CN1573637A - 电源电路 - Google Patents

Abstract

一种电源电路，包括：差动放大器，其根据与输出电压相等的反馈电压和参考电压之间的差值提供输出电压作为控制电压；输出电流控制元件，其根据从差动放大器馈送的控制电压提供输出电流；输出线路，经由其提供输出电流给负载；反馈线路，通过它反馈输出线路上的电压给差动放大器作为反馈电压，该反馈线路与输出线路连接；和连接在反馈线路与地面之间用于产生吸收电流的吸收电流产生电路，通过它将馈送给输出电流控制元件的控制电压提高到预定值。

Description

电源电路

技术领域

本发明涉及到用于提供预定电压给负载的电源电路。尤其是，本发明涉及到具有抑制由于负载变化所引起的输出电压波动的功能的电源电路。

背景技术

图4是包含在常规电源电路中的n沟道场效应晶体管驱动器200的电路图。在这个n沟道场效应晶体管驱动器200中，参考电压源2的正极经由线路L3连接到差动放大器1的同相输入端(正端)，而反馈线路L2与差动放大器1的反相输入端(负端)连接。参考电压源2的负极接地。此外，n沟道场效应晶体管3(即，输出电流控制元件场效应晶体管)的栅极经由线路L4与差动放大器1的输出端连接。

场效应晶体管3的漏极经由线路L6与第一电源E1连接，而场效应晶体管3的源极连接到输出线L1。反馈线L2，在与差动放大器1的反相输入端(负端)连接的同时，也连接到输出线L1。电容器4的一端和负载5的一端分别连接到输出线L1。电容器4的另一端和负载5的另一端分别接地。

根据由差动放大器1跨导(或者增益)Gm确定的电压-电流转换率，差动放大器1将参考电压源2馈送到其同相输入端(正端)的参考电压V_ref与馈送到反相输入端(负端)的反馈电压V_b之间的电压差值转换成电流。从而转换的电流经由线路L4被馈送到场效应晶体管3的栅极。这个差动放大器1还经由电源线L7与第二电源连接以及经过接地线L8接地。

下面描述如上构成的n沟道场效应晶体管驱动器200是如何工作的。

根据由差动放大器1跨导Gm确定的转换率，差动放大器1将参考电压源2经由线路L3馈送到其同相输入端(正端)的参考电压V_ref与经由反馈线路L2馈送到反相输入端(负端)的反馈电压V_b之间的电压差值转换成电流。从而转换的输出电流经由线路L4馈送到场效应晶体管3的栅极。因此，场效应晶体管3根据其栅极电流经由输出线路L1传送其源极电流。然后，由源极电流产生的电压作为输出电压Vo提供给负载5，同时还作为反馈电压V_b出现在反馈线路L2上。

例如，假定负载5从重负载变到空载。那么，如图5A所示，输出电流(负载电流)Io在施加空载的周期T1期间变成零。当负载5在周期T1之后又变成重负载时，输出电流Io的高度又变成重负载状态下的高度。输出电压(负载电压)Vo根据输出电流Io的变化而改变，如图5B所示。此外，场效应晶体管3的栅极电压Vg如图5C中所示变化。所有这些都是如下描述工作的结果。

当负载5从重负载变到空载而且输出电流Io变成零时，由于瞬态现象，所以输出电压Vo在t1时刻开始上升并且向前。输出电压Vo在t12时刻增加了电压值V2而在t8时刻恢复到预定电压。从差动放大器1馈送到场效应晶体管3栅极的栅极电压Vg在t1时刻下降并且在t10时刻场效应晶体管3截止，以致于控制输出电压Vo的增加。此后，在场效应晶体管3保持截止期间栅极电压Vg一直保持低电平直到t3时刻。

换句话说，当负载5从重负载变到空载时，输出电流Io在t1时刻变成零。然而，由于瞬态现象，在t1时刻后输出电压Vo上升电压值V2的高度。此时，电压值V2相对较高，而且从t1时刻到t12时刻以及从t1时刻到t8时刻的各个周期相对较长。

接下来，在t3时刻负载5从空载变到重负载。然后输出电流Io开始流过负载5，此外，由于瞬态现象输出电压Vo在t3时刻开始下降并且向前，而且在t13时刻下降了电压值V2′。此后，输出电压Vo开始上升以致于在t9时刻恢复到预定电压。电压值V2′的深度较大，而且从t3时刻到t13时刻以及从t3时刻到t9时刻的各个周期相对较长。

