CN1670825A - 电流垂直于平面的磁阻传感器 - Google Patents

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马修·J·卡里
杰弗里·R·奇尔德里斯
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Abstract

一种磁性耦合结构，具有两个铁磁层，它们的面内磁化方向跨过导电间隔层正交耦合，所述间隔层引起直接正交磁耦合。此结构用于电流垂直于平面(CPP)磁阻传感器中的堆叠内偏移。此结构的一个铁磁层是偏移铁磁层，另一个铁磁层是传感自由层。反铁磁层交换耦合偏移层以平行于传感钉扎层的磁距固定它的磁距。这使得使用单个退火步骤来设定偏移层和钉扎层的磁化方向。导电间隔层、偏移层和交换耦合偏移层的反铁磁层可以都延伸过传感器堆叠的边缘。

Description

电流垂直于平面的磁阻传感器
技术领域
本发明涉及一种电流垂直于平面(current-perpendicular-to-plane，CPP)的磁阻传感器，它使用方向垂直于构成传感器堆叠的层的平面的传感电流工作。
背景技术
一种类型的经常被称为“自旋阀”(SV)的常规磁阻传感器，具有包括由非磁性间隔层分开的两个铁磁性层的叠层。一个铁磁性层具有固定的磁化方向，例如通过与邻近的反铁磁性层交换耦合来固定，另一个铁磁性层具有“自由”的磁化方向，以在外部磁场中旋转。随着将传感电流施加到传感器，相对于固定层磁化的自由层磁化的旋转因电阻的改变而可以检测。
用于所有电流磁性记录硬盘驱动器的SV磁阻传感器使用方向与在传感器层堆叠中的层的平面平行的传感电流工作，因此它被称为平面中电流(CIP)传感器。在磁盘驱动器CIP-SV读出传感器或头中，在没有外部磁场的情况下，固定或钉扎层的磁化通常垂直于磁盘平面，自由层的磁化通常平行于磁盘的平面。当暴露于来自磁盘上所记录数据的外部磁场时，自由层磁化将旋转，使得电阻改变。
已经提出了使用垂直于传感器堆叠中层的平面的传感电流(CPP)工作的SV型磁阻传感器。CPP-SV读出头由A.Tanaka等人，“Spin-valve heads inthe current-perpendicular-to-plane mode for ultrahigh-density recording”，IEEETRANSACTIONS ON MAGNETICS，38(1)：84-88 Part 1 JAN 2002描述。另一种CPP传感器是磁性隧道结(MTJ)传感器，其中非磁性间隔层是很薄的非磁性隧道势垒层。在MTJ传感器中，垂直通过各层的隧道电流取决于两个铁磁层的相对磁化取向。在MTJ磁阻读出头中，间隔层被电绝缘并且典型为氧化铝(Al2O3)，而在CPP-SV磁阻读出头中，间隔层是导电的并且典型为铜。
在所有的CIP-SV、CPP-SV和MTJ读出头中，为了最大的读出头稳定性和无磁滞响应线性，在没有外部磁场时自由层的磁化应该保持在饱和单磁畴状态。在此状态下，在自由层中所有部分的局部磁化，包括端部或侧面，基本上为“纵向”，即沿着自由层的长度方向和头的交叉轨迹方向并与磁性记录介质平面平行。铁磁偏移层一般用于获得自由层的纵向偏磁。美国专利6023395描述了一种MTJ磁阻读出头，其具有位于传感器堆叠中并穿过间隔层与自由层静磁耦合的偏移铁磁层。美国专利6473279也描述了具有位于传感器堆叠中的纵向偏移层的CPP传感器。
在CPP磁阻传感器中具有堆叠内偏移的一个限制是：如果偏移层(biasing layer)被交换耦合，那么构成偏移结构的所有层，即偏移层、间隔层和反铁磁层都必须导电并给传感器堆叠加入很小的电阻。而且，与偏移层交换耦合的传感器中的第二反铁磁层在具有所施加的场时要求第二退火步骤以设定偏移层的磁化方向，因为偏移层和阻挡层的磁化方向互相垂直。
我们所需要的是具有改善的传感自由层堆叠内偏移的CPP磁阻传感器。
发明内容
本发明是具有两个铁磁层的磁性耦合结构，两个铁磁层的面内磁化方向跨过导电间隔层正交耦合，所述间隔层引起直接正交磁耦合。
此结构用于CPP磁阻传感器中的堆叠内偏移，在这种情况下磁耦合结构的一个铁磁层是偏移铁磁层，另一个铁磁层是传感自由层。反铁磁层用于交换耦合偏移层以平行于传感钉扎层的磁距固定它的磁距。因为在传感器中偏移层和钉扎层的磁距是平行的，所以使用单个退火步骤来设定偏移层和钉扎层的磁化方向。这使得相同的反铁磁材料用于交换耦合偏移层的反铁磁层和交换耦合钉扎层的反铁磁层。因为自由层磁化的正交磁耦合是通过导电间隔层直接耦合的，所以间隔层、偏移层和交换耦合偏移层的反铁磁层可以都延伸过传感器堆叠的边缘，由此减小传感器的寄生电阻。
在结构中用作磁耦合层的导电间隔层可以是XMn合金，其中X是Pt、Ni、Fe、Ir、Pd或Rh；元素Cr或Mn；稀土过渡金属合金，例如TbFe、TbCo、GdFe和GdCo；或者非磁性过渡金属，例如Cu、Ru、Ir、Rh和Os。优选磁耦合层是厚度在大约15到50之间的PtMn。
为了更充分地理解本发明的特性和优点，应结合附图参考下面的具体说明。
附图说明
图1是传统的现有技术的CPP传感器的横截面图；
图2是本发明的CPP传感器的横截面图；
图3是用于说明本发明正交磁耦合结构的试验结构的剖面图；
图4是具有20PtMn磁耦合层和与PtMn反铁磁交换耦合的Co80Fe20偏移层的实验结构中用于20Co80Fe20自由层的B-H环；
图5是具有40Ni80Fe20自由层、20PtMn磁耦合层和与IrMn反铁磁交换耦合的Co80Fe20偏移层的实验结构中的M-H环；
图6是作为PtMn磁耦合层厚度函数在实验结构中自由层各向异性场Hk的曲线图。
具体实施方式
现有技术
