为200℃的平均冷却速度。
对这样制得的各合金，评价0.2％屈服强度、导电率、弯曲加工性(MBR/t)、与压延方向垂直的截面的平均结晶粒径及Cu-Ti金属间化合物相的大小、面积率。
对0.2％屈服强度，使用拉伸试验机根据JIS Z2241进行测定。对导电率，根据JIS H0505，采用4端子法进行测定。对弯曲加工性的评价，采用宽10mm、长50mm的长方形试料，在试料的纵向与压延方向垂直的方向(Bad way)按各种弯曲半径进行W弯曲试验(JISH3130)，把弯曲部凸面外观与日本伸铜协会技术标准JBMA T307：1999的评价基准进行比较，求出不产生龟裂的最小弯曲半径(mm)与板厚(mm)的比(MBR/t)。
测定平均结晶粒径(μm)时，对与压延方向垂直的截面进行刻蚀(水(100ml)-FeCl3(5g)-HCl(10ml))，使结晶粒露出，通过扫描型电子显微镜进行观察，采用切断法(JIS H0501)算出结晶粒径。
对合金中析出的Cu-Ti金属间化合物相的观察，使用FE-SEM(日本エフイ一·アイ株式会社制，XL30SFEG)进行。用#150的耐水研磨纸研磨与材料的压延方向垂直的截面后，使用混浊有粒径40nm的胶体二氧化硅的磨光用研磨剂进行镜面研磨，对得到的试料进行碳蒸镀，因各合金改变视野，在1万倍的倍率下观察5处100μm2视野的反射电子像。然后，使用图像解析装置求出所观察视野中含Cu-Ti金属间化合物相的最小圆的直径及面积率。评价Cu-Ti金属间化合物相的大小时，对于存在直径超过2.0μm Cu-Ti金属间化合物相的合金评价为×，对于不存在直径超过2.0μm Cu-Ti金属间化合物相的合金评价为○。另外，评价面积率时，作为测定对象的Cu-Ti金属间化合物相的直径0.02-2.0μm，将Cu-Ti金属间化合物相的合计面积除观察视野的总面积得到的值作为Cu-Ti金属间化合物相的面积率。
把各合金的评价结果示于表2。发明例1-10均满足本发明规定的Ti含量、结晶粒径、Cu-Ti金属间化合物相的大小及面积率，故显示出17％ IACS以上的导电率，750MPa以上的0.2％屈服强度，另外，0.2％屈服强度(YS)与MBR/t的关系也满足本发明的范围。特别是，Ti含量在1.5-2.0质量％的范围内，Cu-Ti金属间化合物相的面积率S满足8.1×[Ti]-11.5≤S≤7.5的发明例2、4、7与10的导电率超过20％IACS。另外，Ti含量在1.6-2.0质量％的范围内，且固溶处理后的压延加工度在40-65％范围内的发明例2与5，与其他实施例相比，在0.2％屈服强度同等的场合显示出良好的弯曲加工性(MBR/t)，而在弯曲加工性同等的场合显示出高的0.2％屈服强度。
另一方面，比较例11由于Ti浓度太低，故不能得到750MPa以上的0.2％屈服强度。
比较例12由于Ti浓度太高，故析出2.0μm以上大小的粗大的Cu-Ti金属间化合物相，并且由于Cu-Ti金属间化合物相的面积率超过本发明的范围，故不能得到本发明的弯曲加工性。
比较例13由于固溶处理前的加工度低，故固溶处理后的平均结晶粒径超过10μm，0.2％屈服强度不能达到750MPa。
比较例14固溶处理温度比本发明的范围低，残留未重结晶部分，此外由于Cu-Ti金属间化合物相的大小、面积率均超过本发明的范围，故不能得到本发明规定的弯曲加工性。
比较例15由于固溶处理温度比本发明的范围高，故平均结晶粒径超过10μm，在获得17％ IACS以上的导电率的条件下进行时效处理的场合，不能得到750MPa以上的0.2％屈服强度。
比较例16由于固溶后的平均冷却速度慢而2.0μm以上大小的粗大的Cu-Ti金属间化合物相析出，故不能得到本发明规定的弯曲加工性。
比较例17由于固溶处理后的压延加工度太低，故不能得到750MPa以上的0.2％屈服强度，并且由于时效中的Ti析出速度慢而Cu-Ti金属间化合物相的面积率低于本发明的范围，故不能得到17％IACS以上的导电率。
比较例18由于固溶处理后的压延加工度太高，故不能得到本发明规定的弯曲加工性。
比较例19由于时效处理中的加热温度太低，故由于时效不足从而不能得到750MPa以上的0.2％屈服强度，并且由于Cu-Ti金属间化合物相的面积率低于本发明的范围，故不能得到17％IACS以上的导电率。
比较例20由于时效处理中的加热温度太高，故由于过时效从而引起Cu-Ti金属间化合物相的粗大化，不能满足本发明规定的0.2％屈服强度与弯曲加工性的关系。
比较例21由于时效处理中的加热保持时间短、Cu-Ti金属间化合物相的面积率低于本发明的范围，故不能得到17％ IACS以上的导电率。
比较例22由于时效处理中的加热保持时间太长，故由于过时效从而引起Cu-Ti金属间化合物相的粗大化，不能满足本发明规定的0.2％屈服强度与弯曲加工性的关系。
比较例23由于时效处理中的平均冷却速度快、Cu-Ti金属间化合物相的面积率低于本发明的范围，故不能得到17％IACS以上的导电率。
