CN1638004A - 用于磁控管的高压输入装置 - Google Patents

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Abstract

一种用于磁控管的高压输入装置,其中形成于铅导体上的第一突起被绝缘器和绝缘盒卡住,接地金属与绝缘盒相连接,形成于绝缘器上的膨胀部分被绝缘盒和接地金属卡住,从而将铅导体牢固地固定并防止铅导体意外地与绝缘器和绝缘盒分开。

Description

用于磁控管的高压输入装置
技术领域
本发明涉及一种用于磁控管的高压输入装置,该装置向磁控管中输入高压,并特别地涉及这样一种用于磁控管的高压输入装置,其中,使高压通过其中输入到磁控管的铅导体在纵向上由高压输入装置的两侧卡住,从而防止铅导体意外地与该装置分开。
背景技术
通常,磁控管是用于产生和输出微波的装置,设置于微波炉内或其它地方,并包括用于通过其输入高压的高压输入装置。
图1是现有磁控管的截面视图。现有磁控管包括阳极单元,其包括叶片12和耦合环(strap)13,它们在磁控管上施加有恒定量的阳极电压和阳极电流时形成谐振电路;还包括阴极单元14,其设置于阳极单元的内部,用于产生大量的热电子并在阴极单元14与叶片12端部相互作用之处产生微波;还包括天线15,用于将作用空间所产生的微波传输到外界;多个冷却脚(cooling pin)16,设置于阳极单元的外圆周上,用于辐射由未转换为微波的剩余能量转换而来的热量;磁轭(yoke)17和18,用于保护和支承阳极单元和冷却脚16,并将外界空气引入冷却脚16;上下永磁体19和20,它们分别地设置于磁轭17和18的下表面和上表面,以构成封闭磁路;以及滤波器盒22,其包括用于去除高频辐射噪声的LC滤波器21;以及高压输入装置23,其设置于滤波器盒22上,用于将高压从其中输入到磁控管。
阳极单元包括圆柱形的阳极主体11;多个设置于阳极主体11内部的叶片12;以及穿过叶片12的耦合环13,从而在叶片12和耦合环13之间构成谐振电路。
图2是用于现有磁控管的高压输入装置的截面视图。
如图2所示,所述高压输入装置23包括一对铅导体24、25,分别围绕着铅导体24、25的中空绝缘管26、27;还包括接地金属28,绝缘管26、27从其中穿过,所述接地金属被锁定螺栓固定于滤波器盒22上。
上述输出磁控管产生微波,即高频电磁波,并将所述微波传输到一个系统。在通过高压输入装置23的铅导体24、25将高压输入到磁控管时,给定量的阳极电压和阳极电流施加到阳极主体11,而谐振电路由密封于真空态的阳极主体11内的叶片12和耦合环13形成。在形成谐振电路时,微波在叶片12端部与阴极单元14,即灯丝,之间的作用空间内产生,并通过天线15传输到该系统。
由于铅导体24、25容易与高压输入装置分离并且绝缘管26、27移动,因而用于现有磁控管的高压输入装置的不利之处在于,绝缘管26、27需要紧固地固定,并且,在所述高压输入装置上施加有外力时,铅导体24、25易于被损坏和从该装置的主体上分离。
发明内容
因此,本发明致力于解决上述问题,并且,本发明的一个目的在于,提供一种用于磁控管的高压输入装置,其防止了铅导体意外地与所述装置的主体分离。
本发明的另一方面在于提供一种简便、结实地组装的磁控管高压输入装置。
本发明的另一方面在于提供一种磁控管的高压输入装置,该装置将磁控管运行时产生的高频电磁波的逸出减到最小。
根据本发明的一个方面,能够通过提供一种用于磁控管的高压输入装置来实现上述和其它目的,所述装置包括:一对铅导体,其包括铅接头(lead taps)和第一突起;绝缘器,其被构造为中空的,以使铅导体沿纵向穿过,还包括膨胀部分,所述膨胀部分具有增加的厚度和用于容纳第一突起的凹槽;绝缘盒,包括容纳膨胀部分的桶状单元,以及具有第一通孔的板状单元,所述第一通孔用于卡住第一突起或膨胀部分并使铅接头从其中穿过;还包括接地金属,其与桶状单元相连接,具有第二通孔,所述第二通孔用于使绝缘器除膨胀部分以外的部分从其中穿过。
优选的是,接地金属包括槽单元,桶状单元以压配合的方式插入该槽中。
而且,优选的是,钩状件形成于绝缘盒的桶状单元上;并且用于使钩状件从其中穿过并将所述钩状件卡住的孔穿过接地金属形成。
根据本发明的另一方面,提供一种用于磁控管的高压输入装置,其包括:一对包括铅接头和第一突起的铅导体;绝缘器,所述绝缘器中空,以使铅导体沿纵向从其中穿过,所述绝缘器包括具有增大的厚度的膨胀部分和用于容纳第一突起的槽;绝缘盒,所述绝缘盒包括容纳膨胀部分并具有第二突起的桶状单元,还包括具有第一通孔的板状单元,所述第一通孔用于卡住第一突起或膨胀部分,并使铅接头从其中穿过;接地金属,所述接地金属包括用于使绝缘器除膨胀部分之外的其它部分从其中穿过的第二通孔;和滤波器盒,所述滤波器盒包括第三通孔,该通孔用于使绝缘盒的桶状单元从其中穿过,并使第二突起被卡住,接地金属被安装于其上。
优选的是,接地金属可以包括与滤波器盒相接触的板状主体单元;以及以阶梯形式形成于板状主体内、用于接收第二突起的接收单元;以及第二突起,在第二突起由接收单元接收时,可以与板状主体单元共面。
而且,优选的是,钩状件可以形成于第二突起上;用于使所述钩状件从其中穿过并卡住所述钩状件的孔可以穿过接收单元形成。
而且,优选的是,膨胀部分的端部可以在纵向上缩进凹槽;而高频吸收器可以插入到膨胀部分与绝缘盒的板状单元之间。
根据本发明的又一方面,提供了一种用于磁控管的高压输入装置,所述装置包括:一对铅导体,其包括铅接头和第一突起;高频吸收器,其包括用于使铅导体分别地从其中穿过的第一通孔和用于卡住第一突起的凹槽;绝缘器,其构造为中空的,用于使铅导体沿纵向从其中穿过,所述绝缘器包括具有增加的厚度的膨胀部分;绝缘盒,其包括容纳高频吸收器和膨胀部分的桶状单元,以及具有第二通孔的板状单元,所述第二通孔用于卡住高频吸收器或第一突起并使铅接头从其中穿过;以及具有第三通孔的接地金属,所述接地金属与桶状单元相连接,第三通孔用于使绝缘盒除膨胀部分之外的部分从其中穿过。
优选的是,接地金属可以包括凹槽元件,桶状单元以压配合方式插入其中。
而且,优选的是,钩状件可以形成于桶状单元上;用于使钩状件从其中穿过并卡住钩状件的孔可以穿过接地金属形成。
