CN1614513A - 光刻装置和器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种光刻装置，其包括：照射系统，用于提供辐射投影光束；物品支撑件，用于支撑要放置在所述物品支撑件上处于所述辐射投影光束的光路中的平坦物品，该物品支撑件包括多个支撑凸起，所述多个支撑凸起限定了一个支撑区域，用于提供平坦的支撑平面；和布置在所述支撑区域中的回填气体供给装置，用于当该物品由所述物品支撑件支持时，提供回填气流到所述物品的背部，以及用于在所述物品和所述物品支撑件之间提供改进的热传导。根据本发明，所述支撑区域由相对所述支撑平面高度降低的边界区域围绕，使得所述回填气流不受所述支撑区域的限制。

Description

光刻装置和器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻装置和器件制造方法。更加具体地，本发明涉及一种光刻装置，其包括：照射系统，用于提供辐射投影光束；物品支撑件，用于在所述物品支撑件上支撑要放置在所述辐射投影光束的光路中的平坦物品，该物品支撑件包括多个支撑凸起，所述多个支撑凸起限定了一个支撑区域，用于提供平坦的支撑表面；和布置在所述支撑区域中的回填气体供给装置，用于当锁住物品由所述物品支撑件支持时，提供回填气流到所述物品的背部，以及用于在所述物品和所述物品支撑件之间提供改进的热传导。
背景技术
光刻装置是一种将期望的图案投射到基底的靶部的装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，可以使用构图部件例如掩模产生对应于IC的一个单独层的电路图案，该图案可以成像在具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一个或者多个管芯)。一般地，单一的基底将包含相邻靶部的网格，该相邻靶部可逐个相继曝光。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光于靶部上来辐射每一靶部，和所谓的扫描器，其中通过在投影光束下沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。
在常规的光刻投影装置中，在光刻过程中用夹紧力将物品例如晶片或中间掩模版夹在物品支撑件上，该夹紧力可从真空压力、静电力、分子间约束力或自然重力中选择。该物品支撑件以限定均匀平坦表面的多个凸起的形式限定了一个平面，在该平坦表面上保持有晶片或中间掩模版。由于物品与理想表面方向的微小偏差可能导致晶片旋转，并且由于该旋转而产生重叠误差，因此这些凸起高度的微小变化对图像分辨率有害。此外，这种物品支撑件的高度变化可能导致由其支撑的物品的高度变化。在光刻处理中，由于有限的投影系统的焦距，这种高度变化可能影响图像分辨率。因此具有理想平坦物品支撑件非常重要。
欧洲专利申请EP0947884描述了一种具有基底保持器的光刻装置，其中多个凸起布置成改进基底的平坦度。这些凸起直径一般为0.5mm，一般彼此间隔3mm布置，由此形成支撑基底的支撑元件台。通常，对于静电夹具，凸起的高度范围是1μm-15μm。由于在凸起之间相对较大的间距，通常可能存在的杂质不会对基底的平坦度形成妨碍，因为这些杂质将处于凸起之间并不会局部地升高基底。
在本申请的范围中，所述“物品”可以是上述术语晶片、中间掩模版、掩模或基底中的任何一种，更加具体的是术语例如
在利用光刻投影技术制造器件中待处理的基底；
光刻投影掩模或光刻投影装置中的掩模坯，掩模处理装置例如掩模检验或清洁装置，或者掩模制造装置或任何其它中间掩模版或夹持在辐射系统的光路中的光学元件。
在光刻处理中，投影光束通过存在于照射系统和待照射的物品之间的气体组合物，特别是非同系的气体组合物可能导致不期望的影响，例如衍射、折射和吸收。这些影响对照射质量具有相反的作用，特别是对于在成像性能方面日益提高的需求来说所要求达到的分辨率。新近的光刻、EUV-光刻法使用了在远紫外区域的投影光束，因此为了允许大体上不受阻碍地通过辐射投影光束到达布置在该光束中的物品，可在(接近)真空的状态下操作。在本申请中，术语真空压力与环境中存在的特定气体有关。例如，对于碳氢化合物和水，允许的背景压力非常低，数量级为1e-9至1e-12毫巴。对于惰性气体要求没那么严格，例如对于氩允许的背景压力范围是从1e-4毫巴至1e-2毫巴，特别地是1e-3毫巴的压力。此外，相关的背景压力可以随着装置的环境而改变。例如，在物品支撑件在晶片支撑件的环境中使用时，比起在物品支撑件用作中间掩模版支撑件的环境中，对于某些元件的真空要求可能没有那么严格。也就是说，对于多种杂质(例如CxHy和H2O)的局部压力可能和光学元件(包括中间掩模版支撑件)和晶片隔室之间的因数100不同，并且远低于总压力(典型地数量级为1e-9至1e-12毫巴)。
