CN1694136A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1694136A CN1694136A CNA2005100660835A CN200510066083A CN1694136A CN 1694136 A CN1694136 A CN 1694136A CN A2005100660835 A CNA2005100660835 A CN A2005100660835A CN 200510066083 A CN200510066083 A CN 200510066083A CN 1694136 A CN1694136 A CN 1694136A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light
- mentioned
- display panel
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 319
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 57
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 21
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 25
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- -1 ethylidene dioxy thiophene Chemical compound 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000287680 Garcinia dulcis Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001074085 Scophthalmus aquosus Species 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/02—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes by tracing or scanning a light beam on a screen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及提供可以利用光寻址进行控制、以简单结构和低成本制作的显示面板。其构成包括：光学透明的第1透明电极层(102)及第2透明电极层(104)；设置于第1透明电极层(102)之上并相应于透射第1透明电极层(102)的控制光的光量而使导电率变化的导电率可变层(103)；以及层叠于导电率可变层(103)之上并设置于导电率可变层(103)和第2透明电极层(104)之间的至少具有发光层的功能层；在第1透明电极层(102)和第2透明电极层(104)之间施加有规定电压的发光层(114)可相应于上述控制光的光量而发光。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板及显示装置，特别涉及可光控的显示装置中使用的显示面板的技术。
背景技术
此前，作为图像显示装置，使用有机EL(电致发光)显示器。作为有机EL显示器技术，比如，在非专利文献1中有叙述。
非专利文献1：《有机EL材料和显示器》，シ-エムシ-，ISBN4-88231-284-0 C3054，第19章，“有机EL显示器的驱动法”，川岛进吾，p.279-289
现有的有机EL显示器，设置有薄膜晶体管(以下称其为“TFT”)。各TFT元件，通过使用电流的访问来控制ON/OFF。随着画面的大型化，像素数增加时，TFT元件数也增加。在此场合，除了有机EL显示器的结构变得复杂之外，使TFT元件具有均匀的性能很困难。此外，当TFT元件数增加时，由于布线也增加，有机EL显示器的电阻也增加。从这一观点出发，现有的有机EL显示器大型化是困难的。
因此，正在考虑，在使用EL元件的显示装置中，使用可以通过照射控制光进行控制的显示面板。使用控制光进行控制的显示面板，可以通过向显示面板照射与图像信号相应的控制光进行驱动。使用控制光的显示面板，不需要用于电访问的TFT元件及各种布线。因此，可以认为，在使用控制光时，可使显示器的结构简化，容易大型化。下面将通过照射控制光来控制显示面板称为光寻址。
现有的有机EL显示器，具有与像素区域相对应设置的阳电极。作为阳电极，比如，可以使用铝层。铝层，为使电流扩散到像素区域，在整个像素区域上设置。另外，在设置铝层作为阳电极的场合，为了减小阳电极和铝层之间的空穴传输壁垒，比如，设置ITO膜。由于需要防止电流跨像素扩散，对每个像素都通过图形化形成铝层和ITO膜。在使用堤岸(BANK)分割发光层的场合，铝层和ITO膜通过图形化而位于堤岸之间。另外，堤岸位于铝层和ITO膜的层叠(积层、叠层)部分以外的部分形成。因此，铝层、ITO膜及堤岸的形成，要求非常高精度的对齐。有机EL显示器，有时由于如此复杂的工序导致成品率降低并引起成本上升。如上所述，显示面板，尽管利用光寻址进行控制具有结构简单的优点，但是有时存在导致成品率低成本高的问题。
发明内容
本发明系有鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于提供一种可利用光寻址进行控制的结构简单并可降低成本的显示面板及使用该显示面板的显示装置。
为解决上述问题达到目的，根据本发明，可以提供一种具有如下特征的显示面板，其构成包括：光学透明的第1透明电极层及第2透明电极层；设置于第1透明电极层之上并相应于透射第1透明电极层的控制光的光量而使导电率变化的导电率可变层；层叠于导电率可变层之上并设置于导电率可变层和第2透明电极层之间的至少具有发光层的功能层；在第1透明电极层和第2透明电极层之间施加有规定电压的发光层可相应于控制光的光量而发光。另外，根据本发明的优选实施方式，优选是功能层具有层叠于导电率可变层之上设置的空穴传输层；设置于空穴传输层之上的发光层；以及设置于发光层和第2透明电极层之间的电子传输层；空穴传输层，通过在规定的电压之中施加与导电率可变层的导电率相应的电压向发光层传输空穴，而电子传输层，通过在规定的电压之中施加与导电率可变层的导电率相应的电压向发光层传输电子；发光层，利用来自空穴传输层的空穴及来自电子传输层的电子，相应于控制光的光量而发光。