而且,优选的是,第二突起可以形成于桶状单元上;高压输入装置还可以包括具有第四通孔的滤波器盒,所述第四通孔用于使绝缘盒的桶状单元从其中穿过,并使第二突起被卡住。
优选的是,接地金属可以包括与滤波器盒相接触的板状主体单元;以及以阶梯形式形成于板状主体内,用于接收第二突起的接收单元;以及第二突起,在第二突起由接收单元接收时,可以与板状主体单元共面。
而且,优选的是,高压输入装置可以还包括分别插入于绝缘器内的金属导件,以使得部分绝缘器插在铅导体之间,金属导件连接接地金属。
而且,优选的是,高频吸收器可以插入于接地金属和膨胀部分之间。
附图说明
根据下面结合附图的详细说明会更清楚地理解本发明的上述和其它目的、特性和其它优点,在附图中:
图1是现有磁控管的截面视图;
图2是用于现有磁控管的高压输入装置的截面视图;
图3是根据本发明的第一实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图4是根据本发明的第一实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图;
图5是根据本发明的第二实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图6是根据本发明的第二实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图;
图7是根据本发明的第三实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图8是根据本发明的第三实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图;
图9是根据本发明的第四实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图10是根据本发明的第四实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图;
图11是根据本发明的第五实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图12是根据本发明的第五实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图;
图13是根据本发明的第六实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图14是根据本发明的第六实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图;
图15是根据本发明的第七实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图16是根据本发明的第七实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图;
图17是根据本发明的第八实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图18是根据本发明的第八实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图;
图19是根据本发明的第九实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图20是根据本发明的第九实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图;
图21是根据本发明的第十实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图22是根据本发明的第十实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图;
图23是根据本发明的第十一实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;
图24是根据本发明的第十一实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
具体实施方式
下面,结合附图详细说明本发明的优选实施例。
图3是根据本发明的第一实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图;图4是根据本发明的第一实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图3和图4所示,根据第一实施例的高压输入装置包括一对铅导体50、52,它们具有分别形成于其上的铅接头54、56和第一突起58、60。
铅导体50、52为杆状,铅接头54、56从铅导体50、52的端部沿纵向伸出并呈方柱状。
第一突起58、60从铅导体50、52的端部50a和52a的侧表面沿厚度方向伸出,铅接头54、56从所述的铅导体50、52的端部50a和52a伸出。
第一突起58和60可以从铅导体50、52的整个圆周伸出,以使得第一突起58、60呈盘状。优选的是,第一突起58和60从铅导体50、52的部分圆周伸出,以使得第一突起58、60沿转动方向固定到绝缘器62、64,这将在下面进行说明。
一对铅导体50、52,用于为磁控管提供高压,由金属制成,并为绝缘器62、64所包绕。
绝缘器62、64由围绕铅导体50、52的环氧树脂制成,并具有足够的耐压。能够通过将铅导体50、52从其中穿过来设置一个绝缘器,而通过将铅导体50、52分别地从其中穿过,能够使得两绝缘器62、64彼此分开地设置。
在设置了一个绝缘器的情况下,能够防止铅导体50、52在没有任何单独结构的情况下摇动。在设置了彼此分开的两个绝缘器的情况下,能够降低绝缘器62、64之间间隔的材料成本。下面,为便于说明,使用两个绝缘器62、64。
绝缘器62、64是中空的,以使得铅导体50、52分别地沿纵向从绝缘器62、64中穿过。