图1是具有堆叠内偏移的现有技术电流垂直于平面(CPP)传感器100的剖面图，当从磁盘看时它被描述为磁盘驱动器磁阻读出头。传感器100包括在基板102上形成的层的堆叠101，就读出头来说基板102为底部磁屏蔽，它也用作底部电导线。在堆叠101上的顶部磁屏蔽116也用作顶部电导线。传感器堆叠101位于通常为平面表面的屏蔽102、116之间的间隙中。在传感器堆叠101侧面的间隙材料170、172为绝缘材料，通常为如氧化铝(Al2O3)的氧化物。传感电流Is垂直流过两个导线/屏蔽116、102之间的堆叠101中的层，如箭头160所示。可以在磁盘上分辩的数据轨道的宽度由传感器堆叠101的轨道宽度(TW)决定。由屏蔽102、116提供的屏蔽几何形状沿下行轨道方向180(垂直于堆叠中的层)消弱来自邻近记录数据的磁转变的磁通，并因此提高了传感器的线性分辨率。
在传感器堆叠101中的层包括具有固定横向(进入页内)磁距或磁化方向107的钉扎铁磁层106、具有可以响应横向外部磁场在层110面中旋转的磁距或磁化方向111的自由铁磁层110、以及在钉扎层106和自由层110之间的无磁性间隔层108。钉扎层106与反铁磁层104交换耦合。由此固定钉扎层106的磁化方向107并且在所关心范围内的外部磁场(即来自记录数据的磁场)存在时不会旋转。对于CPP自旋阀(CPP-SV)传感器，间隔层108是导电的，并且通常由铜形成。对于MTJ传感器，间隔层108为电绝缘隧道势垒层，一般为氧化铝(Al2O3)。顶层130(一般由Ta或Ru形成)可以形成在反铁磁层104的顶部。
传感器堆叠101也包括纵向偏移堆叠140。偏移堆叠140包括偏移铁磁层144，其具有面内磁距145并通过非磁性导电间隔层142与自由层110隔开。反铁磁层146形成在基板102上的合适的衬层148上并提供给偏移层144反铁磁交换耦合以保证它的磁距145在存在所关心范围内的磁场时不旋转。
偏移层144提供纵向偏移磁场以沿自由层长度方向111纵向稳定自由层110的磁化。如虚线箭头143所示，来自偏移层144的本身磁场或退磁磁场与自由层110的边缘静磁耦合，以稳定自由层110的磁距并使传感器输出线性化。导电间隔层142使在偏移层144和自由层110之间的直接交换耦合最小化并使传感电流Is垂直流过两导线116、102之间堆叠中的层，如箭头160所示。由于自由层110的纵向偏移通过跨过间隔层142与偏移层144的静磁边缘耦合而获得，如虚线箭头143所示，偏移层144和间隔层142不能延伸过TW而必须具有基本上与自由层110的边缘连续的边缘。
电导线/磁屏蔽102、116一般由坡莫合金(NiFe)或铁硅铝磁合金(FeAlSi)形成。钉扎层106、自由层110和偏移层144一般由Co、Fe和Ni的一种或多种合金形成，或者由两种合金的双层形成，例如CoFe-NiFe双层。作为交换耦合偏移层144的选择，偏移层可以是“硬磁的”或相对高矫磁性的铁磁体，例如CoPt或CoCrPt，在这种情况下无需反铁磁层146。反铁磁层104、146通常由足够厚的Mn合金层(PtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMn或RhMn)形成。PtMn层需要比大约100更厚以在退火时成为化学有序的和反铁磁性的，并且当厚度大于约40时随着沉积IrMn层成为反铁磁的。这些反铁磁Mn合金也可以包括少量的添加元素，例如Cr、V、Pt、Pd和Ni，通常添加这些元素来提高耐蚀性或增加电阻。
使用淀积、光刻工艺、离子研磨、反应离子蚀刻和其它传统SV和MTJ传感器的制造技术，以常规方式制造传感器。因为钉扎层106的磁化方向107与偏移层144的磁化方向145垂直，反铁磁层104、146必须由不同材料或具有不同厚度的相同材料制成以确保反铁磁层104、146具有不同的阻塞温度。在后者的情况下，两层中更薄的层将具有更低的阻塞温度。通常反铁磁层104将具有高于反铁磁层146阻塞温度TBL的阻塞温度TBH。磁性材料的阻塞温度是静磁距不再具有固定取向的温度。就铁磁/反铁磁双层来说，例如双层106/104和140/146，阻塞温度是在两层中两层之间的交换偏移场消失的温度。
需要两个退火步骤来设定两个互相垂直的磁化方向107、145。在传感器100制造期间或之后，将温度提高到TBH以上且将传感器暴露于沿方向107施加的外部磁场来设定钉扎层106的磁化方向。在温度降低到TBH以下且外部施加磁场移开后，钉扎层106通过与反铁磁层104交换耦合而具有沿方向107固定的磁化。接下来将温度提高到TBL以上但低于TBH，并且将传感器暴露到沿方向145施加的外部磁场来设定偏移层144的磁化方向。在温度降低到TBL以下并且外部施加磁场移开后，偏移层144通过与反铁磁层146交换耦合而具有沿方向145固定的磁化。
本发明
图2是本发明CPP传感器200的剖面图。它和现有技术CPP传感器100结构上基本相同，除了纵向偏移堆叠240代替了堆叠140。
偏移堆叠240包括具有面内磁距或磁化方向245的偏移铁磁层244，在无外部磁场时该磁距或磁化方向基本垂直于自由层210的磁距211，并基本上平行于钉扎层206的磁距207。这里所使用的“基本垂直”的意思是两个磁距或磁化方向比平行更接近垂直。反铁磁层246形成在基板202上的合适的衬层248上并给偏移层244提供反铁磁交换耦合以确保在存在传感器所关心范围内的外部磁场时它的磁距245不会旋转。在无外部磁场时，通过由用作磁耦合层的导电间隔层242产生的直接正交磁耦合，使得自由层210的磁化方向211垂直于偏移层244的磁化方向245。
因为自由层210的纵向偏移是通过间隔层242来自偏移层244的直接磁耦合，而不是在自由层和偏移层边缘处的静磁耦合，所以偏移层244和反铁磁层246不需要成为传感器堆叠201的一部分而可以延伸过传感器200的TW。因为那么流过的偏移层244、反铁磁层246和衬层248的面积的电流远远大于如果这些层具有和轨道宽度TW具有相同尺寸下的情形，所以这减小了传感器的寄生阻抗。虽然图2所示的实施例具有尺寸为TW的间隔层242，但是也可以选择不对间隔层242构图并由此延伸过TW尺寸。层242、244、246和248不需要延伸过轨道宽度TW，而可以构图为TW尺寸，但这将导致更高的传感器阻抗。
