CN1669143A - 包含二-维阵列的电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电致发光器件,其包括第一组丝带和第二组丝带,其是以这样的方式设置的,即它们形成在第一组丝带和第二组丝带之间具有交叉点的二维网。在每种情况下丝带都由一系列的层构成,并且至少一组丝带含有发光物质,当加载电压时发光物质发光。这种丝带结构增加了独立丝带之间的接触面,并且发光更有效。

Description

包含二-维阵列的电致发光器件
本发明涉及一种电致发光器件,其含有第一组丝带和第二组丝带,其是这样构成的,即它们形成在第一组丝带和第二组丝带之间具有交叉点的二维网,至少一组丝带含有发光物质,其当在第一组丝带和第二组丝带之间加载电压时发光。
电致发光器件是这样的结构,即当加载电场时其发光。当相应的电压,典型地为几伏加载到电致发光器件的两个相对的电极上时,正负载荷子被引入,其迁移到电致发光层,在此它们重新结合并且发出光线。这样的器件的已知例子是基于GaP或其它的III-V-半导体的发光二极管。
虽然这些电致发光器件是非常有效的,但是它们不能简便地和经济地用在大的显示系统中。
有机发光二极管,即所谓的OLEDs可以解决这个问题。有机发光二极管由多功能层构成。在“Philips Journal of Research,1998,51,467”中描述了一种OLED的典型的结构。典型的结构含有ITO层(铟锡氧化物)作为透明电极(阳极)、导电聚合物层、电致发光层,也就是发光材料,特别是发光聚合物的层,和由金属构成的电极,金属优选为具有低功函数的金属(阴极)。这样的结构通常用在基材上,通常为玻璃。所发出的光通过基材而到达观察者。在电致发光层中具有发光聚合物的OLED也被称为polyLED或PLED。
这样的电致发光器件不仅可以制成具有大屏对角线,而且可以制成具有小的厚度。假如采用合适的基材,如聚合物薄膜,甚至可得到柔性的电致发光器件。
例如US 5,962,967公开了一种基于polyLED的柔性的电致发光器件。这种电致发光器件具有由两根不同的中心-对称的纤维构成的编织结构。每根纤维含有导电元件,并且至少一根纤维具有发光聚合物的涂层。假如电场加载到两个导电元件上,那么发光聚合物在两根纤维的交叉点处发光。
两层之间的界面或接触对于OLED的效率是非常重要的。接触越好,电致发光器件越有效。特别地,由只有一种导电元件组成的纤维和具有发光聚合物涂层的纤维构成的电致发光器件不是非常有效,因为其是两种不同的材料互相接触。
这样的电致发光器件的另一个缺点是,只有在两种纤维之间紧密接触区域才激发出光发射。
所以本发明的目标是,提供一种经改善的电致发光器件。该目标通过含有第一组丝带和第二组丝带的电致发光器件而实现,其是这样构成的,即它们形成在第一组丝带和第二组丝带之间具有交叉点的二维网,每组丝带由一系列的层构成,并且至少一组丝带含有发光物质,当在第一组丝带和第二组丝带之间加载电压时其发出光。
与已知的中心-对称的纤维不同,丝带具有镜面-对称的层结构。由此产生的丝带的基本上是矩形的横截面增加了二根不同的丝带之间的接触面。
根据权利要求2的优越的实施方案在根丝带之间产生紧密的接触。这种互相接触是在相同种类的两种材料,即两种有机材料间得到的。结果是电荷迁移更有效,并且更多的载荷子到达电致发光层。这不仅产生更多的光,而且增加光发射区域。
根据权利要求3的优选的有机材料或者是有效发光物质、空穴-导电材料、电子-导电材料或者是合适的基材材料。
根据权利要求4-6的第一组丝带和根据权利要求7-9的第二组丝带的优越的实施方案提供了丝带,通过增加了它们的接触面和在同一个网中的紧密接触而允许基于电致发光的有效发光。
根据权利要求10-11的第二组丝带的优越的实施方案进一步改善了电致发光器件的发射特性,所述电致发光器件具有滤色器和/或散射阻挡层。
根据附图示出的实施方式为例,将进一步对本发明进行描述,然而本发明并不被这些实施方式所限制。在附图中
图1示出了根据本发明的电致发光器件的俯视图,
图2示出了根据本发明的阴极丝带的横截面,
图3示出了根据本发明的另一阴极丝带的横截面,
图4示出了根据本发明的阳极丝带的横截面,
图5示出了根据本发明的另一阳极丝带的横截面和
图6示出了根据本发明的又一阳极丝带的横截面。
根据图1,根据本发明的电致发光器件具有由丝带构成的二维网。丝带含有第一组丝带,其也可称为阴极丝带1,和第二组丝带,其也可称为阳极丝带2。从图1中清楚看出,丝带是这样构成的,即得到一个二维网或交叉点的阵列,每根阴极丝带1只通过特定的阳极丝带2一次,反之亦然。在这网中,在每个第二交叉点发出光。
另外,网还可以有其它的编织方式,以致于,例如生成一种网,其中每根阳极丝带2缚住三根阴极丝带1。