具有增加的厚度的膨胀部分66、68分别地形成于绝缘器62、64的指定部分上。
膨胀部分66、68以一种阶梯结构从绝缘器62、64的其它部分70、72(称为“收缩部分”)膨胀出来。
也就是说,膨胀部分66、68的内径与收缩部分70、72的内径相同,而膨胀部分66、68的外径则与收缩部分70、72的外径不同。
槽74、76形成于膨胀部分66、68的端部,第一突起58、60在铅导体50、52的向下方向(A)上被该槽卡住。
在第一突起58、60呈盘状的情形下,槽74、76呈盘状,以使得第一突起58、60固定地插入到槽74、76中,而在第一突起58、60具有从铅导体50、52的部分圆周伸出的给定形状的情形下,槽74、76具有与第一突起58、60相同的形状,以使得第一突起58、60插入到槽74、76之中并被槽74、76在转动方向上卡住。
绝缘器62、64的长度比铅导体50、52短,以在铅导体50、52从绝缘器62、64中穿过时,使得铅接头54、56和铅导体50、52与铅接头54、56相对的另一端部50b、52b露在外面。
也就是说,在铅导体50、52插入到绝缘器62、64中时,第一突起58、60被槽74、76卡住,从而防止了铅导体50、52过度地插入绝缘器62、64中,并使得铅接头54、56和铅导体50、52与铅接头54、56相对的端部50b、52b由绝缘器62、64所围绕。
高压输入装置还包括绝缘盒92,其具有膨胀部分66、68插入其中的桶状单元86;还具有在向上的方向上卡住第一突起58、60或膨胀部分66、68的板状单元90,该板状单元具有第一通孔87、88,用于使铅接头54、56从其中穿过。
桶状单元86的内表面的至少一部分具有相应于膨胀部分的外圆周的一部分的形状,以使得膨胀部分66、68的外圆周与桶状单元86的内表面相接触。
板状单元90一体地形成于桶状单元86的内圆周的一端。
高压输入装置还包括接地金属102,其包括槽单元102b,第二突起82以压配合的方式插入其中,所述槽单元与绝缘盒92相连接;以及第二通孔98、100,绝缘器62、64的收缩部分70、72从所述第二通孔中穿过,所述第二通孔将膨胀部分66、68在向下方向(A)上固定。
接地金属102包括板状主体单元102a,以及形成于板状主体单元102a中的槽单元102b,桶状单元86以压配合的方式插入其中。槽单元102b具有与桶状单元86相同的形状,以使得桶状单元86以压配合的方式插入于槽单元102b中。
下面将详细说明上述高压输入装置的组装过程。
在铅导体50、52分别地插入到绝缘器62、64中时,绝缘器62、64的槽74、76将铅导体50、52的第一突起58、60卡住,并且,铅接头54、56和铅导体50、52与铅接头54、56相对的端部50b、52b露在绝缘器62、64外面。
接着,当绝缘器62、64的膨胀部分66、68和铅导体50、52插入到绝缘盒92的桶状单元86中而铅导体50、52的铅接头54、56穿过在绝缘盒92的板状单元90中形成的第一通孔87、88时,铅接头54、56从其中伸出的铅导体50、52的端部50a、52a以及第一突起58、60在向上方向(B)上固定于绝缘盒92的板状单元90的一端。
在上述状态下,当铅导体50、52与铅接头54、56相对的端部50b、52b以及绝缘器62、64的收缩部分70、72穿过接地金属102的第二通孔98、100,并且桶状单元86以压配合的方式插入到接地金属102的槽单元102b中时,绝缘器62、64的膨胀部分66、68就被绝缘盒92的桶状单元86和板状单元90以及接地金属102围绕,并分别地在向上(B)和向下的方向(A)上被板状单元90和接地金属102卡住。
在沿向上的方向(B)拉铅导体50、52的铅接头54、56或如上述组装的高压输入装置的绝缘盒92时,具有铅接头54、56和第一突起58、60的铅导体50、52的端部50a、52a被绝缘盒92的板状单元90的一个表面卡住,从而防止了与板状单元90彼此分开。而且,绝缘盒92的桶状单元86插入到接地金属102中,从而防止了与接地金属102分开。
另一方面,在沿向下的方向(A)拉铅导体50、52的与铅接头54、56相对的端部50b、52b时,绝缘器62、64的槽74、76在向下的方向(A)上卡住铅导体50、52的第一突起58、60,而接地金属102在向下的方向(A)上卡住绝缘器62、64的膨胀部分66、68。从而,防止了铅导体50、52与绝缘器62、64分开,防止了绝缘器62、64与接地金属102分开。
图5是根据本发明的第二实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图,而图6是根据本发明的第二实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图5和图6所示,根据第二实施例的高压输入装置还包括从绝缘盒92的桶状单元86伸出的钩状件78、80,以及在接地金属102中形成、用于使钩状件78、80从其中穿过的孔94、96。根据第二实施例的高压输入装置除钩状件以外的其它部分基本上与根据第一实施例的高压输入装置相同,尽管在不同的附图中描述它们,还是采用了相同的附图标号。因此,对其的详细说明被认为是不必要的,故而在此省略。
至少设置两个钩状件78、80,它们从桶状单元86的圆周沿向下的方向(A)伸出。
接地金属102可以设置有槽单元102b(图3和图4中),用于以第一实施例中所述的压配合方式将第二突起92固定,或者可以设置有接收单元102b’,用于接收第二突起92。
在槽单元102b(图3和图4中)形成于接地金属102中的情形下,槽单元102b(图3和图4中)具有与桶状单元86相同的尺寸,在接收单元102b’形成于接地金属102中的情形下,接收单元102b’具有比桶状单元86大的尺寸。
也就是说,在本发明的高压输入装置的绝缘盒92和接地金属102之间的连接可以通过将钩状件78、80插入到孔94、96而实现,可以通过将桶状单元86以压配合的方式插入到形成于接地金属102中的槽单元102b(图3和图4中)并将钩状件78、80插入到孔94、96而实现,或者通过将桶状单元86设置到形成于接地金属102中的接收单元102b’中并将钩状件78、80插入到孔94、96而实现。