因为钉扎层206的磁化方向207平行于偏移层244的磁化方向245，因此磁化方向207、245可以用单个退火步骤设定。这使得反铁磁层204、246使用相同材料制造。偏移层244和自由层210的易磁化轴最初平行于在沉积期间所施加的磁场，即平行于方向207、245。然而，在退火后，偏移层244与反铁磁层246交换偏移，且自由层210具有与退火方向垂直的90度旋转的易磁化轴。
自由层210到偏移层244的正交磁耦合层由用作磁耦合层的导电间隔层242产生。间隔层242一般优选为等原子Pt50Mn50层，其厚度小于约100，优选在约15和50之间。该厚度适当低于Pt50Mn50表现出反铁磁交换偏移作用的厚度(该厚度一般大于100)。
在两个Co90Fe10层之间已经观察到正交磁耦合，其中第一Co90Fe10层交换偏移到PtMn反铁磁层且两个Co90Fe10层由薄钴铁氧体(CoFe2O4)层隔开。参见S.Maat和B.Gurney的“90°coupling induced by exchange biasing inPtMn/CoFe10/CoFe2O4/CoFe10 films”，J，Appl.Phys.，Vol.93，pp，7229-7231(2003)。然而，由于钴铁氧体是电绝缘体，包括它的结构通常不用在CPP传感器中。
本发明直接正交磁耦合的作用在各种PtMn间隔层厚度的实验结构中说明。图3是该实验结构的剖面图。用于这些实验结构的磁耦合非常接近于90度。优选由间隔层产生的磁耦合应该接近于互相垂直，例如在大约80到100度之间。对于具有PtMn作为交换耦合到偏移层的反铁磁层的结构来说，衬层为30的Ta层，对于IrMn反铁磁层来说，衬层为30Ta/20Cu的双层。顶层为30Ru/80Ta的双层。
图4是具有20PtMn间隔层和与PtMn反铁磁交换耦合的20Co80Fe20偏移层的实验结构中用于20Co80Fe20自由层的B-H环。实线为沿易磁化轴(在零场中自由层磁距的优选轴)的B-H环，在这种情况下它垂直于退火期间所施加的场的方向。退火方向平行于偏移层磁化方向。虚线是沿退火方向的B-H曲线。因此图3示出了优选或易磁化轴的自由层已经安排它本身垂直于偏移层磁化方向。
图5是具有40Ni80Fe20自由层、20PtMn间隔层和与IrMn反铁磁交换耦合的20Co80Fe20偏移层的实验结构中的M-H环。平行于退火方向(垂直于40Ni80Fe20自由层的易磁化轴)施加磁场。处于高磁场(图4的右边)的环示出IrMn钉扎偏移层的行为。该自由层的行为在零场附近示出。可以看出在此区域具有大斜率，表示闭环或者难磁化轴环。在零场附近缺少正方形的M-H环表明自由层的易磁化轴垂直于退火方向(其为偏移层的磁距方向)。对于此结构，沿难磁化轴自由层饱和的场Hk是340Oe。
图6是作为PtMn间隔层厚度函数在实验结构中自由层各向异性场Hk的曲线图。需要高的Hk来确保自由层响应是所施加场的线性函数。来自记录介质的典型的场大约小于150Oe，常规磁阻头具有大约仅40Oe或更小Hk的自由层，而来自邻近连接的难偏移层或堆叠内偏移层的偏移场产生具有相同数量级(200-400Oe)的单方向各向异性场。图5表示具有正交偏移的自由层对于约20的PtMn间隔层厚度能够获得高于约300Oe的Hk，以及对于约15的PtMn间隔层厚度能够获得高于约400Oe的Hk。
在上面实验结构中的PtMn间隔层一般为等原子的Pt50Mn50。然而，因为其厚度小于产生交换偏移作用所需要的厚度，所以PtMn间隔层可以具有相对宽的组分范围，例如Pt原子百分比可以为约25到75之间。
为了在偏移层和自由层之间获得正交耦合，在通过与反铁磁体交换偏移产生的低的外部施加磁场中偏移层应该具有固定的磁化方向。作为选择，具有高剩磁的硬磁体可以用作偏移层，因为它的磁化在低于它的矫顽磁场的外部施加磁场中也将固定。
导电磁耦合间隔层需要表现出一定程度的反铁磁相互作用以由界面自旋失效在第二铁磁层中产生正交耦合。由此间隔层可以是反铁磁或铁磁材料。然而间隔层应该低于它表现出与邻近铁磁层交换偏移相互作用的临界厚度。于是正交耦合是能量最小化的结果。因此下面描述的材料也被认为适合用作导电间隔层。
如果它们表现出低于它们具有反铁磁交换偏移作用的厚度，其它的Mn合金可以适合用作提供正交磁耦合的间隔层。这些其它的Mn合金包括NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMn和RhMn。这些Mn合金也可以包括少量的添加元素，例如Cr、V、Pt、Pd和Ni，通常添加这些元素来提高耐蚀性或增加电阻。
元素Cr或Mn也适合用作间隔层。尽管它们表现出反铁磁有序，任一元素的薄层不会表现出与邻近铁磁层的交换偏移互作用。
某些导电铁磁材料，例如稀土过渡金属合金，也适于用作间隔层。它们包括TbFe、TbCo、GdFe和GdCo。
除了用于磁性耦合间隔层的上述材料，所有表现出反铁磁互作用的材料、某些引起电子媒介间接交换耦合(RKKY耦合)的非磁性过渡金属也是适合的，因为交换互作用可以在作为间隔厚度函数的反铁磁值和铁磁值之间振荡。所以如果层的微观结构被做成间隔层的局部厚度快速波动，那么反铁磁值和铁磁值可以共存在小于铁磁畴壁宽的规模上。这种情况在磁性上类似于反铁磁间隔，并也因此引起导致铁磁层正交耦合的失效。这些非磁性间隔材料包括Cu、Ru、Ir、Rh和Os。参见J.C.Slonczewski的“Overview of interlayerexchange theory”，Journal of Magnetism and Magnetic Materials，150(1995)13-24。