图2示出了阴极丝带1的实施方案的横截面。阴极丝带1具有柔性的基材3,其优选含有有机聚合物,如聚酰胺。例如以金属,如铝、铜、银或金、合金或n-掺杂的硅的导电层形式的第一电极4与基材3相邻接。第二电极4优选具有两层或更多层。在这种情况下,第二电极4应尤其优选为含有第一层和第二层,所述第一层邻接基材3并由铝、铜、银或金构成;所述第二层由例如碱土金属,如铯、钙或钡构成。或者第二层可以含有掺杂的碱金属的联苯层,碱金属优选为铯。
在其它的可能的实施方案中,第一电极4含有四层导电层。邻接基材3的第一层含有铝。第二层含有摩尔比Al/SiO2为3∶1的铝和SiO2。邻接第二层的第三层含有铝。第四层含有碱土金属。采用这种结构的第一电极4由于相消干涉而减小了周围外界光的反射,从而改善了电致发光器件的图像对比度。
在另一个可能的替代方案中,第一电极4含有多层,其中的一层由具有高折射率的材料,优选为ZnS构成。这样的第一电极具有第一层,其邻接基材3并由具有高折射率的材料构成。邻接第一层的是由金属,特别是银构成的第二层,邻接第二层的是含有碱土金属或碱金属-掺杂的联苯的第三层。这种结构使得第一电极4是透明的,也就是说它对在电致发光器件中所产生的光是能透射的。
邻接第一电极4的是第一有机层5,其含有发光物质。在本实施方案中第一有机层5是电致发光器件的电致发光层。
发光物例如可含有发光有机聚合物,如聚(对-苯基亚乙烯基)(PPV)或经取代的PPV,如二烷氧基(dialcoxy)-取代的PPV。另外例如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺和这些聚合物经取代的和/或掺杂的衍生物也可以用作为发光物质。其它合适的发光聚合物例如是聚[2-(6-氰基-6-甲基庚氧基)]-1,4-亚苯基](CN-PPP)、聚[9,9-二己基芴基-2,7-二基]、聚[9,9-二-(2-乙基己基)-芴基-2,7-二基]或聚[9,9-二辛基芴基-2,7-二基]。
另外的发光共聚物,如聚[9,9’-(二辛基芴基-2,7-二基)-共-(1,4-乙烯基亚苯基)]、聚[9,9’-(二己基芴)-共-(N,N-二(苯基)-N,N-二(p-丁基苯基)-1,4-二氨基苯)]、聚[9,9’-(二己基芴基-2,7-二基)-共-(1,4-苯并-[2,1’,3]噻二唑)]、聚[9,9’-(二己基芴基-2,7-二基)-共-(2,5-p-二甲苯)]、聚[9,9’-(二辛基芴基-2,7-二基)-共-(3,5-吡啶)]、聚[9,9’-(二己基芴基-2,7-二基)-共-(9,9’-{5-戊烯基}-芴基-2,7-二基)]或聚[9,9’-(二辛基芴基-2,7-二基)-共-(6,6’-{2,2’-联吡啶})]也可以在第一有机层5中用作为发光物质。
其它合适的发光物质是发光低聚物,其可以在第一有机层5中存在,例如4,4’-双(9-乙基-3-咔唑亚乙烯基)-1,1’联苯、9,10-二[(9-乙基-3-咔唑基)-亚乙烯基]-蒽、4,4’-双(联苯亚乙烯基)-联苯或1,4-双(9-乙基-咔唑亚乙烯基-2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基))-苯。
或者,有机层5还可含有作为发光物质的具有至少一个有机配体的金属络合物,如8-羟基喹啉铝(Alq3)、双-(2-甲基-8-羟基喹啉合)-4-(苯基-苯酚合)-铝-(III)(BAlq)、三(2-苯基吡啶合)铱(Ir(ppy)3)、铱(III)双(2-(4,6-二氟苯)-吡啶合-N,C2’)吡啶甲酸盐(FIrpic)、铕(III)-络合物,如三-(苯甲酰基丙酮合)单(1,10-邻二氮杂苯)-铕或三-(苯甲酰基丙酮合)单(5-氨基-1,10-邻二氮杂菲)-铕以及硼酸盐,如四(8-羟基喹啉合)-硼酸锂或四(2-甲基-8-羟基喹啉合)-硼酸锂和锌络合物,如双(8-羟基喹啉合)-锌或双(2-甲基-8-羟基喹啉合)-锌。对于有机层5也可能含有多种,优选为三种金属络合物,其发出不同颜色的光。在本实施方案中有机层5可以含有例如发出红光的金属络合物三-(苯甲酰基丙酮合)单(5-氨基-1,10-邻二氮杂菲)-铕、发出绿光的金属络合物Alq3和发出蓝光的金属络合物双(2-甲基-8-羟基喹啉合)-锌,发射出白光。
图3示出了阴极丝带1的另一个实施方案。在这个实施方案中两层有机层5,6施加在第一电极4上。在这个实施方案中第一有机层5起电子导电层的作用,它含有电子导电材料,如导电聚合物、导电低聚物、金属络合物或杂环。所述材料可能有取代基和/或掺杂。合适的材料可以含有噁二唑、噁唑、异噁唑、噻唑、异噻唑、噻二唑、1,2,3-三唑、1,3,5-三嗪、喹喔啉(chinoxaline)、低聚吡咯、聚吡咯、亚苯基亚乙烯基低聚物、亚苯基亚乙烯基聚合物、乙烯基咔唑低聚物、乙烯基咔唑聚合物、芴-低聚物、氟聚合物、苯乙炔低聚物、苯乙炔聚合物、亚苯基低聚物、亚苯基聚合物、低聚噻吩、聚噻吩、聚乙炔或低聚乙炔。合适的电子导电材料例如是2-联苯-5-(4-叔丁基苯)-3,4-噁二唑(PBD)。根据电子导电特性,这些材料也阻止了空穴通过第一有机层5向阴极迁移。
