CN1597687A - 新有机金属铱化合物，其制备方法和制备薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供具有低熔点，优良的蒸发特性和基质上低成膜温度的有机金属铱化合物，其用于经CVD法形成含铱薄膜。该有机金属铱化合物由如式(1)或(2)表示，其中R1表示氢或低级烷基；R2－R7分别表示氢、卤素等，其前提是排除R1－R7的特定组合；R8表示低级烷基；R9－R12分别表示氢、卤素等，其前提是排除R8－R12的特定组合。用CVD法使用该化合物作为母体制备含铱薄膜。
Description
发明领域
本发明涉及有机金属化合物，它可是制备基质表面上的含铱薄膜的原料。
相关技术描述
近年来，在存储单元中，为了能够实现更高的集成和更高密度，具有较大相对介电常数的铁电材料被急切研究，具体地说，Ta2O5，BST((Ba，Sr)TiO3)等被研究用作电容器材料。作为这些电容器的电极材料，需要钌、铂、铱等的贵金属薄膜或这些贵金属的氧化物薄膜。尤其是铱和氧化铱被看作是未来电极材料的主要部分。关于铱和氧化铱薄膜的制备方法，采用溅射法和化学蒸汽淀积法(CVD法)，CVD法尤其被认为是将来薄膜电极制备方法的主流。这是因为，它不仅易于制备均匀的薄膜，并且阶段覆盖度是优良的，因此，该方法能处理近来电流和电子部件的更高密度。
作为使用该CVD方法制备薄膜的母体，认为在金属化合物中，低熔点和易于加工的有机金属化合物是合适的。至今，已研究了三(二新戊酰基甲烷)合铱，三(乙酰基丙酮根)合铱、环戊二烯基(1，5-辛二烯)合铱等作为有机金属化合物用于淀积铱或氧化铱薄膜。这些铱化合物在大气中是高稳定的，和无毒的，因此，能够作为CVD的母体。然而，这些铱化合物在室温下是固体的，包含诸如母体蒸发和向基质转移困难之类的问题。
近年来，急切开发了具有低熔点的铱化合物。作为使有机金属铱化合物具有低熔点的措施，人们采用其中在环戊二烯环上的至少一个氢原子被低级烷基，例如甲基和乙基取代的化合物。例如，作为环戊二烯衍生物，公开了乙基环戊二烯基(1，5-辛二烯)合铱(例如，JP-A-11-292888)。由于该有机金属化合物在室温下是液体，并且与环戊二烯基(1，5-辛二烯)合铱相比其熔点是低的，因此认为该化合物具有作为用于CVD法母体所需的特征。然而，该化合物具有极其高的稳定性，该配合物的分解温度高。因此，在薄膜形成时不可避免地需要增加基质温度，此外，遇到诸如氧化铱薄膜很难形成之类的问题。
另一方面，环戊二烯基(环己二烯)合铱和环戊二烯基(丁二烯)合铱在室温下是固体，因此，包含诸如母体蒸发和向基质转移困难之类的问题(例如B.F.G.Johnson，J.Lewis和D.J.Yarrow，J.C.S.Dalton，2084(1972)和L.A.ORO，Inorg.Chem.Acta，21，L6(1977))。至今没有任何在室温下是液体的并具有优良蒸发特征的铱配合物的合成方法的报导。
发明概述
考虑上述技术问题完成了本发明。
因此，本发明的一个目的是提供用于经CVD法在基质上形成含有铱或氧化铱薄膜的有机金属化合物，该有机金属化合物具有低熔点，优良蒸发特性和低成膜温度。
本发明的另一目的是提供制备有机金属化合物的方法。
本发明的另一目的是提供使用有机金属化合物制备含铱薄膜的方法。
本发明人进行了广泛和深入的研究以克服上述问题。结果发现通过在环戊二烯衍生物中引入低级烷基能够降低分解温度。本发明人进行进一步广泛和深入的研究以寻找显示在室温下是液体的熔点的，并具有良好蒸发特性和分解特性新铱化合物。
本发明提供由如下通式(1)表示的有机金属铱化合物：
其中R1表示氢或低级烷基；R2，R3，R4，R5，R6和R7是相同或不同的，分别表示氢、卤素、低级酰基、低级烷氧基、低级烷氧基羰基或低级烷基，其前提是排除所有R1，R2，R3，R4，R5，R6和R7均是氢的情况；或如下通式(2)表示的有机金属铱化合物：
其中R8表示低级烷基；R9，R10，R11和R12是相同或不同的，分别表示氢、卤素、低级酰基、低级烷氧基、低级烷氧基羰基或低级烷基，其前提是排除当R8，R9和R11分别表示甲基时，R10和R12分别表示氢的情况。
本发明还提供制备由通式(1)表示的有机金属铱化合物方法，其包括使铱化合物、如下通式(3)表示的环己二烯衍生物，和如下通式(4)表示的环戊二烯衍生物反应：
其中R1，R2，R3，R4，R5，R6和R7与如上定义相同，M表示碱金属。
本发明还提供制备由通式(2)表示的有机金属铱化合物方法，其包括使铱化合物、如下通式(5)表示的丁二烯衍生物，和如下通式(6)表示的环戊二烯衍生物反应：
