CN1690254B - 具有含电镀钇涂层的制程腔室构件 - Google Patents
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Abstract
本发明是有关于一种具有含电镀钇涂层的制程腔室构件，此构件可暴露于制程腔室的电浆中，此构件具有一结构111，此结构具有一电镀403涂层117，此电镀涂层117包括含钇物种。此电镀403涂层117可抗电浆腐蚀，且涂层117中的含钇物种随着涂层117厚度具有一组成梯度。在一实施例中，该涂层是在表面112上电镀一层含有钇的镀层119，然后，在第一镀层119的表面上电镀403一层第二镀层120，再对第一镀层119以及第二镀层120进行回火。第二镀层120可包括铝或锆。在另一实施例中，涂层的形成方法可在表面112上电镀一层铝和钇混合物的共沉积层121，再对共沉积层121进行回火500。
Description
技术领域
本发明是关于一种基底制程腔室构件及其制造方法，特别是涉及一种具有含电镀钇涂层的制程腔室构件。
背景技术
基底在制程腔室中进行制程时，例如是在制造集成电路以及显示器时，基底通常会暴露于增能的气体中，这一些气体可蚀刻基底上的材料或是将材料沉积在基底上。增能气体也可用来洁净腔室表面。然而，增能气体通常是含有腐蚀性的含卤气体，并且其他的增能物种会腐蚀腔室的构件，例如是腔室的壁面。例如，铝制的腔室构件可与增能的含卤气体产生化学反应，而形成AlCl3或AlF3，造成构件腐蚀。构件腐蚀的部分可能会剥落而污染基底，使基底的良率下降。因此，腐蚀的构件通常必须经常更换或移出腔室，因而腔室必须停工进行清洗。
在易腐蚀的腔室构件的表面，例如是暴露于增能气体的表面上形成一层抗腐蚀的材料涂层可以抗腐蚀。抗腐蚀涂层的形成方法例如是在构件的下方结构的表面上电浆喷涂或是热喷涂一层材料。例如，在铝制的腔室壁面的表面上电浆喷涂一层氧化铝涂层，以形成一层涂层抗腐蚀的涂层。
然而，这一种涂层虽可增进腔室构件抗腐蚀的效果，但在进行制程时却会造成其他的问题。例如，涂层和下方构件的结构之间的热膨胀不匹配，以致其二者的界面之间产生应力，使得涂层自其下方的结构剥离，下方的结构将裸露出来，而被增能气体腐蚀。此外，掉下来的涂层颗粒也可能沉积在即将在腔室中进行制程的基底上，而污染基底。若是基底在进行制程步骤期间，或是在进行制程之间持续热循环，其热膨胀匹配的问题将会更严重。
因此，目前亟需一种可以抗增能气体腐蚀的腔室和腔室构件，并且需要一种在腔室操作期间，特别是在进行热循环时不容易剥落的耐用腔室构件。
发明内容
在本发明的一实施例中，抗电浆构件可暴露于制程腔室的电浆中，此构件具有一由金属所构成的基底制程腔室构件结构，此结构具有一电镀涂层或在含氧的环境中对该电镀涂层回火以形成一经氧化的电镀涂层，此电镀涂层包括未经氧化的钇金属，经氧化的电镀涂层包括氧化钇。此电镀涂层可防止电浆腐蚀，且电镀涂层或经氧化的电镀涂层中含钇物种随着涂层厚度具有一浓度梯度。
上述构件可用于制程腔室，此腔室包括一环绕制程区的壁面、一位於制程区的基底支座、一位於基底周围的环形物、一气体配管、一气体增能器以及一排气装置。该壁面、该基底支座、该环形物或该气体配管至少其中之一包括抗电浆构件，其可暴露于制程腔室的电浆中。该构件包括一结构，此结构具有一层具有含钇物种的电镀涂层。当基底传送至该制程腔室可藉由一气体供应器所提供的气体、该气体增能器所增能的气体以及该排气装置所排出的气体进行制程。
在另一实施例中，提出一种形成可暴露于制程腔室的电浆中的抗电浆构件的方法，此方法包括形成具有一表面的结构，以及在基底的表面上电镀钇。此外，此方法选择性包括氧化该电镀钇，以形成一经氧化的电镀涂层，此经氧化的电镀涂层包括氧化钇。