导电率可变层，在没有控制光入射时，其作为导电率大致为零的绝缘层。另外，在控制光入射时，导电率可变层，其导电率相应于透射第1透明电极层的控制光的光量而变化。当在第1透明电极层和第2透明电极层之间施加规定电压时，可以在规定的电压之中对发光层施加与控制光的光量相应的电压。发光层，通过对其施加与控制光的光量相应的电压，相应于控制光的光量而发光。显示面板，通过使用导电率可变层，可以实现光寻址控制。
导电率可变层，只在控制光照射的区域之中使导电率变化。空穴传输层及发光层，由于层厚非常薄，不会使电流在与基板表面平行的方向上扩散，在导电率可变层中只在导电率变化的区域中导通。由此，在进行光寻址的场合，显示面板，即使是对每个像素使显示面板的导电率可变层、空穴传输层及发光层不绝缘，也可以对每个像素进行驱动。因此，显示面板，即使是不进行各个像素的高精度对齐，也可以实现可制造的结构。特别是，在以单独的色光进行显示的场合，显示面板也可以不采取与像素相对应的结构，而是采用将所有的层在基板上进行同样设置的结构。在此场合，显示面板，可以通过在基板上顺序地同样涂覆各层的形成材料而更容易形成。
利用多个色光进行显示的显示面板，使用多个发光层。在此场合，即使是与应用现有的显示面板的结构的场合相比较不进行高精度的对齐，可以与像素相对应地形成发光层。此外，显示面板，通过减少形成材料、成膜次数可以降低成本。显示面板，作为导电率可变层，通过使用可减小第1透明电极层和空穴传输层之间的空穴传输壁垒的功函数的材料，可以如历来那样高效地进行对发光层的空穴注入。因此，可以进行光寻址控制，可以以简单的结构得到可以减小成本的显示面板。
另外，根据本发明的优选实施方式，优选是发光层具有与供给第1色光的第1色光用像素相对应设置的第1色光用发光层；与供给第2色光的第2色光用像素相对应设置的第2色光用发光层；以及与供给第3色光的第3色光用像素相对应设置的第3色光用发光层。各色光用发光层，与应用现有的显示面板的结构的场合相比较，即使是不进行高精度的对齐也可以进行制造。因此，利用简单的结构可以降低成本，可以得到全色的显示面板。
另外，根据本发明的优选实施方式，优选是将发自其他图像显示装置的光用作控制光。由此，可以得到可以显示其他图像显示装置的图像的显示面板。
此外，根据本发明，可以提供一种具有如下特征的显示装置，其构成包括：上述的显示面板；对显示面板施加规定电压的电源；以及将控制光供给显示面板的控制光用光学系统。通过使用上述显示面板，可以以简单的结构降低成本。由此，可以得到可以以简单的结构降低成本的显示装置。
附图说明
图1为本发明的实施例1的显示装置的概略结构图。
图2为现有的显示面板的结构的说明图。
图3为利用光寻址进行控制的显示面板结构例图。
图4为本发明的实施例2的显示装置的概略结构图。
图5为实施例2的变形例的显示装置的概略构成图。
图6为在显示装置中设置的滤色器的结构的说明图。
符号的说明
显示装置100、基板101、106、第1透明电极层102、a-Si层103、第2透明电极层104、密封层105、功能层110、空穴传输层112、发光层114、R光用发光层114R、G光用发光层114G、B光用发光层114B、电子传榆层116、显示面板120、R光用像素121R、G光用像素121G、B光用像素121B、堤岸124、电源130、控制光用光学系统140、控制光用光源部142、检流镜144、控制部148、控制光另外，、平坦化层201、铝层202、ITO膜203、显示面板220、堤岸224、TFT元件240、铝层302、ITO膜303、显示面板320、堤岸324、显示装置400、功能层410、空穴传输层412、发光层414、电子传输层416、显示面板420、显示装置500、显示器510、显示器610、显示面板620、R光透射彩色滤波器621、631、G光透射彩色滤波器622、632、B光透射彩色滤波器623、633
具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施例进行说明。
[实施例1]
图1示出本发明的实施例1的显示装置100的概略结构。显示装置100，是有机EL显示器。显示装置100，由显示面板120、电源130和控制光用光学系统140构成。显示面板120，利用发光层114的发光来显示图像。电源130，在显示面板120的第1透明电极层102及第2透明电极层104之间施加规定的电压。控制光用光学系统140，向显示面板120供给控制光L。另外，在图1中，显示面板120，示出重要部分的剖面结构。
显示面板120的基板101，是由光学透明玻璃、聚合物构件等构成的平行平板。在基板101的上面，设置有第1透明电极层102。第1透明电极层102，是由光学透明构件构成的阳电极。第1透明电极层102，比如，可由ITO构成。由ITO形成的第1透明电极层102，比如，由200nm层厚形成。作为导电率可变层的非晶硅(以下称其为“a-Si”)层103，设于第1透明电极层102之上。a-Si层103由于透射第1透明电极层102的控制光L的作用，其导电率变化。a-Si层103，比如，由5μm的层厚形成。
a-Si层103，比如，优选是包含氢。a-Si层103，在控制光L完全不照射的状态下，用作导电率大致为零(即电阻值大致为无限大)的绝缘性构件。与此相对，在使控制光L照射a-Si层103时，导电率相应于该光量变大(即电阻值变小)。在a-Si层103中导电率变化的区域，是控制光L照射的第1透明电极层102的区域。第1透明电极层102及a-Si层103，同样设置于基板101面上。第1透明电极层102，比如，可以利用蒸镀法形成。a-Si层103，可利用气相生长法(CVD法)形成。
在a-Si层103上，设置堤岸124和功能层110。功能层110，层叠于a-Si层103之上，设置于a-Si层103和第2透明电极层104之间。功能层110，是由顺序层叠的空穴传输层112、发光层114及电子传榆层116构成的。堤岸124，是在基板101表面上大致正交的方向上以格子形状设置的。空穴传输层112，是在各堤岸124之间的a-Si层103上的区域以层叠方式设置的。在空穴传输层112上，通过施加在来自电源130的规定电压之中与a-Si层103的导电率相应的电压，将空穴传输并注入到发光层114。作为空穴传输层112，比如，可使用3，4-聚亚乙基二氧噻吩(PEDOT)。由PEDOT构成的空穴传输层112，比如，由20nm的层厚形成。