在该实施方案中第二有机层6起电致发光层的作用并含有发光物质。
图4示出了通过阳极丝带2的实施方案的横截面。阳极丝带2具有柔性的基材3,其优选含有有机聚合物,如聚酰胺。邻接基材3的是第二电极7,优选以透明的、导电的ITO层的形式。邻接第二电极7的是第三有机层8。第三有机层8起空穴-导电层的作用并含有例如导电聚合物、导电低聚物或胺。这些材料可能具有取代基和/或掺杂。合适的材料可包括叔胺、叔芳胺、含有芳胺的聚合物、低聚噻吩、聚噻吩、低聚吡咯、聚吡咯、亚苯基亚乙烯基低聚物、亚苯基亚乙烯基聚合物、乙烯基咔唑低聚物、乙烯基咔唑聚合物、氟低聚物、氟聚合物、亚苯基乙炔低聚物、亚苯基乙炔聚合物、亚苯基低聚物、亚苯基聚合物、乙炔低聚物、聚乙炔、酞菁或卟啉。聚乙烯二氧噻吩(PDOT)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺(TPD)、4,4’-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)或N,N’-二-[(1-萘基)-N,N’-二苯基]-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺(α-NPD)优选用作为空穴导电材料。根据它的空穴导电特性,第三有机层8阻止电子通过第三有机层8向阳极迁移。在另一个实施方案中第二电极7可以含有空穴导电材料。为了增加导电性,第二电极7除了含有空穴导电材料外还可含有金属丝。
图5示出了根据本发明的另一个阳极丝带2的横截面。在这个实施方案中,在基材3和第二电极7之间有附加层9。该附加层9可以含有例如色素从而起滤色器的作用。另外,附加的SiO2层9可以位于基材3和第二电极之间。该附加的SiO2层9起散射阻挡层的作用。
原则上阳极丝带2含有发光物质是可能的,而阴极丝带1含有发光物质是不可能的。在这个实施方案中,阴极丝带具有根据图2的结构,并且第一有机层5含有电子导电材料。阳极丝带2可以具有根据图6的结构。在这个实施方案中,阳极丝带2具有基材3、第二电极7、第三有机层8和第四有机层10,其邻接第三有机层8。在这个实施方案中第三有机层8含有空穴导电材料,第四有机层10含有发光物质。另外,附加层9也可以位于基材3和第二电极7之间。第三有机层8也可能含有发光物质,并且第四有机层10含有电子导电材料。另外,其它的有机层可以施加在第四有机层上。
为了制备电致发光器件,首先制备阴极丝带1和阳极丝带2。为了制备阴极丝带1,对于第一电极4和第一以及任何第二有机层5,6的相应的材料以相应顺序沉积到大面积的基材3上。然后将所得到的层结构切成丝带,其优选具有200-500μm的宽度,这样就得到了阴极丝带1。
以同样的方式制备阳极丝带,即通过以相应的顺序将第二电极7、第三有机层8和任何附加层9以及第四有机层10相应的材料沉积到大面积的基材3上。然后将所得到的层结构切成丝带,其优选具有200-500μm的宽度,这样就得到了阳极丝带2。
阴极丝带1和阳极丝带2的宽度取决于制得的电致发光器件中的所期望的行和列数。阴极丝带1的宽度可以等于阳极丝带2的宽度,但也可以是大于或小于阳极丝带2宽度。丝带的横截面是任意形状的,但是由于丝带的层状结构,所以横截面优选为矩形,具有圆形边缘的矩形或梯形。
由阴极丝带1和阳极丝带2编织电致发光器件,这通过采用阴极丝带1或者采用阳极丝带2作为纬带而其另一丝带作为经带来完成。同时,不同的阴极丝带1或阳极丝带2也可在电致发光器件中用作经带或纬带。
为了稳定所得到的二维网,它可以被放置于两块玻璃板之间。在约80℃下将玻璃板压在一起,以在阴极丝带1和阳极丝带2之间产生紧密的接触。然后玻璃板用粘合剂气密密封。粘合剂可以例如是热固性的,或通过UV光的辐射而被固化。
或者,二维网可以被层压在两层薄膜,如聚碳酸酯薄膜之间。
此外,圆形极化器,其吸收入射的环境光并从而增加反差,可以加入到二维网和玻璃或聚碳酸酯薄膜的叠压层中。
原则上这是可能的,即基材3是金属箔,如铝箔,从而其作用是不仅作为基材而且作为电极。
以下用实施例的方式来解释代表实现本发明的可行方式。
实施例1
通过沉积作为第一电极4的200nm厚的铝层和5nm厚的钡层到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阴极丝带1。80nm厚的PPV第一有机层5沉积到第一电极4上。然后将带涂层的聚酰胺薄膜切成300μm宽的丝带。