图7是根据本发明的第三实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图。图8是根据本发明的第三实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图7和图8所示,根据第三实施例的高压输入装置还包括形成于绝缘盒92的桶状单元86上的第二突起82,还包括滤波器盒106,其具有第三通孔104,所述第三通孔用于使绝缘盒92的桶状单元86从其中穿过,将第二突起82在向上的方向(B)上固定,并安装接地金属102。根据第三实施例的高压输入装置除第二突起82和滤波器盒106以外的其它部分基本上与根据第一实施例的高压输入装置相同,尽管在不同的附图中描述它们,但还是采用了相同的附图标号。因此,对其的详细说明被认为是不必要的,故而在此省略。
连接孔103、107分别穿过接地金属102和滤波器盒106的相应位置形成。接地金属102和滤波器盒106可以通过将锁定元件108,例如螺栓,插入到连接孔103、107来彼此固定,或者通过形成从连接孔103、107其中一个伸出的钩状件并将所述钩状件插入到连接孔103、107中的另一个内来彼此固定。
接地金属102包括与滤波器盒106相接触的板状单元102a,以及形成于板状单元102a内、用于接收第二突起82的接收单元102b’。接收单元102b’的高度与第二突起82的厚度相同。
也就是说,在接收单元102b’接收第二突起82时,第二突起82与板状单元102a共面。
在第三实施例的高压输入装置的绝缘盒92的桶状单元86穿过滤波器盒106的第三通孔104时,绝缘盒92的第二突起82与接地金属102和滤波器盒106的一个表面部分地相重叠,并被滤波器盒106的一个表面和接地金属102在向上的方向(B)和向下的方向(A)上卡住。而且,在锁定元件108插入到接地金属102和滤波器盒106的连接孔103、107中时,接地金属102固定到滤波器盒106上。
图9是根据本发明的第四实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图,而图10是根据本发明的第四实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图9和图10所示,根据第四实施例的高压输入装置还包括从第二突起82伸出的钩状件78、80,以及穿过接收单元102b’形成的孔94、96,该孔用于使钩状件78、80从其中穿过。根据第四实施例的高压输入装置在钩状件78、80和孔94、96以外的其它部分基本上与根据第三实施例的高压输入装置相同,尽管在不同的附图中描述它们,但还是采用了相同的附图标号。因此,对其的详细说明被认为是不必要的,故而在此省略。
图11是根据本发明的第五实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图,而图12是根据本发明的第五实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图11和图12所示,根据第五实施例的高压输入装置包括一对铅导体150、152,所述铅导体包括铅接头154、156和第一突起158、160;还包括高频吸收器161,所述高频吸收器包括分别使铅导体150、152从其中穿过的第一通孔161a、161b,以及分别在向下的方向(A)上接收第一突起158、160的槽161c、161d。
铅导体150、152呈杆状,铅接头154、156沿纵向从铅导体150、152的端部150a、152a伸出,并呈方柱状。
第一突起158、160从铅导体150、152的端部150a、152a的侧表面伸出,从此处,铅接头54、56沿厚度方向伸出。
第一突起158、160可以从铅导体150、152的整个圆周伸出,以使得第一突起158、160呈盘状。优选的是,第一突起158、160从铅导体150、152的部分圆周伸出,以使得第一突起158、160在转动方向上被高频吸收器161卡住。
一对铅导体150、152用于为磁控管提供高压,由金属制成。
高频吸收器161由铁氧体制成。
在第一突起158、160呈盘状的情形下,槽161c、161d呈盘状,以使得第一突起158、160固定地插入到槽161c、161d,而在第一突起158、160具有从铅导体158、160的部分圆周伸出的给定形状时,槽161c、161d具有与第一突起158、160相同的形状,以使得第一突起158、160插入到槽161c、161d中,并在转动方向上被槽161c、161d卡住。
绝缘器162、164围绕一对铅导体150、152。
绝缘器162、164围绕铅导体50、52,并具有足够的耐压。可以设置得使铅导体150、152穿过一个绝缘器,也可是设置得使铅导体150、152分别地穿过上述两个绝缘器162、164,以使得两个绝缘器162、164彼此分开。下面,为便于说明,使用两个绝缘器162、164。
绝缘器162、164是中空的,以使得铅导体150、152分别沿纵向从绝缘器162、164中穿过。具有增加的厚度的膨胀部分166、168分别地形成于绝缘器162、164的指定部分上。膨胀部分166、168以一种阶梯结构从绝缘器162、164的其它部分170、172(称为“收缩部分”)膨胀出来。
绝缘器162、164的长度比铅导体150、152短,以在铅导体150、152插入到绝缘器162、164中时,使得铅接头154、156和铅导体150、152与铅接头154、156相对的另一端150b、152b露在外面。
高压输入装置还包括绝缘盒192,其包括桶状单元186,其中插有高频吸收器161和绝缘器162、164的膨胀部分166、168;还包括板状单元190,第一突起158、160或高频吸收器161被该板状单元在向上的方向(B)上卡住;所述绝缘盒上设置有第二通孔187、188,用于使铅接头154、156从其中穿过。
桶状单元186的内表面的至少一部分具有与膨胀部分166、168的外圆周的一部分相应的形状,以使得膨胀部分166、168的外圆周与桶状单元186的内表面相接触。