比较例24由于时效处理中的平均冷却速度慢、Cu-Ti金属间化合物相的面积率超过本发明的范围，故不能得到本发明规定的弯曲加工性。
                                                      表1  本发明例与比较例
  No.   Ti含有量(mass％)   固溶处理前的压延加工度(％)   固溶处理   固溶处理后的压延加工度(％)                 时效处理
  本发明中的温度T的范围(℃)*1   固溶处理温度(℃)   平均冷却速度(℃/s)   加热温度(℃)   加热温度下的保持时间(h)   平均冷却速度(℃/h)
  发明例   1   2.21   90.5   671～731   705   350   35   430   8   37
  2   1.87   94.3   646～706   689   416   40   390   10   20
  3   1.50   98.1   615～675   658   650   18   350   20   45
  4   2.00   96.5   658～718   704   704   33   450   8   33
  5   1.77   89.2   638～698   685   541   43   400   5   18
  6   2.08   94.2   661～721   700   912   67   380   12   40
  7   1.52   97.3   616～676   670   634   24   410   10   27
  8   1.66   95.8   629～689   878   419   13   370   15   36
  9   2.30   91.9   677～737   710   617   30   420   7   48
  10   1.58   96.6   622～682   650   568   52   400   5   16
  比较例   11   1.25   95.1   590～650   629   498   44   390   12   41
  12   2.62   97.4   697～757   738   749   29   420   5   34
  13   2.03   86.0   658～718   698   579   27   400   10   17
  14   2.21   93.7   671～731   650   666   48   370   20   26
  15   1.72   98.0   634～694   750   908   37   440   6   31
  16   1.54   96.6   618～678   659   150   32   380   12   22
  17   1.69   94.8   631～691   662   784   5   440   8   13
  18   1.98   92.2   654～714   707   497   80   430   10   41
  19   2.17   95.9   668～728   710   815   15   335   20   12
  20   1.83   92.7   642～702   690   394   62   480   5   48
  21   1.51   97.1   615～675   666   517   40   400   3   10
  22   1.96   91.6   652～712   692   618   27   410   35   47
  23   2.28   94.6   675～735   705   807   33   450   10   100
  24   1.91   96.5   649～709   677   555   30   380   8   5
*1：〔6580/{7.35-In[Ti]}〕-333≤T≤〔6580/{7.35-In[Ti]}〕-273
                                               表2  本发明例与比较例的特性
  No.   0.2％屈服强度(MPa)   弯曲加工性*2   导电率(％IACS)   结晶粒径(μm)   有无大于2.0μm的Cu-Ti金属间化合物相   Cu-Ti金属间化合物相的面积率S(％)
  0.04×YS-30   供试材料的MBR/t
  本发明的范围*3   测定值
  发明例   1   852   4.1   3.0   19.6   6.2   ○   6.4～7.5   6.8