然而，在如上构成的常规电源电路中，当负载5从重负载变到空载或者轻负载时，电容器4的电容量越大，则输出电压Vo从它的上升位置返回到其预定电压所需要花费的时间就越长。由于这个原因，输出电压Vo的波动值变的较大，从而为了很快稳定输出电压Vo所需要的瞬态响应恶化。

此外，当如上所述负载5从从空载或者轻负载变到重负载时，场效应晶体管3的栅极电压必须响应而且从低电压开始上升。因此，场效应晶体管3的响应根据其栅极电压而延迟，这使负载5的启动瞬态响应恶化。在以这种方法构成的常规电源电路中，当负载波动频率较低时缓慢的瞬态响应不会引起任何严重的损害。然而，当负载波动频率较高时，因为场效应晶体管3不能响应这样高的频率，所以这变得不可能很快地稳定输出电压Vo。

此外，有另一种类型的常规电源电路，在这种电路中，还是在空载状态下存在约为几毫安的电流流入差动放大器，以致于通过减少阻抗元件或者减少输出反馈电阻来抑制由于负载波动所引起的输出电压波动。然而，因为使用了输出反馈电阻，所以还是在这种情况下，当负载5从重负载变到空载或者轻负载时，并联连接到负载的电容器容量越大，则输出电压Vo从它的上升位置返回到其预定电压所需要花费的时间就越长。由于这个原因，输出电压Vo的波动变成较大，从而为了很快稳定输出电压Vo所需要的瞬态响应恶化。

在日本专利申请编号No.H08-190437中公开的半导体器件和电源电压产生电路使用p沟道场效应管作为输出电流控制元件。在这种结构中，p沟道场效应管需要的输入电压应该设置的较高，这使它的输出效率恶化。这个公开的专利还存在一个缺点，其中有两个电阻元件用于抑制从比较电路馈送的输出信号的幅度，从而引起不必要的功率消耗。

发明内容

本发明的目的是解决上述的问题而且提供一种电源电路，它通过改善瞬态响应能够在负载波动情况下将输出电压波动抑制到最小，并且还提供能够减少不必要功率消耗的电源电路。

为了达到上述目的，关于本发明的电源电路包括：差动放大器，其根据与输出电压相等的反馈电压和参考电压之间的差值提供输出电压作为控制电压；输出电流控制元件，其根据从差动放大器馈送的控制电压提供输出电流；输出线路，经由它提供输出电流给负载；反馈线路，通过它反馈输出线路上的电压给差动放大器作为反馈电压，该反馈线路与输出线路连接；和连接在反馈线路与地之间用于产生吸收电流的吸收电流产生电路，利用吸收电流将馈送给输出电流控制元件的控制电压提高到预定值。

根据以这种方法构成的电源电路，该电源电路是以这样一种方法设计的，即馈送到输出电流控制元件的控制电压借助于吸收电流产生电路产生的吸收电流被提高到预定电压，以致于在负载从空载或者轻负载变到重负载时，输出电流控制元件能够更快地响应。尤其是，当负载从空载或者轻负载变到重负载时，由于瞬态现象输出电压立即下降。然而，因为输出电流控制元件的控制电压由吸收电流产生电路产生的吸收电流提高到预定电压，所以输出电流控制元件能够更快地响应。这能够使由负载波动所引起的输出电压的波动减小到最小，而且改善瞬态响应的特性。

在负载从重负载变到空载或者轻负载时，即使输出电压被提高，也能够使输出电压回到预定值。这就能够将由负载波动所引起的输出电压波动减小到最小，而且改善瞬态响应的性能。

根据本发明的另一方面，恒流源被用作吸收电流产生电路。由于这个原因，它可能产生一个恒定的吸收电流，从而，准确地将输出电流控制元件的控制电压提高到预定电压。

还根据本发明的另一方面，提供一种开关元件，以致于该开关元件能够与关断连接在反馈线路与地之间的输出电流控制元件的信号同步地导通。利用这种结构，当负载从重负载变到空载或者轻负载时并且当输出电压由于瞬态现象而被提高时，该开关元件迅速地将存在于输出线路与地线之间的电容量元件的电荷消除。这能够进一步抑制由负载波动所引起的输出电压波动，而且改善瞬态响应的性能。