又，在另一实施例中，抗电浆构件的形成方法可在表面上电镀一层含铝的第一镀层，再于第一镀层上电镀一层含钇的第二镀层，之后，在对第一镀层以及第二镀层进行回火。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图1是依据本发明实施例所绘示的一种制程腔室的侧视图。
图2所示为制程构件的部分侧视剖视图，制程构件的具有含钇物种的全表面涂层(integral surface coating)。
图3所示为电镀装置的侧视剖视图。
图4所示为回火装置的侧视剖视图。
图5a所示为在构件的表面上电镀含有钇及铝的镀层并进行回火以形成全表面涂层的制程的流程图。
图5b所示为在构件的表面上电镀含有钇及铝混合物的镀层并进行回火以形成全表面涂层的制程的流程图。
图6a所示为具有第一与第二镀层的涂层的制程构件的侧视部份剖视图。
图6b所示为具有含钇及其他物种的混合物镀层的涂层的制程构件的侧视部份剖视图。
在腔室构件114的整个表面上形成一层含有钇物种的全表面涂层117可以增进其抗腐蚀的效果。全表面涂层117是用来保护构件114的表面115，构件114通常是暴露于制程腔室的制程区108中的增能气体电浆、高温、腐蚀气体以及/或侵蚀性的溅镀物种或是易于腐蚀的环境下。例如，具有全表 面涂层117的构件114可包括腔室壁面107、腔室衬垫105、基底支座110、气体供应器130、气体增能器154、排气装置144以及基底传送机101之中至少一个或多个的一部分或整个结构。例如，在一例中，具有全表面涂层117的构件114包括图1所示的腔室衬垫105的一部分。
请参阅图2，全表面涂层117至少覆盖构件114的下方结构111，并且形成一个单一且连续的结构，没有不连续和尖锐的结晶边界，如图2虚线所示。在一例中，构件114使用下层构件材料，而全表面涂层同时形成在的构件114的表面上。相较于习知以电浆喷涂所形成的涂层和其下方的构件之间的表面不连续的情形，以构件114的下方结构来”成长”全表面涂层117，其所形成的表面涂层117会和下层的构件材料或结构所产生的键结较强。全表面涂层117的键结较强，具有较佳的耐热应力，并且可减少涂层剥离而污染基底104的现象。
全表面涂层117包含含钇物种，例如是至少一种钇元素以及氧化钇(Y2O3)，可在制程环境下抗腐蚀。特别是氧化钇物种可增进抗腐蚀的效果，因此，全表面涂层117中含有这一些物种是所期望的。全表面涂层117除了含钇物种之外，也可包含其他的抗腐蚀物种。例如，全表面涂层117可包含抗腐蚀含铝物种，例如铝元素和氧化铝。全表面涂层117可包含钇-铝合金及化合物，例如钇-铝化合物，其具有预定计量比的氧化钇和氧化铝，如钇铝石榴石(YAG)。
在另一例中，全表面涂层117除了含钇物种之外，还包括含锆物种，例如元素锆或氧化锆(zirconium oxide)。含钇物种和含锆物种可形成部分稳定的氧化锆(partially stabilized zirconia，PSZ)或正方氧化锆多晶(TZP)。PSZ包括多构形的氧化锆，例如立方及亚稳态的正方ZrO2，其可加入控制量的立方相稳定的氧化材料如氧化钇来形成它。在氧化锆中加入额外的稳定剂可迫使其结构在摄氏1000度以上变为正方相，并在较低的温度变为立方向和单斜相(或正方相)。部分稳定氧化锆也称为正方氧化锆多晶(tetragonalzirconia polycrystal，TZP)。典型的PSZ至少包括3wt％的MgO、2至6wt％的CaO或3至9wt％的Y2O3。因为微龟裂和所产生的应力现象，因此，PSZ是一种相变增韧材料(transformation-toughened material)。微龟裂是因为立方相和单斜相之间，或和正方相之间热膨胀不同所致，它分散了传递龟裂的能量。所产生的应力是因为正方相转变成单斜相所造成的。立方母体的存在可提供压应力来维持正方相。传递龟裂的能量可使得亚稳态的正方相转变为稳态的单斜相，以减缓或停止龟裂的传递。氧化锆(zirconium oxide)也可由氧化锆分散增韧陶瓷(ZTC)来增韧陶瓷，其中氧化锆分散增韧陶瓷是将正方氧化锆(tetragonal zirconia)分散于另一种如氧化铝或是氧化钇的陶瓷中的材料。