其中R8，R9，R10，R11和R12与如上定义相同的，M表示碱金属。
本发明还提供制备含铱薄膜的方法，其包括使用作为母体的由通式(1)或通式(2)表示的有机金属铱化合物。
附图的简要说明
图1是表示实施例1中得到的DSC曲线图。
图2是表示比较实施例1中得到的DSC曲线图。
图3是表示实施例5中得到的X-射线衍射图。
图4是表示实施例6中得到的DSC曲线图。
图5是实施例7和8中使用的CVD法装置的示意图。
图6是实施例7中在300℃形成的含铱薄膜的SEM图像。
图7是实施例7中在400℃形成的含铱薄膜的SEM图像。
图8是表示实施例7中得到的X-射线衍射图。
图9是表示实施例8中得到的X-射线衍射图。
在附图中：
1：母体容器
2：恒温器
3：反应室
4：基质
5：氧化气体
6：抗衡气体(counter gas)
7：载体气体
8：质量流量控制器
9：质量流量控制器
10：质量流量控制器
11：真空泵
12：废气
发明详细说明
下面详细描述本发明。
描述用于本说明书和具体实施例中的术语的定义，涉及本说明书和权利要求书中的术语“低级”是指在该术语给出的基团中包含具有1-6个碳原子的直链，支链或环状烃基，除非另有说明。
因此，用于R1-R12中的低级烷基的实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、1，2-二甲基丙基、己基、异己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、1，1-二甲基丁基、2，2-二甲基丁基、1，3-二甲基丁基、2，3-二甲基丁基、3，3-二甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1，1，2-三甲基丙基、1，2，2-三甲基丙基、1-乙基-1-甲基丙基、1-乙基-2-甲基丙基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环丙基甲基、环丙基乙基和环丁基甲基。其中甲基、己基、丙基、异丙基和环丙基是优选的。
用于R2-R7和R9-R12中的低级烷氧基的实例是甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、1-甲基丁氧基、2-甲基丁氧基、3-甲基丁氧基、1，2-二甲基丙氧基、己氧基、1-甲基戊氧基、1-乙基丙氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、4-甲基戊氧基、1，2-二甲基丁氧基、1，3-二甲基丁氧基、2，3-二甲基丁氧基、1，1-二甲基丁氧基、2，2-二甲基丁氧基和3，3-二甲基丁氧基。其中甲氧基、乙氧基和丙氧基是优选的。
用于R2-R7和R9-R12中的低级烷氧基羰基实例包括甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、环丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、仲丁氧基羰基和叔丁氧基羰基。其中甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基和异丙氧基羰基和环丙氧基羰基是优选的。
用于R2-R7和R9-R12中的低级酰基的实例包括甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、1-甲基丙基羰基、异戊酰基、1-甲基丁基羰基、2-甲基丁基羰基、3-甲基丁基羰基、1-乙基丙基羰基和2-乙基丙基羰基。其中，甲酰基、乙酰基和丙酰基是优选的。
除上述低级烷基、低级烷氧基、低级烷氧基羰基和低级酰基之外，氢原子或卤素原子优选用于R2-R7和R9-R12，它们是相同或不同的。卤素原子的具体实例包括氟、氯、溴和碘。其中氟和氯是优选的。
虽然如上列举了R1-R12的实例，但R8优选表示具有1-3个碳原子的烷基，R1-R7和R9-R12优选分别表示氢或低级烷基，更优选氢或含有1-3个碳原子的低级烷基。由通式(1)表示的具体化合物包括(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱和(甲基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱；通式(2)表示的具体化合物包括(乙基环戊二烯基)(2，3-二甲基-1，3-丁二烯)合铱。