根据本发明的另一方面，对于电容器连接在输出线路与地之间的结构，当开关元件导通时至少存储在电容器中的电荷被消除。因此，当负载从重负载变到空载或者轻负载时并且当由于瞬态现象使输出电压升高时，存储在电容器的电荷被迅速地消除。这能够进一步抑制由负载波动所引起的输出电压的波动，并且改善瞬态响应的特性。

根据本发明的另一方面，n沟道场效应晶体管被用作开关元件。因此，即使输入电压低时场效应晶体管也能够工作，这使其能够减少功率消耗和增加工作效率。

根据本发明的另一方面，n沟道场效应晶体管被用作输出电流控制元件。因此，即使输入电压低，场效应晶体管也能够工作。这能够有效地提供输出电压给负载并且减少功率消耗。

附图说明

从下面参考附图结合优选实施例的描述中，本发明的这些和其它目的与特点将变得更清楚，附图包括：

图1是包含在本发明实施例的电源电路中的n沟道场效应晶体管驱动器的电路图；

图2A是显示包含在本发明实施例的电源电路中的n沟道场效应晶体管驱动器的输出电流波形图；

图2B是显示包含在本发明实施例的电源电路中的n沟道场效应晶体管驱动器的输出电压波形图；

图2C是显示包含在本发明实施例的电源电路中的n沟道场效应晶体管驱动器的输出电流控制元件的栅极电压波形图；

图2D是显示包含在本发明实施例的电源电路中n的沟道场效应晶体管驱动器中的开关元件的栅极电压波形图；

图3A是显示有与没有吸收电流的两种情况下的n沟道场效应晶体管驱动器的输出电流的波形图；

图3B是显示有与没有吸收电流的两种情况下的n沟道场效应晶体管驱动器输出电压的波形图；

图3C是显示有与没有吸收电流的两种情况下的n沟道场效应晶体管驱动器中的输出电流控制元件的栅极电压波形图；

图4是包含在常规电源电路中的n沟道场效应晶体管驱动器的电路图；

图5A是显示包含在常规电源电路中的n沟道场效应晶体管驱动器的输出电流波形图；

图5B是显示包含在常规电源电路中的n沟道场效应晶体管驱动器的输出电压波形图；和

图5C是显示包含在常规电源电路中的n沟道场效应晶体管驱动器的输出电流控制元件的栅极电压波形图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图描述本发明的实施例。图1是包含在本发明实施例电源电路中的n沟道场效应晶体管驱动器100的电路图。在这个n沟道场效应晶体管驱动器100中，参考电压源2的正极经由线路L3连接到差动放大器1的同相输入端(正端)，而反馈线路L2与差动放大器1的反相输入端(负端)连接。参考电压源2的负极接地。此外，n沟道场效应晶体管3(即输出电流控制元件，在下文中称场效应晶体管3)的栅极通过线路L4与差动放大器1的输出端连接。

场效应晶体管3的漏极经由线路L6与第一电源E1连接，而场效应晶体管3的源极连接到输出线路L1。恒流源6的一端和n沟道场效应晶体管7(即开关元件，在下文中简称场效应晶体管7)的漏极分别连接到与差动放大器1的反相输入端(负端)连接的反馈线路L2。反馈线路L2与输出线路L1连接在一起。电容器4的一端和负载5的一端分别连接到输出线路L1。场效应晶体管7的源极、恒流源的另一端、电容器4的另一端和负载5的另一端分别接地。

在差动放大器1中，在电源线L7(经由它提供第二电源E2的电压)与地线L8之间提供有串联连接的p沟道场效应管11(在下文中简称场效应晶体管11)和n沟道场效应晶体管12(在下文中简称场效应晶体管12)。场效应晶体管11的源极与电源线L7连接，而场效应晶体管11的漏极与场效应晶体管12的漏极连接。场效应晶体管12的源极经由接地线L8接地。场效应晶体管11的栅极与场效应晶体管12的栅极连接在一起并且经由线路L5连接到场效应晶体管7的栅极。

根据由差动放大器1跨导(或者增益)Gm确定的电压-电流转换率，差动放大器1将从参考电压源2馈送到其同相输入端(正端)的参考电压V_ref与馈送到反相输入端(负端)的反馈电压V_b之间的电压差值转换成电流。所转换的电流经由线路L4被馈送到场效应晶体管3的栅极。