在上述的实施例中和在实验结构中，偏移铁磁层交换偏移到反铁磁层。然而，如上所述，偏移铁磁层也可以是硬铁磁体，例如CoPt或CoCrPt，在这种情况下不需要反铁磁层。
虽然图2示出的结构具有在自由层210上面的钉扎铁磁层206，但是这些层也可以反过来，在这种情况下堆叠240将位于自由层210和顶层230之间，堆叠240的层的顺序也可以反过来，即磁性耦合间隔层242将位于自由层210的上面，偏移层244在间隔层242的上面，反铁磁层246在偏移层244的上面和顶层230的下面。
而且，钉扎层206可以是公知的反平行钉扎(AP钉扎)结构，也称为“层叠的”钉扎层，如在美国专利5465185中所述。该结构使钉扎层206与自由层210的静磁耦合最小化。AP钉扎结构包括铁磁钉扎层、非磁性间隔层和铁磁参考层。
虽然本发明参照优选实施例进行具体示出和描述，但是本领域的技术人员可以理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下在形式和细节上可以进行各种变化。因此，认为所公开的发明仅作为说明性的和有限的，其范围由附加的权利要求限定。

Claims (41)

1.一种具有基板和多个铁磁层的类型的磁性器件中的磁耦合结构，该结构形成在所述基板上并包括：
第一铁磁层，其具有沿着第一方向取向的面内磁化方向；
第二铁磁层，其磁耦合到所述第一铁磁层并在没有施加磁场时具有大致上垂直于所述第一方向取向的面内磁化方向；以及
导电间隔层，其在所述第一和第二铁磁层之间，该间隔层引起所述第二铁磁层到所述第一铁磁层的大致上正交磁耦合。
2.如权利要求1所述的结构，其中所述间隔层是一种包括X和Mn的合金，其中X从Pt、Ni、Fe、Ir、Pd和Rh构成的组中选择。
3.如权利要求2所述的结构，其中所述XMn合金包括一种或多种从Cr、V、Pt、Pd和Ni构成的组中选择的元素。
4.如权利要求2所述的结构，其中所述间隔层是厚度小于大约100埃的PtMn合金。
5.如权利要求4所述的结构，其中所述PtMn合金具有大约15和50埃之间的厚度。
6.如权利要求4所述的结构，其中所述PtMn合金包括具有大约25和75原子百分比之间的Pt的PtMn合金。
7.如权利要求1所述的结构，其中所述间隔层主要由Cr或Mn构成。
8.如权利要求1所述的结构，其中所述间隔层基本上由从TbFe、TbCo、GdFe和GdCo构成的组选择的稀土过渡金属合金构成。
9.如权利要求1所述的结构，其中所述间隔层基本上由从Cu、Ru、Ir、Rh和Os构成的组选择的过渡金属合金构成。
10.如权利要求1所述的结构，进一步包括与该第一铁磁层交换耦合的反铁磁层，用于在存在施加磁场时基本上防止所述第一铁磁层的磁化旋转。
11.如权利要求1所述的结构，其中所述第一铁磁层是磁化方向在存在施加磁场时基本上防止发生旋转的硬铁磁体。
12.如权利要求1所述的结构，其中该器件是电流垂直于平面的磁阻传感器，并且其中所述第二铁磁层是其磁化方向在存在施加磁场时自由旋转的传感自由层，所述自由层的磁化通过所述第一铁磁层跨过所述间隔层被稳定。
13.一种磁阻传感器，当垂直于传感器中层的平面施加传感电流时能够感应外部磁场，该传感器包括：
基板；
自由铁磁层，其具有在不存在外部磁场时基本上沿着第一方向取向的面内磁化方向，所述自由层磁化方向在存在外部磁场时基本上自由旋转；
钉扎铁磁层，其具有沿着基本上垂直于所述第一方向的第二方向取向的面内磁化方向；
第一反铁磁层，其交换耦合到所述钉扎层并在存在所关心范围内的外部磁场时防止钉扎层磁化方向的大幅旋转；
在所述自由层和所述钉扎层之间的非磁性间隔层；
铁磁偏移层，其磁耦合到所述自由层并在不存在外部磁场时具有基本上垂直于所述第一方向取向的面内磁化方向；以及
在所述偏移层和所述自由层之间的导电间隔层，所述偏移层和所述自由层之间的该间隔层引起所述自由层到所述偏移层的基本上正交磁耦合。
14.如权利要求13所述的传感器，其中进一步包括与所述偏移层交换耦合的第二反铁磁层，用于在存在所考虑范围的外部磁场时基本上防止所述偏移层的磁化方向的旋转。
15.如权利要求13所述的传感器，其中所述偏移层是磁化方向在存在所关心范围的外部磁场时基本上防止发生旋转的硬铁磁体。
16.如权利要求13所述的传感器，其中所述非磁性间隔层是导电的。
17.如权利要求13所述的传感器，其中所述传感器是磁性隧道结，且其中所述非磁性间隔层是电绝缘隧道势垒。
18.如权利要求13所述的传感器，其中所述钉扎层位于所述基板和所述自由层之间，并且该自由层位于所述钉扎层和所述偏移层之间。
19.如权利要求13所述的传感器，其中所述钉扎层是反平行钉扎层。
20.如权利要求13所述的传感器，其中所述传感器是用于从磁记录介质上的轨道读出磁记录数据的磁阻读出头，其中所述基板是由导磁材料形成的并具有基本水平平坦表面的第一屏蔽，其中所述自由层、所述钉扎层和所述非磁性间隔层具有将传感器轨道宽度限定为小于所述第一屏蔽的宽度的基本垂直侧壁，并且其中所述偏移层在所述自由层下面所述基板上并延伸过传感器轨道宽度。
21.如权利要求19所述的传感器，其中在所述偏移层和所述自由层之间的导电间隔层在所述偏移层上并延伸过传感器轨道宽度。
22.如权利要求13所述的传感器，其中在所述偏移层和所述自由层之间的所述间隔层是包括X和Mn的合金，其中X从Pt、Ni、Fe、Ir、Pd和Rh构成的组中选择。
23.如权利要求22所述的传感器，其中在所述偏移层和所述自由层之间的所述间隔层是厚度小于大约100埃的PtMn合金。
24.如权利要求23所述的传感器，其中所述PtMn合金包括具有大约25和75之间原子百分比的Pt的PtMn合金。
25.如权利要求13所述的传感器，其中在所述偏移层和所述自由层之间的所述间隔层基本上由Cr或Mn构成。
26.如权利要求13所述的传感器，其中在所述偏移层和所述自由层之间的所述间隔层基本上由从TbFe、TbCo、GdFe和GdCo构成的组中选择的稀土过渡金属合金构成。