全表面涂层117中的含钇物种也可以是沿其厚度呈一浓度梯度。在一例中，全表面涂层117的组成从涂层表面至下层的界面逐渐改变。例如，涂层117可包括一个浓度梯度，其物种浓度改变，使其与下层的结构的组成匹配，并且其随着厚度逐渐改变，以使得涂层表面达到所需的抗腐蚀计量组成。涂层的组成与下方结构111匹配，可使得涂层与下方结构111之间具有良好的键结，而表面的组成适切则可提供较佳的抗腐蚀或其他的特性。在一例中，浓度梯度在涂层的第一区提供第一浓度的含钇物种，例如在涂层117的表面113，并在第二区提供第二浓度，例如面向下方结构111的表面112，而第二浓度则低于第一浓度。例如，涂层117可包括元素钇、氧化钇以及氧化钇铝中一种或多种的浓度梯度，其涂层117表面113至下方结构111表面112的含钇物种浓度由第一浓度减少至第二浓度，涂层117中并未形成分离的边界区(discrete boundaries region)，且沿着涂层117的厚度呈一梯度率(gradual rate)。
表面涂层117也可包括一第二物种的梯度浓度，如含铝或锆物种，包括元素铝、元素锆、氧化铝以及氧化锆中至少一种。第二浓度梯度可随着含钇物种的第一浓度梯度增加或减少，也可与含钇物种的浓度梯度实质上相反。在一例中，第二浓度梯度可使得涂层117表面113含铝物种的第一浓度增加为第二浓度，而比下方结构111表面112的第一浓度高。最终的结构可增强和下方结构111之间的键结，并可改善抗腐蚀的效果。
全表面涂层117的组成和厚度的选择是与增强抗腐蚀和抗侵蚀或抗其他不良影响的效果有关。例如，较厚的全表面涂层117可提供腔室构件114实质上阻挡的效果，而涂层较薄，则较适于抗热冲击(thermal shockresistance)。甚至，全表面涂层117可以是沿着构件的深度或在其表面形成氧化物种。全表面涂层117中的氧化物种的较合适的厚度可以例如是约为12微米(0.5mil)至203微米(8mil)，或是约为25微米(1mil)至102微米(4mil)。
具有全表面涂层117的构件114的形成方法可以将钇金属电镀在下方结构111的表面112上，然后，再对涂层和下方结构111进行回火。也可在结构111的表面上电镀一种或是多种其他的抗腐蚀物种，例如铝和锆金属。电镀金属所形成的镀层和下方结构111的表面112之间具有良好的键结，其可防止下方结构表面112的腐蚀。对结构111进行回火及电镀金属可使得电镀的金属扩散至下方结构111，而形成一个单一的构件结构。
在结构111上电镀金属的方法，可将结构111表面112的含钇、铝和锆物种中的一种或多种还原成金属元素。在进行电镀时，待电镀的构件114的表面112a做为阴极，其与电压源400的负极401连接，如图3所示。表面112浸置于电镀槽403中，电镀槽403中包括例如是含有一种或多种含 钇、铝和锆物种电解质的水溶液。阳极404与电压源的正极402连结，也浸置于电镀槽403中，阳极包括一种惰性材料或是待电镀的材料。当电压源400施加偏压给作为阴极的构件114和阳极404时，在结构111的表面112将产生负电荷，而吸引电镀液中的电解质物种，换言之，金属被镀在结构111的表面112上。