下面描述如上构成的n沟道场效应晶体管驱动器100是如何工作的。

根据由差动放大器1跨导(或者增益)Gm，差动放大器1以这样的转换率，将从参考电压源2馈送到它的同相输入端(正端)的参考电压V_ref与馈送到反相输入端(负端)的反馈电压V_b之间的电压差值转换成电流。所转换的输出电流经由线路L4被馈送到场效应晶体管3的栅极。因此，场效应晶体管3根据其栅极电流经由输出线路L1传送源极电流。然后，由源极电流产生的电压作为输出电压Vo提供给负载5，同时还作为反馈电压V_b出现在反馈线路L2上。

例如，假定负载5从重负载变到空载。那么，如图2A所示，输出电流(负载电流)Io在施加空载的周期T1期间变成零。当负载5在周期T1之后又变成重负载时，输出电流Io的高度变成重负载情况下的高度。根据输出电流Io的变化，输出电压(负载电压)Vo如图2B所示变化。此外，场效应晶体管3的栅极电压Vg如图2C所示变化。所有这些都是如下描述的操作的结果。

当负载5从重负载变到空载而且输出电流Io变成零时，输出电压Vo开始上升。在t1时刻与t2时刻之间的T2周期内，在输出电压Vo上升了V1电压的t7时刻，差动放大器1提供低电平信号。在这几个步骤之后，一个低电平信号馈送到场效应晶体管3的栅极以致于场效应晶体管3截止。在这个时刻，如图2D中电压Vsg显示，与上述低电平信号同步的一个高电平信号经由线路L5馈送到场效应晶体管7的栅极。依据这个信号，场效应晶体管7在非常短的时间周期导通。因而激活的场效应晶体管7迅速地从电容器4释放电荷。用这种方法，减少输出电压Vo的上升，因此，由于负载变化引起的输出电压波动被抑制，而且改善了对负载波动的响应。

此外，吸收电流Ic从第一电源E1经由场效应晶体管3流到恒流源6。结果，如图2C所示，当负载5从重负载变到空载时，与没有吸收电流Ic的情况相比，在场效应晶体管7已经导通后，在t1时刻与t5时刻之间非常短的时间周期，提高的栅极电压Vg1借助于经由场效应晶体管3流入恒流源6的吸收电流Ic而发展，如前面参考图2D所描述的。提高的栅极电压Vg1的发展使场效应晶体管3迅速地响应以致输出电压Vo能够迅速地被带回到预定电压。用这种方法，能够抑制由负载波动所引起的输出电压Vo的波动，而且改善瞬态响应特性。

更具体地说，当负载5从重负载变到空载时，输出电流Io在t1时刻变成零。然而，在t1时刻与t2时刻之间的T2周期内，由于瞬态现象输出电压Vo在t7时刻上升了电压V1。然而，当电压V1与常规电平比较小时，而且t1时刻到t7时刻之间的周期和t1时刻到t2时刻的T2周期都比较短，所以输出电压Vo的瞬态响应得到改善。另外，在t2时刻与t3之间的周期内，馈送到场效应晶体管3的栅极电压Vg由恒流源6控制的吸收电流Ic来提高，如图2C所示。这使得当负载5从空载变到重负载时，能够提高响应速度。

接下来，假定负载5在t3时刻从空载变到重负载。那么，输出电流Io流过负载5。由于瞬态现象，输出电压Vo在t3时刻开始下降而且最后在t4时刻下降电压V1′。此后，输出电压Vo开始上升并且在t6时刻恢复到预定电压。然而，当电压V1′与常规电平比较小时，而且t3时刻到t4时刻之间的周期和t3时刻到t6时刻之间的周期T3与常规周期相比较都比较短，以致输出电压Vo的瞬态响应得到改善。

更具体地说，在负载5从空载变到重负载的t3时刻之前，已经下降到低电平(例如，提高的栅极电压Vg1)的栅极电压Vg在t2时刻上升到某一电平(例如，提高的栅极电压Vg2)，如图2C所示，这是由于恒流源6拉入的吸收电流Ic的作用效果。换句话说，首先，栅极电压Vg被提高到某一电平，然后，差动放大器1在负载5变到重负载时响应负载的变化，并且将栅极电压Vg改变到高电平。结果，t3时刻与t4时刻之间的周期与常规周期的长度比较变得较短。尽管在t4时刻输出电压Vo下降了V1′，但是在t6时刻后将提供预定电压给负载5。