这种真空技术在温度控制方面提出了很多难题。对于前文的物品支撑件，当物品被支撑时，只有物品底部的非常小的部分(范围是总面积的0.1％-3％)实际上与物品支撑件物理接触，这是因为凸起成形为只提供非常小的接触区域，而且凸起以相对宽的间隔布置。在所使用的真空压力范围，热传导大体上与压力成比例，这表示当物品布置于投影光束中时不能完全转移由物品吸收的热能，使得对物品支撑件产生不期望的热量加热，从而导致热膨胀，并导致投影不准确或者潜在地使物品的损失加剧。为了克服这个问题，通常是使用所谓的回填气体，该回填气体可提供从物品向物品支撑件的热传导，以转移由物品吸收的热能。当然，如果需要，物品支撑件还将具有冷却部件例如包含冷却介质等等的冷却管。然而，为了将回填气体限制在物品的底部，常规的方法是提供所谓的“硬垫环(rim)”，该硬垫环是一个边界壁，其通过形成物品的底部和物品支撑件的上部之间的气体密封大体上密封来自真空的回填气体。一种硬垫环类型的物品支撑件例如可从EP1241706获得。
然而，已经发现在照射性能方面，这种硬垫环会引起很多问题。对于物品例如在晶片层面的基底或在中间掩模版台中的中间掩模版来说，垫环可能导致估计的75nm的偏差，从而得到降低的图像分辨率。存在密封垫环可提供附加的支撑以便承载物品。这种附加的支撑扰乱了物品的压力负载，这可能导致物品局部弯曲。这种弯曲可引起物品表面的旋转，这可能导致不期望的重叠效应。此外，密封垫环几乎导致物品和物品支撑件之间的接触区域双倍增加。这是所不期望的，因为为了防止杂质微粒进入接触区域之间(这会产生支撑的不均匀以及对应的物品弯曲问题)，其目的是使这种接触面积最小。
此外，存在这种硬垫环限定了一个明确的物品的外部区域，在这个区域没有提供热传导的回填气体。这在局部过热或物品中不期望的温度梯度方面可能导致其它问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种可以克服上述问题的光刻装置，其中提供没有上述缺点的回填气体供给装置。
通过根据权利要求1的特征的光刻装置可以实现该目的。由于本发明，物品可以保持在改进的水平状态，因为边界区域不与物品接触，因此得到比上述75nm低得多的平坦度变化。
此外，一般地，在硬垫环布置中，物品延伸超出硬垫环。因此，在这种布置中，在物品的边界区域内，由于不存在回填气体而不提供热传导。在根据本发明的布置中，甚至在减小的回填气体压力区域，在所述封闭区域的外部提供热传导，以便在物品的边界区域提供改进的热传导。
根据本发明，边界区域包括一个限定边界壁高度的边界壁，该边界壁位于所述支撑平面的下方。在一个优选实施方案中，所述边界壁限定了一个大于50nm的间隔，特别地大于100nm。在特别优选的实施方案中，所述边界区域不包括边界壁。尽管直观上计算，本发明者已经发现对于5μm的常规凸起的高度，在最佳实施方案中，也可以没有漏泄密封，从而得到1毫巴*升/秒(毫巴*升/秒)的漏泄率，这对于晶片台是可接受的。
因此由此得出结论是不用硬垫环密封布置，也能得到更好的物品支撑件的均匀特性。在一些设计中，使用某种密封是有益的，特别是“非接触”密封或者“漏泄”密封，从而形成增加的流动阻力，以限制气流和增加物品边界附近的气体压力。因此，优选地，所述边界区域包括一个限定边界壁高度的边界壁，该边界壁位于支撑平面的下方。该实施方案在回填气体为惰性气体例如氩时特别有效。
对于这些类型的气体，在一个使用静电夹具的实施方案中，根据物品支撑件的相对位置，允许的真空环境的背景压力相对高，对于作为回填气体的氩来说小于1毫巴*升/秒、特别地小于0.15毫巴*升/秒的漏泄率是可接受的。在没有密封边界的情况下，计算的漏泄率是0.12毫巴*升/秒，并发现该值在上述上限内。在一个优选实施方案中，计算的漏泄率为3e-3毫巴*升/秒，该值远小于上面的最大值。这些值可用于施加的1e-3毫巴的背景压力。当真空环境的背景压力更低时，漏泄率相应地将更低。
尽管可以在其它压力环境下操作本发明的回填气体布置，优选地，在根据上述方面中的任何一个的光刻装置中使用的本发明，还包括真空泵系统，以便提供用于在真空压力状态下操作所述光刻装置的真空压力，所述真空泵用作消除从所述物品背部流出的回填气体。
