CN1574118A - 可调相变材料电阻器 - Google Patents

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Abstract

本发明包括一种集成可调电阻器。所述集成可调电阻器包括第一电极、第二电极、以及电连接到所述第一电极和第二电极的相变介质。所述集成可调电阻器还包括可调脉冲发生器，用于将可变量的能量加到相变介质上。相变介质的电阻连续地随加到相变介质上的能量数值而改变。与电阻相关的电路电连接到第一电极和第二电极。与电阻相关的电路的工作连续地随相变介质的电阻而改变。

Description

可调相变材料电阻器
技术领域
本发明一般涉及模拟电路，更详细地说，本发明涉及可调相变材料电阻器。
背景技术
有许多电子线路应用需要使用可变电阻。许多这些应用需要在几个数量级范围内变化的有用电阻范围。图1示出可调电阻器10，它用于设定电阻敏感电路20的电路参数。可调电阻器10的电阻可用来例如设定放大器的增益或振荡器的振荡频率。
产生可变电阻的一种方法是使用带状电阻。带状电阻需要(物理地)修整电阻性材料直到获得所需的电阻。这就要求有一种反复进行的方法，能一面修整电阻性材料，一面监控所得到的电阻。此方法的限制在于材料是物理去除的。所以，一旦获得了或选定了电阻，以后要调节电阻就非常困难。
另一种方法是采用一种实质上仿真电阻的有源电路。可以调节有源电路，以便允许对仿真电阻的附加调节。此方法的限制在于有源电路会很复杂。更具体地说，有源器件电阻很难设计，而且需要附加的制造加工步骤。此外，有源器件需要大量的电路衬底面积，从而降低了总体电路密度。
最好有一种装置和方法来提供可调电阻。所述电阻应能在几个数量级的电阻范围内可调。此外所述可调电阻应易于制造并需要极小的电路衬底表面积。
发明内容
本发明包括用于提供可调电阻的装置和方法。所述电阻能在几个数量级的电阻范围内可调。此外，所述可调电阻易于制造，并要求极小的电路衬底表面积。
本发明的第一实施例包括一种集成可调电阻器。所述集成可调电阻器包括第一电极、第二电极和电连接到所述第一电极和第二电极的相变材料。所述集成可调电阻器还包括可调脉冲发生器，用于将可变量的能量加到所述相变介质上。相变介质的电阻连续地随加到相变介质上的能量数值而改变。将与电阻相关的电路电连接到第一电极和第二电极。与电阻相关的电路的工作连续地随相变介质的电阻而改变。
从以下结合以实例说明本发明原理的附图的详细描述将可以明白本发明的其它方面和优点。
附图说明
图1示出先有技术的可变电阻和电阻敏感电路。
图2示出按照本发明实施例的集成可调电阻器的实施例。
图3示出相变介质材料的电阻和所加脉冲电压幅度之间的关系。
图4A和4B示出电压和温度的波形，所述电压和温度加到相变介质上以便可编程地设定相变介质的电阻。
图5示出按照本发明实施例的集成可调电阻器的另一实施例。
图6示出按照本发明实施例的集成可调电阻器的另一实施例。
图7是说明施加的脉冲电压的许多周期之后相变介质材料的电阻的曲线。
图8示出按照本发明实施例的集成可调电阻器和与电阻相关的低通滤波器电路。
图9示出按照本发明实施例的集成可调电阻器和与电阻相关的带通滤波器电路。
图10示出按照本发明实施例的集成可调电阻器和与电阻相关的放大器电路。
图11示出按照本发明实施例的集成可调电阻器和与电阻相关的加法电路。
图12示出使用按照本发明实施例的若干集成可调电阻器和与电阻相关的加法电路的神经网络。
具体实施方式
如用于举例说明的附图所示，本发明体现在用于提供可调电阻的装置和方法。所述电阻可以在几个数量级的电阻范围内调节。此外，所述可调电阻易于制造，并要求极小的电路衬底表面积。
图2示出按照本发明实施例的集成可调电阻器200的实施例。集成可调电阻器200包括第一电极212和第二电极214。相变介质210电连接到第一电极212和第二电极214。可调脉冲发生器(能量提供电路)220可用来将可变量的能量加到相变介质210上。相变介质210的电阻连续地随加到相变介质210上的能量数值而改变。所述实施例还包括与电阻相关的电路230。与电阻相关的电路230电连接到第一电极212和第二电极214上。与电阻相关的电路230的工作连续地随相变介质210的电阻而改变。
相变介质210通常包括设定在相变材料连续物理状态范围中某一特定状态的电阻。例如，相变介质210的第一物理状态包括高电阻状态，而相变介质210的第二物理状态包括低电阻状态。根据输送到相变介质210上的能量数值，就可以获得所述高电阻和所述低电阻之间的任何电阻值。
一种特定的相变材料210可以包括具有高电阻的第一物理状态非晶态。相变材料210还可以包括具有低电阻的第二物理状态结晶态。根据输送到相变介质210上的能量数值，可以调节相变材料210的非晶态部分和相变材料210的结晶态部分，从而可以调节相变介质的电阻状态。