如上所述，通式(1)表示的铱化合物可通过使铱化合物、通式(3)表示的环己二烯衍生物，和通式(4)表示的环戊二烯衍生物反应制备；通式(2)表示的铱化合物可通过使铱化合物、通式(5)表示的丁二烯衍生物，和通式(6)表示的环戊二烯衍生物反应制备。
所使用的铱化合物的实例包括无机铱化合物和有机金属铱化合物，尤其是卤化铱。铱化合物的具体实例包括氯化铱(III)水合物、六氯铱(IV)酸水合物、六氯铱(III)酸水合物、六氯铱酸(III)钠水合物、六氯铱酸(IV)钠水合物、六氯铱酸(IV)钾水合物、六氯铱酸(III)钾水合物、溴化铱(III)水合物、三(草酸根)合铱酸(III)钾水合物、六氯铱酸(IV)铵水合物、氯五胺氯化铱(III)水合物、二氯四(环辛烯)合二铱、二氯双(1，5-环辛烯)合二铱、二溴四(环辛二烯)合二铱、氯四(乙烯)合铱和二氯四(乙烯)合二铱。
其中氯化铱(III)水合物、六氯铱(IV)酸水合物、六氯铱酸(IV)钠水合物、六氯铱酸(IV)铵水合物、二氯四(环辛烯)合二铱和二氯四(乙烯)合二铱是优选的，氯化铱(III)水合物、六氯铱酸(IV)钠水合物、二氯四(环辛烯)合二铱和二氯四(乙烯)合二铱是尤其优选的。
在通式(4)和通式(6)中，M表示碱金属。可使用的碱金属的实施例包括锂、钠和钾，其中锂和钠是优选的。在通式(3)表示的环己二烯衍生物、通式(5)表示的丁二烯和通式(4)和(6)表示的环戊二烯衍生物中，包含上述优选R1-R12作为取代基的化合物是优选的。
反应顺序没有特定限制，上述化合物可依次反应或一次反应。一种方法可优选使用，其中铱化合物与通式(3)表示的环己二烯衍生物或通式(5)表示的丁二烯衍生物反应，反应产物随后与通式(4)或(6)表示的环戊二烯衍生物反应。对后处理没有特别限制，然而，作为通常方法，在反应完成后，反应混合物被浓缩，所需化合物由得到的混合物中使用有机溶剂，例如戊烷、己烷或乙醚萃取；萃取物进行柱色谱分离，使用硅胶作为载体，合适的有机溶剂作为洗脱液，或萃取物进行减压蒸馏或升华，从而得到所需的本发明铱化合物。
使用式(1)或(2)表示的化合物制备含铱薄膜的方法没有特定限制，可使用CVD法，原子层淀积法(ALD法)和旋转涂布法的任何一种。在使用通式(1)或(2)表示的铱化合物形成薄膜的情况下，向基质提供母体的方法没有特定限制。例如可使用鼓泡法和液体注射法的任何一种。在用CVD法或ALD法制备膜的情况下，作为母体的有机金属铱化合物单独使用或以两种或多种的混合物使用。有机金属铱化合物可直接使用，或可溶解在有机溶剂中，随后以有机金属铱化合物溶液使用。
可使用的有机溶剂的实例包括醇(例如甲醇、乙醇、1-丙醇、异丙醇和1-丁醇)、酯(乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸叔丁基酯和乙酸异戊基酯)、乙二醇醚(例如乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、和乙二醇单丁醚)、醚(例如乙醚、甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、叔丁基甲基醚和四氢呋喃)、酮(例如丙酮、甲丁酮、甲异丁酮、乙丁酮、二丙基酮、二异丁基酮、甲戊酮和环己酮)和烃(例如戊烷、己烷、环己烷、乙基环己烷、庚烷、辛烷、苯、甲苯和二甲苯)。然而，不应解释为本发明限制于这些。例如使用从中选择的一种或两种或多种。
大多数本发明的铱化合物在室温下是液体，当该化合物用作CVD母体时，它们可通过气体鼓泡定量地施用。此外，与常规原料相比，由于这些化合物能够在低温下热分解，能够形成具有在基质上的优良阶段覆盖度的含铱薄膜。因此，能够用CVD法由本发明的铱化合物形成具有优良产率含铱薄膜。
参照实施例更详细地描述本发明，但应理解，不认为本发明受它们限制。
实施例1
(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱的合成和热分解特性：
氯双(1，3-环己二烯)合铱参照G.Winkhaus和H.Singer，Chem.Ber.，99，3610(1966)合成。即，将2.0g氯化铱和4.3ml环己二烯加入30ml乙醇和20ml水中，混合物在回流条件反应23小时。冷却后，过滤沉淀，然后干燥，得到1.6g氯双(1，3-环己二烯)合铱。
将0.5g氯双(1，3-环己二烯)合铱加入10ml THF中，反应烧瓶冷却到-78℃，向其中加入0.18g乙基环戊二烯锂的20mlTHF溶液。得到的混合物在-78℃下搅拌30分钟，随后逐步升温至室温，得到的混合物再反应17.5小时，然后浓缩得到浆状混合物。浆状混合物用己烷萃取，萃取物溶液使用硅胶进行柱色谱分离(洗脱液∶己烷)得到145mg由如下式(7)表示的所需(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱。