在这种布置中，真空泵特别是真空离心泵仅仅操作成去除漏泄的回填气体。如果所述真空泵系统包括密闭所述支撑区域的抽气区域，可有效地进行这种去除。在这种情况中，在可能不利地影响照射处理之前，可以直接收集逸出的回填气体微粒。优选地在一个实施方案中使用本发明，其中利用静电夹具将物品夹紧在所述物品支撑件上。在另一方面，优选的实施方案包括一个可调夹具，用于将所述物品夹紧到所述物品支撑件上；以及一个流量计，用于测量所述回填气体压力的流出量，可调夹具与所述流量计连接，以响应于测量的流出量调节所述夹紧力。使用这种布置，可以有效地防止物品与物品支撑件、特别是与其边界壁不期望的接触，同时使从支撑区域流出的回填气体的量最小。本发明还涉及一种根据权利要求11的特征的物品支撑件。此外，本发明涉及一种根据权利要求12的方法。特别地，根据本发明，提供一种方法，用于将物品夹紧在光刻装置的物品支撑件上，包括：在物品支撑件上支撑所述物品。所述物品支撑件包括多个支撑凸起，所述多个凸起限定了一个支撑区域，用于提供平坦的支撑平面，以及所述支撑区域由相对所述支撑平面具有高度降低的边界区域围绕；
提供回填气流给所述物品的背部；以及
响应于测量所述回填气流将所述物品夹紧在所述物品支撑件上，其中如此调整所述夹紧使得所述回填气流不受所述支撑区域的限制。
尽管可以具体参考本申请在制造IC中使用该光刻装置，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，这里的任何术语“晶片”或者“管芯”的使用可认为分别与更普通的术语“基底”或者“靶部”同义。这里提到的基底可以在曝光前或后在例如轨迹器(track)(一种工具，通常对基底施加一层抗蚀剂，并显影已经曝光的抗蚀剂)或计量或检验工具中进行处理。在可适用的地方，这里的公开可以应用于这种或者其它基底处理工具。此外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里使用的术语基底也可以表示包含多个处理层的基底。
这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如波长为365，248、193、157或126nm)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，如离子束或电子束。
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够用来给投影光束的横截面赋予图案的装置，例如用于在基底的靶部形成图案的装置。应该注意赋予投影光束的图案可以不精确地对应于基底的靶部上的期望图案。一般地，赋予投影光束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。
构图部件可以是透射型或者反射型。构图部件的实例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的实例使用小反射镜的矩阵布置，每个反射镜能够独立地倾斜，从而以不同的方向反射入射的辐射光束；通过这种方式，对反射光束进行构图。在每个构图部件的实例中，支撑结构可以是框架或者工作台，例如根据需要可以是固定的或者是可移动的，并且支撑结构可以确保构图部件处于期望的位置，例如相对于投影系统。这里任何术语“中间掩模版”或“掩模”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”意思相同。
这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统，和反折射光学系统，例如适用于所用的曝光辐射，或者适用于其它因素，如使用浸液或使用真空。这里的任何术语“镜头”的使用应认为与更普通的术语“投影系统”同义。
照射系统还可以包括各种类型的光学部件，包括折射，反射，和反折射光学元件，这些部件用于引导、整形或者控制辐射投影光束，这种元件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。
光刻装置可以是具有两个(二级)或者多个基底台(和/或两个或多个掩模台)的类型。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。
光刻装置还可以是这样一种类型，其中将基底浸湿在具有相对高的折射率的液体例如水中，从而填充投影系统的最终元件和基底之间的空间。也可以将浸液施加到光刻装置的其它空间，例如在掩模和投影系统的第一元件之间。浸湿技术在本领域是公知的，其用于增加投影系统的数值孔径。