能量提供电路220通常包括电压脉冲发生器，所述电压脉冲发生器将数值可变的能量加到相变介质210。可以将能量提供电路220电连接到第一电极212和第二电极214。如下所述，提供给相变介质210的能量数值通常决定了相变介质210的电阻状态。一般来说，能量提供电路220能产生脉冲电压，其电压能在足够宽的范围内连续可调，这样就可对相变介质210的电阻进行适当的调节。能提供连续可调的电压幅度的电压脉冲发生器在电子技术领域中已众所周知。
电阻敏感电路230可电连接到第一电极212和第二电极214上。通常，相变介质210的电阻决定了电阻敏感电路230的工作。
图3示出相变介质的电阻和所加脉冲电压幅度之间的关系。前述能量提供电路可以用来提供脉冲电压。所述特定相变介质的材料特性包括In2Se3。
如图3曲线所示，可在宽的电阻范围内连续地调节相变介质的电阻。如所述曲线所示，可在几个数量级的电阻范围内调节所述可用电阻。
施加足够大的电压导致相变介质焦耳加热，将部分相变介质转变为非晶态。电压越高，焦耳加热越厉害，因此改变为非晶态的相变介质数量就越大。本发明的一个方面是施加连续可变的电压，这样就产生连续可变的相变介质电阻。
图4A和4B示出加到相变介质上的电压和温度的波形，用以可编程地设定相变介质的电阻。
图4A示出能可调地加到相变介质上，以便可调地设定相变介质的电阻的电压。第一组电压410、413、414、416可编程地调节非晶态相变介质的数量。第二组电压420、423、424、426可编程地调节在至少部分地转换成非晶态之后又改变回结晶态的相变介质的数量。
第二组电压420、423、424、426包括较低的电压，且加电压的时间较长。这些信号能将可变数量的相变介质转换回结晶态。
图4B示出对应于图4A的电压波形410、413、414、416知420、423、424、426的典型器件温度曲线411、417、418、419和421、427、428、429。第一组电压波形410、413、414、416产生第一组温度曲线411、417、418、419，它们超过了相变介质的熔解温度(以线225表示)。通常，所加电压将可变数量的相变介质转换为非晶态。第二组电压波形420、423、424、426产生第二组温度曲线421、427、428、429，它们低于相变介质的熔解温度。但第二组温度曲线421、427、428、429表明相变材料的温度在较长的时间内升高。通常，所加电压将可变数量的相变介质转换为结晶态。
图5示出按照本发明实施例的集成可调电阻器的另一实施例。所述实施例表明可调电阻器可以很容易地与电阻敏感电阻530和能量提供电路520的电子电路集成。图5详细地示出相变介质510。第一导电电极540和第二导电电极550电连接到相变材料介质510
加在第一导电电极540和第二导电电极550之间的电压使电流(I)流过第一导电电极540、相变介质510和第二导电电极550。传导电流使相变介质层550发热，导致相变材料层改变物理状态。第一物理状态可包括低电阻状态(通常为结晶态)，第二物理状态包括高电阻态(通常为非晶态)。通过控制加到第一导电电极540和第二导电电极550上的电压和电流，就可控制其物理状态(高或低电阻)。通常，相变介质包括所述相变介质510的一部分，所述部分能局部地在这两个物理状态之间改变。
如前所述，电阻敏感电路550可以利用相变介质的物理状态。显然，电阻敏感电路550不能包括施加电压或电流同时利用相变介质510的电阻，所述施加电压或电流能够改变或修改相变介质510的物理状态。也就是说，电阻敏感电路55 0的工作不应改变相变介质510的当前物理状态。
流过相变介质510的电流(I)使相变介质510内发热。发热的量通常决定了多少相变介质转换成非晶态512，多少相变介质处于结晶态514。相变介质510的非晶态512的数量，以及相变介质510的结晶态514的数量决定了相变介质510的电阻。
图6示出按照本发明实施例的集成可调电阻器的另一实施例。所述实施例更详细地示出了相变介质。所述实施例包括衬底600、第一导电电极640、相变介质610和第二导电电极650。
衬底600可由硅、氧化硅、氧化铝、氧化镁或其它类型的已知陶瓷形成。但所述清单并不完全。其它材料也可用来形成衬底600。
第一导电电极640可以由铜、铝、钨或它们的合金形成。但所述清单并不完全。其它材料也可用来形成第一导电电极640。
绝缘层630可由氧化硅、硼磷硅玻璃、硼硅玻璃或磷硅玻璃形成。但所述清单并不完全。其它材料也可用来形成绝缘层630。
相变介质610可由从Te、Se、Ge、Sb、Bi、Pb、Sn、As、S等元素中选出的一组元素形成。相变材料的形成在材料科学界已众所周知。如前所述，相变介质通常包括非晶态部分612和结晶态部分614。
用于高密度电子器件的基于半导体的相变介质应具有适当低的熔解温度以及易于获得的在结晶态和非晶态之间或在可区别的结晶态之间的固态相变。相变介质对于大量次数的相变应具有化学稳定性。