1H-NMR(500MHz，CDCl3，δppm)：
5.12(t，J＝2.0Hz，2H)，5.02(t，J＝2.0Hz，2H)，4.90(m，2H)，3.32 to 3.37(m，2H)，2.40(q，J＝7.5Hz，2H)，1.39 to 1.47(m，2H)，125 to 1.29(m，2H)，1.11(t，J＝7.5Hz，3H).IR(neat，cm-1)：
810，1000，1170，1315，1460，2925
MS(GC/MS，EI)：
用193Ir(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱的分子离子峰：m/z362橙色油状物
分解特性
对得到的(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱，热分解特性用如下方法检测。
分解特性的分析条件
分析方法：能量补偿差示扫描量热法(DSC)
分析条件：
参照物： 氧化铝
惰性气体：氮气，50ml/分钟
升温： 10℃/分钟
得到的结果示于图1中，从图1中明显可看出，在本发明的铱化合物中，与随后比较实施例1中所示相比较，分解温度转移至低温侧。
比较实施例1
乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)合铱的分解特性：
对于已知化合物乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)合铱，用与实施例1中的相同方法检测分解特性。得到的结果示于图2中，从图2中显然可看出，在已知化合物中，与实施例1和6中所述的本发明的化合物相比较，分解温度位于高温侧。
实施例2
(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱的合成：
氯双(1，3-环己二烯)合铱用与实施例1的相同方法得到。将0.9g氯双(1，3-环己二烯)合铱加入15mlTHF中，反应烧瓶冷却到-78℃，向其中加入0.33g乙基环戊二烯锂的30ml THF溶液。得到的混合物在-78℃下搅拌30分钟，随后逐步升温至室温，得到的混合物再反应1.5小时，然后浓缩得到浆状混合物。该浆状混合物用己烷萃取，萃取物溶液经减压蒸馏得到827mg所需(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱。用与实施例1中的相同方法进行1H-NMR和MS分析，证实该化合物是所需化合物。
实施例3
(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱的合成：
氯双(1，3-环己二烯)合铱用与实施例1的相同方法得到。将7.8g氯双(1，3-环己二烯)合铱加入60ml THF中，反应烧瓶冷却到-78℃，向其中加入2.5g乙基环戊二烯钠的100ml THF溶液。得到的混合物在-78℃下搅拌30分钟，随后逐步升温至室温，得到的混合物再反应1小时，然后浓缩得到浆状混合物。该浆状混合物用己烷萃取，萃取物溶液经减压蒸馏得到4.9g所需(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱。用与实施例1中的相同方法进行1H-NMR和MS分析，证实该化合物是所需化合物。
实施例4
(甲基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱的合成：
氯双(1，3-环己二烯)合铱用与实施例1的相同方法得到。将1.2g氯双(1，3-环己二烯)合铱加入20mlTHF中，反应烧瓶冷却到-78℃，向其中加入0.26g甲基环戊二烯锂的40ml THF溶液。加完后，逐步升温至室温，得到的混合物反应1小时，然后浓缩得到浆状混合物。该浆状混合物用己烷萃取，萃取物溶液经减压升华得到101mg由如下式(8)表示的所需(甲基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱。
1H-NMR(500MHz，Benzene-d6，δppm)：
4.98(t，J＝2.0Hz，2H)，4.93 to 4.97(m，2H)，4.87(t，J＝2.0Hz，2H)，3.42 to 3.47(m，2H)，1.98(s，3H)，1.67 to 1.74(m，2H)，1.48 to 1.54(m，2H).