电镀的条件，例如浓度和电镀液的组成、所施加的电压、电镀槽中电镀液的pH值以及温度可以选择可使得镀层具有所需组成和结构者。合适的含钇电解质可包括例如是溴化钇、氯化钇、氟化钇、硝酸钇、过氯酸钇、碳酸钇、硫酸钇、氢氧化钇、碘化钇和醋酸钇中的一种或多种。含铝的电解质可包括例如是氯化铝、溴化铝、氟化铝和氢氧化铝中的一种或多种。含锆的电解质可包括例如是硝酸锆、硅酸锆和柠檬酸锆中的一种或多种。此外，或者可选择水溶液(水为主)槽，槽的溶液可包括有机溶剂，例如是二甲基缩醛(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、二甲醚(DME)和四氢呋喃(THF)。也可采用其他合适的电镀条件，例如是可使用不同的电镀槽组成物和其他的电解质。
在一例中，被电镀在下方结构111的表面112上的金属材料包括与电镀的金属材料相同者，例如是含钇、铝和锆材料中的一种或多种。在具有相同组成的结构111上电镀材料，可使得电镀的金属“成长”在下方结构111的表面112上，而和涂层117形成较强的键结，并且在涂层117和下方结构111之间没有分离的边界。例如，下方结构111可包括铝合金，其形成具有镀铝金属的强键连续结构。铝合金是一种铝和少量一种或多种的铜、镁、锰、金、钛、锌、硅和铁所形成的混合物。在一例中，下方结构包括至少约为90wt％铝和至少约为10wt％其他金属的铝合金。另一例中，下方结构111包括含钇材料，如钇铝合金。下方结构111也可包括含锆的合金。
将一种或多种的金属镀在表面112之后，对构件114的表面112a和电镀材料进行回火，以形成全表面涂层117。在进行回火时，镀有金属的构件114加热至电镀的金属和下方结构分离的温度，并且有一部分的电镀金属和结构111的材料会彼此扩散。电镀金属和结构111之间的材料的混合可形成更全面而单一的涂层117，而不会有分离的边界，因而提升了涂层117的抗腐蚀性。材料的混合可以逐渐改变下方结构111表面112至涂层117表面113之间的组成，此可避免涂层117剥落，减少下方结构111和涂层117之间不匹配的问题。回火的次数可以重复数次，以达到电镀材料和下方结构111之间的相互混合(intermixing)。
再者，在含氧的环境中对涂层117回火，可在电镀的涂层117中形成一种或多种的钇、铝和锆的氧化物。例如，涂层117可以在一种或多种O2、O3、H2O存在下进行回火，来形成氧化物，其可抗增能气体的侵蚀。进行回 火时所提供的热可加速氧化反应的进行，其有助于涂层材料的氧化。对构件114回火所形成的氧化物种可包括一种或多种的Y2O3和Al2O3以及氧化的钇铝化合物，例如钇铝石榴石(YAG)。依据电镀在结构上的材料，也可形成其他的氧化物种例如是各种相的氧化锆(ZrO2)。而且，由于含氧的气体接触了涂层117的表面113，因此，在进行回火之后将使得涂层组成中具有氧化物种，且其呈一浓度梯度，其接近涂层117表面113的氧化物种的浓度较高，因此，可提升涂层的抗腐蚀性。
适于涂层117回火的回火装置500如图4所示。通常，回装置500包括一个加热源510，如非同调(incoherent)或同调(cherent)电磁辐射源，其可将构件加热至适于回火的温度。例如，回火装置500可将构件114加热至至少约为摄氏600度或至少约为摄氏900度。图4所示的实施例中，回火装置为一种快速热回火装置505，其包括一个用来产生辐射的卤化钨灯515以及一个用来将辐射反射至构件114的反射器520。流体525，例如是空气或水，它沿着加热源510流动，用以调节加热源510的温度。在一例中，位于加热源510和构件114之间的石英板530是用来隔开来自构件114的流体。快速热回火装置505可更包括一个温度监测器540，用以监测构件114的温度。在一实施例中，温度监测器540包括一个光学高温计(opticalpyrometer)545，其可分析构件114所发出来的辐射，藉以判断构件114的温度。