通过沉积作为附加层9的100nm厚的SiO2-层到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阳极丝带2。将150nm厚的ITO第二电极7沉积到附加层9上。200nm厚的PDOT第三有机层8被沉积到第二电极7上。所得到的带涂层的聚酰胺薄膜被切成400μm宽的丝带。
采用阴极丝带1作为经带和阳极丝带2作为纬带,由阴极丝带1和阳极丝带2制备根据图1的二维网。所得到的网放置在两个相对转动的滚轴之间,在超过100N的压力下压紧。然后将该二维网压在两层聚碳酸酯膜之间并配上电连接线,这样就制得了柔性的电致发光器件,其在每个第二交叉点发出橙色光。
实施例2
通过沉积作为第一电极4的200nm厚的铝层和5nm厚的钡层到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阴极丝带1。150nm厚的聚噻吩第一有机层5沉积到第一电极4上。然后将带涂层的聚酰胺薄膜切成200μm宽的丝带。
通过沉积作为附加层9的100nm厚的SiO2-层到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阳极丝带2。150nm厚的ITO第二电极7被沉积到附加层9上。200nm厚的PDOT第三有机层8被沉积到第二电极7上。80nm厚的PPV第四有机层10沉积到第三有机层上。
采用阴极丝带1作为纬带和阳极丝带2作为经带由阴极丝带1和阳极丝带2制备根据图1的二维网。所得到的二维网配上电连接线并放置在两块1mm厚的玻璃之间,然后将其在80℃下压在一起并采用粘合剂气密密封,所述粘合剂通过UV光的辐射而固化。这样就制得了电致发光器件,其在每个第二交叉点发出橙色光。
实施例3
通过沉积含有三个层的第一电极4到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阴极丝带1。邻接基材3的第一层合有20nm厚的ZnS层,第二层含有20nm厚的Ag层,第三层含有10nm厚掺杂铯的联苯层。第一有机层5,即Alq3层沉积在第一电极4上。第一有机层5的层厚为80nm,其起电子导电层的作用。然后将带涂层的聚酰胺薄膜切成200μm宽的丝带。
通过沉积含有35nm厚的α-NPD层的第二电极7到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阳极丝带2。具有发蓝光的物质4,4’-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-联苯(DPVBi)的80nm厚的第三有机层8沉积在第二电极7上。50nm厚的作为电子传导和阻止空穴的2-联苯-5-(4-叔丁基苯)-3,4-噁二唑层即第四有机层沉积在第三有机层8上。然后将带涂层的聚酰胺薄膜切成250μm宽的丝带。
采用阴极丝带1作为纬带和阳极丝带2作为经带由阴极丝带1和阳极丝带2制备根据图1的二维网。所得到的二维网配上电连接线,并放置在两块1mm厚的玻璃之间,然后将其在80℃下压在一起并采用热固粘合剂气密密封。这样就制得了电致发光器件,其在每个第二交叉点发出蓝光。
实施例4
制备三种不同的阴极丝带,每种阴极丝带含有发光物质,其发出红光、绿光或蓝光。
发红光的阴极丝带1R具有聚酰胺基材3,在其上是由100nm厚的铝层和10nm厚的掺杂有铯的联苯层构成的第一电极4。邻接第一电极4的是80nm厚的第一有机层5,其含有三-(苯甲酰基丙酮合)-单(5-氨基-1,10-邻二氮杂菲)-铕。发红光的阴极丝带1R的宽度为300μm。
发绿光的阴极丝带1G具有聚酰胺基材3,在其上是由100nm厚的铝层和10nm厚的掺杂有铯的联苯层构成的第一电极4。邻接第一电极4的是75nm厚的第一有机层5,其含有Alq3。发绿光的阴极丝带1G的宽度为100μm。
发蓝光的阴极丝带1B具有聚酰胺基材3,在其上是由100nm厚的铝层和10nm厚的掺杂有铯的联苯层构成的第一电极4。邻接第一电极4的是90nm厚的第一有机层5,其含有四(2-甲基-8-羟基喹啉合)-硼酸锂。发蓝光的阴极丝带1B的宽度为200μm。
通过沉积由35nm厚的α-NPD层构成的第二电极7到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阳极丝带2。作为空穴导电层的2-联苯-5-(4-叔-丁基苯)-3,4-二唑(PBD)的80nm厚的第三有机层8沉积在第二电极7上。然后将带涂层的聚酰胺薄膜切成600μm宽的丝带。
交替采用三种阴极丝带1,也就是1R、1G、1B、1R、1G、1B、.......作为经带和阳极丝带2作为纬带由三种不同的阴极丝带1和阳极丝带2制备根据图1的二维网。所得到的二维网配上电连接线并放置在两块1mm厚的玻璃之间,然后将其在80℃下压在一起并采用热固粘合剂气密密封。这样就制得了全色的电致发光器件。