  2   855   4.2   1.8   20.7   4.3   ○   3.6～7.5   6.5
  3   767   0.7   0   17.2   2.1   ○   0.6～7.5   1.3
  4   811   2.4   1.6   22.8   7.2   ○   4.7～7.5   7.1
  5   845   3.8   1.7   18.8   5.1   ○   2.8～7.5   3.9
  6   890   5.6   4.8   18.7   9.8   ○   5.3～7.5   6.2
  7   773   0.9   0   20.4   3.9   ○   0.8～7.5   4.9
  8   792   1.7   0.6   17.9   2.5   ○   1.9～7.5   2.8
  9   875   5.0   3.9   18.4   8.4   ○   7.1～7.5   7.3
  10   814   2.6   1.4   20.2   3.3   ○   1.3～7.5   5.8
  比较例   11   715   0   0   20.5   4.8   ○   0～7.5   0.4
  12   830   3.2   5.9   18.1   8.2   ×   7.5以上   9.4
  13   735   0   0   19.4   15.7   ○   4.9～7.5   5.2
  14   853   4.1   8.4   19.6   未重结晶   ×   6.4～7.5   10.1
  15   729   0   0.5   18.2   24.4   ○   2.4～7.5   2.6
  16   771   0.8   2.4   18.6   2.9   ×   1.0～7.5   2.5
  17   692   0   0   15.4   5.9   ○   2.2～7.5   1.1
  18   897   5.9   8.7   21.4   7.1   ○   4.5～7.5   7.8
  19   730   0   0   14.3   9.7   ○   6.1～7.5   3.4
  20   721   0   1.2   22.6   4.2   ×   3.3～7.5   8.9
  21   774   1.0   0.6   15.9   2.3   ○   0.7～7.5   0.3
  22   733   0   1.4   21.1   3.7   ×   4.4～7.5   8.4
  23   825   3.0   2.1   16.2   5.2   ○   7.0～7.5   6.4
  24   835   3.4   4.1   21.6   2.8   ○   4.0～7.5   7.9
*2：MBR/t≤0.04×YS-30    *3：8.1×[Ti]-11.5≤S≤7.5

Claims (3)

1.强度、导电性及弯曲加工性优良的钛铜，其特征在于，其含有Ti 1.5-2.3质量％，其余由Cu与不可避免的杂质构成，其中，0.2％屈服强度(YS)为750MPa以上，导电率(EC)为17％IACS以上，且在与压延方向垂直的方向进行JIS H3130所述的W弯曲试验时，不产生龟裂的最小弯曲半径(MBR：mm)与板厚(t：mm)的比(MBR/t)与0.2％屈服强度(YS：MPa)之间存在MBR/t≤0.04×YS-30的关系。
2.如权利要求1所述的强度、导电性及弯曲加工性优良的钛铜，其特征在于，含有Ti 1.5-2.3质量％，其余由Cu与不可避免的杂质构成，在与压延方向垂直的截面观察的Cu-Ti金属间化合物相的直径是2.0μm以下，且在与压延方向垂直的截面观察的直径为0.02-2.0μm的Cu-Ti金属间化合物相的面积率(S：％)与Ti含量([Ti]：质量％)存在8.1×[Ti]-11.5≤S≤7.5的关系，并且与压延方向垂直的截面的平均结晶粒径(采用JIS H0501切断法测定)是2-10μm。
3.权利要求1或2所述的钛铜的制造方法，其特征在于，在依次进行铸块的热压延、冷压延、固溶处理、冷压延、时效处理的钛铜的制造工序中，固溶处理前的冷压延加工度为89％以上，固溶处理中的加热温度T(℃)的范围为[6580/{7.35-In[Ti]}]-333≤T≤[6580/{7.35-In[Ti]}]-273，固溶处理中的平均冷却速度为300℃/s以上，时效处理前的冷压延加工度为10-70％，时效处理中的加热温度为350-450℃，加热保持时间为5-20小时，由时效处理中的加热温度开始的平均冷却速度为10-50℃/小时。
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