请参阅图5a，所示为制造腔室构件的电镀与回火的方法的实施例。在此实施例中，腔室构件114包括一个下方结构111，其是由金属制或合金制成，如铝合金。第一镀层119，其包括一第一种材料如铝，其镀在结构111的表面112上。在镀完第一镀层119后，在第一镀层119上镀上第二镀层120，其包括一第二材料，如钇。之后，对第一镀层和第二镀层进行回火，以形成全表面涂层117。
具有第一镀层和第二镀层的涂层117的形成方式，是将下方结构111的表面112暴露于电镀的条件下，以选择性电镀所需的材料。例如，表面112可暴露于含有所需的第一材料的电镀槽中，第一材料做为电镀液的电解质，但电镀槽中实质上不含第二材料，以形成含有所需的第一材料的第一镀层。当第一镀层119形成之后，再将表面暴露于含有所需的第二材料的电镀槽中，电镀槽中实质上不含第一材料，以形成第二镀层120。图6a绘示电镀第一镀层119和第二镀层120所形成的全表面涂层117。在一例中，表面112暴露于可电镀含铝的第一镀层119的条件下，之后再暴露于可电镀含钇的第二镀层的条件下。电镀的条件可选择电镀含钇的第一镀层119的条件或是电镀含铝的第二镀层120的条件其中之一。电镀的条件更可选择可电镀一种或多种含有锆的第一镀层119和第二镀层120者。镀层也可是具有数层者，以 使得涂层117具有所需的组成。
在适于用来形成第一镀层119和第二镀层120的电镀制程例中，在表面112上电镀含有铝的第一镀层119的方法是将表面112浸置于含有例如是一种或多种氯化铝、溴化铝、氟化铝以及氢氧化铝的水溶液中。之后，在表面112上施加合适的偏压，以形成铝金属的镀层119。之后，在第一镀层119上电镀含有钇的第二镀层120，其是将第一镀层的表面浸置于含有例如是一种或多种溴化钇、氯化钇、氟化钇、硝酸钇、过氯酸钇、碳酸钇、硫酸钇、氢氧化钇、碘化钇及醋酸钇的水溶液中，然后，在表面112上施加合适的电压，以形成钇金属镀层120。溶液中含铝和含钇的电解质的合适浓度可以例如是约为0.1mM至50M，沉积镀层119和120的合适电压可以例如是足以提供电流密度为0.1A/dm2至100A/dm2(安培/分米平方)者。此外，另一种选择是水溶液(水为主)的电镀槽，电镀槽溶液可包括有机溶剂，例如是一种或是多种的二甲基缩醛、二甲基亚砜、二甲醚和四氢呋喃。
之后，对具有第一镀层119和第二镀层120的涂层117进行回火，例如以图4所示的回火装置来进行，以形成单一的涂层结构，如图2所示，形成抗腐蚀的氧化物。对镀层119和120进行回火，也会造成镀层119和120之间交互扩散，而产生物种的浓度梯度，其涂层的组成随着涂层117的厚度逐渐改变。镀层119和120的回火可使得涂层随着涂层117的厚度提供一种或多种的含钇物种的浓度梯度，其可增强其和下方结构111的键结，提升抗腐蚀的效果。
请参阅图5b，所示为制造腔室构件的电镀与回火的方法的另一实施例的流程图。在此实施例中，腔室构件114包括一个金属制或合金制的下方结构111。接着，在构件114的表面112a上电镀一层共沉积层121，此共沉积层121含有一物种混合物，如铝和钇的混合物。之后，对共沉积层121进行回火，以形成全表面涂层117，并提供抗腐蚀的氧化物种。
含有物种混合物的共沉积层121的形成方法，可利用一电镀制程在结构111的表面上沉积如钇的金属和至少一种铝和锆金属。例如，为形成钇和铝的共沉积镀层，可将结构111的表面112浸置于含有钇和铝电解质的电镀槽403之中，其电镀的条件，如电压、电解质的组成和浓度以及温度是设定在可以使得镀槽的钇和铝的混合物同时电镀在结构111的表面112上，如图6b所示。在沉积含有材料混合物的共沉积层121之后，对结构111和共沉积层121进行回火，以形成可提升其抗腐蚀性的全表面涂层117，如图2所示。在一例中，共沉积层121实质上包括整个涂层117。除了共沉积层之外，在结构111上可电镀另一种或多种的材料层，例如是钇层或是铝层。
