CN1672081A - 带有下部铰链的体硅镜 - Google Patents

Abstract

一种MEMS装置(100)，包括体元件(110)、第一和第二铰链(121，122)和支承件(130)。体元件(110)具有顶表面和底表面(112，111)，并且铰链被设置在顶表面(112)下面。

Description

带有下部铰链的体硅镜

相关申请的交叉引用

本申请要求与2001年6月2日提出的美国临时专利申请No.60/295682以及2002年5月31日提出的美国专利申请No.10/159153的优先权，以上两篇文献在这里通过参考而被并入本文。

技术领域

本发明主要涉及微电子机械系统(MEMS)。尤其是，本发明提供了通过体和面微机械加工技术相结合制造MEMS镜的方法和系统。

背景技术

已经证实MEMS镜可有效应用在各种场合，包括高速扫描和光学切换。在这种应用场合，对于MEMS镜来说必须要具有平的光学表面，大的转动范围，以及耐用性能。

许多应用(例如，光学网络应用)还需要以紧密包装阵列的方式对MEMS镜进行配置。因此期望使阵列的“光学填充因数”最大化(例如，通过使每个组成镜的光学表面尽可能的大)，而没有危及其他必要特性。

MEMS镜传统上是通过体或面硅微机械加工技术制造的。已知典型的产生单晶硅镜的体微机械加工与典型的用于产生多晶硅(或薄膜)镜的面微机械加工相比具有很多优点。例如，通过体微机械加工技术产生的单晶硅镜与多晶硅(或薄膜)镜相比通常是带有平滑表面和较小内应力的厚和大的镜子。低应力和大厚度将导致平面镜，同时平滑表面减少了光的散射。表面微机械加工技术的一个内在优点是镜子吊架(例如，一个或多个薄膜铰链)能被较好地限定出，因此能被制得较小。这允许由此产生的MEMS镜例如在中等驱动电压下具有较大的转动范围。

Michalicek等(“Michalicek等”)的美国专利No.6028689披露了一种由静电机构驱动的可移动显微镜组件。该组件包括由多个位于镜子下面的弯曲臂支承件的一个镜子。所述弯曲臂安装在支柱上。因为Michalicek等人披露的组件是借助表面微机械加工技术整体制造的，所以最终得到的“显微镜”是多晶硅(薄膜)型的，因此具有前述的缺点。

Chong等的国际专利申请No.WO 01/94253 A2中披露了一种具有体硅镜的MEMS镜器件，所述体硅镜通过薄膜铰链固定在一个框架上。很显然该系统的一个显著缺陷是薄膜铰链从镜子的反射表面侧延伸至框架，因此限制(或阻碍)了光束操控可利用的表面区域的数量。该缺陷还导致在这种MEMS器件的阵列中具有较低的光学填充因数。

在夏威夷考艾岛召开的2000 IEEE/LEOS光学MEMS国际研讨会(2000IEEE/LEOS International Conference on OpticalMEMS，21024，Kauai，Hawaii(2000年8月))由Tuantranont等发表的“Bulk-Etched Micromachined and Flip-Chip IntegratedMicromirror Array for Infrared Applications”中披露了通过表面微机械加工多晶硅(或“MUMPS”)工艺制造的偏转镜的阵列。在该情况下，多晶硅镜面阵列通过金支柱使用“倒装景片转移技术”而连接到热双晶致动器的另一阵列，从而产生蹦床型多晶硅镜面，每个都通过热双晶致动器悬挂在其角上。除了由多晶硅(或薄膜)制造的镜面之外，由此构成的镜子阵列的另一个缺陷是缺少整体结构，这使得所述阵列不易于对准并且容易受到其他外来不期望的影响。

考虑到前述，现有技术中需要提供一种新型的MEMS镜，其通过简单和耐用的构造克服了现有器件的局限。

发明内容

本发明提供一种MEMS装置，包括体元件；支承件，和一个或多个铰链。所述体元件包括器件表面和位于所述器件表面之下的底表面。所述铰链设置在所述底表面之下，并且连接所述体元件和所述支承件，由此将所述体元件悬挂在所述支承件上。

在上面的装置中，所述支承件可包括空腔，其中设置有所述铰链。在所述空腔中可设置有至少一个电极，用于使所述体元件致动。所述体元件的器件表面可进一步包含反射层(例如，金属薄膜)，从而使所述装置构成MEMS镜。

在本发明中，术语“体元件”指的是通过现有技术已公知的体微机械加工技术制造的元件，其典型的包括单晶材料。适用的情况可以是单晶硅元件。体元件的特征在于包括“器件”表面和位于器件表面之下的“底”表面(同时体表面本身可呈现为认为是适合的任何几何形式。体元件的“器件”表面可以是光学反射的。其也可以用作用于将体元件连接到其他器件的“界面”，如果在实际的应用中确实希望如此。此外，“支承件”可以是框架或基底，其上附接有体元件。“铰链”(或“铰链元件”)应该被广泛的解释为能够使体元件悬挂在支承件上并进一步提供体元件进行运动的恢复力的任何悬挂/连接装置。例如，铰链可以是例如通过本领域公知的体或面微机械技术制造的弯曲部或柔性联轴节。术语“在下面”指的是锚定至(或低于)体元件的底表面并由此整体设置在器件表面下面的铰链。这允许体元件的器件表面最大化并能使用整个表面。

本发明还提供一种用于制造前述的MEMS装置的工艺流程(或方法)。在根据本发明的工艺流程的一个实施例中，“器件”组件被形成。所述器件组件的一种形式可以是通过硅基绝缘体(SOI)晶片提供的，包括单晶硅器件层和在其间夹有绝缘层(例如氧化硅)的硅处理晶片。例如借助于面微机械加工技术可在所述单晶硅层的第一表面上制造第一和第二铰链元件。“支承”组件被构造包含空腔，其中可设置至少一个电极。随后，所述器件和支承组件以这样一种方式结合起来，即将铰链元件设置在所述空腔内。然后将硅处理晶片连同所述器件组件中的绝缘层一起除去，由此就露出了单晶硅器件层的第二表面。随后可借助于体微机械加工技术在所述单晶硅器件层中产生体元件，其特征在于所述第一和第二表面。可以这样进行构造，使得每个铰链元件在一端锚定至所述体元件的第一(或“底”)表面，而在另一端锚定至所述支承组件，由此使用整体位于第二(或“器件”)表面下的铰链元件就能将体元件悬挂起来。可在体元件的器件表面上进一步沉积反射层，从而使如此构成的装置呈现为MEMS镜。

本发明的MEMS装置的一个优点是：通过将铰链元件放在体元件的下面，体元件的器件表面可被最大化，并且整个表面变成是可用的(例如，用于光束操控)。这样一个特征在制造阵列式的MEMS器件中是特别有利的，所述MEMS器件例如具有高光学填充系数的MEMS镜阵列。此外，通过有利地结合使用体和面微机械加工技术，本发明的MEMS镜可被装配有大且平的镜子以及柔性铰链，因此在中等的静电驱动电压下可提供相当大的转动范围。很显然本发明的MEMS装置的另外的优点是其单片结构，这使得其性能更加强劲。这些有利的特征和上述现有的器件相比形成了显著的对比。

通过下面的附图和详细的说明将能更好的理解本发明的新颖特征以及发明本身。

附图说明

图1A为根据本发明的MEMS装置的第一实施例的侧剖示意图；

图1B为根据本发明的MEMS装置的第一实施例的顶视示意图；

图2为根据本发明的MEMS装置的第二实施例的侧剖示意图；

图3为根据本发明的MEMS装置的第三实施例的侧剖示意图；和

图4A-4F示出了用于制造根据本发明的MEMS装置的典型工艺流程。

具体实施方式

图1A-1B示出根据本发明的MEMS装置的第一实施例。图1A示出MEMS装置100的侧剖示意图，其包括体元件110；第一和第二铰链元件121、122；和支承件130。体元件110可具有“器件”(或“顶”)表面112，和位于器件表面112下面且与其相对的“底”表面111。第一和第二铰链元件121、122每个都设置在器件表面112得下面。作为图1A的实施例中的实现方式，铰链元件121、122每个都在一端上与体元件110的底表面111相连接，并且在另一端与支承件130连接。以这种方式，体元件110通过整个设置在器件表面112下面的铰链元件121、122而被悬挂起来。

图1B示出MEMS装置100的顶视示意图。借助该实例，示出体元件110的器件表面112通常是矩形的。应该意识到这并不是唯一的情况；事实上，本发明中的体元件的器件表面(或体元件本身)可呈现出被认为适于给定应用的任何几何形状(例如，椭圆形)。

在图1A-1B所示的实施例中，支承件130可包括基底部分131和空腔140。借助该实例，基底部分通常可以是矩形的。多个侧壁132、133、134、135可从部分131延伸出并由此形成空腔140。如图1A所示，铰链元件121、122被设置在空腔140内，并且分别与侧壁133、135相连接。在图1A-1B的实施例中，每个侧壁132、133、134、135可包括相应的脊(或“唇状”)部分142、143、144、145，它们从各自的侧壁向内突出(例如，参见图1A所示的脊部分143、145)。此外，铰链元件121、122具有通常为“C”型的(侧视)剖面，并且分别与侧壁133、135的脊部分143、145相连接。然而，这不应被看作是以任何方式的限制。例如，在可选择实施例中，铰链元件121、122可呈现为任何其他适当的形状或剖面。它们还可以与侧壁133、135的其他部分相连接。

在图1A-1B所示的实施例中，所示空腔140通常为矩形。然而，在可选择实施例中，空腔140可呈现为任何其他适当的几何形状。空腔140可包括至少一个电极141，其可设置在空腔140的底表面150上。电极141适于以已公知的方式(例如，以静电方式)使体元件110致动。此外，体元件110的器件表面112例如借助于在所述表面上抛光和/或沉积金属薄膜而是可以进行光学反射的。

图2示出MEMS装置的第二实施例的侧剖示意图。借助该实例，MEMS装置200可包括体元件210；第一和第二铰链元件221、222；和支承件230。体元件210可包括“器件”(或“顶”)表面212，和设置在器件表面212下面且与其相对的“底”表面211。在本实施例中，体元件210可进一步包括基础部分215，其可从底表面211向下延伸。第一和第二铰链元件221、222每个都设置在器件表面212的下面。作为实例的方式，第一和第二铰链元件221、222每个都被示出为在一端上与体元件110的基础部分215相连接，并且在另一端与支承件130连接。以这种方式，体元件210通过整个设置在器件表面212下面的铰链元件221、222而被悬挂起来。

在图2所示的实施例中，支承件230可包括基底部分231和空腔240。借助该实例，基底部分231通常可以是矩形的。多个侧壁233、235可从部分231延伸出并由此形成空腔240。铰链元件221、222被设置在空腔240内。在本实施例中，铰链元件221、222可在通常为水平方向上延伸，由此将基础部分215分别与侧壁233、235连接。然而，这不应被看作是以任何方式进行限制。例如，在可选择实施例中，铰链元件221、222可呈现为任何其他适当的形状。它们还可以定位在其他方向上，和/或与侧壁233、235的其他部分相连接。

在图2的实施例中，空腔240可以具有任何适当的形状。空腔240可包括至少一个电极241，其可设置在空腔240的底表面250上。电极241适于以已公知的方式(例如以静电方式)使体元件210致动。体元件210的器件表面212例如借助于在所述表面上抛光和/或沉积金属薄膜同样是可以进行光学反射的。

图3示出MEMS装置300的第三实施例的侧剖示意图。除了体元件310外，MEMS装置300被示出为与MEMS装置200基本类似，并且可以使用图2所示的元件的通常结构和数量。如图3所示，MEMS装置300可包括体元件310；第一和第二铰链元件321、322；和支承件330。支承件330可包括空腔340，其是通过从基底部分331延伸出的至少两个侧壁333、335形成的。空腔340可包括一个底表面350，其上可设置有至少一个电极341。

在MEMS装置300中，体元件310可包括“器件”(或“顶”)表面312，和设置在器件表面312下面且与其相对的“底”表面311。借助该实例，体元件310被示出包括通常为“T”型的基础部分315。基础部分315从底表面311向下延伸并形成体元件310中的侧空腔或“空隙”316、317。在如图2所示的实施例中，第一和第二铰链元件321、322每个都设置在体元件310的底表面311的下面。在本实施例中，铰链元件321、322每个都被示出为在一端上与各个空隙316、317内的体元件310的基础部分315相连接，并且在另一端与支承件330的各个侧壁333、335相连接。以这种方式，体元件310通过整个设置在器件表面312下面的铰链元件321、322而被悬挂起来。

在前述的实施例中和在下述的典型制造过程中，术语“体元件”(例如，体元件110、210或310)指的是通过现有技术已公知的体微机械加工技术制造的元件，一般包括单晶材料。例如，上面示出的体元件110、210、310每个都可以是单晶硅元件。体元件的特征在于“器件”表面和位于器件表面之下的“底”表面，同时体元件本身可呈现为适用于给定应用的任何几何形状(应该意识到通常器件和底表面不需要是彼此相对的)。体元件的“器件”表面是可以进行光学反射的。在其上还可以依照图案制作出光学元件(例如，光栅)。另外，如果在实际的应用中需要，可将器件表面用作用于将体元件连接到其他器件上的“界面”。

此外，“支承件”(例如，支承件130、230或330)可以是框架或基底，其上附接有体元件。“铰链”(或“铰链”)元件应该被广义解释为能够使体元件悬挂在支承件上并进一步提供体元件进行运动(例如，由图1A-1B所示的电极141引起的致动机构执行的)的恢复力的任何悬挂/连接装置。借助该实例，图1A、2或3所示的第一或第二铰链元件可以是例如通过本领域公知的体或面微机械技术制造的弯曲部或柔性联轴节。虽然在前述的每个实施例中示出了两个铰链元件，但可选择的实施例可包括更多或更少数量的铰链元件。术语“在下面”指的是锚定至(或低于)体元件的底表面并由此整体设置在器件表面下面的铰链元件。这允许体元件的器件表面最大化并能使用整个表面(例如，用于光束操控)，如上述实施例所示。

图4A-4F示出用于制造根据本发明的MEMS装置(例如，图1A-1B所示的实施例)可使用的工艺流程的典型实施例。图4A示出“器件”组件400的侧剖示意图，其中的一种形式是硅基绝缘体(SOI)晶片，包括单晶硅“器件”层415和带有夹在其间的第一绝缘层416(例如氧化硅)的硅“处理晶片”417。单晶硅器件层415可具有预定的厚度d，其可以在5-100微米的量级。以公知的方式，例如通过已公知的面微机械加工技术在单晶硅器件层415的第一表面411上制造出第一和第二铰链元件421、422。每个铰链元件可以是薄膜，例如由多晶硅、多氧化物、氮化物、氮化硅、二氧化硅、氧氮化硅或金属构成。可以在分别形成第一和第二铰链元件421、422之前首先在第一表面411上依照图案制作出第一和第二“牺牲”元件423、424(其可用氧化硅形成)。

图4B示出包含“末端开口”的空腔440的“支承”组件450的侧剖示意图。借助该实例，空腔440可由基底晶片431和形成空腔440的侧壁的多个隔板433、435形成。在空腔440中设置有至少一个电极441，其例如是通过可由氧化硅制成的第二绝缘层432在所述基底晶片431上依照图案制作出的。

现在参照图4C，在图4A中形成的器件组件400以这样一种方式与图4B的支承组件450结合起来，即第一和第二铰链元件421、422被设置在(或容纳在)空腔440内。在所述制造工艺流程的下一步骤中，如图4D所示，除去硅处理晶片417(连同第一绝缘层416一起)，由此露出了单晶硅器件层415的第二表面412。

在所述制造工艺流程的随后步骤中，如图4E所示，使用已公知的体微机械加工技术(例如，DRIE(深层反应离子蚀刻)工艺)在所述单晶硅器件层415中形成“体元件”410。所形成的体元件410的特征还在于彼此相对的第一和第二表面411、412。如图4F所示，在所述制造工艺流程的下一步骤中，例如通过除去第一和第二牺牲元件423、424而“释放”体元件410。注意单晶硅器件层415的剩余部分，隔板433、435和支承件晶片431形成集成的支承结构430，其基本上例如可构成图1A-1B的实施例中的支承件130。(本领域技术人员应该意识到还可以例如在图4A的步骤之后的制造工艺流程的任何地方较早除去第一和第二牺牲元件423、424)。

可在体元件410的第二表面上进一步沉积反射层402(例如，金膜)，由此使所述装置构成MEMS镜。注意由于第一和第二铰链元件421、422被锚定在第一(或“底”)表面411上，从而整体位于由此产生的体元件410之下，体元件410的第二(或“器件”)表面412可被最大化，并且整个表面变得是可用的(例如，用于光学反射)。此外，如果为给定应用所需，可将位于空腔(例如空腔440)中的第一和第二铰链元件421、422制得足够长/大。

在前述的工艺流程中，对图4A的器件组件400应用SOI晶片具有这样的优点，即能够对体元件410的厚度提供精确的控制(借助于SOI晶片的单晶硅器件层的预定厚度d)，并且能够容易地进行控制(归功于SOI晶片的处理晶片)，同时SOI晶片的居中绝缘层可用作方便的“蚀刻障碍”(例如，当除去处理晶片时)。所述铰链元件也可以通过已公知的体微机械加工技术(例如，本领域公知的SCREAM(单晶反应蚀刻和金属化)工艺)进行制造。然而，应该理解，本发明中的器件组件可选择地形成在取向附生的硅晶片中，或单晶硅单片中，其中可以与上述类似的方式制造所述铰链元件。

图4B所示的支承组件同样可由与图4A所示的结构类似的SOI晶片制成。借助该实例，SOI晶片的硅器件层(例如厚度为50-100微米)可被用于连同电极441(例如，借助于蚀刻)一起形成隔板433、435，同时相应的处理晶片可用作基底晶片431。另一种选择是，可使用玻璃晶片来形成基底晶片431，在其上可沉积电极441(例如，通过已公知的面微机械加工技术)和结合隔板433、435(例如，由硅制成)。图4B所示的支承组件450也可使用适当的已公知的技术由所需材料的单片(例如，硅或玻璃晶片)制成。本领域技术人员将应该意识到通常可以通过适于给定应用的任何方式来构造本发明中的支承组件；重要的是由此构造的支承元件包含末端开口的空腔(以便支持铰链元件)，例如以参照图4B所述的方式。

图4A-4F所示的制造工艺流程的独特特征是器件组件400和支承组件450以这样一种方式结合起来，即将铰链元件设置(或容纳)在支承组件450的空腔440内(参见上面的图4C)，从而可以使铰链元件位于由此产生的体元件的“下面”。本领域技术人员将知道如何应用本领域公知的可有效用于执行必需的结合(例如，熔合或阳极结合)的适当工艺。应该意识到图4A-4F所示的实施例中的各个元件仅被示出为用于说明本发明的一般原理的例子，因此并不是按照比例来绘制的(例如，几何形状或尺寸)。根据本发明的教导，本领域技术人员应该意识到如何在给定的应用场合执行图4A-4F所示的制造工艺流程，以生产出根据本发明的适当MEMS装置。

本发明的MEMS装置的优点在于：通过将铰链元件放在体元件的下面，体元件的器件表面可被最大化，因此整个表面变成是可用的(例如，用于光束操控)。这样一个特征在阵列式MEMS器件的制造过程中是非常有利的，所述MEMS器件例如具有高光学填充系数的MEMS镜的阵列。此外，通过有利地结合使用体和面微机械加工技术，根据本发明的MEMS镜连同柔性铰链可被装配有大且平的镜子，因此在中等的静电驱动电压下可提供相当大的转动范围。很显然本发明的MEMS装置的另外的优点是其单片结构，这使得其性能更加强劲。这些有利的特征和上述现有的器件相比形成了显著的对比。这样，本发明可用在各种场合，例如，为光学网络应用提供阵列式MEMS镜(或光束导向器件)。

本领域技术人员将意识到上述的典型实施例是通过实例提供的以便说明本发明的一般原理。此处可设计各种装置和方法以通过等价的方式执行指定的功能。此外，在不偏离本发明的原理和范围的情况下，可进行各种变化、替换和变换。因此，本发明的范围应由所附的权利要求及其等价内容确定。

Claims (32)

1.一种装置，包括：

a)体元件，所述体元件具有器件表面和设置在所述器件表面下面的底表面；

b)支承件；和

c)至少一个铰链，所述铰链设置在所述底表面下面，并且其与所述体元件和所述支承件相连接，由此将所述体元件悬挂在所述支承件上。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述体元件包括单晶硅。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述器件表面是可反射的。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述器件表面包括反射层。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述反射层包括从由金、铝、银和铜构成的组中选择的材料。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个铰链是从由多晶硅、多氧化物、氮化物、氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、单晶硅和金属构成的组中选择的材料构成的。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述支承件由硅制成。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述支承件包括空腔，且其中所述至少一个铰链设置在所述空腔内。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述支承件还包括至少一个设置在所述空腔内的电极，用于使所述体元件致动。

10.根据权利要求8所述的装置，其中所述空腔是由多个侧壁形成的。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述至少一个铰链包括第一和第二铰链元件，且其中每一个所述铰链元件与所述多个侧壁中的唯一一个相连接。

12.根据权利要求11所述的装置，其中每一个所述侧壁包括向内突出的脊部分，且其中每一个所述铰链元件与所述脊部分中的唯一一个相连接。

13.根据权利要求12所述的装置，其中每一个所述铰链元件进一步与所述底表面相连接。

14.根据权利要求11所述的装置，其中所述体元件进一步包括从所述底表面向下延伸的基础部分，且其中每一个所述铰链与所述基础部分相连接。

15.一种制造MEMS装置的方法，包括：

a)提供包括单晶硅的器件组件；

b)在所述器件组件中产生至少一个铰链；

c)构造一个具有空腔的支承组件；

d)将所述器件组件结合到所述支承组件上，使得所述至少一个铰链被设置在所述空腔内；和

e)在所述器件组件中形成具有器件表面和底表面的体元件，由此所述至少一个铰链与所述体元件相连接，并设置在所述底表面之下，由此将所述体元件悬挂在所述支承件上。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述器件组件包括具有单晶硅器件层的硅基绝缘体(SOI)晶片和夹入绝缘层的硅处理晶片，所述单晶硅层具有第一表面。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述至少一个铰链包括第一和第二铰链元件，它们是使用面微机械加工技术在所述单晶硅器件层的所述第一表面上制出的。

18.如权利要求16所述的方法，其中所述至少一个铰链是使用体微机械加工技术在所述单晶硅器件层中产生的。

19.如权利要求17所述的方法，其中所述步骤d)进一步包括将所述硅处理晶片连同所述绝缘层一起除去，由此露出所述单晶硅器件层的第二表面。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述步骤e)包括使用体微机械加工技术在所述单晶硅器件层中形成所述体元件，由此所述单晶硅器件层的所述第一和第二表面构成所述体元件的所述底表面和器件表面。

21.如权利要求15所述的方法，进一步包括使所述器件表面产生光学反射的步骤。

22.如权利要求21所述的方法，其中所述器件表面是通过在其上沉积反射层而使其光学反射的。

23.如权利要求15所述的方法，其中所述器件组件包括取向附生的硅晶片。

24.如权利要求15所述的方法，其中所述支承组件是由SOI晶片制造的。

25.如权利要求15所述的方法，其中所述步骤c)进一步包括在所述空腔中设置至少一个电极。

26.一种光学装置，包括：

被构造成一个阵列的多个MEMS器件，其中每个MEMS器件包括：

a)具有器件表面和设置在所述器件表面之下的底表面的体元件；

b)支承件，和

c)至少一个铰链，所述铰链设置在所述底表面之下，并且与所述体元件和所述支承件相连接，由此将所述体元件悬挂在所述支承件上。

27.根据权利要求26所述的装置，其中所述体元件包括单晶硅。

28.根据权利要求26所述的装置，其中所述至少一个铰链包括第一和第二铰链元件。

29.根据权利要求26所述的装置，其中所述至少一个铰链是从由多晶硅、多氧化物、氮化物、氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、单晶硅和金属构成的组中选择的材料形成的。

30.根据权利要求26所述的装置，其中所述器件表面是可进行光学反射的。

31.根据权利要求26所述的装置，其中所述支承件包含空腔，且其中所述至少一个铰链被设置在所述空腔内。

32.根据权利要求31所述的装置，其中所述支承件还包括至少一个设置在所述空腔内的电极，用于使所述体元件致动。

Images