实施例5
制备类似于实施例4的全色电致发光器件,不同之处在于其阴极丝带1R、1G、1B的各自的有机层5中用发光聚合物代替发光金属络合物。发红光的阴极丝带1R具有80nm厚的聚[{9-乙基-3,6-双(2-氰基亚乙烯基)亚咔唑基}alt-共-[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基}]层。发绿光的阴极丝带1G具有75nm厚的聚[/9,9-二辛基-2,7-二亚乙烯基-亚芴基}-alt-共-{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基}]层。发蓝光的阴极丝带1B具有90nm厚的聚[9,9-二己基芴基-2,7-二基]层。
实施例6
通过沉积作为第一电极4的200nm厚的铝层和5nm厚的掺杂有铯的联苯层到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阴极丝带1。以3∶1∶2的比例的三-(苯甲酰基丙酮合)-单(5-氨基-1,10-邻二氮杂菲)-铕、Alq3和四(2-甲基-8-羟基喹啉合)-硼酸锂的90nm厚的第一有机层5沉积在第一电极4上。然后将带涂层的聚酰胺薄膜切成500μm宽的丝带。
制备三种不同的阳极丝带2,每种阳极丝带2各自具有红色、蓝色或绿色色素。
具有红色色素的阳极丝带2R具有作为基材3的聚酰胺,在基材上有20nm厚的C.I.色素红177的附加层。含有130nm厚的ITO层的第二电极7沉积在附加层9上。在第二电极7上有70nm厚的TPD第三有机层8。
具有绿色色素的阳极丝带2G具有类似的结构,其不同之处在于附加层9含有C.I.色素绿36。
具有蓝色色素的阳极丝带2B具有类似的结构,其不同之处在于附加层9含有C.I.色素蓝209。
附加层9在阳极丝带2R、2G、2B中起滤色器作用。
具有红色滤色器的阳极丝带2R的宽度为250μm,具有绿色滤色器的阳极丝带2G的宽度为100μm,具有蓝色滤色器的阳极丝带2B的宽度为150μm。
交替使用三种阳极丝带,也就是2R、2G、2B、2R、2G、2B、.....作为经带和阴极丝带1作为纬带,由阴极丝带1和三种不同的阳极丝带2R、2G、2B制备根据图1的二维网。所得到的二维网配上电连接线并放置在两块1mm厚的玻璃之间,将其在80℃下压在一起并采用热固粘合剂气密密封。这样就制得了全色的电致发光器件。
实施例7
通过沉积5nm厚的钡层到200μm厚的铝箔上而制备阴极丝带。在这个实施方案中,铝箔起基材3和第一电极4的第一层的作用。30nm厚的Alq3的第一有机层5沉积到钡层上,BAlq的第二有机层6沉积到第一有机层5上。然后将带涂层的聚酰胺薄膜切成200μm宽的丝带。
通过沉积作为附加层9的100nm厚的SiO2-层到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阳极丝带2。150nm厚的ITO的第二电极7被沉积到附加层9上。200nm厚的PDOT第三有机层8被沉积到第二电极7上。30nm厚的α-NPD的第四有机层10被沉积到第三有机层8上。掺杂有5%的Ir(ppy)3的CBP第五有机层沉积到第四有机层10上。
采用阴极丝带1作为纬带和阳极丝带2作为经带由阴极丝带1和阳极丝带2制备根据图1的二维网。所得到的二维网配上电连接线并放置在两块1mm厚的玻璃之间,然后将其在80℃下压在一起并采用热固粘合剂气密密封。这样就制得了电致发光器件,其在每第二个交叉点发出蓝光。
实施例8
通过沉积含有三个层的第一电极4到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阴极丝带1。邻接基材3的第一层含有20nm厚的ZnS层,第二层含有20nm厚的Ag层,第三层含有10nm厚掺杂有铯的联苯层。第一有机层5,即Alq3层沉积在第一电极4上。第一有机层5的层厚为80nm,其起电子导电层的作用。然后将带涂层的聚酰胺薄膜切成200μm宽的丝带。
通过沉积含有35nm厚的α-NPD层的第二电极7到作为基材3的聚酰胺薄膜上而制备阳极丝带2。掺杂有8%的FIrpic的4,4’-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)的80nm厚的第三有机层8被沉积到第二电极7上。将30nm厚的PBD第四有机层10沉积到第三有机层8上。然后将带涂层的聚酰胺薄膜切成250μm宽的丝带。