在一例子中，共沉积层121，其含有第一和第二浓度梯度的第一和第二材料，可以以各种的电镀条件来形成它，以在结构111的表面112上形成一种或多种金属的梯度的共沉积层，例如是钇和铝和锆中至少其中之一。金属的梯度共沉积层中的金属的浓度随着涂层117厚度而逐渐改变。在一例中，电镀的条件可选择在结构111的表面112电镀铝者，并随着涂层117厚度的增加而逐渐增加在结构111上电镀钇的含量，逐渐减少电镀铝的含量。其所提供的钇和铝的浓度梯度相反，结构111的表面上112的钇的第一浓度是低于涂层117表面113的钇的第二浓度，而结构111的表面上112的铝的第一浓度是高于涂层117表面113的铝的第二浓度。第一和第二组成梯度相反，可使得涂层117的组成可以从下方结构111沿着涂层的厚度而平顺地改变，藉以使得涂层117与下方结构呈一体，以提升抗腐蚀的效果。
在形成含有相反梯度浓度的含钇和铝物种的涂层117的一例中，相较于含铝电解质的浓度，电镀槽溶液中含钇电解质的浓度随着涂层厚度的增加而逐渐增加。例如，当涂层的厚度增加时，可在镀槽液中加入更多的含钇电解质。镀在结构111上的铝的含量可随着涂层117厚度的增加而减少，例如慢慢消耗(镀出)电镀槽中的含铝电解质，使电镀槽403中的含铝电解质减少或耗尽。而且，也可将新的电镀液连续地加入电镀槽中，新的电镀液包括浓度较高的含钇电解质以及浓度较低的含铝电解质，直至所形成的涂层具有所需的厚度和组成。此外，可以改变其他的电镀条件，以提供一组成梯度，这一些条件包括偏压和电镀槽溶液的pH值。
再者，虽然电镀的方法适于将锆沉积在结构111上，但是，也可以采用其他的方法如物理气相沉积、电浆喷镀、化学气相沉积、热等静压、烧结以及离子气相沉积等。例如，以电镀的方式沉积含有钇物种的涂层117，以其他的方法，如电浆喷镀法来沉积含有锆物种。在一例中，以电浆喷镀法来沉积含有部分稳态氧化锆的涂层117。另外，也可以电镀和非-电镀的方式来形成含有镀层119和120的涂层117。
具有全表面涂层117的抗腐蚀构件114，可提供于适于处理基底104的装置102中，其实施例如图1所示。通常，装置102包括一制程腔室106，此腔室106具有壁面107，例如是围墙103，其包括一顶面118、侧壁123和底面116，其围出一个制程区108。壁面107可包括一个腔室壁衬垫105，其至少衬在制程区108周围一部分的围墙103上。在进行操作时，制程气体经由气体供应器130而通入于腔室106之中，其中气体供应器130包括制程气源138以及气体配管137。气体配管137可包括一个或多个具有一个或多个气流阀134的导管136以及一个或多个气体出口142，其环绕于具有承载基底表面的基底支座110的周围。或者，气体配管137可包括气体配管喷洒头(未绘示)。腔室106中无用的制程气体和蚀刻的副产物可经由排气装置144而排出，其中排气装置144包括一个泵通道170、节流阀135以及排气泵152，其中泵通道170可接收制程区中无用的制程气体，节流阀135可 控制腔室106中制程气体的压力。
制程气体可经由气体增能器154来增能，气体增能器将能量耦合至腔室106的制程区108中的制程气体。在一例中，气体增能器154包括制程电极，其可藉由电源供应器提供电力，以使制程气体增能。制程电极可包括一个电极，其位于壁面中，例如是腔室106的侧壁123或顶面118，其可电容耦接至另一个电极，例如基底104下方的支座110电极。此外，或者，气体增能器154可包括一个天线，此天线包括一个或多个位于腔室106周围的诱导线圈。另一例中，气体增能器154可包括一个微波电源以及波导，以藉由腔室106的遥距区域上游中的微波能量来活化制程气体。在处理基底104时，制程腔室106藉由腔室中的排气口171来抽真空并且维持在预定的次大气压下。然后，透过基底传送机101，例如是一个机器手臂以及升降鞘系统(lift pin system)将基底104置于支座110上。基底支座110可也包括一个或多个环形物109，其至少部分环绕于基底104的周围，以确保基底104位于支座110上，或是助于基底104在后续的处理，例如将增能的电浆物种集中在基底104上。然后，以气体增能器154使气体增能，将RF或微波能量耦合至气体，而将增能的气体提供至制程区108，以进行基底104的制程。