图3A是显示有吸收电流与没有吸收电流的n沟道场效应晶体管驱动器100的输出电流波形图。图3B是显示有吸收电流与没有吸收电流的n沟道场效应晶体管驱动器100的输出电压波形图。图3C是显示有吸收电流与没有吸收电流的n沟道场效应晶体管驱动器100中的输出电流控制元件的栅极电压波形图。

在图3A到3C中，在图2A到2C和图5A到5C中可以找到的元件使用相同的参考符号或者数字来标识。在图3B中示出了，当提供吸收电流Ic时，在t1时刻到t2时刻之间周期内获得的而且具有电压V1的波动的输出电压Vo的电压波形所示。并示出了当不提供吸收电流Ic时，在t1时刻到t8时刻之间周期内获得的而且具有电压V2的波动的另一个输出电压Vo的电压波形。从这些波形可以看到电压V1小于电压V2，因此当负载从重负载变到空载时改善了瞬态响应。此外，当提供吸收电流Ic时，在t3时刻到t6时刻之间周期内获得的具有电压V1′的波动的输出电压Vo，如该电压波形所示。当不提供吸收电流Ic时，t3时刻到t9时刻之间周期内获得的而且具有电压V2′的波动的输出电压Vo，如该电压波形所示。从这些波形可以看到电压V1′小于电压V2′，因此当负载从空载变本重负载时改善了瞬态响应。

在图3C中，参考符号m1代表，当通过恒流源6的拉入提供吸收电流Ic时，显示栅极电压Vg在t3时刻如何上升的路线；而参考符号m2代表，当不提供吸收电流Ic时，显示栅极电压Vg在t3时刻如何上升的路线。更具体地说，当提供吸收电流Ic时，在t2时刻后通过吸收电流Ic保持提高的栅极电压Vg，在t3时刻如m1线所示开始上升，并且在通过t4时刻实际上的栅极电压阈值后，在t6时刻达到预定值电压。相反，当不提供吸收电流Ic时，在t1时刻与t3时刻之间栅极电压Vg保持在几乎零电压，在t3时刻如m2线所示开始上升，并且在t9时刻达到预定电压。

如图3C中所示，提供吸收电流Ic时的栅极电压Vg达到预定值电压需要的时间比不提供吸收电流Ic时的较短。利用这种结构，能够使场效应晶体管3快速响应并且迅速地使输出电压Vo回到它的预定电平。

如此安排以致于当恒流源6工作时使吸收电流Ic流动。因此，如先前的描述显然不是一直需要吸收电流Ic流动。这就能够按照周期地导通与截止，或者与负载状态变化同步地导通与截止这样的方法来控制吸收电流Ic的流量，以致于吸收电流Ic连续地流动，例如，如图2C所示至少在t1时刻到t3时刻之间的周期内连续地流动。

此外，在这个实施例中使用的恒流源6所引起的吸收电流Ic的量，例如大约是100微安。当场效应晶体管7导通时在非常短的时间周期内流过场效应晶体管7的电流量，例如约为几个毫安，虽然这个量是根据存储在电容器4中的电荷量而变化。

此外，用场效应晶体管3作为一个例子，施加到其栅极的相关栅极电压Vrg(即，栅极电压Vg-输出电压Vo)在某种程度上根据输出电流(负载电流)Io的量而变化。例如，假定场效应晶体管3的阈值电压大约是图2C中的1.2V。则，以这种方式构成的电路，当输出电流Io是零时，相关的栅极电压Vrg在0V和大约1.2V(如图2C所示)之间的范围内变化；当输出电流Io是100微安相当于吸收电流Ic的量时，相关的栅极电压Vrg大约是1.5V(如图2C中显示的Vg2)；当输出电流Io改变到1A相当于重负载时的电流量时，相关的栅极电压Vrg改变到大约2.0V(如图2C中显示最大电压Vg)。应当注意，因为这些数据根据该电路结构和使用的元件类型而变化，本发明不局限于这些值。