MS(GC/MS，EI)：
用193Ir(甲基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱的分子离子峰：m/z352
白色针状结晶
实施例5
(甲基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱的X-射线衍射
对实施例4得到的(甲基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱进行X-射线衍射，得到的结果示于图3中。
实施例6
(乙基环戊二烯基)(2，3-二甲基-1，3-丁二烯)合铱的合成和热分解特性：
氯双(2，3-二甲基-1，3-丁二烯)合铱参照G.Winkhaus和H.Singer，Chem.Ber.，99，3610(1966)合成。即，将1.7g六氯铱酸(IV)钠六水合物和2.7ml 2，3-二甲基-1，3-丁二烯加入20ml乙醇和10ml水中，混合物在40℃下加热反应23小时。冷却后，过滤沉淀，然后干燥，得到283mg氯双(2，3-二甲基-1，3-丁二烯)合铱。
将0.28g氯双(2，3-二甲基-1，3-丁二烯)合铱加入7mlTHF中，反应烧瓶冷却到-78℃，向其中加入0.17g乙基环戊二烯锂的15mlTHF溶液。得到的混合物在-78℃下搅拌5分钟，随后逐步升温至室温，得到的混合物再反应1.5小时，然后浓缩得到浆状混合物。该浆状混合物用己烷萃取，萃取物溶液使用硅胶柱色谱进行分离(洗脱液∶己烷)得到159mg由如下式(9)表示的所需(乙基环戊二烯基)(2，3-二甲基-1，3-丁二烯)合铱。
1H-NMR(500MHz，CDCl3，δppm)：
5.01(t，J＝2.0Hz，2H)，4.97(t，J＝2.0Hz，2H)，2.43(d，J＝1.5Hz，2H)，2.36(q，J＝7.5Hz，2H)，3.16(s，6H)，1.11(t，J＝7.5Hz，3H)，-0.05(d，J＝1.5Hz，2H).
IR(neat，cm-1)：
810，1035，1375，1450，2970
MS(GC/MS，EI)：
用193Ir(乙基环戊二烯基)(2，3-二甲基-1，3-丁二烯)合铱的分子离子峰：m/z365
橙色油状物
分解特性
对得到的(乙基环戊二烯基)(2，3-二甲基-1，3-丁二烯)合铱，热分解特性用如下方法检测。
分解特性的分析条件
分析方法：输入补偿差示扫描量热法(DSC)
分析条件：
参照物： 氧化铝
惰性气体：氮气，50ml/分钟
升温： 10℃/分钟
得到的结果示于图4中，从图4中明显可看出，在本发明的铱化合物中，与上述比较实施例1中所示相比较，分解温度转移至低温侧。
实施例7
用CVD法使用(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱作为母体制备含铱薄膜
使用图5中所示的装置，Si基质用作基质4，其中在基质表面形成100nm的SiO2薄膜。将10g(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱加入母体容器1中，在油浴2上加热在80℃保持恒定。使用真空泵11和压力控制阀，分别调节反应室3在8Torr压力，母体容器1调节至100Torr压力。氮气用作载体气体7，用质量流量控制器10设定其流量为100sccm。氧气用作氧化气体5，氮气用作气体填料6。用质量流量控制器8设定氧化气体流量为4sccm，气体填料的流量和氧化气体流量的总和设定在100sccm。基质4分别设定在300℃和400℃，在保持加热状态下进行薄膜形成55分钟。图6和7显示分别在300℃和400℃下在基质上形成的含铱薄膜的SEM图像。这些薄膜的X-射线衍射图示于图8中，在任何情况下得到Ir薄膜。