附图说明
现在仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施方案，其中相应的附图标记表示相应的部件，其中：
图1表示根据本发明一个实施方案的光刻装置；
图2表示根据本发明的物品支撑件的一个实施方案；
图3表示根据图2的物品支撑件沿线x-x的侧视图；
图4表示根据边界壁的几何形状计算的漏泄率；以及
图5表示根据本发明的器件和方法的优选实施方案。
具体实施方式
图1示意性地表示了本发明一个特殊实施方案的光刻装置。该装置包括：
-照射系统(照射器)IL，用于提供辐射投影光束PB(例如UV或EUV辐射)。
-第一支撑结构(例如掩模台)MT，用于支撑构图部件(例如掩模)MA，并与用于将构图部件相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；；
-第二支撑结构(例如基底台或晶片台)WT，用于保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；以及
-投影系统(例如反射投影镜头)PL，用于通过构图部件MA将赋予投影光束PB的图案成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。
如这里指出的，该装置可以是反射型(例如使用反射掩模或上面提到的可编程反射镜阵列型)。或者，该装置也可以是透射型(例如使用透射掩模)。
照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是分开的机构，例如当辐射源是等离子体放电时。在这种情况下，不把辐射源看作构成光刻装置的一部分，辐射光束借助于包括例如适当的收集反射镜和/或光谱纯度滤光器的辐射收集器从辐射源SO传送到照射器IL。在其它情况下，辐射源可以是装置的组成部分，例如当辐射源是汞灯时。辐射源SO和照射器IL可以称作辐射系统。
照射器IL可以包括调节装置，用于调节光束的角强度分布。一般地，至少可以调节照射器光瞳平面内强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。照射器提供已调节的辐射光束，称作投影光束PB，在该光束的横截面具有期望的均匀度和强度分布。
投影光束PB入射到保持在掩模台MT上的掩模MA上。被掩模MA反射后，投影光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如干涉测量装置)的辅助下，可以精确地移动基底台WT，从而例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和位置传感器IF1将掩模MA相对光束PB的光路精确定位。一般地，在长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(精定位)的辅助下，可以实现目标台MT和WT的移动，其中长冲程模块和短冲程模块构成定位装置PM和PW的一部分。然而，在步进器(与扫描装置相对)的情况下，掩模台MT可以仅与短冲程致动装置连接，或者固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2将掩模MA和基底W对准。
所示的装置可以按照下面优选的模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，同时将整个赋予给投影光束的图案被一次投射到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿x和/或y方向移动基底台WT，以使不同的靶部C能够曝光。在步进模式中，曝光范围的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，同步扫描掩模台MT和基底台WT，同时将赋予给投影光束的整个图案投射到靶部C上(即单次动态曝光)。利用投影系统PL的(缩小)放大倍率和图象变换特性，确定基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光范围的最大尺寸限制了在单次动态曝光中的宽度(沿非扫描方向)，而扫描动作的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。
3.在其它模式中，掩模台MT基本保持静止地保持可编程构图部件，并且在将赋予给投影光束的图案投射到靶部C上的同时，移动或扫描基底台WT。在这种模式下，一般是使用脉冲辐射源，并且如果需要在基底台WT的每次移动之后或者在扫描期间连续的辐射脉冲之间校正可编程构图部件。这种操作模式能够容易地应用于使用了可编程构图部件的无掩模光刻装置，例如上面提到的可编程反射镜阵列型。
还可以使用上述使用模式的组合和/或变化，或者使用完全不同的使用模式。
图2表示物品支撑件1。在该实施方案中，物品支撑件1用于支撑晶片，简称为晶片支撑台，一般为圆形，这对晶片支撑台来说是常用的。然而，物品支撑件也可以为其它形状，特别地是正方形。该晶片支撑台1包括多个的凸起2，凸起2的尺寸确定为提供用于支撑晶片(未示出)的平面支撑件。为了清楚起见，只标出部分凸起2；一般地，在图中这些凸起由开圆表示。由此凸起2限定了一个支撑区域3。所述支撑区域3的边界由边界壁4形成，该边界壁可形成用于限制回填气体(未示出)的密封。在图2的晶片支撑台1中，通过布置在选定位置的气体供给装置5引入回填气体。在示出的实施方案中，该供给装置为沟槽形状；通常也可以使用其它形状。在常规的实施方案中，边界壁4与支撑凸起2的高度相同，由此形成所谓的“硬垫环”元件，也用于支撑晶片。由于在密封过程中边界壁4物理上接触晶片，并挤压其底部，因此这种类型的支撑表示为“硬垫环”密封。这导致晶片变形，并将不匀性引入晶片的支撑中，使得待辐射的晶片表面不是完全平坦。
根据本发明，如图3所示，支撑区域3不由硬垫环密封限定边缘，而是由相对所述支撑区域3具有降低高度的边界区域4限定。通过这种方式，在图3中表示的边界区域4形成“漏泄密封”4。为了本发明的目的，该漏泄密封甚至可以不存在，只要回填气体压力的流动特性相对于供给装置位置如此使得在环境压力的情况下建立足够的压力，该环境压力常常为真空压力。
图3表示沿图2中示出的线x-x的物品支撑件1的示意性高度图。一个晶片6定位于凸起2(为了清楚起见表示成在凸起之间具有微小间隔)的顶部上，并用静电夹具7夹紧。凸起2通常高度为大约5μm，而漏泄密封4相对于该高度小0.1-5μm。应该注意在一个最佳布置中，漏泄密封4也可以不存在。
直接地在晶片支撑件的外部，可以提供抽气泵以收集流出气体。
图4示出了对于圆周为942mm的标准晶片来说，根据边界壁的特殊几何形状计算的漏泄率。这种几何形状包括具有更低的密封(表示为“间隔”)如200、500、1000、2000和5000nm的边界壁。正如所期望的，漏泄率随着间隔宽度而增加，使得图表中更低的线对应于最小值，图表中更高的线对应于间隔的最大值。此外，对应于边界壁4到气体供给装置5的距离的间隔宽度为0.1mm-10mm。可以看出在表示的范围中，以毫巴*升/秒表示的漏泄率从0.5e-4变化到接近1。对于现实的实施方案，优选地，进入分段隔室的回填气体的漏泄率应该小于1毫巴*升/秒，更优选地小于0.1毫巴*升/秒，最优选地小于1e-5毫巴*升/秒。对于5um的间隔和1mm的宽度，漏泄率是大约0.12毫巴*升/秒，恰好是在该规定的最大漏泄率之中。这些值可以用于大约1e-3毫巴的施加(总)背景压力。此外，进入分段隔室的回填气体的漏泄率应该小于0.01毫巴*升/秒，更优选地小于1e-3毫巴*升/秒，最优选地小于1e-7毫巴*升/秒。
因此，当外部气体供给装置5超过边缘外部1mm时，间隔可以达到5um。对于包括500nm的间隔和0.5mm宽度的晶片的优选实施方案，得出的漏泄率升高为3e-3毫巴*升/秒。对于中间掩模版台来说，对于1135mm的总周长，这种实施方案包括2mm的间隔宽度和200nm的间隔。
图5A-C示出了如图3的物品支撑件布置1，其中将变化的夹紧力施加给晶片6，并示出了在夹紧条件下晶片6的各种变形状态。应该注意这种状态仅是示意性地表示，其中不必成比例地表示变形。
在这些实施方案中，使用可调静电夹具7将晶片6夹紧在支撑件1上。为此，提供与回填气体压力供给装置10连接的调谐器9。响应于测量的回填气体压力供给装置10的流率，调谐器9预置静电夹具7的夹紧力。图5A中示出的是一个未夹紧的状态，其中没有使用夹具7的附加夹紧力将物品6支撑在凸起2上。在这种情况下，物品，特别地顶部表面为大体上平坦。
图5B示出了理想的夹紧状态。这里，以这样一种方式调节夹紧力，使得晶片大体上均匀地“座落”在凸起2(其在某种范围中也会塑性变形)上，并且顶部表面大体上保持预定公差内的平坦，从而可以进行具有最小重叠缺陷的光刻处理。在这种情况下，边界壁4不接触或支撑晶片6，使得回填气流不受所述支撑区域3限制，但是可以流入周围压力环境13。
图5C示意性地示出了一种夹紧布置，其中由于与边界壁4接触，晶片表面11的变形超出了公差范围，尤其是在由区域12表示的晶片边界附近。这里，边界壁支撑晶片6，与凸起2的支撑相结合导致不均匀的支撑状态，从而产生超过预定平坦度公差范围例如25nm的重叠问题。
为了确定晶片6接触边界壁4处的临界夹紧力，根据本发明的方法利用了气流检测原理。当晶片6接触边界壁4时，大体上可停止气体从支撑区域3向周围压力环境13的流出，这通过测量支撑区域3中的流动速度和/或压力水平可以检测出来。
只要晶片6不接触壁4，顶部表面11大体上在预定公差内保持平坦。因此，回填气体可以用作晶片表面平坦度的指示器。为了使进入周围压力环境的气体流出最小，在优选实施方案中该周围压力环境是真空压力环境，如此调节夹紧力使得该回填气流达到预定非零流率。在这种情况下，晶片6不接触边界壁4，从而晶片6仅保持由凸起2支撑。
已经参考物品支撑件说明了本发明，该物品支撑件大体上为圆形，并用于支撑要由投影光束照射的晶片。然而，对本领域人员来说显然本发明同样可以应用于其它任何物品，特别地，应用于中间掩模版形式的物品。此外，公开的物品支撑件是静电夹紧的。然而，在不脱离本发明的范围的条件下，可以使用其它类型的夹紧，例如物理夹紧，仅使用分子间约束力或自然重力。
虽然上面已经描述了本发明的具体实施方案，可以理解可以不同于上面所描述的实施本发明。说明书不是要限制本发明。

Claims (14)

1.一种光刻装置，其包括：
照射系统，用于提供辐射投影光束；
物品支撑件，用于在所述物品支撑件上支撑要放置在所述辐射投影光束的光路中的平坦物品，该物品支撑件包括多个支撑凸起，所述多个支撑凸起限定了一个支撑区域，用于提供平坦的支撑平面；和
布置在所述支撑区域中的回填气体供给装置，用于当所述物品由所述物品支撑件支持时，提供回填气流到所述物品的背部，以及用于在所述物品和所述物品支撑件之间提供改进的热传导；
其特征在于，
所述支撑区域由相对所述支撑平面高度降低的边界区域围绕，使得所述回填气流不受所述支撑区域的限制。
2.如权利要求1所述的光刻装置，其中所述边界区域包括一个限定边界壁高度的边界壁，该边界壁位于所述支撑平面的下方。
3.如权利要求2所述的光刻装置，其中所述边界壁限定了一个大于50nm的间隔，特别地大于100nm。
4.如权利要求1所述的光刻装置，其中所述边界区域不包括边界壁。
5.如前面权利要求中的任何一项所述的光刻装置，还包括真空泵系统，以便提供用于在真空压力状态下操作所述光刻装置的真空压力，所述真空泵操作成消除从所述物品背部流出的回填气体。
6.如权利要求5所述的光刻装置，其中所述真空泵系统包括围绕所述支撑区域的抽气区域。
7.如前面权利要求中的任何一项所述的光刻装置，其中利用静电夹具将物品夹紧在所述物品支撑件上。
8.如前面权利要求中的任何一项所述的光刻装置，还包括一个可调夹具，用于将所述物品夹紧到所述物品支撑件上；以及一个流量计，用于测量所述回填气体压力的流出量，可调夹具与所述流量计连接，以响应于测量的流出量调节所述夹紧力。
9.如前面权利要求中的任何一项所述的光刻装置，其中所述物品支撑件是用于支撑构图部件的支撑件，该构图部件用于给投影光束的截面赋予图案。
10.如权利要求1-8中的任何一项所述的光刻装置，其中所述物品支撑件是基底台，用于保持通过入射到基底的靶部上的带图案光束来构图的基底。
11.一种用于根据权利要求1-10中任何一项的光刻装置的物品支撑件，其包括：
多个支撑凸起，所述多个支撑凸起限定了一个支撑区域，用于提供平坦的支撑平面；和
布置在所述支撑区域中的回填气体供给装置，用于当物品由所述物品支撑件支持时，提供回填气流到所述物品的背部，以及用于在所述物品和所述物品支撑件之间提供改进的热传导；其中所述支撑区域由相对所述支撑平面高度降低的边界区域围绕，使得所述回填气流不受所述支撑区域的限制。
12.一种用于在光刻装置中将物品夹紧到物品支撑件上的方法，其包括：
在物品支撑件上支撑所述物品，该物品支撑件包括多个支撑凸起，所述多个凸起限定了一个支撑区域，用于提供平坦的支撑平面，以及所述支撑区域由相对所述支撑平面高度降低的边界区域围绕；
提供回填气流给所述物品的背部；以及
响应于测量所述回填气流将所述物品夹紧在所述物品支撑件上，其中如此调节所述夹紧使得所述回填气流不受所述支撑区域的限制。
13.如权利要求12所述的方法，其中如此调节所述夹紧使得所述回填气流不受所述边界区域的限制。
14.如权利要求12或13所述的方法，其中如此调节夹紧使得该回填气流达到预定非零流率。
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