板状单元190与桶状单元186内圆周的一端一体地形成。
所述高压输入装置还包括接地金属202,所述接地金属包括槽单元202b,桶状单元186以压配合的方式插入所述槽单元中,所述槽单元与绝缘盒192相结合;所述接地金属还包括第三通孔198、200,绝缘器162、164的收缩部分170、172从所述第三通孔中穿过,所述第三通孔固定膨胀部分166、168。
接地金属202包括板状主体单元202a,和形成于板状主体单元202a上的槽单元202b,桶状单元186以压配合的方式插入到槽单元内。槽单元202b的尺寸与桶状单元186相同,以使得桶状单元186以压配合的方式插入到槽单元202b内。
槽单元202b缩进板状主体单元202a的表面内的尺寸与桶状单元186的尺寸相同。
下面将详细说明上述高压输入装置的组装过程。
在铅导体150、152分别插入到高频吸收器161的第一通孔161a、161b内,并且铅导体150、152的第一突起158、160被卡在高频吸收器161的槽161c、161d中时,铅导体150、152被高频吸收器161在向下的方向(A)上卡住。
然后,在铅导体150、152分别插入绝缘器162、164内时,铅导体150、152在铅接头154、156以及铅导体150、152与铅接头154、156相对的端部150b、152b之外的其它部分被高频吸收器161和绝缘器162、164所围绕。
然后,在铅导体150、152、高频吸收器161以及绝缘器162、164的膨胀部分166、168插入到绝缘盒192的桶状单元186内,并且铅导体150、152的铅接头154、156从穿过绝缘盒192的板状单元190形成的第二通孔187、188穿过时,铅导体150、152使铅接头154、156从其上突出的端部150a、152a与第一突起158、160在向上的方向(B)上固定到绝缘盒192的板状单元190的一个表面,并且高频吸收器161在向上的方向(B)上固定到绝缘盒192的板状单元190的一个表面。
在上述状态下,在铅导体150、152与铅接头154、156相对的端部150b、152b以及绝缘器162、164的收缩部分170、172穿过接地金属202的第二通孔198、200,并且桶状单元186以压配合的方式插入到接地金属202的槽单元202b内时,绝缘盒192以压配合的方式固定于接地金属202上,高频吸收器161和绝缘器162、164的膨胀部分166、168被桶状单元186、绝缘盒192的板状单元190和接地金属202围绕,并分别在向上的方向(B)和向下的方向(A)上被板状单元190和接地金属202卡住。
在铅导体150、152的铅接头154、156或以上述方式组装的高压输入装置的绝缘盒192被在向上的方向(B)上拉动时,铅导体150、152具有铅接头154、156和第一突起158、160的端部150a、152a被绝缘盒192的板状单元190的一个表面在向上的方向(B)上卡住,从而防止了它们与板状单元190分开。而且,绝缘盒192的桶状单元186插入到接地金属202内,从而防止了其与接地金属202分开。
另一方面,当在向下的方向(A)上拉动铅导体150、152与铅接头154、156相对的端部150、152时,铅导体150、152的第一突起158、160被高频吸收器161的槽161c、161d在向下的方向(A)上卡住,而绝缘器162、164的膨胀部分166、168被接地金属202在向下的方向(A)上卡住。从而,防止了铅导体150、152与绝缘器162、164分开,并防止了绝缘器162、164与接地金属202分开。
图13是根据本发明的第六实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图,图14是根据本发明的第六实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图13和图14所示,根据第六实施例的高压输入装置还包括钩状件178、180,所述钩状件从绝缘盒192的桶状单元186突出;孔194、196,所述孔穿过接地金属202形成,以使钩状件178、180从其中穿过。根据第六实施例的高压输入装置除钩状件178、180和孔194、196之外的其它部分基本上与根据第五实施例的高压输入装置相同,尽管在不同的附图中描述它们,但还是采用了相同的附图标号。因此,对其的详细说明被认为是不必要的,故而在此省略。
钩状件178、180被设置为至少两个,并在向下的方向(A)上从桶状单元186的圆周上突出。
接地金属202可以为与桶状单元186的一个表面相接触的平板,可以具有槽单元202b,所述槽单元用于以第五实施例中所描述的压配合的方式固定于桶状单元186,或者可以具有接收单元202b’,所述接收单元用于以第六实施例中所述方式接收桶状单元186。
在槽单元202b(如图9和图10所示)形成于接地金属202内时,槽单元202b(如图9和图10所示)的尺寸与桶状单元186相同,而在接收单元202b’形成于接地金属202内时,接收单元202b’的尺寸大于桶状单元186的尺寸。
图15是根据本发明的第七实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图,图16是根据本发明的第七实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图15和图16所示,根据第七实施例的高压输入装置还包括第二突起182,所述第二突起形成于绝缘盒192的桶状单元186上,和滤波器盒206,所述滤波器盒具有第四通孔204,所述第四通孔用于使绝缘盒192的桶状单元186从其中穿过,将第二突起182在向上的方向(B)上固定,并将接地金属202安装于其上。根据第七实施例的高压输入装置除了滤波器盒206之外的其它部分基本上与根据第五实施例的高压输入装置相同,尽管在不同的附图中描述它们,但还是采用了相同的附图标号。因此,对其的详细说明被认为是不必要的,故而在此省略。