采用阴极丝带1作为纬带和阳极丝带2作为经带由阴极丝带1和阳极丝带2制备根据图1的二维网。二维网配上电连接线并放置在两块1mm厚的玻璃之间,然后将其在80℃下压在一起并采用粘合剂气密密封,粘合剂是通过UV光的辐射而固化的。这样就制得了电致发光器件,其在每第二个交叉点发出蓝光。

Claims (11)

1.一种电致发光器件,其含有第一组丝带和第二组丝带,其是以这样的方式设置的,即它们形成在第一组丝带和第二组丝带之间具有交叉点的二维网,在每种情况下丝带由一系列的层构成,并且至少一组丝带含有发光物质,当电压加载到第一组丝带和第二组丝带之间时所述发光物质发光。
2.根据权利要求1的电致发光器件,其特征在于,在每种情况下丝带都含有有机层(5,6,8,10),并且在交叉点处第一组丝带的有机层(5,6)与第二组丝带的有机层(8,10)相接触。
3.根据权利要求2的电致发光器件,其特征在于,有机层(5,6,8,10)是选自有机聚合物、有机共聚物、有机低聚物、具有至少一个有机配体的金属络合物、杂环和胺的材料。
4.根据权利要求1的电致发光器件,其特征在于,第一组丝带的丝带具有基材(3)、邻接基材(3)的第一电极(4)和邻接第一电极(4)的第一有机层(5)。
5.根据权利要求4的电致发光器件,其特征在于,第二有机层(6)邻接第一有机层(5)。
6.根据权利要求4或5的电致发光器件,其特征在于,第一有机层(5)和第二有机层(6)含有电子导电材料或发光物质。
7.根据权利要求1的电致发光器件,其特征在于,第二组丝带的丝带具有基材(3)、邻接基材(3)的第二电极(7)和邻接第二电极(7)的第三有机层(8)。
8.根据权利要求4的电致发光器件,其特征在于,第四有机层(10)邻接第三有机层(8)。
9.根据权利要求7或8的电致发光器件,其特征在于,第三有机层(8)和第四有机层(10)含有空穴导电材料或发光物质。
10.根据权利要求7的电致发光器件,其特征在于,附加层(9)位于基材(3)和第二电极(7)之间。
11.根据权利要求10的电致发光器件,其特征在于,附加层(9)含有色素或SiO2
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103296048A (zh) * 2013-05-22 2013-09-11 李尚霖 一种基于电致发光原理的发光结构及显示器件
CN114038321A (zh) * 2021-11-22 2022-02-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示器

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101027896B1 (ko) 2004-08-13 2011-04-07 테크니셰 유니베르시테트 드레스덴 발광 컴포넌트를 위한 층 어셈블리
JP5909314B2 (ja) * 2004-09-03 2016-04-26 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 可溶性共役ポリマーを使用する方法及びデバイス
US20060132030A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Zhanjun Gao Display element stress free at the critical layer
US7208757B1 (en) * 2004-12-23 2007-04-24 Spansion Llc Memory element with nitrogen-containing active layer
EP1681734A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-19 C.S.E.M. Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique Sa Optoelectronic device and method for producing the same
US9365767B2 (en) 2005-02-21 2016-06-14 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electric field light emitting element and production therefor
EP1705727B1 (de) * 2005-03-15 2007-12-26 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
EP2284923B1 (de) 2005-04-13 2016-12-28 Novaled GmbH Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen
EP1739765A1 (de) 2005-07-01 2007-01-03 Novaled AG Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden
JP2007035793A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Optrex Corp 有機led素子
JP2007052953A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Sony Corp 表示素子およびその製造方法、ならびに表示素子用の電極材、
JP5132572B2 (ja) 2005-11-14 2013-01-30 キリュスシェフ、イリナ フラット・パネル・ディスプレイ装置
EP1806795B1 (de) * 2005-12-21 2008-07-09 Novaled AG Organisches Bauelement
DE602006001930D1 (de) * 2005-12-23 2008-09-04 Novaled Ag tur von organischen Schichten
TW200727738A (en) * 2006-01-09 2007-07-16 Au Optronics Corp Organic electro-luminescence device
EP1808909A1 (de) 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
JP2009534705A (ja) * 2006-04-18 2009-09-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電気光学デバイス及びその製造方法
EP1848049B1 (de) * 2006-04-19 2009-12-09 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
DE102007019260B4 (de) * 2007-04-17 2020-01-16 Novaled Gmbh Nichtflüchtiges organisches Speicherelement
US8021020B2 (en) 2007-07-16 2011-09-20 Cambridge International Inc. Lighted architectural mesh
US20100017735A1 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Unisys Corporation Decentralized hardware partitioning within a multiprocessing computing system
DE102008036063B4 (de) * 2008-08-04 2017-08-31 Novaled Gmbh Organischer Feldeffekt-Transistor
DE102008036062B4 (de) 2008-08-04 2015-11-12 Novaled Ag Organischer Feldeffekt-Transistor
DE102008055969A1 (de) * 2008-11-05 2010-06-10 Sefar Ag Substrat für eine optoelektronische Vorrichtung
JP5402703B2 (ja) * 2009-02-13 2014-01-29 三菱化学株式会社 有機電界発光素子、有機elディスプレイ、有機el照明及び有機el信号装置
GB201012281D0 (en) 2010-07-22 2010-09-08 Agco Int Gmbh Cracker roller assembly
WO2013039020A1 (ja) * 2011-09-14 2013-03-21 トヨタ自動車東日本株式会社 光電変換デバイスの製造方法、光電変換デバイス用電極、光電変換デバイス及び発光装置
JP6083675B2 (ja) * 2011-09-14 2017-02-22 トヨタ自動車東日本株式会社 表示装置、光電変換デバイス用電極、光電変換デバイス及び光電変換デバイスの製造方法
JPWO2015159606A1 (ja) * 2014-04-18 2017-04-13 コニカミノルタ株式会社 有機電界発光素子