发光层114，设置于空穴传输层112之上。发光层114，利用来自空穴传输层112的空穴和来自电子传输层116的电子，相应于控制光L的光量而发光。发光层114，可由(聚)对苯撑乙烯衍生物(PPV)构成。G光用发光层114G，除了PPV，也可以由聚芴(PF)、聚苯撑衍生物(PP)、聚对苯撑衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、苝类色素、香豆素类色素、罗丹明色素、可溶于其他苯衍生物的低分子有机EL材料、高分子有机EL材料构成。
发光层114，由堤岸124分割为各色光用发光层114R、114G、114B。作为第1色光用发光层的R光用发光层114R，与供给作为第1色光的R光的R光用像素121R相对应而设置。作为第2色光用发光层的G光用发光层114G，与供给作为第2色光的G光的G光用像素121G相对应而设置。作为第3色光用发光层的B光用发光层114B，与供给作为第3色光的B光的B光用像素121B相对应而设置。各色光用发光层114R、114G、114B，比如，由15nm的层厚形成。
在各色光用发光层114R、114G、114B及堤岸124之上，顺序层叠而设置电子传输层116及第2透明电极层104。在电子传输层116上，通过施加来自电源130的规定电压之中与a-Si层103的导电率相应的电压，将电子传输并注入到发光层114。电子传输层116，比如，可由钙构成。在由钙构成的场合，电子传输层116，比如，由20nm的层厚形成。
第2透明电极层104，是由光学透明构件构成的阴电极。第2透明电极层104，与第1透明电极层102一样，比如，可由ITO构成。由ITO形成的第2透明电极层104，比如，由200nm层厚形成。电子传输层116、第2透明电极层104中的任何一个，比如，都可利用蒸镀法形成。在第2透明电极层104之上，设置有密封层105及基板106。密封层105用于防止基板101及106间的各层因氧化而引起的劣化。密封层105是，比如，可以由UV硬化树脂及氮化氧化硅形成。另外，显示面板120，也可以用来将发自发光层114的光高效率地射出的光学元件设置于基板106的射出面而构成。
控制光用光学系统140，由检流镜144和控制光用光源部142构成。控制光用光学系统140，设置于显示面板120的基板101侧。控制光用光源部142，供给束状的光，比如，供给作为激光的控制光L。控制光用光源部142，比如，可以使用设置调制器的半导体激光元件及面发光激光元件。控制光用光源部142，供给根据发自控制部148的图像信号对强度进行调制的控制光L。发自控制光用光源部142的控制光L，由检流镜144反射到显示面板120的方向。于是，反射到显示面板120方向的控制光L，入射到显示面板120的基板101表面。
检流镜144，比如，可利用MEMS(微型机电系统)技术制成。检流镜144，通过以大致正交的规定的两轴为中心转动，可以使控制光L在两个方向上进行扫描。检流镜144的转动，由控制部148根据图像信号进行控制。这样一来，控制光用光学系统140，可使控制光L对显示面板120的基板101表面进行扫描。作为控制光L，可采用可使a-Si层103的导电率变化的波长区域的光。控制光L的波长及光量，可根据使显示面板120导通的电流的量适当决定。作为控制光L，可以使用紫外激光、可见光激光、红外激光。另外，也不限于激光，也可以使用束状的光，比如，发自发光二极管元件(LED)的光，作为控制光L。
此处，假设使控制光L入射到与G光用像素121G相对应的基板101表面上的位置。发自控制光用光学系统140的控制光L，透射显示面板120的基板101和第1透明电极层102，入射到a-Si层103。在与图像信号相应的强度的控制光L入射到a-Si层103时，a-Si层103，在控制光L的入射位置，导电率相应于控制光L的光量的变化而增大。另外，严格讲，a-Si层103的导电率的变化区域，倾向于与控制光L的强度和照射时间成比例地以照射位置为中心向周边扩展。于是，可以利用检流镜144使控制光L进行高速扫描，并且只使控制光L照射的区域附近的导电率发生变化。
第1透明电极层102及第2透明电极层104，与电源130电连接。通过使a-Si层103的导电率增大，对第1透明电极层102和第2透明电极层104之间的各层施加与a-Si层103的导电率相应的电压。在对第1透明电极层102和第2透明电极层104施加电压时，空穴传输层112，传输发自第1透明电极层102的空穴而注入到G光用发光层114G。另外，电子传输层116输送以第2透明电极层104的电子，注入G光用发光层114G。
当空穴和电子在G光用发光层114G中结合时，G光用发光层114G的荧光物质，由于空穴和电子结合时产生的能量而激发。于是，G光用发光层114G的荧光物质，在从激发态返回基态时就出现发光现象。此时，G光用发光层114G的荧光物质，产生在G光的区域中具有峰值波长的光谱光。这样一来，G光用发光层114G就产生G光。另外，R光用发光层114R及B光用发光层114B的结构与发光机制与G光用发光层114G的场合一样。R光用发光层114R，具有在R光的区域中具有峰值波长的发光谱的荧光物质。另外，B光用发光层114B，具有在B光的区域中具有峰值波长的发光谱的荧光物质。显示面板120，使发自各色光用发光层114R、114G、114B的光射出到基板106一侧。
下面通过与现有的显示面板的比较对本发明的显示面板120予以说明。图2示出使用TFT元件240的现有的显示面板220的结构。TFT元件240设置于基板101之上。平坦化层201的设置是为了使可以在基板101上形成TFT元件240的凸凹平坦化而使各层的层厚容易均匀。作为阳电极的铝层202，设置于平坦化层201之上。铝层202，通过与像素相对应地在整个像素区域上设置，可使发自TFT元件240的电流向像素扩散。在铝层202和空穴传输层112之间设置ITO膜203。ITO膜203的设置是为了使铝层202和空穴传输层112之间的空穴传输壁垒减小而设置。由于需要防止电流跨像素扩散，在堤岸224之间的位置通过图形化而形成铝层202及ITO膜203。
TFT元件240，通过利用未图示的各种布线进行电访问而控制ON/OFF。为了对各个像素进行驱动，TFT元件240，与全部像素相对应而设置。在随着画面的大型化像素数增加时，TFT元件240的数目也增加。在此场合，除了显示面板220的结构变得复杂之外，制造具有均匀性能的TFT元件240很困难。此外，当TFT元件240的数目增加时，由于布线也增加，显示面板220的电阻也增加。因此，现有的显示面板220，特别是除了由于大型化使得结构变得复杂之外，有时会引起成本增加。
图3示出利用光寻址进行控制的显示面板320的结构例。显示面板320，是应用图2所示的显示面板220的结构的产物。在显示面板320中设置第1透明电极层102及a-Si层103代替TFT元件及各种布线。由于不需要TFT元件及各种布线，显示面板320可以简单而便宜地构成。