连接孔203、207分别形成为穿过接地金属202和滤波器盒206的相应位置。接地金属202和滤波器盒206可以通过将例如螺栓的锁定部件208插入连接孔203、207而彼此固定,或者通过形成从连接孔203、207其中一个突出来的钩状件并将所述钩状件插入连接孔203、207中的另一个孔而彼此固定。
接地金属202包括与滤波器盒206相接触的板状单元202a,还包括形成于板状单元202b内用于接收第二突起182的接收单元202b’。所述接收单元的高度与第二突起182的厚度相同。
也就是说,在第二突起182由接收单元202b’接收时,第二突起182与板状单元202a共面。
在第七实施例的高压输入装置的绝缘盒192的桶状单元186从滤波器盒206的第四通孔204穿过时,绝缘盒192的第二突起182与接地金属202和滤波器盒192部分地重叠,并在向上的方向(B)和向下的方向(A)上被滤波器盒206的一个表面卡住。而且,在锁定部件208插入到接地金属202和滤波器盒206的连接孔203、207内时,接地金属202固定到滤波器盒206。
图17是根据本发明的第八实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图,图18是根据本发明的第八实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图17和图18所示,根据第八实施例的高压输入装置还包括钩状件178、180,所述钩状件从第二突起182突出;孔194、196,所述孔形成为穿过用于使钩状件178、180从其中穿过的接收单元102b’。根据第八实施例的高压输入装置除钩状件178、180和孔194、196之外的其它部分基本上与根据第七实施例的高压输入装置相同,尽管在不同的附图中描述它们,但还是采用了相同的附图标号。因此,对其的详细说明被认为是不必要的,故而在此省略。
图19是根据本发明的第九实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图,图20是根据本发明的第九实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图19和图20所示,根据第九实施例的高压输入装置还包括插入于绝缘器62、64内的金属导件110、112,以使得部分绝缘器62、64分别插入铅导体50、52之间。根据第九实施例的高压输入装置除金属导件110、112之外的其它部分基本上与根据第一到第八实施例的高压输入装置相同,尽管在不同的附图中描述它们,但还是采用了相同的附图标号。因此,对其的详细说明被认为是不必要的,故而在此省略。
金属导件110、112与接地金属102相连接或与其一体地相结合,以使得插入铅导体50、52和金属导件110、122之间的内部绝缘器66’、68’具有有指定值的电容器。
也就是说,插入铅导体50、52和金属导件110、122之间的内部绝缘器66’、68’是LC滤波器的组成部分,所述LC滤波器用于屏蔽磁控管工作时产生的噪声。
优选的是,设置有两个金属导件110、112,以使得金属导件110、112分别插入于绝缘器62、64内。金属导件110、112与接地金属102相连接或形成于其上,以使得金属导件110、112与接地金属102的第二通孔98、100的内表面相连通。从而,绝缘器62、64的收缩部分70、72分别穿过金属导件110、112,金属导件插入到绝缘器62、64的膨胀部分66、68内。
用于将金属导件110、112容纳于其中的接收槽66a、68a纵向地形成于绝缘器62、64的膨胀部分66、68内。
接收槽66a、68a和金属导件110、112呈管状。
在根据第九实施例的高压输入装置的金属导件110、112定位为使得金属导件110、112的内表面与接地金属102的第二通孔98、100相连通后,金属导件110、112的端部就以焊接的方式固定到接地金属102。
然后,当绝缘器62、64的收缩部分70、72分别插入金属导件110、112时,绝缘器62、64的收缩部分70、72顺次地穿过金属导件110、112和接地金属102的第二通孔98、100,而金属导件110、112分别插入到形成于绝缘器62、64的膨胀部分66、68内的接收槽66a、68a中。
插入于接收槽66a、68a内的金属导件110、112使内部绝缘器66’、68’在磁控管工作时具有一个电容值,并将绝缘器62、64的膨胀部分66、68固定,从而牢固地固定绝缘器62、64。
图21是根据本发明的第十实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图。图22是根据本发明的第十实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图21和图22所示,根据第十实施例的高压输入装置包括插入于绝缘器62、64的膨胀部分66、68和接地金属102之间的高频吸收器120。根据第十实施例的高压输入装置除高频吸收器120之外的其它部分基本上与根据第一到第九实施例中任意一个的高压输入装置相同,尽管在不同的附图中描述它们,但还是采用了相同的附图标号。因此,对其的详细说明被认为是不必要的,故而在此省略。
第十实施例的绝缘器62、64的膨胀部分66、68的长度比第一到第九实施例的绝缘器的膨胀部分的长度短一个高频吸收器120的厚度,所述膨胀部分被高频吸收器在向下的方向(A)上卡住。
高频吸收器120是包括通孔122、124的板状体,绝缘器62、64的收缩部分70、72从所述通孔中穿过。
高频吸收器120具有相应于桶状单元86内部形状的指定形状,以使得高频吸收器120插入于绝缘盒92内的桶状单元86。
高频吸收器120由铁氧体制成。
下面将详细说明根据第十实施例的上述高压输入装置的组装过程。
首先,铅导体50、52分别插入到绝缘器62、64内,绝缘器62、64的膨胀部分66、68插入到绝缘盒92的桶状单元86内。然后,当高频吸收器120插入到绝缘盒92的桶状单元86并且绝缘器62、64的收缩部分70、72穿过高频吸收器120的通孔122、124时,高频吸收器120与绝缘器62、64的膨胀部分66、68一起设置到绝缘盒92的桶状单元86的内部。