本发明的各种实施例包括用多晶铟和镓硫属元素化物作为适当的半导体介质，用于组合到高密度的相变介质中。这些材料具有相当低的熔解温度，易于在结晶态和非晶态之间转换，并具有方便可控的载流子密度和带隙。此外，这些材料具有低缺陷密度和高稳定性。利用标准的制造技术可以很容易地将多晶铟和镓硫属元素化物制造成半导体薄膜。铟和镓硫属元素化物还有一个优点是它们的带隙大于硅的带隙。
已发现数种化合物包括所需的半导体特性，可用作相变介质电阻器。例如，InSe、In2Se3、InTe、In2Te3和InSeTe。这些铟基半导体化合物的固溶体也包括所需的特性。
镓溶液包括GaSe、Ga2Se3、GaTe、Ga2Te3、GaSeTe。这些镓基半导体化合物的固溶体也具有所需的半导体特性，可用在相变介质电阻器中。
铟镓硫属元素化物例如InGaSe2、InGaTe2以及含铟、镓、硒、碲的四元化合物，例如InGaSeTe，也发现具有所需的半导体特性，可用在相变介质电阻器中。
以上标识的铟、镓以及铟-镓硫属元素化物可以用I、II、V或VI族元素掺杂。
第二导电电极650可由铜、铝、钨或它们的合金形成。但所述清单并不完全。其它材料也可用来形成基本上是平面的第二导电电极650。
图7示出多次加脉冲电压后相变介质的电阻曲线。所述曲线表明相变介质的电阻可以调节多次。通常，对相变介质作电阻调节的次数没有限制。
能对相变材料的电阻作反复调节的相变材料特性非常合乎需要。与电阻相关的电路中的电阻可以一次又一次的进行调节。于是，电阻相关电路也适用于在很长时间内进行调节。许多电子电路可以利用这一有用的特性。
图8示出按照本发明实施例的集成可调电阻器和与电阻相关的低通滤波器电路800。所述低通滤波器电路包括放大器810、反馈电容器(C2)820、反馈电阻器(R2)830和输入电阻器(R1)840。
所述低通滤波器电路的输出Vo和输入Vi的关系可由下式表示：
(Vo/Vi)＝((R2/R1)/(1-R2C2s)
调整反馈电阻器R2就可对低通滤波器的截止频率进行调整。提供反馈电阻器R2的宽电阻调节范围就提供了低通滤波器的宽截止频率调节范围。
可以以根据本发明的相变介质可调电阻器的形式来实现反馈电阻器R2。本发明的相变介质可调电阻器提供了宽的可调电阻范围。相变介质可调电阻器的物理体积很小并易于和与低通滤波器关联的电子电路集成。
图9示出按照本发明实施例的集成可调电阻器和与电阻相关的带通滤波器电路900。
带低通滤波器电路900包括放大器910、反馈电容器(C2)920、反馈电阻器(R2)930和输入电阻器(R1)940，以及输入电容器(C1)950。
所述带通滤波器电路的输出Vo和输入Vi的关系可由下式表示：
(Vo/Vi)＝((R2C1s)/(1-R2C2s)(1+R1C1)
调整反馈电阻器R2就可对带通滤波器的高端截止频率进行调整。提供反馈电阻器R2的宽的电阻调节范围就提供了带通滤波器高端截止频率的宽调节范围。
例如，如果选择R1＝100Ω，C1＝3.18uF，R2＝10KΩ，以及C2＝318uF，则带通滤波器低端截止频率为1KHz，高端截止频率为100KHz。如果反馈电阻器R2用相变介质实现，且将反馈电阻器R2的电阻由10KΩ调节到100KΩ，则将带通滤波器的高端截止频率调节到10KHz。
本发明的相变介质可调电阻器提供了宽的的可调电阻范围。相变介质可调电阻器的物理体积很小并易于和与带通滤波器关联的电子电路集成。相变介质的可调电阻可以在关联电路工作时精确而快速地加以编程。所以，带通滤波器电路的特性可以动态改变。
图10示出按照本发明实施例的集成可调电阻器和与电阻相关的放大器电路1000。所述放大器包括增益元件1010、反馈电阻器(R2)1020和输入电阻器(R1)1040。
可变增益放大器1000的输出Vo和输入Vi的关系可由下式表示：
(Vo/Vi)＝-(R2/R1)
相变介质的电阻可以用来实现反馈电阻器1020。因此，可以动态地调节可变增益电路1000的增益。
如前所述，本发明的相变介质可调电阻器提供了宽范围的可调电阻。相变介质可调电阻器的物理体积很小并易于和与可变增益电路1000关联的电子电路集成。相变介质的可调电阻可以在关联电路工作时精确而快速地加以编程。因此，可以动态地改变可变增益电路的特性。
图11示出按照本发明实施例的集成可调电阻器和与电阻相关的加法电路1110。加法电路1100包括放大器1110、反馈电阻器(RF)1120和多个输入电阻器RA、RB...RN。加法电路1100接收多个输入信号VA、VB...VN。每个输入信号VA、VB...VN对输出Vo所起的作用可以表示为：
Vo＝(RF/RA)*VA+(RF/RB)*VB+...(RF/RN)*VN
反馈电阻器(RF)1120可以用本发明的相变介质可调电阻器来实现。或者，输入电阻器RA、RB...RN可以各自由本发明的可调电阻器来实现。所以，每个输入信号VA、VB...VN对输出Vo所起的作用可以编程调节。相变介质的可调电阻可以在关联电路工作时精确而快速的加以编程。所以，可以动态地改变加法电路的特性。