与图2所示的显示面板220一样，显示面板320，对每个像素形成铝层302及ITO膜303。铝层302及ITO膜303，是通过利用蒸镀法等在材料的一面成膜、利用光刻法形成图形及利用刻蚀形成。堤岸324，是与利用刻蚀将铝层302及ITO膜303去除的位置一致而形成的。为了防止各个像素之间的导通，铝层302、ITO膜303及堤岸324，必须在正确的位置上形成。因此，铝层302、ITO膜303及堤岸324的形成要求以非常高的精度进行对齐。显示面板320，虽然为了实现简单而便宜的构成采用光寻址，但有时由于复杂的制造工序而导致成品率低成本高。
返回图1。在本发明的显示面板120中，空穴传输层112设置于a-Si层103之上。如上所述，a-Si层103，只在控制光L入射的位置导电。因此，显示面板120，即使不对每个像素形成a-Si层103，也可以对每个像素进行驱动。另外，构成a-Si层103的a-Si，具有减轻第1透明电极层102和显示面板120的空穴传输壁垒的功函数。所以，显示面板120，可以使用在显示面板120的一面形成的a-Si层103来代替每个像素的铝层和ITO膜。
空穴传输层112及发光层114，是利用喷墨法等液滴喷出法形成的。首先，空穴传输层112，利用液滴喷出头(喷墨头)向由堤岸124围成的a-Si层103上区域有选择地喷出形成材料。在空穴传输层112形成之后，R光用发光层114R，利用液滴喷出头，向与R光用像素121R相对应的空穴传输层112之上有选择地喷出形成材料。与R光用发光层114R一样，G光用发光层114G、B光用发光层114B也都利用液滴喷出头，分别向与G光用像素121G、B光用像素121B相对应的空穴传输层112之上有选择地喷出形成材料。这样一来，空穴传输层112、发光层114，可以很容易利用液滴喷出法形成。电子传输层116及第2透明电极层104，可以利用蒸镀法通过使形成材料在一面上成膜而形成。
空穴传输层112、发光层114，以数十nm的非常薄的层厚设置。空穴传输层112及发光层114，由于非常薄，在与基板101面的平行方向上电流的扩散很小。显示面板120，即使是对每个像素使空穴传输层112及发光层114不绝缘，也可以防止电流跨像素进行扩散。因此，堤岸124的设置目的与其说是为了各个像素的绝缘，不如说是为了形成各色光用发光层114R、114G、114B。堤岸124，由于其构成只要达到可以将各色光用发光层114R、114G、114B的形成材料分割的程度即可，所以可以更简单地构成图3的显示面板320的堤岸324。
图3所示的显示面板320的堤岸324，需要正确地设置于铝层及ITO膜的层叠部分以外的部分上。与此相对，本发明的显示面板120，可以不必像显示面板320的堤岸324那样对每个像素精密地进行对齐而形成。比如，显示面板120，在形成空穴传输层112、各发光层114R、114G、114B时，也可以对堤岸124的位置偏离进行修正。显示面板120的堤岸124，除了使用图形化的方法之外，也可以借助液滴喷出法将形成材料有选择地喷出到所要求的位置而很容易地形成。在采用液滴喷出法的场合，作为堤岸124的形成材料，可以使用喷出后硬化的材料，比如UV硬化树脂及粘接剂。
如上所述，显示面板120，即使不对每个像素进行高精度的对齐，也可能制造构成。另外，显示面板120，由于不需要铝层及ITO膜，除了不需要光刻等复杂的工序之外，可以减少形成材料、成膜次数。由于不需要复杂的工序和可以减少形成材料及成膜次数，显示面板120的成品率可以提高并且成本可以降低。这样，本发明的显示面板，由于构成简单，可以降低制造成本。
显示面板120，作为导电率可变层，通过使用可减小第1透明电极层102和空穴传输层112之间的空穴传榆壁垒的功函数的材料，可以如历来那样高效地进行对发光层114的空穴注入。并且，即使是在设置各色光用发光层114R、114G、114B而构成的场合，即使是不对每个像素进行高精度的对齐也可以制造。因此，可以进行光寻址控制，可以得到以简单的结构得到可以减小成本的效果。由于不需要高精度的对齐等复杂的制造工序，显示面板120可以很容易大型化。另外，通过设置各色光用发光层114R、114G、114B，可以得到全色的显示面板120。
另外，本实施例的显示面板120，作为导电率可变层采用的是a-Si层103，但并不限于此。作为导电率可变层，只要是导电率会因光而变化并且具有减轻空穴传输壁垒的功函数的构件，可以与a-Si一样地使用。另外，显示面板120，并不限定于是使用堤岸124来分割各色光用发光层114R、114G、114B的结构。比如，显示面板120，也可以是在一面形成空穴传输层112，而对成为各色光用发光层114R、114G、114B的边界的部分以疏水性的物质进行标记。在此场合，疏水性物质，可以利用液滴喷出法向所要求的位置喷出。各色光用发光层114R、114G、114B，由于在各形成材料标记的位置受到排斥，所以可以在所要求的位置上形成。
与此相反，也可以利用亲水性物质在设置各色光用发光层114R、114G、114B的位置进行标记。在此场合，各色光用发光层114R、114G、114B，由于其形成材料停留在标记位置，所以可以在所要求的位置上形成。此外，在各色光用发光层114R、114G、114B的形成材料可以高精度地滴到所要求的位置的场合，显示面板120，也可以不使用堤岸124及标记等而形成各色光用发光层114R、114G、114B。
在此场合，各色光用发光层114R、114G、114B，可以在一样的空穴传输层之上形成点状的各色光用发光层114R、114G、114B。这样，显示面板120的各色光用发光层114R、114G、114B，除了利用堤岸124在结构上进行分割的结构之外，也可以通过只在所要求的位置与各色光用像素121R、121G、121B相对应地形成。这样，显示面板120，由于不需要堤岸124，可以更简单地构成。
[实施例2]
图4示出本发明的实施例2的显示装置400的概略结构。本实施例的显示装置400，对于显示面板420以外的部分与上述实施例1的显示装置100相同。对于与实施例1相同的部分赋予相同的符号，重复的说明则予以省略。本实施例的显示装置400的特征在于不是采用与像素相对应的结构，而是采用将所有的层在基板101面上进行同样设置的结构。