然后,当绝缘盒92以选自第一至第四实施例所述方法中的任一方法固定于接地金属102时,绝缘器62、64的膨胀部分66、68和高频吸收器120被绝缘盒92和接地金属102围绕。
在磁控管工作时,第十实施例的高压输入装置所产生的、通过接地金属102的高频电磁波被高频吸收器120吸收/屏蔽。
图23是根据本发明的第十一实施例的用于磁控管的高压输入装置的截面视图。图24是根据本发明的第十一实施例的用于磁控管的高压输入装置的分解透视图。
如图23和图24,根据第十一实施例所示的高压输入装置包括沿纵向形成于绝缘器62、64的膨胀部分66、68的端部的槽74、76,以及插入于绝缘器62、64和绝缘盒92的板状单元90之间的膨胀部分66、68的高频吸收器130。根据第十一实施例的高压输入装置除槽74、76和高频吸收器130以外的其它部分基本上与根据第一、第四、第九或第十实施例的高压输入装置相同,尽管在不同的附图中描述它们,还是采用了相同的附图标号。因此,对其的详细说明被认为是不必要的,故而在此省略。
第十一实施例的绝缘器62、64的膨胀部分66、68的长度比第一、第四、第九或第十实施例的绝缘器的膨胀部分短一个高频吸收器130的厚度,第十一实施例的所述膨胀部分被高频吸收器在向下的方向(A)上卡住。
高频吸收器130是具有通孔132、134的板状体,铅导体50、52和槽74、76可以从其中穿过。
高频吸收器130具有相应于桶状单元86内部形状的指定形状,以使得高频吸收器130插入于绝缘盒92的桶状单元86中。
高频吸收器130由铁氧体制成。
下面将详细说明根据本发明第十一实施例的上述高压输入装置的组装过程。
首先,当高频吸收器130插入于绝缘盒92的桶状单元86中时,高频吸收器被绝缘盒92的板状单元90卡住。
然后,分别地将铅导体50、52插入到绝缘器62、64中,将绝缘器62、64的膨胀部分66、68插入到绝缘盒92的桶状单元86。
这时,铅导体50、52的铅接头54、56依次地穿过高频吸收器130的通孔132、134和穿过绝缘盒92的板状单元90形成的第一通孔87、88,并从绝缘盒92突出。铅导体50、52使铅接头54、56从其上突出的端部50a、52a、第一突起58、60和绝缘器62、64的槽74、76设置于高频吸收器130的通孔132、134内部,并被绝缘盒92的盘状元件90的一个表面在向上的方向(B)上卡住。
然后,当绝缘盒92以选自第一至第四实施例所述方法中的任一方法固定于接地金属102时,高频吸收器130和绝缘器62、64的膨胀部分66、68被绝缘盒92和接地金属102围绕。该组装过程此后的其它步骤基本上与第一到第三实施例中任一实施例相同,因而对其的详细说明是不必要的,在此从略。
在磁控管工作时,第十一实施例的高压输入装置所产生的高频电磁波通过接地金属102输入到绝缘盒92,并被高频吸收器130吸收/屏蔽。
根据上述显而易见的是,本发明提供了一种用于磁控管的高压输入装置,其中,铅导体上形成的突起被绝缘器和绝缘盒卡住,接地金属与绝缘盒相连接,形成于绝缘器上的膨胀部分被绝缘盒和接地金属卡住,从而使得铅导体牢固地固定于绝缘器和绝缘盒,并防止铅导体与绝缘器和绝缘盒分开。
本发明的高压输入装置还包括形成于绝缘盒上并通过钩状件与接地金属相连接的桶状单元,从而容易而牢固地组装。
本发明的高压输入装置包括形成于绝缘盒上并被接地金属盒滤波器盒卡住的第二突起,从而防止了绝缘盒摇动或与接地金属盒滤波器盒分开。
本发明的高压输入装置还包括插入于绝缘器内的金属导件,以使得绝缘器的一部分插入于铅导体之间,从而使绝缘器的一部分在磁控管工作时具有指定的电容值并构成LC滤波器的组成部分,并使金属导件可以固定绝缘器以稳定地支持铅导体和绝缘器。
本发明的高压输入装置还包括高频吸收器,从而将磁控管工作时产生的高频电磁波的逸出减到最小。
尽管以示例性的目的公开了本发明的优选实施例,本领域技术人员应当理解,在不脱离由所附权利要求所公开的本发明的范围和实质的情形下,各种修改、添加和删除都是可能的。

Claims (14)

1.一种用于磁控管的高压输入装置,其包括:
一对铅导体,所述铅导体包括铅接头和第一突起;
绝缘器,所述绝缘器中空以用于使铅导体沿纵向穿过,并包括具有增大厚度的膨胀部分和用于接收第一突起的槽;
绝缘盒,所述绝缘盒包括容纳膨胀部分的桶状单元,还包括具有用来卡住第一突起或膨胀部分并使铅接头从其中穿过的第一通孔的板状单元;和
接地金属,所述接地金属与桶状单元相连接,包括用于使绝缘器除膨胀部分之外的其它部分从其中穿过的第二通孔。
2.根据权利要求1所述的高压输入装置,其中接地金属包括槽单元,桶状单元以压配合的方式插入该槽中。
3.根据权利要求1所述的高压输入装置,其中:
钩状件形成于绝缘盒的桶状单元上;并且
用于使钩状件从其中穿过并将所述钩状件卡住的孔穿过接地金属形成。
4.一种用于磁控管的高压输入装置,其包括:
一对包括铅接头和第一突起的铅导体;
绝缘器,所述绝缘器中空,以使铅导体沿纵向从其中穿过,所述绝缘器包括具有增大的厚度的膨胀部分和用于容纳第一突起的槽;
绝缘盒,所述绝缘盒包括容纳膨胀部分并具有第二突起的桶状单元,还包括具有第一通孔的板状单元,所述第一通孔用于卡住第一突起或膨胀部分,并使铅接头从其中穿过;
接地金属,所述接地金属包括用于使绝缘器除膨胀部分之外的其它部分从其中穿过的第二通孔;和
滤波器盒,所述滤波器盒包括第三通孔,该通孔用于使绝缘盒的桶状单元从其中穿过,并使第二突起被卡住,接地金属被安装于其上。
5.根据权利要求4所述的高压输入装置,其中:
接地金属包括与滤波器盒相接触的板状主体单元,还包括形成于板状主体内、呈台阶状的接收单元,所述接收单元用于接收第二突起;和
当第二突起容纳于接收单元内时,第二突起与板状主体单元共面。
6.根据权利要求4所述的高压输入装置,其中:
钩状件形成于第二突起上;并且
用于使钩状件从其中穿过并将该钩状件卡住的孔穿过接收单元形成。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的高压输入装置,其中:
膨胀部分的端部沿纵向缩进槽中;并且
高频吸收器插入于膨胀部分和绝缘盒的板状单元之间。