实施例8
用CVD法使用(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱作为母体制备含铱薄膜
使用图5中所示的装置，YSZ(氧化钇稳定的氧化锆)基质用作基质4。将10g(乙基环戊二烯基)(1，3-环己二烯)合铱加入母体容器1中，在油浴2上加热在80℃保持恒定。使用真空泵11和压力控制阀，分别调节反应室3在8Torr压力，母体容器1调节至100Torr压力。氮气用作载体气体7，用流量控制器10设定其流量为100sccm，氧气用作氧化气体5，氮气用作气体填料6。用流量控制器8设定氧化气体流量为4sccm，气体填料的流量和氧化气体流量的总和设定在100sccm。基质4分别设定在300℃和400℃，在保持加热状态下进行薄膜形成55分钟。这些薄膜的X-射线衍射图示于图9中，在基质温度为300℃的情况下，得到Ir薄膜，在基质温度为400℃的情况下，得到氧化铱薄膜。
同样对本领域技术人员明显的是，在如上所示和所述的本发明的形式和细节上可进行各种改变，该改变也包括在所附权利要求书的范围和精神内。
Claims (8)
1、如下通式(1)表示的有机金属铱化合物：
其中R1表示氢或低级烷基；R2，R3，R4，R5，R6和R7是相同或不同的，分别表示氢、卤素、低级酰基、低级烷氧基、低级烷氧基羰基或低级烷基，其前提是排除所有R1，R2，R3，R4，R5，R6和R7均是氢的情况。
2、如下通式(2)表示的有机金属铱化合物：
其中R8表示低级烷基；R9，R10，R11和R12是相同或不同的，分别表示氢、卤素、低级酰基、低级烷氧基、低级烷氧基羰基或低级烷基，其前提是排除当R8，R9和R11分别表示甲基时，R10和R12分别表示氢的情况。
3、制备由如下通式(1)表示的有机金属铱化合物方法，其包括使铱化合物，如下通式(3)表示的环己二烯衍生物，和如下通式(4)表示的环戊二烯衍生物反应：
其中R1表示氢或低级烷基；R2，R3，R4，R5，R6和R7是相同或不同的，分别表示氢、卤素、低级酰基、低级烷氧基、低级烷氧基羰基或低级烷基，其前提是排除所有R1，R2，R3，R4，R5，R6和R7均是氢的情况；和M表示碱金属。
4、制备由如下通式(2)表示的有机金属铱化合物方法，其包括使铱化合物，如下通式(5)表示的丁二烯衍生物和如下通式(6)表示的环戊二烯衍生物反应：
其中R8表示低级烷基；R9，R10，R11和R12是相同或不同的，分别表示氢、卤素、低级酰基、低级烷氧基、低级烷氧基羰基或低级烷基，其前提是排除当R8，R9和R11分别表示甲基时，R10和R12分别表示氢的情况；和M表示碱金属。
5、制备含铱薄膜的方法，其包括使用如下通式(1)表示的有机金属铱化合物作为母体：
其中R1表示氢或低级烷基；R2，R3，R4，R5，R6和R7是相同或不同的，分别表示氢、卤素、低级酰基、低级烷氧基、低级烷氧基羰基或低级烷基，其前提是排除所有R1，R2，R3，R4，R5，R6和R7均是氢的情况。
6、制备含铱薄膜的方法，其包括使用如下通式(2)表示的有机金属铱化合物作为母体：
其中R8表示低级烷基；R9，R10，R11和R12是相同或不同的，分别表示氢、卤素、低级酰基、低级烷氧基、低级烷氧基羰基或低级烷基，其前提是排除当R8，R9和R11分别表示甲基时，R10和R12分别表示氢的情况。
7、权利要求5的方法，其包括使用CVD法。
8、权利要求6的方法，其包括使用CVD法。
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