在a-Si层103上，设置功能层410。功能层410，是由顺序层叠的空穴传输层412、发光层414及电子传输层416构成的。空穴传输层412及发光层414，每一个都设置于不分割为像素的显示面板420的一面之上。发光层414产生特定波长区域的光。显示面板420，利用发自发光层414的特定波长区域的光，进行利用单独的色光的显示。空穴传输层412、发光层414，比如，可利用旋涂法形成。电子传输层416及第2透明电极层104，设置于发光层414的一面之上。与具有堤岸的上述实施例1的显示面板120(参照图1)不同，本实施例的显示面板420的电子传输层416及第2透明电极层104是在与基板101面大致平行的平坦面上构成的。
空穴传输层412、发光层414及电子传输层416，与上述实施例1的显示面板120一样，可以分别由20nm、15nm、20nm的层厚构成。另外，透明电极层102、105及a-Si层103也可以由与上述实施例1的显示面板120一样的层厚构成。
a-Si层103，只在控制光L照射的区域之中使导电率变化。另外，空穴传输层412及发光层414，以数十nm的非常薄的层厚设置。空穴传输层112及发光层114，由于非常薄，在与基板101面的平行方向上电流的扩散很小。显示面板120，即使是对每个像素使空穴传输层112及发光层114不绝缘，也可以充分防止电流跨像素进行扩散。因此，显示面板420，可以只在控制光L入射的位置供给电流。由此，显示面板420，即使是不具有与像素相对应的结构，也可以进行与图像信号相对应的显示。
显示面板420，采用将所有的层在基板101面上进行同样设置的结构。显示面板420的各层，可以通过在基板101的一面上顺序地涂覆各形成材料而容易形成。因此，可以得到以简单的结构得到可以减小成本的效果。此外，显示面板420，由于所有的层都可以以一样的方式构成，可以很容易大型化。根据本实施例的显示装置400，可以简单而便宜地构成，所以可以进行单一颜色的单色显示。另外，显示面板420，也可以设置多个以单一颜色进行显示的区域。在此场合，显示面板420，对于进行同色显示的部分，可以将各层在一面上形成。
(变形例)
图5示出本实施例的变形例的显示装置500的概略结构。本变形例的显示装置500的特征在于是使用来自其他显示装置的显示器510的光作为控制光。作为显示器510，比如，可以使用CRT显示器、液晶显示器、等离子显示器。显示面板420和显示器510，配置成为使显示器510的显示面与显示面板420的基板101(参照图4)一侧的面对置并且互相大致全面重合。显示器510，射出用来进行图像显示的光。发自显示器510的光，分别在显示面板420的入射位置使a-Si层103(参照图4)的导电率变化。显示面板420，与显示器510的显示相对应地发光。由此，可以以简单的结构得到可以显示其他图像显示装置图像的效果。
此外，如图6的显示面板620所示，在发自显示器610的光的入射侧和发自显示面板620的光的射出侧也可以设置滤色器。显示面板620，对应于各色光用像素，在基板101面上和基板106面上分别设置R光透射彩色滤波器621、631；G光透射彩色滤波器622、632及B光透射彩色滤波器623、633。R光透射彩色滤波器621，只透射从显示器610射出的光之中的R分量。显示面板620，在施加R光透射彩色滤波器621的部分，相应于透射的R光透射彩色滤波器621的R分量的光的光量而发光。另外，显示面板620，在相应于R分量的光的光量而发光的部分中，只有R分量的光透射R光透射彩色滤波器631射出。
对于G光、B光也与R光一样，也分别从施加透射G光透射彩色滤波器632和B光透射彩色滤波器633的部分产生。由此，应用上述显示面板420，可以得到全色图像。另外，作为图像显示装置，不限于显示器510、610，也可以应用于投影机及其他供给显示光的可能装置。
上述各实施例的显示面板，各层是由透明的构件构成的。因此，上述各实施例的显示面板，在嵌入橱窗、玻璃窗等透明构件中使用时，可以得到就像在单一的透明构件上进行图像显示的良好的演出效果。通过将可见光以外的光，比如，红外光，作为各实施例的控制光，可以进一步提高演出效果。
上述各实施例的显示装置，作为功能层，设置有空穴传输层、发光层及电子传输层，但并不限定于此。功能层，只要具有发光层就可以。此外，功能层，除了空穴传输层、发光层、电子传输层之外，也可以设置，比如，电子注入层等其他的层。上述各实施例的显示装置，并不限定于显示图像，也可以，比如，显示由文字构成的广告及通知(指南)，也可以显示布告、标识等等。另外，上述实施例中的显示面板是使用有机EL，但只要通过施加电压能够发光，并不限定于此。比如，也可以采用无机EL代替有机EL。
如上所述，本发明的显示装置，可应用于演示及动画显示的场合。
Claims (5)
1.一种显示面板，其特征在于包括：
光学透明的第1透明电极层及第2透明电极层；
设置于上述第1透明电极层之上相应于透射上述第1透明电极层的控制光的光量而电导电率变化的导电率可变层；以及
层叠于上述导电率可变层上、设置于上述导电率可变层和上述第2透明电极层之间的至少具有发光层的功能层，
在上述第1透明电极层和上述第2透明电极层之间施加规定电压，上述发光层相应于上述控制光的光量而发光。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
上述功能层具有层叠于上述导电率可变层之上设置的空穴传输层；设置于上述空穴传输层之上的上述发光层；以及设置于上述发光层和上述第2透明电极层之间的电子传输层，
上述空穴传输层，通过施加上述规定的电压之中与上述导电率可变层的上述导电率相应的电压向上述发光层传输空穴，
而上述电子传输层，通过施加上述规定的电压之中与上述导电率可变层的上述导电率相应的电压向上述发光层传输电子；
上述发光层，利用来自上述空穴传输层的上述空穴及来自上述电子传输层的上述电子，相应于上述控制光的光量而发光。
3.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于：
上述发光层具有与供给第1色光的第1色光用像素相对应设置的第1色光用发光层；与供给第2色光的第2色光用像素相对应设置的第2色光用发光层；以及与供给第3色光的第3色光用像素相对应设置的第3色光用发光层。
4.如权利要求1～3中任意一项所述的显示面板，其特征在于使用来自另外的图像显示装置的光作为上述控制光。
5.一种显示装置，其特征在于具有：
如权利要求1～4中任意一项所述的显示面板；
对上述显示面板施加规定的电压的电源；以及
向上述显示面板供给控制光的控制光用光学系统。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP135941/2004 | 2004-04-30 | ||