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3432724A (en) * 1967-02-27 1969-03-11 North American Rockwell Electroluminescent crossed grid device for simultaneously displaying a plurality of points
US3632068A (en) * 1968-12-09 1972-01-04 Jwi Ltd Woven wire fabric
US3803437A (en) * 1970-04-15 1974-04-09 Cornell Aeronautical Labor Inc Woven electroluminescent panel
US5962967A (en) * 1998-03-19 1999-10-05 Kiryuschev; Irina Electroluminescent device and method of manufacturing same
US6316786B1 (en) * 1998-08-29 2001-11-13 International Business Machines Corporation Organic opto-electronic devices
NO311317B1 (no) * 1999-04-30 2001-11-12 Thin Film Electronics Asa Apparat omfattende elektroniske og/eller optoelektroniske kretser samt fremgangsmåte til å realisere og/eller integrerekretser av denne art i apparatet
US20010043043A1 (en) * 2000-01-07 2001-11-22 Megumi Aoyama Organic electroluminescent display panel and organic electroluminescent device used therefor
US20020074937A1 (en) * 2000-12-18 2002-06-20 Felix Guberman Flexible material for electrooptic displays
US6697191B2 (en) * 2001-06-11 2004-02-24 Visson Ip, Llc Electro-optical display
US6624565B2 (en) * 2001-07-05 2003-09-23 Visson Ip, Llc Cellular flexible display structure
US6608438B2 (en) * 2001-11-09 2003-08-19 Visson Ip Llc 3-D flexible display structure
US6793360B2 (en) * 2002-09-09 2004-09-21 Cambridge, Inc. Lighted architectural mesh

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103296048A (zh) * 2013-05-22 2013-09-11 李尚霖 一种基于电致发光原理的发光结构及显示器件
CN103296048B (zh) * 2013-05-22 2016-05-25 安徽唯象光电技术有限公司 一种基于电致发光原理的发光结构及显示器件
CN114038321A (zh) * 2021-11-22 2022-02-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示器
CN114038321B (zh) * 2021-11-22 2023-10-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示器

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Publication number Publication date
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JP2005533349A (ja) 2005-11-04
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