根据上述实施例，当负载5从空载变到重负载时，场效应晶体管3(即输出电流控制元件)的栅极电压，在负载状态改变之前的空载的周期期间，借助于恒流源6拉入的吸收电流Ic来提高。这使场效应晶体管3响应较快，从而将由于波动负载状态所引起的输出电压波动减小到最小，此外，改善瞬态响应的性能。

当负载5从重负载变到空载时，由n场效应晶体管7(即，导通的开关元件)从电容器4中消除电荷。这能够抑制输出电压的上升。结合吸收电流Ic的作用，使场效应晶体管3的响应速度更快，更进一步抑制由负载变化所引起的输出电压波动，此外，改善瞬态响应特性。

此外，n沟道场效应晶体管被用作为输出电流控制元件和开关元件。这就能够更进一步减少功率消耗。

在前面提到的实施例中，描述的是负载5从空载变到重负载的状态，还有从重负载到空载的情况。然而，当负载5从轻负载改变重负载时，还有，从重负载到轻负载时，差动放大器1和场效应晶体管3因为它们的工作线性而以同样的方式工作，而且产生相同的作用。再者，上述提到的实施例，虽然它解释了场效应晶体管7从电容器4中消除电荷，场效应晶体管7也可以消除电容器4之外线路L1中的电容元件电荷。这能够改善对负载波动的响应速度。

Claims (12)

1.一种电源电路，其中包括：

差动放大器，它用于根据与输出电压相等的反馈电压与参考电压之间的差值来提供作为控制电压的电压；

输出电流控制元件，它用于根据从差动放大器馈送的控制电压来提供输出电流；

输出线路，通过其提供输出电流给负载；

反馈线路，经由它将输出线路上的电压作为反馈电压反馈给差动放大器，所述反馈线路与输出线路连接；和

连接在反馈线路与地之间用于产生吸收电流的吸收电流产生电路，利用吸收电流使馈送到输出电流控制元件的控制电压提高到预定值。

2.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于所述吸收电流产生电路包括恒流源。

3.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于还包括，

与关断输出电流控制元件的信号同步导通的开关元件，其中开关元件连接在反馈线路与地之间。

4.根据权利要求3所述的电源电路，其特征在于所述开关元件，当其导通时，至少消除连接在输出线路与地之间电容器的电荷。

5.根据权利要求3所述的电源电路，其特征在于所述开关元件是n沟道场效应晶体管。

6.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于所述输出电流控制元件是n沟道场效应晶体管。

7.一种电源电路，其中包括：

第一电源端，通过它提供来自第一电源的电源；

差动放大器，它具有用于接收参考电压的第一输入端和用于接收与输出电压相等的电压的第二输入端，所述差动放大器用于根据分别馈送到第一与第二输入端的两个电压之间的差值提供一个作为控制电压的电压。

场效应晶体管，它具有用于接收该控制电压的栅极，连接到第一电源端的漏极，和连接到负载与差动放大器的第二输入端的源极，所述场效应晶体管根据所述控制电压提供输出电压给差动放大器的第二输入端和负载；和

连接在场效应晶体管的源极与地之间的吸收电流产生电路，它用于从第一电源经由场效应晶体管吸入吸收电流，

其中所述吸收电流，在场效应晶体管从截止状态改变到导通状态时，通过在截止周期期间将控制电压提高到预定电平，来改善所述场效应晶体管的瞬态响应。

8.根据权利要求7所述的电源电路，其特征在于所述吸收电流产生电路包括恒流源。

9.根据权利要求7所述的电源电路，其特征在于还包括：

第二电源端，通过它提供来自第二电源的电源；

反相器电路，结合在差动放大器中并且连接在第二电源端与地之间，根据接收用于产生控制电压的输入信号来提供控制电压；和

开关元件，它与吸收电流产生电路并联连接，与反相器电路同时地接收用于产生控制电压的输入信号，

其中当场效应晶体管截止时，所述开关元件导通。

10.根据权利要求9所述的电源电路，其特征在于，当存在跨接负载的电容元件时，当所述开关元件导通时它将消除存储在电容元件中的电荷，以致于改善在场效应晶体管从导通状态改变到截止状态的过渡期间测量的场效应晶体管的瞬态响应。

11.根据权利要求9所述的电源电路，其特征在于所述开关元件是n沟道场效应晶体管。

12.根据权利要求7所述的电源电路，其特征在于所述场效应晶体管是n-沟道场效应晶体管。

Images