8.一种用于磁控管的高压输入装置,包括:
一对包括铅接头和第一突起的铅导体;
高频吸收器,所述高频吸收器包括使铅导体从其中分别穿过的第一通孔和用于卡住第一突起的槽;
绝缘器,所述绝缘器中空,以使铅导体沿纵向从其中穿过,所述绝缘器包括具有增大的厚度的膨胀部分;
绝缘盒,所述绝缘盒包括容纳高频吸收器和膨胀部分的桶状单元,还包括具有第二通孔的板状单元,所述第二通孔用于卡住高频吸收器或第一突起,并使铅接头从其中穿过;和
接地金属,所述接地金属包括第三通孔,接地金属与桶状单元相连接,第三通孔用于使绝缘器除膨胀部分之外的其它部分从其中穿过。
9.根据权利要求8所述的高压输入装置,
其中接地金属包括槽单元,桶状单元以压配合的方式插入该槽中。
10.根据权利要求8所述的高压输入装置,其中:
钩状件形成于绝缘盒的桶状单元上;并且
用于使钩状件从其中穿过并将所述钩状件卡住的孔穿过接地金属形成。
11.根据权利要求8所述的高压输入装置,其中:
第二突起形成于桶状单元上;并且
高压输入装置还包括滤波器盒,所述滤波器盒包括用于使绝缘器盒的桶状单元从其中穿过并使第二突起被卡住的第四通孔。
12.根据权利要求11所述的高压输入装置,其中:
接地金属包括与滤波器盒相接触的板状主体单元,还包括以阶梯形式形成于板状主体上、用于容纳第二突起的接收单元;并且
在第二突起容纳于接收单元内时,第二突起与板状主体单元共面。
13.根据权利要求1到6和8到12中任一项所述的高压输入装置,还包括分别插入于绝缘器内的金属导件,以使得部分绝缘器插在铅导体之间,金属导件与接地金属相连接。
14.根据权利要求1至6和8至12中任一项所述的高压输入装置,其中高频吸收器插入于接地金属和膨胀部分之间。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109860005A (zh) * 2018-09-28 2019-06-07 甘肃虹光电子有限责任公司 一种无磁引线接头及其制造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006086405A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 貫通型コンデンサ及びマグネトロン
GB2489220B (en) * 2011-03-17 2018-02-07 E2V Tech (Uk) Limited Magnetron
GB2579466B (en) * 2020-01-24 2021-09-01 First Light Fusion Ltd Vacuum chamber seal

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4370698A (en) * 1979-10-08 1983-01-25 Tdk Electronics Co., Ltd. Through type high-withstand-voltage ceramic
EP0259766B1 (en) 1986-09-11 1992-09-16 TDK Corporation Through-type capacitor and magnetron using same
JPS63139752A (ja) 1986-12-02 1988-06-11 Fuji Xerox Co Ltd 粒体画像記録装置
US5032949A (en) 1988-06-07 1991-07-16 Tdk Corporation High-voltage through-type ceramic capacitor
JPH0238725A (ja) 1988-07-27 1990-02-08 Toyoda Mach Works Ltd 駆動力伝達装置
US5600531A (en) * 1993-09-18 1997-02-04 Daewoo Electronics Co., Ltd. Capacitor for magnetron of microwave oven
JP3093544B2 (ja) * 1993-12-27 2000-10-03 松下電子工業株式会社 高電圧コンデンサおよびマグネトロン装置
JP2756416B2 (ja) * 1994-05-27 1998-05-25 大宇電子株式會▲社▼ 電子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置
JP3473795B2 (ja) * 1995-05-22 2003-12-08 Tdk株式会社 高電圧コンデンサ及びマグネトロン
JPH1092693A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Tdk Corp 貫通型セラミックコンデンサ
JPH10149948A (ja) 1996-11-19 1998-06-02 Tdk Corp 高電圧貫通形コンデンサ
JP3248619B2 (ja) * 1999-03-05 2002-01-21 ティーディーケイ株式会社 高電圧貫通型コンデンサ及びマグネトロン
JP2002352739A (ja) 2001-05-30 2002-12-06 Sanyo Electric Co Ltd マグネトロン
JP2003242899A (ja) 2002-02-06 2003-08-29 Daewoo Electronics Corp 電子レンジのキャパシタ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109860005A (zh) * 2018-09-28 2019-06-07 甘肃虹光电子有限责任公司 一种无磁引线接头及其制造方法
CN109860005B (zh) * 2018-09-28 2021-04-02 甘肃虹光电子有限责任公司 一种无磁引线接头及其制造方法

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