27.如权利要求13所述的传感器，其中在所述偏移层和所述自由层之间的所述间隔层基本上由从Cu、Ru、Rh、Ir和Os构成的组中选择的过渡金属合金构成。
28.一种电流垂直于平面的磁阻读出头，用于从磁记录介质上的轨道读出磁记录数据，该头包括：
由导磁材料形成的并具有基本水平平坦表面的第一屏蔽；
在所述第一屏蔽上且在不存在来自所述介质的磁场时具有沿着固定方向取向的面内磁化方向的铁磁偏移层；
在所述偏移层上的导电磁耦合层；
在所述磁耦合层上并且跨过该磁耦合层被磁耦合到所述偏移层的自由铁磁层，该自由层在不存在磁场时具有接近垂直于所述偏移层的固定磁化方向取向的面内磁化方向，且在存在来自所述介质的磁场时基本上自由旋转；
在所述自由层上的非磁性间隔层；
具有平行于所述偏移层的所述固定磁化方向的面内磁化方向的钉扎铁磁层；
交换耦合到所述钉扎层并在存在来自所述介质的磁场时防止所述钉扎层的磁化方向大幅旋转的反铁磁层；以及
其中所述自由层和所述钉扎层以及所述非磁性间隔层具有将传感器轨道宽度限定为小于所述第一屏蔽的宽度的基本垂直侧壁，并且其中所述偏移层延伸过所述传感器轨道宽度。
29.如权利要求28所述的头，其中该磁耦合层延伸过传感器轨道宽度。
30.如权利要求28所述的头，其中进一步包括在所述第一屏蔽和所述偏移层之间并和所述偏移层交换耦合用于在存在来自所述介质的磁场时基本防止所述偏移层的磁化方向旋转的反铁磁层，该反铁磁层交换耦合到延伸过所述传感器轨道宽度的所述偏移层。
31.如权利要求23所述的头，其中交换耦合到所述偏移层的所述反铁磁层由从PtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PdPtMn和RhMn构成的组选择的材料形成。
32.如权利要求28所述的头，其中该头是自旋阀头，该非磁性间隔层是导电的。
33.如权利要求28所述的头，其中该头是磁性隧道结头，并且其中所述非磁性间隔层是隧道势垒。
34.如权利要求28所述的头，其中所述磁耦合层是包括X和Mn的合金，其中X从Pt、Ni、Fe、Ir、Pd和Rh构成的组中选择。
35.如权利要求34所述的头，其中XMn合金包括从Cr、V、Pt、Pd和Ni构成的组选择的一种或多种元素。
36.如权利要求34所述的头，其中所述磁耦合层是包括Pt和Mn的合金，并具有小于大约100埃的厚度。
37.如权利要求36所述的头，其中所述PtMn合金具有大约15到50埃之间的厚度。
38.如权利要求36所述的头，其中所述PtMn合金包括具有大约25到75原子百分比之间的Pt的PtMn合金。
39.如权利要求28所述的头，其中磁耦合层基本上由Cr或Mn构成。
40.如权利要求28所述的头，其中磁耦合层包括从TbFe、TbCo、GdFe和GdCo构成的组中选择的稀土过渡金属合金。
41.如权利要求28所述的传感器，其中磁耦合层基本上由从Cu、Ru、Rh、Ir和Os构成的组中选择的过渡金属合金构成。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102623018A (zh) * 2012-04-01 2012-08-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于垂直磁化自由层的磁性多层膜及磁性传感器
CN101996734B (zh) * 2009-08-25 2012-12-12 中国科学院物理研究所 一种线性响应巨磁电阻效应多层膜
CN103033772A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 宇能电科技股份有限公司 磁阻感测组件与磁阻传感器
CN103443860A (zh) * 2011-02-14 2013-12-11 高通股份有限公司 将屏蔽集成到用于磁阻随机存取存储器的磁隧道结装置中的方法
CN103633240A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 三星电子株式会社 具有垂直磁性隧道结的磁性器件
CN104103753A (zh) * 2013-04-09 2014-10-15 矽创电子股份有限公司 磁阻膜层结构以及使用此磁阻膜层结构的磁场传感器
US9484529B2 (en) 2010-04-21 2016-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetic memory device
CN107070408A (zh) * 2015-11-19 2017-08-18 三星电子株式会社 自旋扭矩振荡器、包括其的电子设备和其制造方法
CN107305923A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 赖志煌 具热稳定性的自旋轨道扭力式磁性随存储存器
CN110662976A (zh) * 2017-05-19 2020-01-07 阿莱戈微系统有限责任公司 具有增大的操作范围的磁阻元件
CN111542489A (zh) * 2018-12-06 2020-08-14 桑迪士克科技有限责任公司 具有辅助层的自旋转移矩mram及其操作方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7199984B2 (en) * 2004-03-16 2007-04-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Current-perpendicular-to-plane magnetoresistive sensor with free layer stabilized by in-stack orthogonal magnetic coupling