虽然本发明已以实施例揭露如上，但，熟悉此技艺者当可想出其他的实施例，其并入本案，并且在本发明涵盖的范围之内。例如，涂层可以包括其他合适的成分，如在不脱离本发明的精神范围的其他金属。而且，下方结构111可以是以上未述及的腔室构件114的一部分，此对熟悉此技艺者是显而易知者。再者，以下、以上、底部、上部、上、下、第一和第二以及其他相对的或位置的用词与图式中的实施例相比较，其是可替换的。因此，所附的申请专利范围并不受限于较佳实施例、材料或空间配置所述者。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (12)
1.一种抗电浆构件，此构件暴露于制程腔室的电浆中，其特征在于其此构件包括：
(a)一由金属所构成的基底制程腔室构件结构；以及
(b)一电镀涂层或在含氧的环境中对该电镀涂层回火以形成一经氧化的电镀涂层，位于该基底制程腔室构件结构上，该电镀涂层包括未经氧化的钇金属，该经氧化的电镀涂层包括氧化钇。
2.根据权利要求1所述的抗电浆构件，其特征在于其中所述的该经氧化的电镀涂层更包括氧化铝或氧化锆。
3.根据权利要求2所述的抗电浆构件，其特征在于其中所述的经氧化的电镀涂层包括钇铝石榴石。
4.根据权利要求2所述的抗电浆构件，其特征在于其中所述的经氧化的电镀涂层包括部分稳定的氧化锆。
5.根据权利要求1所述的抗电浆构件，其特征在于其中所述的电镀涂层或经氧化的电镀涂层具有一厚度，且其中的含钇物种的浓度随着该厚度而逐渐改变。
6.一种制程腔室，其特征在于其包括：
(a)一壁面，其环绕于一制程区域周围；
(b)一基底支座，位于该制程区域中；
(c)一环形物，位于该基底周围；
(d)一气体配管；
(e)一气体增能器；以及
(f)一排气装置，
其中该壁面、该基底支座、该环形物或该气体配管至少其中之一包括权利要求1所述的抗电浆构件；以及
藉以使得一传送至该制程腔室的基底藉由该气体配管所提供、藉由该气体增能器所增能以及经由该排气装置所排出的一气体进行制程。
7.一种形成权利要求1所述的抗电浆构件的方法，其特征在于其包括：
(a)形成一结构，该结构包括一表面；
(b)在该基底的该表面上电镀钇；以及
选择性包括：
(c)在含氧的环境中回火以氧化该电镀钇，以形成一经氧化的电镀涂层，该经氧化的电镀涂层包括氧化钇。
8.根据权利要求7所述的形成抗电浆构件的方法，其特征在于其中(b)更包括在该结构的该表面上沉积含铝物种或含锆物种。
9.根据权利要求8所述的形成抗电浆构件的方法，其特征在于其中(b)包括将该表面浸于一电镀槽中，并且改变一种或多种电镀条件，以形成具有一厚度的电镀涂层，其中钇随着该厚度具有一第一浓度梯度。
10.根据权利要求8所述的形成抗电浆构件的方法，其特征在于其中(b)包括改变该电镀条件，以形成具有一厚度的电镀涂层，铝随着该厚度具有一第二浓度梯度。
11.根据权利要求8所述的形成抗电浆构件的方法，其特征在于其中(b)包括：
在该表面上电镀一含有铝或锆的第一镀层；
在该第一镀层上电镀含有钇的第二镀层；以及对该第一镀层和第二镀层回火以形成所述的经氧化的电镀涂层。
12.根据权利要求8所述的形成抗电浆构件的方法，其特征在于其中(b)包括在该表面上电镀一含有(i)钇以及(ii)铝或锆混合物的电镀层，以及对该电镀层回火以形成所述的经氧化的电镀涂层。
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