| JP2004135941A JP2005317439A (ja) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | 表示パネル及び表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1694136A true CN1694136A (zh) | 2005-11-09 |
Family
ID=35186370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005100660835A Pending CN1694136A (zh) | 2004-04-30 | 2005-04-20 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7514865B2 (zh) |
| JP (1) | JP2005317439A (zh) |
| CN (1) | CN1694136A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103247731A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-08-14 | 苏州瑞晟太阳能科技有限公司 | 一种基于纳米材料的新型光控发光二极管 |
| CN103971629A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 胜华科技股份有限公司 | 有机电致发光显示器 |
| CN107430304A (zh) * | 2015-03-24 | 2017-12-01 | 香港科技大学 | 光寻址多稳态全彩液晶显示器 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417782B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-08-26 | Pixtronix, Incorporated | Methods and apparatus for spatial light modulation |
| US8519945B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-08-27 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
| US7271945B2 (en) * | 2005-02-23 | 2007-09-18 | Pixtronix, Inc. | Methods and apparatus for actuating displays |
| US9082353B2 (en) | 2010-01-05 | 2015-07-14 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
| US9229222B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-01-05 | Pixtronix, Inc. | Alignment methods in fluid-filled MEMS displays |
| US9158106B2 (en) | 2005-02-23 | 2015-10-13 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
| US8310442B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-11-13 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
| US7746529B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-06-29 | Pixtronix, Inc. | MEMS display apparatus |
| US7755582B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-07-13 | Pixtronix, Incorporated | Display methods and apparatus |
| US7675665B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-03-09 | Pixtronix, Incorporated | Methods and apparatus for actuating displays |
| US8159428B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-04-17 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
| US8482496B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-07-09 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling MEMS display apparatus on a transparent substrate |
| US9261694B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-02-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
| US20070205969A1 (en) | 2005-02-23 | 2007-09-06 | Pixtronix, Incorporated | Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon |
| US7999994B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-08-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
| US7742016B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-06-22 | Pixtronix, Incorporated | Display methods and apparatus |