JP2005302131A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置
US7382588B2 (en) * 2004-05-28 2008-06-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Read sensor having a self-pinned layer formed in both central and side regions for increased thermal stability
US7446986B2 (en) * 2004-08-31 2008-11-04 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic tunnel junction with in stack biasing layer providing orthogonal exchange coupling
US7265947B2 (en) * 2004-11-03 2007-09-04 Headway Technologies, Inc. Stitching of AFM and channeling layers for in-stack biasing CPP
JP2006139886A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
US20060158790A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Hitachi Global Storage Technologies Magnetoresistive sensor having a novel junction structure for improved track width definition and pinned layer stability
US7342753B2 (en) * 2005-01-20 2008-03-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. In-stack biasing of the free layer of a magnetoresistive read element
US7298597B2 (en) * 2005-03-29 2007-11-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive sensor based on spin accumulation effect with free layer stabilized by in-stack orthogonal magnetic coupling
US7443638B2 (en) * 2005-04-22 2008-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Magnetoresistive structures and fabrication methods
US7230265B2 (en) * 2005-05-16 2007-06-12 International Business Machines Corporation Spin-polarization devices using rare earth-transition metal alloys
US7397638B2 (en) * 2005-07-22 2008-07-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive sensor having an in stack bias structure with NiFeCr spacer layer for improved bias layer pinning
US7489541B2 (en) * 2005-08-23 2009-02-10 Grandis, Inc. Spin-transfer switching magnetic elements using ferrimagnets and magnetic memories using the magnetic elements
JP4773254B2 (ja) * 2006-03-15 2011-09-14 太陽誘電株式会社 高周波磁性薄膜及び高周波電子デバイス
US7795708B2 (en) * 2006-06-02 2010-09-14 Honeywell International Inc. Multilayer structures for magnetic shielding
JP2008211008A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
US8305715B2 (en) * 2007-12-27 2012-11-06 HGST Netherlands, B.V. Magnetoresistance (MR) read elements having an active shield
US8194366B1 (en) 2009-10-14 2012-06-05 Western Digital (Fremont), Llc TMR read head structures with differential stripe heights
US8451567B2 (en) 2010-12-13 2013-05-28 Headway Technologies, Inc. High resolution magnetic read head using top exchange biasing and/or lateral hand biasing of the free layer