图12示出使用按照本发明实施例的数个集成可调电阻器和与电阻相关的加法电路的神经网络。图11的加法电路1110可以扩展以提供神经网络的物理实现。神经网络一般是包括许多加法节点的大网络。
图12的神经网络1200包括许多节点。图中示出三个示范节点1210、1220、1230。节点接收输入并产生至少一个输出。每个节点的输出可以连接到其它节点。
通常，每个节点作为图11所示的加法器工作。加法器可以包括这样一种特性：即仅当输入之和超过阈值时才产生输出(可以是脉冲)。节点的加法器仅当对节点的输入之和超过预定阈值时才产生输出脉冲。
神经网络通常包括许多节点，如图12所示。每个节点接收多个输入，且一般反馈到自身。
通过利用本发明，可以将非常小的可编程电阻结合到两个电极的交叉点结点中。一个实施例可以包括大型交叉点阵列，其中导体布置在两个或两个以上平面(类似于MRAM阵列)，可编程电阻设置在阵列中选择的几个交叉点上。所述导体可以这样形成一组接线，使得整个阵列起神经网络的作用。包括本发明的体系结构可用来实现高度集成和密集封装的神经网络设计。由于可编程电阻器的非常小的物理尺寸的缘故，这种体系结构是可能实现的。
虽然以上说明并图示了本发明的具体实施例，但本发明不限于所说明和图示的具体形式和部件配置。本发明仅受所附权利要求书的限制。

Claims (20)

1.一种集成可调电阻器，它包括：
第一电极；
第二电极；
电连接到所述第一电极和所述第二电极的相变介质；
可调脉冲发生器，用于将可变量的能量加到所述相变介质上，所述相变介质的电阻随加到所述相变介质上的能量数值而连续地改变；以及
与电阻相关的电路，所述与电阻相关的电路电连接到所述第一电极和所述第二电极，所述与电阻相关的电路的工作随所述相变介质的所述电阻而连续地改变。
2.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述相变介质的电阻在几个数量级范围内可调。
3.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述可调脉冲发生器能够向所述相变介质提供在几个数量级范围内可调的能量。
4.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述可调脉冲发生器能够可编程地向所述相变介质提供能量。
5.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述可调脉冲发生器能够在时间上动态地向所述相变介质提供能量。
6.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：对所述可调脉冲发生器进行校准，以便提供对应于所述相变介质的特定结果电阻值的特定数值的能量。
7.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述相变介质和所述与电阻相关的电路物理上位于同一衬底上。
8.如权利要求7所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述相变介质位于所述衬底中的通路附近，并且其大小与所述通路大致相同。
9.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述相变介质与所述与电阻相关的电路的晶体管相结合。
10.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述相变介质的电阻是非易失性的。
11.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述相变介质的电阻是可重调的。
12.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述与电阻相关的电路是低通滤波器，其中，所述相变介质的电阻决定所述低通滤波器的截止频率，并且所述可调脉冲发生器可调地决定所述低通滤波器的所述截止频率。
13.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述与电阻相关的电路是带通滤波器，其中，所述相变介质的电阻决定所述带通滤波器的截止频率，并且所述可调脉冲发生器可调地决定所述带通滤波器的截止频率。
14.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述与电阻相关的电路是放大器，其中，所述相变介质的电阻决定所述放大器的增益，并且所述可调脉冲发生器可调地决定所述放大器的增益。
15.如权利要求1所述的集成可调电阻器，其特征在于：所述与电阻相关电路是加法器，其中，多个相变介质的电阻决定所述加法器的多个输入中每个输入所起的作用。
16.如权利要求15所述的集成可调电阻器，其特征在于：可以通过相应的可调脉冲发生器可编程地控制每个所述相变截止的电阻。
17.一种设定集成可调电阻器电阻的方法，所述集成可调电阻器包括第一电极、第二电极、电连接到所述第一电极和所述第二电极的相变介质、以及与电阻相关的电路，所述与电阻相关的电路电连接到所述第一电极和所述第二电极，所述与电阻相关的电路的工作取决于所述相变介质的电阻，所述方法包括：
把可变量的能量加到所述相变介质，以便设定所述相变介质的电阻；
对所述相变介质重新施加另一可变量的能量，以便重新设定所述相变介质的电阻，其中，
所述相变介质的所述电阻在一定范围内连续可调。
18.如权利要求17所述的设定集成可调电阻器电阻的方法，其特点在于：可以可编程地施加所述可变量的能量。
19.如权利要求17所述的设定集成可调电阻器电阻的方法，其特点在于：所述相变介质的所述电阻决定滤波器的截止频率。
20.如权利要求17所述的设定集成可调电阻器电阻的方法，其特点在于：所述相变介质的所述电阻决定放大器的增益。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8605483B2 (en) 2008-12-23 2013-12-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memristive device and methods of making and using the same
CN109712765A (zh) * 2018-12-27 2019-05-03 武汉世纪精能科技发展有限公司 瞬态电流抑制电阻及电力装置
CN110199400A (zh) * 2017-01-20 2019-09-03 阿姆有限公司 电子滤波器电路

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005317713A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
US20060034116A1 (en) * 2004-08-13 2006-02-16 Lam Chung H Cross point array cell with series connected semiconductor diode and phase change storage media
US7583527B2 (en) * 2006-09-29 2009-09-01 Infineon Technologies Ag Tunable resistor and method for operating a tunable resistor
WO2008102583A1 (ja) * 2007-02-23 2008-08-28 Nec Corporation 半導体装置
CN102769101A (zh) * 2012-07-09 2012-11-07 南京大学 一种GeTe4相变记忆元件及制备方法
TWI462466B (zh) * 2012-07-24 2014-11-21 Delta Electronics Inc 風扇之控制方法及控制系統
US10706922B2 (en) 2016-01-26 2020-07-07 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Memristive arrays with offset elements
US10586922B1 (en) 2018-08-21 2020-03-10 International Business Machines Corporation Symmetric tunable PCM resistor for artificial intelligence circuits

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3755749A (en) * 1971-11-22 1973-08-28 White Instr Inc Sound reenforcement equalization system
US4115872A (en) * 1977-05-31 1978-09-19 Burroughs Corporation Amorphous semiconductor memory device for employment in an electrically alterable read-only memory
US5072200A (en) * 1989-11-24 1991-12-10 Bela Ranky Combination of active and passive filters
US6159836A (en) * 1994-09-16 2000-12-12 Stmicroelectronics, Inc. Method for forming programmable contact structure
US5679275A (en) * 1995-07-03 1997-10-21 Motorola, Inc. Circuit and method of modifying characteristics of a utilization circuit
JP3109461B2 (ja) * 1997-09-09 2000-11-13 日本電気株式会社 ローパスフィルタ
US6141241A (en) * 1998-06-23 2000-10-31 Energy Conversion Devices, Inc. Universal memory element with systems employing same and apparatus and method for reading, writing and programming same
AU2002225754A1 (en) * 2000-11-29 2002-06-11 Broadcom Corporation Integrated direct conversion satellite tuner
US6590807B2 (en) * 2001-08-02 2003-07-08 Intel Corporation Method for reading a structural phase-change memory
US6646902B2 (en) * 2001-08-30 2003-11-11 Micron Technology, Inc. Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM
KR20050026904A (ko) * 2001-09-10 2005-03-16 마이크로브리지 테크놀로지스 인크. 저항기 트리밍 방법
EP1318552A1 (en) * 2001-12-05 2003-06-11 STMicroelectronics S.r.l. Small area contact region, high efficiency phase change memory cell and fabrication method thereof
DE60220245D1 (de) * 2002-01-17 2007-07-05 St Microelectronics Srl Integriertes Widerstandselement, Phasenwechsel Speicherelement mit solchem Widerstandselement, und Verfahren zu seiner Herstellung
US7129531B2 (en) * 2002-08-08 2006-10-31 Ovonyx, Inc. Programmable resistance memory element with titanium rich adhesion layer
US6872963B2 (en) * 2002-08-08 2005-03-29 Ovonyx, Inc. Programmable resistance memory element with layered memory material
US6831856B2 (en) * 2002-09-23 2004-12-14 Ovonyx, Inc. Method of data storage using only amorphous phase of electrically programmable phase-change memory element

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8605483B2 (en) 2008-12-23 2013-12-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memristive device and methods of making and using the same
CN110199400A (zh) * 2017-01-20 2019-09-03 阿姆有限公司 电子滤波器电路
CN109712765A (zh) * 2018-12-27 2019-05-03 武汉世纪精能科技发展有限公司 瞬态电流抑制电阻及电力装置
CN109712765B (zh) * 2018-12-27 2021-05-14 武汉世纪精能科技发展有限公司 瞬态电流抑制电阻及电力装置

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