| US8526096B2 (en) | 2006-02-23 | 2013-09-03 | Pixtronix, Inc. | Mechanical light modulators with stressed beams |
| US7876489B2 (en) | 2006-06-05 | 2011-01-25 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus with optical cavities |
| EP2080045A1 (en) | 2006-10-20 | 2009-07-22 | Pixtronix Inc. | Light guides and backlight systems incorporating light redirectors at varying densities |
| JP2008152156A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| US9176318B2 (en) | 2007-05-18 | 2015-11-03 | Pixtronix, Inc. | Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays |
| US7852546B2 (en) | 2007-10-19 | 2010-12-14 | Pixtronix, Inc. | Spacers for maintaining display apparatus alignment |
| US8248560B2 (en) | 2008-04-18 | 2012-08-21 | Pixtronix, Inc. | Light guides and backlight systems incorporating prismatic structures and light redirectors |
| US8169679B2 (en) | 2008-10-27 | 2012-05-01 | Pixtronix, Inc. | MEMS anchors |
| CN101719340B (zh) * | 2009-11-03 | 2015-04-22 | 肖西昌 | Led图像显示装置及电视机和投影仪 |
| EP2531881A2 (en) | 2010-02-02 | 2012-12-12 | Pixtronix Inc. | Methods for manufacturing cold seal fluid-filled display apparatus |
| BR112012019383A2 (pt) | 2010-02-02 | 2017-09-12 | Pixtronix Inc | Circuitos para controlar aparelho de exibição |
| JP2013057737A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Sony Corp | 表示パネルおよび表示装置 |
| US9134552B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-09-15 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators |
| TWI677979B (zh) * | 2019-03-21 | 2019-11-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製作方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2574972B1 (fr) * | 1984-12-18 | 1987-03-27 | Thioulouse Pascal | Dispositif d'affichage a effet memoire comprenant des couches electroluminescente et photoconductrice superposees |
| FR2605777B1 (fr) * | 1986-10-23 | 1989-02-17 | France Etat | Dispositif d'affichage electroluminescent utilisant du silicium amorphe hydrogene et carbone |
| US5548420A (en) * | 1993-03-16 | 1996-08-20 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Liquid-crystal display device and method for both displaying fast moving images and holding static images |
| WO1997024907A1 (en) * | 1995-12-30 | 1997-07-10 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device for performing display operation in accordance with signal light and driving method therefor |
| JPH09185332A (ja) | 1995-12-30 | 1997-07-15 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
| JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP3266573B2 (ja) | 1998-04-08 | 2002-03-18 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2001052876A (ja) | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Victor Co Of Japan Ltd | 表示装置 |
| JP2001171175A (ja) | 1999-12-21 | 2001-06-26 | Futaba Corp | 有機ｅｌプリントヘッド及び有機ｅｌプリンタ |