TWI570975B (zh) * 2013-05-10 2017-02-11 宇能電科技股份有限公司 磁阻結構及其製造方法
US9513346B2 (en) * 2014-01-07 2016-12-06 Invensense, Inc. Magnetic sensors with permanent magnets magnetized in different directions
CN203551758U (zh) * 2013-07-26 2014-04-16 江苏多维科技有限公司 一种单磁阻tmr磁场传感器芯片及验钞机磁头
EP3445881A4 (en) 2016-04-20 2019-09-04 Arconic Inc. ALUMINUM, COBALT IRON AND NICKEL MATERIALS WITH FCC STRUCTURE AND PRODUCTS MANUFACTURED THEREFROM
WO2017184778A1 (en) 2016-04-20 2017-10-26 Arconic Inc. Fcc materials of aluminum, cobalt and nickel, and products made therefrom
US10204671B2 (en) 2017-03-10 2019-02-12 Simon Fraser University Applications of non-collinearly coupled magnetic layers
JP7359696B2 (ja) 2017-04-07 2023-10-11 クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム 一次元及び二次元磁場を測定するための磁気センサセル及びその磁気センサセルを使用して磁場を測定する方法
EP3385741B1 (en) * 2017-04-07 2019-12-18 Crocus Technology S.A. Magnetic sensor cell for measuring one- and two-dimensional magnetic fields and method for measuring said magnetic fields using the magnetic sensor cell
CN112305469B (zh) * 2019-07-29 2022-04-29 甘肃省科学院传感技术研究所 具有集成式退火结构的巨磁阻传感器
CN111384235B (zh) * 2020-03-20 2023-05-23 河南理工大学 一种磁性隧道结及基于磁性隧道结的nsot-mram装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5465185A (en) 1993-10-15 1995-11-07 International Business Machines Corporation Magnetoresistive spin valve sensor with improved pinned ferromagnetic layer and magnetic recording system using the sensor
US6023395A (en) 1998-05-29 2000-02-08 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor with in-stack biasing
KR100373473B1 (ko) * 1999-09-24 2003-02-25 가부시끼가이샤 도시바 자기 저항 효과 소자, 자기 저항 효과 헤드, 자기 재생장치 및 자성 적층체
US6473279B2 (en) 2001-01-04 2002-10-29 International Business Machines Corporation In-stack single-domain stabilization of free layers for CIP and CPP spin-valve or tunnel-valve read heads
US6704175B2 (en) 2001-03-28 2004-03-09 Tdk Corporation Current perpendicular-to-the-plane magnetoresistance read head
JP2003016620A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp 磁気記録媒体、磁気記録装置および磁気記録方法
JP2003092442A (ja) * 2001-07-13 2003-03-28 Alps Electric Co Ltd 磁気検出素子及びその製造方法
US7023670B2 (en) * 2001-11-19 2006-04-04 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic sensing element with in-stack biasing using ferromagnetic sublayers
US6985338B2 (en) * 2002-10-21 2006-01-10 International Business Machines Corporation Insulative in-stack hard bias for GMR sensor stabilization
US7199984B2 (en) * 2004-03-16 2007-04-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Current-perpendicular-to-plane magnetoresistive sensor with free layer stabilized by in-stack orthogonal magnetic coupling
US7382588B2 (en) * 2004-05-28 2008-06-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Read sensor having a self-pinned layer formed in both central and side regions for increased thermal stability
US7446986B2 (en) * 2004-08-31 2008-11-04 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic tunnel junction with in stack biasing layer providing orthogonal exchange coupling
JP2006139886A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
US7342753B2 (en) * 2005-01-20 2008-03-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. In-stack biasing of the free layer of a magnetoresistive read element

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101996734B (zh) * 2009-08-25 2012-12-12 中国科学院物理研究所 一种线性响应巨磁电阻效应多层膜
US9484529B2 (en) 2010-04-21 2016-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetic memory device
CN103443860A (zh) * 2011-02-14 2013-12-11 高通股份有限公司 将屏蔽集成到用于磁阻随机存取存储器的磁隧道结装置中的方法
CN103443860B (zh) * 2011-02-14 2016-11-09 高通股份有限公司 将屏蔽集成到用于磁阻随机存取存储器的磁隧道结装置中的方法
CN103033772A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 宇能电科技股份有限公司 磁阻感测组件与磁阻传感器
CN103033772B (zh) * 2011-09-29 2014-11-19 宇能电科技股份有限公司 磁阻感测组件与磁阻传感器
CN102623018A (zh) * 2012-04-01 2012-08-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于垂直磁化自由层的磁性多层膜及磁性传感器
CN103633240A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 三星电子株式会社 具有垂直磁性隧道结的磁性器件
CN103633240B (zh) * 2012-08-21 2017-07-04 三星电子株式会社 具有垂直磁性隧道结的磁性器件
CN104103753A (zh) * 2013-04-09 2014-10-15 矽创电子股份有限公司 磁阻膜层结构以及使用此磁阻膜层结构的磁场传感器
CN107070408A (zh) * 2015-11-19 2017-08-18 三星电子株式会社 自旋扭矩振荡器、包括其的电子设备和其制造方法
CN107305923A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 赖志煌 具热稳定性的自旋轨道扭力式磁性随存储存器
CN107305923B (zh) * 2016-04-19 2019-04-12 赖志煌 具热稳定性的自旋轨道扭力式磁性随存储存器
CN110662976A (zh) * 2017-05-19 2020-01-07 阿莱戈微系统有限责任公司 具有增大的操作范围的磁阻元件
CN110662976B (zh) * 2017-05-19 2022-07-01 阿莱戈微系统有限责任公司 具有增大的操作范围的磁阻元件
CN111542489A (zh) * 2018-12-06 2020-08-14 桑迪士克科技有限责任公司 具有辅助层的自旋转移矩mram及其操作方法
CN111542489B (zh) * 2018-12-06 2023-09-19 桑迪士克科技有限责任公司 具有辅助层的自旋转移矩mram及其操作方法

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US7199984B2 (en) 2007-04-03
US7106561B2 (en) 2006-09-12
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US20050207070A1 (en) 2005-09-22

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