CN1606093B - 使用转矩的非易失性磁存储单元和使用它的随机存取磁存储器 - Google Patents
使用转矩的非易失性磁存储单元和使用它的随机存取磁存储器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1606093B CN1606093B CN2004100740445A CN200410074044A CN1606093B CN 1606093 B CN1606093 B CN 1606093B CN 2004100740445 A CN2004100740445 A CN 2004100740445A CN 200410074044 A CN200410074044 A CN 200410074044A CN 1606093 B CN1606093 B CN 1606093B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- magnetic memory
- memory unit
- volatile magnetic
- magnetoresistance effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 66
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 52
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 42
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 16
- 230000005303 antiferromagnetism Effects 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明的课题是提供一种在非易失性磁存储器中具有转矩磁化反转功能的超低耗电的高集成存储单元，以及使用这种存储单元的随机存取存储器，本发明的技术解决手段是，在C-MOSFET上具有转矩磁化反转层和隧道型磁阻效应膜。按照本发明可以实现耗电极小的非易失性磁存储器单元，通过装载该非易失性磁存储单元就能够实现耗电极小的随机存取磁存储器。
Description
技术领域
本发明涉及具有开关功能和转矩磁化反转功能的高输出非易失性磁存储单元和使用这种存储单元的随机存取磁存储器。
背景技术
如图6所示，现有的非易失性磁存储器由在MOSFET上形成了隧道型磁阻效应元件的单元构成。开关利用MOSFET，使用通过对位线和字线通电而产生的电流感应的空间磁场把信息写入到隧道型磁阻效应元件(文献：T.Miyazaki and N.Tezuka，J.Magn.Magn.Mater.139，L231(1995))的自由层上，再利用输出电压读出信息。
[非专利文献]
T.Miyazaki and N.Tezuka，J.Magn.Magn.Mater.139，L231(1995)
按照现有方式的非易失性磁存储器，利用流过位线和字线的电流所产生的空间磁场进行隧道型磁阻效应元件的自由层的磁化反转，从而进行信息的写入。因此，要感应足以引起磁化反转的磁场，需要非常大的功率，很难使该功率减小下来。为了消除该困难而实现非易失性磁存储器中的超低耗电，重要的是不用电流感应的空间磁场来实现自由层的磁化反转。
发明内容
为解决上述的课题，本发明的目的在于提供一种由C-MOSFET、转矩磁化反转层和隧道型磁阻效应元件构成的非易失性磁存储单元以及使用该存储单元的随机存取磁存储器。
为实现上述目的，按照本发明，在具备由自由层、绝缘阻挡层和固定层构成的隧道型磁阻效应膜和用来进行所述自由层的磁化信息的电写入读出的字线和位线的磁存储单元中，由强磁性层和非磁性层形成的转矩磁化反转层的非磁性层邻接隧道型磁阻效应膜的自由层，且转矩磁化反转层利用转矩使得所述自由层反转，隧道型磁阻效应膜经转矩磁化反转 层电连接到由漏极、源极、栅极、n型半导体和p型半导体构成的MOSFET的漏极。
隧道型磁阻效应膜具有使所述固定层的磁化方向固定在一个方向上的反强磁性层。
另外，位线邻接上述隧道型磁阻效应膜，字线邻接MOSFET的源极。
MOSFET通过沿膜面垂直方向n-p-n结而构成，把栅极配置在p型半导体的周围，字线邻接n型半导体中的配置在远离转矩磁化反转层的位置的n型半导体，位线邻接隧道型磁阻效应膜。
转矩磁化反转层由强磁性层与非磁性层的叠层膜构成。
另外，强磁性层、自由层和固定层中的至少一层由两层或其以上的叠层膜构成。
强磁性层采用CoFe，或者NiFe或CoFe/NiFe，Ni的两层以上的叠层膜，自由层和固定层采用CoFe，或者NiFe或CoFe/NiFe的两层以上的叠层膜。
作为随机存取磁存储器，有多条位线、字线和多个电连接到位线、字线上而形成的叠层体，该叠层体中的每个都具有MOSFET、转矩磁化反转层、隧道型磁阻效应膜叠层起来的结构。MOSFET具有漏极、源极、栅极、n型半导体和p型半导体，转矩磁化反转层具有第一强磁性层和非磁性层，上述隧道型磁阻效应膜具有第二强磁性层、绝缘阻挡层、第三强磁性层和反强磁性层，上述位线邻接上述隧道型磁阻效应膜，上述字线邻接上述MOSFET的源极。
如上面所说明的那样，按照本发明，由于能够用设置了转矩磁化反转层的非易失性磁存储单元实现不用电流磁场的磁化反转，所以，可以实现耗电极小的非易失性磁存储器单元，通过装载该非易失性磁存储单元就能够实现耗电极小的随机存取磁存储器。
附图说明
图1是本发明的非易失性磁存储单元的第一构成例的示图。
图2是本发明的非易失性磁存储单元的第二构成例的示图。
图3是本发明的非易失性磁存储单元的第三构成例的示图。
图4是本发明的非易失性磁存储单元的第四构成例的示图。
图5是本发明的非易失性磁存储单元的阻抗-电流特性的代表性数据的示图。
图6是现有的非易失性磁存储单元的代表性构成例的示图。
图7是配置了本发明的非易失性磁存储单元的随机存取磁存储器的示图。
具体实施方式
下面用图1～图5和图7详细说明本发明的实施方式。
[实施例1]
图1中示出了本发明的存储单元之一例的截面构成图。C-MOSFET11由两个n型半导体12、13和一个p型半导体14构成。n型半导体12上电连接有源极21，该源极21与构成磁存储器的字线电连接。n型半导体13上电连接有漏极22。23是栅极，利用该栅极23的on/off控制源极21和漏极22间的电流的on/off。这里，用含Si的半导体作为上述n型半导体和p型半导体。
该C-MOSFET11上配置有转矩磁化反转层31，电连接电极配线42。转矩磁化反转层31由强磁性层(第一强磁性层)311和非磁性层312形成。在此，强磁性层311采用CoFe，非磁性层312采用Cu，它们的膜厚都作成3nm。这里，强磁性层除CoFe之外，也可以形成为NiFe或CoFe/NiFe，Ni的两层以上的叠层膜。上述非磁性层除Cu之外，也可以是含有Au、Cr、Ag、Ru、Al、Pt的至少一种。
在该转矩磁化反转层31上形成有隧道型磁阻效应元件32，隧道型磁阻效应元件32由自由层(第二强磁性层)321和形成在其上的隧道阻挡层322和固定层(第三强磁性层)323构成。这里，用CoFe作为自由层，用作为Al的氧化膜的Al2O3作为绝缘阻挡层322，用CoFe作为固定层323。其膜厚分别作成3nm、2nm、3nm。这里，自由层321和固定层除用CoFe之外，也可以用NiFe或CoFe/NiFe的两层以上的叠层膜。除用Al的氧化膜作为绝缘阻挡层322之外，也可以使用Hf、Ta、Mg、Ti的氧化膜。除用CoFe作为固定层323之外，也可以用由CoFe/Ru/CoFe构成的多层膜。位线212形成在隧道型磁阻效应元件32上，并与其电连接。
图5表示出这样作成的存储单元1的基本的电气特性，由此可知其伴随磁滞的阻抗-电流特性。该磁滞是因为从转矩磁化反转层31流来的旋转电流使自由层321的CoFe的磁化方向变化而产生的。这里，高阻抗状态下，自由层321的磁化方向与固定层323的磁化方向反平行配置。相反，在低阻抗状态下，两者平行配置。在此，为了使自由层321的磁化方向变化，就必须流过图5所示的Ic1或Ic2电流。该值大体为电流密度1×107A/cm2。这里，所制作的隧道型磁阻效应元件32和转矩磁化反转层31的大小为50nm×50nm。因此，磁化反转所必要的电流绝对值约为0.25mA，该值与现有的使用电流感应的非易失性存储器相比，电流值约低2～3个数量级。
在本实施例中，按20μA的读取电流，加在隧道型磁阻效应膜上的电压是200mV。在V＝200mV时，隧道型磁阻效应元件的磁阻比是30％，所以，输出信号为约600mV。
另外，制成了把多个这种非易失性磁存储单元作成多个叠层体而装载起来的随机存取磁存储器。在该叠层体中，转矩磁化反转层的强磁性层为第一磁性层，隧道型磁阻效应膜的自由层和固定层分别为第二和第三强磁性层。图7示出了所作成的随机存取磁存储器的构成。各存储单元包含有图7所示的位线、字线，构成为电连接的叠层体。总之，可以确认与现有的电流驱动型的非易失性随机存取存储器相比，能够以极低的电流，即低2～3个数量级的电流来驱动。
[实施例2]
图2是在图1的结构中设置了使固定层323的磁化方向固定在一个方向上的反强磁性层324的存储单元1的截面构成图。在本实施例中，用PtMn作为反强磁性层324，其膜厚为12nm。此外，也可以用IrMn或FeMn。这样就能够稳定实现固定层323与自由层321的磁化方向的反平行·平行配置，所以，能够提高隧道型磁阻效应膜32的输出。在本实施例中，还表示出了如图5所示的具有磁滞的阻抗-电流特性，在本实施例中，隧道型磁阻效应膜32的输出是50％，得到了比实施例1的情况下输出更高的存储单元。
另外，制成了把多个这种非易失性磁存储单元作成多个叠层体而装载 起来的随机存取磁存储器。在该叠层体中，转矩磁化反转层的强磁性层为第一磁性层，隧道型磁阻效应膜的自由层和固定层分别为第二和第三强磁性层。图7示出了所作成的随机存取磁存储器的构成。各存储单元包含有图7所示的位线、字线，构成为电连接的叠层体。总之，可以确认与现有的电流驱动型的非易失性随机存取存储器相比，能够以极低的电流，即低2～3个数量级的电流来驱动。
[实施例3]
图3是本发明的存储单元1的其他实施例的截面构成图。在本实施例中，C-MOSFET11是对基体把兼作源极的n型半导体131、p型半导体141和兼作漏极的n型半导体121按该顺序叠层而成。另外，配置有不与p型半导体141的侧壁直接相接的栅极23。将转矩磁化反转层31和隧道型磁阻效应膜32以与实施例1同样的材料·膜厚、按同样的顺序叠层在n型半导体121上。
在本实施例中，把n型半导体121兼作的漏极和n型半导体131兼作的源极沿垂直方向叠层起来，并把栅极配置在侧壁上，这样就能够缩小存储单元的面积，就能够实现4F2的非易失性磁存储单元。本实施例中的隧道型磁阻效应膜32的输出是20％。
在本实施例中，处于远离转矩磁化反转层31的位置上的n型半导体131邻接字线，而隧道型磁阻效应膜邻接位线。
另外，制成了把多个这种非易失性磁存储单元作成多个叠层体而装载起来的随机存取磁存储器。在该叠层体中，转矩磁化反转层的强磁性层为第一磁性层，隧道型磁阻效应膜的自由层和固定层分别为第二和第三强磁性层。图7示出了所作成的随机存取磁存储器的构成。各存储单元包含有图7所示的位线、字线，构成为电连接的叠层体。总之，可以确认与现有的电流驱动型的非易失性随机存取存储器相比，能够以极低的电流，即低2～3个数量级的电流来驱动。
[实施例4]
图4是在图3的结构中设置了使固定层323的磁化方向固定在一个方向上的反强磁性层324的存储单元1的截面构成图。在本实施例中，用 PtMn作为反强磁性层324，其膜厚与实施例2一样，为12nm。此外，也可以用IrMn或FeMn。这样就能够稳定实现固定层323与自由层321的磁化方向的反平行·平行配置，所以，能够提高隧道型磁阻效应膜32的输出。
在本实施例中，处于远离转矩磁化反转层31的位置上的n型半导体131邻接字线，而隧道型磁阻效应膜邻接位线。
在本实施例中，还表示出了如图5所示的具有磁滞的阻抗-电流特性，在本实施例中，隧道型磁阻效应膜32的输出是30％，得到了比实施例3的情况下输出更高的存储单元。
另外，制成了把多个这种非易失性磁存储单元作成多个叠层体而装载起来的随机存取磁存储器。在该叠层体中，转矩磁化反转层的强磁性层为第一磁性层，隧道型磁阻效应膜的自由层和固定层分别为第二和第三强磁性层。图7示出了所作成的随机存取磁存储器的构成。各存储单元包含有图7所示的位线、字线，构成为电连接的叠层体。总之，可以确认与现有的电流驱动型的非易失性随机存取存储器相比，能够以极低的电流，即低2～3个数量级的电流来驱动。
Claims (16)
1.一种非易失性磁存储单元，其特征在于，
在具备具有自由层、绝缘阻挡层和固定层的隧道型磁阻效应膜，和用于进行所述自由层的磁化信息的写入和读出的字线和位线的磁存储单元中，由强磁性层和非磁性层形成的转矩磁化反转层的非磁性层邻接所述隧道型磁阻效应膜的自由层，且转矩磁化反转层利用转矩使得所述自由层反转，所述隧道型磁阻效应膜经所述转矩磁化反转层电连接到由漏极、源极、栅极、n型半导体和p型半导体构成的MOSFET的漏极，
该MOSFET通过沿膜面垂直方向的n-p-n接合而构成，所述栅极被配置在p型半导体的周围，所述字线与配置在远离转矩磁化反转层的位置上的n型半导体邻接并且电连接，所述位线与所述隧道型磁阻效应膜邻接并且电连接，
所述非易失性磁存储单元还具备向所述字线与所述位线之间供给电流的单元，在进行写入时，基于所述字线与所述位线之间流过的电流，由转矩使所述自由层的磁化方向旋转。
2.根据权利要求1所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述隧道型磁阻效应膜具有使所述固定层的磁化方向固定在一个方向上的反强磁性层。
3.根据权利要求1所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述位线邻接所述隧道型磁阻效应膜，所述字线与所述MOSFET的源极邻接并且电连接。
4.根据权利要求2所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述位线邻接所述隧道型磁阻效应膜，所述字线与所述MOSFET的源极邻接并且电连接。
5.根据权利要求1所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述转矩磁化反转层由强磁性层与非磁性层的叠层膜构成。
6.根据权利要求2所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述转矩磁化反转层由强磁性层与非磁性层的叠层膜构成。
7.根据权利要求1所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述强磁性层、自由层和固定层中的至少一层由两层或其以上的叠层膜构成。
8.根据权利要求2所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述强磁性层、自由层和固定层中的至少一层由两层或其以上的叠层膜构成。
9.根据权利要求1所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述强磁性层采用CoFe，或者NiFe，或者采用由CoFe和Ni构成的两层以上的叠层膜，或者采用由NiFe和Ni构成的两层以上的叠层膜，自由层和固定层采用CoFe，或者采用NiFe，或者采用CoFe和NiFe构成的两层以上的叠层膜。
10.根据权利要求2所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述强磁性层采用CoFe，或者NiFe，或者采用由CoFe和Ni构成的两层以上的叠层膜，或者采用由NiFe和Ni构成的两层以上的叠层膜，自由层和固定层采用CoFe，或者采用NiFe，或者采用CoFe和NiFe构成的两层以上的叠层膜。
11.根据权利要求1所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述非磁性层含有Cu、Au、Cr、Ag、Ru、Al、Pt的至少一种。
12.根据权利要求2所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述非磁性层含有Cu、Au、Cr、Ag、Ru、Al、Pt的至少一种。
13.根据权利要求1所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述MOSFET含Si。
14.根据权利要求2所述的非易失性磁存储单元，其特征在于，所述MOSFET含Si。
15.一种随机存取磁存储器，其特征在于，有多条位线、字线和多个电连接到位线、字线上形成的叠层体，
所述多个叠层体中的每个都具有MOSFET、转矩磁化反转层和隧道型磁阻效应膜叠层起来的结构；所述MOSFET具有漏极、源极、栅极、n型半导体和p型半导体；所述转矩磁化反转层具有第一强磁性层和非磁性层；所述隧道型磁阻效应膜具有第二强磁性层、绝缘阻挡层和第三强磁性层；所述位线与所述隧道型磁阻效应膜邻接并且电连接，所述字线与所述MOSFET的源极邻接并且电连接，
所述MOSFET通过沿膜面垂直方向的n-p-n接合而构成，所述栅极被配置在p型半导体的周围，
所述随机存取磁存储器还具备向所述字线与所述位线之间供给电流的单元，在进行写入时，基于所述字线与所述位线之间流过的电流，由转矩使所述第二强磁性层的磁化方向旋转。
16.根据权利要求15所述的随机存取磁存储器，其特征在于，所述隧道型磁阻效应膜具有使所述第二强磁性层的磁化方向固定在一个方向上的反强磁性层。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003-351788 | 2003-10-10 | ||
| JP2003351788A JP2005116923A (ja) | 2003-10-10 | 2003-10-10 | スピントルクを用いた不揮発性磁気メモリセルおよびこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
| JP351788/2003 | 2003-10-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1606093A CN1606093A (zh) | 2005-04-13 |
| CN1606093B true CN1606093B (zh) | 2011-04-20 |
Family
ID=34542928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2004100740445A Expired - Fee Related CN1606093B (zh) | 2003-10-10 | 2004-08-31 | 使用转矩的非易失性磁存储单元和使用它的随机存取磁存储器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7110284B2 (zh) |
| JP (1) | JP2005116923A (zh) |
| CN (1) | CN1606093B (zh) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012696A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Tdk Corp | 磁気メモリ |
| JP5096702B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2012-12-12 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ |
| ATE510286T1 (de) * | 2005-09-30 | 2011-06-15 | Nxp Bv | Nanodraht- magnet-ram |
| JP4935183B2 (ja) | 2006-05-18 | 2012-05-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP5076361B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2012-11-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP2008042090A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
| JP5165898B2 (ja) * | 2007-01-17 | 2013-03-21 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法 |
| JP2008218514A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 |
| JP2008252018A (ja) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
| US7852662B2 (en) * | 2007-04-24 | 2010-12-14 | Magic Technologies, Inc. | Spin-torque MRAM: spin-RAM, array |
| US7682841B2 (en) * | 2007-05-02 | 2010-03-23 | Qimonda Ag | Method of forming integrated circuit having a magnetic tunnel junction device |
| US20080272448A1 (en) * | 2007-05-02 | 2008-11-06 | Faiz Dahmani | Integrated circuit having a magnetic tunnel junction device |
| US20080273375A1 (en) * | 2007-05-02 | 2008-11-06 | Faiz Dahmani | Integrated circuit having a magnetic device |
| US8659852B2 (en) | 2008-04-21 | 2014-02-25 | Seagate Technology Llc | Write-once magentic junction memory array |
| US7505308B1 (en) | 2008-05-09 | 2009-03-17 | International Business Machines Corporation | Systems involving spin-transfer magnetic random access memory |
| US7492631B1 (en) | 2008-05-09 | 2009-02-17 | International Business Machines Corporation | Methods involving resetting spin-torque magnetic random access memory |
| US7855911B2 (en) * | 2008-05-23 | 2010-12-21 | Seagate Technology Llc | Reconfigurable magnetic logic device using spin torque |
| US7852663B2 (en) * | 2008-05-23 | 2010-12-14 | Seagate Technology Llc | Nonvolatile programmable logic gates and adders |
| US7881098B2 (en) | 2008-08-26 | 2011-02-01 | Seagate Technology Llc | Memory with separate read and write paths |
| US7985994B2 (en) | 2008-09-29 | 2011-07-26 | Seagate Technology Llc | Flux-closed STRAM with electronically reflective insulative spacer |
| KR101264518B1 (ko) | 2008-10-06 | 2013-05-14 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 장치 |
| US8169810B2 (en) | 2008-10-08 | 2012-05-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic memory with asymmetric energy barrier |
| US8039913B2 (en) | 2008-10-09 | 2011-10-18 | Seagate Technology Llc | Magnetic stack with laminated layer |
| US8089132B2 (en) | 2008-10-09 | 2012-01-03 | Seagate Technology Llc | Magnetic memory with phonon glass electron crystal material |
| US8045366B2 (en) | 2008-11-05 | 2011-10-25 | Seagate Technology Llc | STRAM with composite free magnetic element |
| US8043732B2 (en) | 2008-11-11 | 2011-10-25 | Seagate Technology Llc | Memory cell with radial barrier |
| US7826181B2 (en) | 2008-11-12 | 2010-11-02 | Seagate Technology Llc | Magnetic memory with porous non-conductive current confinement layer |
| US8289756B2 (en) | 2008-11-25 | 2012-10-16 | Seagate Technology Llc | Non volatile memory including stabilizing structures |
| CN101770804B (zh) * | 2009-01-06 | 2012-12-12 | 中国科学院物理研究所 | 一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器 |
| US7826259B2 (en) | 2009-01-29 | 2010-11-02 | Seagate Technology Llc | Staggered STRAM cell |
| US7999338B2 (en) | 2009-07-13 | 2011-08-16 | Seagate Technology Llc | Magnetic stack having reference layers with orthogonal magnetization orientation directions |
| US8416600B2 (en) * | 2009-11-25 | 2013-04-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reverse connection MTJ cell for STT MRAM |
| US8270208B2 (en) | 2010-02-08 | 2012-09-18 | International Business Machines Corporation | Spin-torque based memory device with read and write current paths modulated with a non-linear shunt resistor |
| US9450177B2 (en) | 2010-03-10 | 2016-09-20 | Tohoku University | Magnetoresistive element and magnetic memory |
| JP5725735B2 (ja) | 2010-06-04 | 2015-05-27 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
| JP2012156167A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-16 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 |
| US8456895B2 (en) * | 2011-05-03 | 2013-06-04 | International Business Machines Corporation | Magnonic magnetic random access memory device |
| US8456894B2 (en) | 2011-05-03 | 2013-06-04 | International Business Machines Corporation | Noncontact writing of nanometer scale magnetic bits using heat flow induced spin torque effect |
| US8754491B2 (en) * | 2011-05-03 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Spin torque MRAM using bidirectional magnonic writing |
| US9153306B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-10-06 | Tohoku University | Tunnel magnetoresistive effect element and random access memory using same |
| US8933750B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-01-13 | Crocus Technology Inc. | Magnetic logic units configured as an amplifier |
| CN103000613B (zh) * | 2012-12-12 | 2015-03-18 | 中国科学院物理研究所 | 一种复合半导体层 |
| WO2015116600A1 (en) * | 2014-01-28 | 2015-08-06 | Crocus Technology Inc. | Mlu configured as analog circuit building blocks |
| EP3100311A4 (en) | 2014-01-28 | 2018-03-21 | Crocus Technology Inc. | Analog circuits incorporating magnetic logic units |
| CN114937736B (zh) * | 2022-05-07 | 2024-09-17 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种宽量程tmr传感器隧道结及传感器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025942A2 (fr) * | 2001-09-20 | 2003-03-27 | Centre National De La Recherche Scientifique | Memoire magnetique a ecriture par courant polarise en spin, mettant en oeuvre des alliages amorphes ferrimagnetiques et procede pour son ecriture |
| US6560135B2 (en) * | 2001-01-12 | 2003-05-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic semiconductor memory apparatus and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3420152B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2003-06-23 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| KR100399436B1 (ko) * | 2001-03-28 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 마그네틱 램 및 그 형성방법 |
| US6963500B2 (en) * | 2003-03-14 | 2005-11-08 | Applied Spintronics Technology, Inc. | Magnetic tunneling junction cell array with shared reference layer for MRAM applications |
-
2003
- 2003-10-10 JP JP2003351788A patent/JP2005116923A/ja active Pending
-
2004
- 2004-08-31 CN CN2004100740445A patent/CN1606093B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-01 US US10/931,041 patent/US7110284B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6560135B2 (en) * | 2001-01-12 | 2003-05-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic semiconductor memory apparatus and method of manufacturing the same |
| WO2003025942A2 (fr) * | 2001-09-20 | 2003-03-27 | Centre National De La Recherche Scientifique | Memoire magnetique a ecriture par courant polarise en spin, mettant en oeuvre des alliages amorphes ferrimagnetiques et procede pour son ecriture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005116923A (ja) | 2005-04-28 |
| US7110284B2 (en) | 2006-09-19 |
| CN1606093A (zh) | 2005-04-13 |
| US20050117392A1 (en) | 2005-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1606093B (zh) | 使用转矩的非易失性磁存储单元和使用它的随机存取磁存储器 | |
| US10804457B2 (en) | Magnetoresistive element and magnetic memory | |
| EP1826774B1 (en) | Magnetic memory device using magnetic domain motion | |
| TW573376B (en) | Magnetic switching element and magnetic memory | |
| US7289356B2 (en) | Fast magnetic memory devices utilizing spin transfer and magnetic elements used therein | |
| US7982275B2 (en) | Magnetic element having low saturation magnetization | |
| KR100548997B1 (ko) | 다층박막구조의 자유층을 갖는 자기터널 접합 구조체들 및이를 채택하는 자기 램 셀들 | |
| JP4970113B2 (ja) | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ | |
| CN102224546B (zh) | 具有补偿元件的stram | |
| US8411494B2 (en) | Three-dimensional magnetic random access memory with high speed writing | |
| US7773408B2 (en) | Nonvolatile memory device | |
| CN100501865C (zh) | 磁存储器 | |
| CN103119653A (zh) | 自旋扭矩转移存储器单元结构及方法 | |
| US20070254188A1 (en) | Magnetic memory cell and random access memory | |
| JP7267623B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
| JP2001196658A (ja) | 磁気素子及び磁気記憶装置 | |
| CN101923889A (zh) | 存储装置和存储器 | |
| WO2011081051A1 (ja) | 磁気メモリセル及び磁気メモリ | |
| JP2005310829A (ja) | 磁気メモリ及びその記録方法 | |
| US7208808B2 (en) | Magnetic random access memory with lower switching field | |
| CN100514694C (zh) | 基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列 | |
| JP2003298023A (ja) | 磁気メモリ及び磁気メモリ装置 | |
| KR100615089B1 (ko) | 낮은 구동 전류를 갖는 자기 램 | |
| CN101552033A (zh) | 磁性存储装置及其驱动方法和信息写入读取方法 | |
| JP2004179521A (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110420 Termination date: 20160831 |