| JP2002043065A (ja) | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子及びそれを用いた露光装置並びに平面表示装置 |
| JP4465951B2 (ja) | 2002-09-30 | 2010-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| JP4042558B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | プロジェクタ |
-
2004
- 2004-04-30 JP JP2004135941A patent/JP2005317439A/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-04-20 CN CNA2005100660835A patent/CN1694136A/zh active Pending
- 2005-04-26 US US11/114,113 patent/US7514865B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103971629A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 胜华科技股份有限公司 | 有机电致发光显示器 |
| CN103247731A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-08-14 | 苏州瑞晟太阳能科技有限公司 | 一种基于纳米材料的新型光控发光二极管 |
| CN107430304A (zh) * | 2015-03-24 | 2017-12-01 | 香港科技大学 | 光寻址多稳态全彩液晶显示器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005317439A (ja) | 2005-11-10 |
| US20050242710A1 (en) | 2005-11-03 |
| US7514865B2 (en) | 2009-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1694136A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| US10205051B2 (en) | Bar like light emitting device and manufacturing method of the same | |
| KR100760347B1 (ko) | 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
| JP3994994B2 (ja) | 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 | |
| US20180019426A1 (en) | Light emitting device and fabricating method thereof | |
| CN1622727A (zh) | 电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜 | |
| US20110121753A1 (en) | Organic electroluminescence display apparatus | |
| JP2004192977A (ja) | 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置 | |
| JP4595955B2 (ja) | 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 | |
| CN102456704B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| JP2008135259A (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| US7586245B2 (en) | Using prismatic microstructured films for image blending in OLEDS | |
| KR20150102179A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102101203B1 (ko) | 보호물질, 이를 구비한 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP2007101713A (ja) | 表示装置 | |
| CN101751832B (zh) | 有机发光二极管显示器 | |
| US7638949B2 (en) | Organic electroluminescence device, method for driving thereof, and electronic appliance | |
| WO2011024753A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| CN102239560A (zh) | 显示驱动器 | |
| JP2006196298A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JP2010161084A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
| KR20150012520A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR101092784B1 (ko) | 유기 ｅｌ 표시 장치 및 그 구동 방법 | |
| JP2005164741A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法 | |
| Wenke | Organic light emitting diode (oled) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |