CN1557698A - 低温低压合成氮化物晶体材料的方法 - Google Patents
低温低压合成氮化物晶体材料的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1557698A CN1557698A CNA200410023466XA CN200410023466A CN1557698A CN 1557698 A CN1557698 A CN 1557698A CN A200410023466X A CNA200410023466X A CN A200410023466XA CN 200410023466 A CN200410023466 A CN 200410023466A CN 1557698 A CN1557698 A CN 1557698A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nitride
- preparation
- source
- reaction
- gallium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
低温低压合成氮化物晶体材料的方法，属于晶体材料生长技术领域。把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中，加入氮源，将反应容器密封，抽真空，充入氮气，加热到200～1000℃，反应2～480小时，反应完成后，产物洗涤，抽滤，干燥，得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料，可广泛应用于蓝紫光和紫外光半导体光电子器件的衬底材料、热衬材料、高效率的发光二极管和激光二极管、场发射晶体管、光加热散热器、大功率电子器件的密封材料、精密机械加工刀具、高稳定性耐高温加热容器、高热导率绝缘材料、磨削切削工具，军用特种窗口材料等。
Description
(一)技术领域
本发明涉及利用助熔剂方法或直接反应法在低温低压条件下制备氮化物晶体材料的方法，属于晶体材料生长技术领域。
(二)背景技术
随着信息技术的飞速发展，现代社会对高效短波长半导体光电子器件的需求越来越迫切，以氮化镓为代表的一类氮化物材料正好满足了研制短波长光电子器件的需求。正是由于氮化镓基半导体发光二极管和激光二极管的研制成功，不仅使高亮度信息全色显示成为可能，而且大大提高了信息存储密度和处理速度。但是，由于缺乏理想的衬底材料，目前氮化镓发光二极管和激光二极管都是在晶格失配很大的蓝宝石衬底上生长的，这不仅在发光层中引入了大量的失配缺陷，而且在使用过程中衬底中的氧会逐渐向发光层中扩散，严重损害发光器件的性能。在这种情况下，半导体器件研究开发人员和产业界迫切希望能够得到氮化物晶体材料作衬底，实现短波长光电子器件的同质外延生长，大幅度提高器件的性能。这是由于氮化物材料在稳定性、热导率、通透性能以及与发光层材料之间在晶格匹配、热匹配、组份匹配方面具有其他材料无法匹敌的优势。
在这种情况下，人们在生长氮化物晶体方面进行了不懈的努力。为了得到氮化镓晶体材料，使用了包括氨热法、高压气体反应法和苯热合成方法在内的多种方法进行氮化物晶体生长的尝试，取得了一定的进展。综合分析这些方法不难发现：苯热方法在制备氮化硼和氮化镓纳米粉方面具有独特的优势，但是由于在苯中无机离子输运困难，很难得到甚至是微米级的氮化硼和氮化镓晶体；氨热法和高压气体反应法合成氮化镓时对设备有着十分苛刻的要求。因此，开发操作简便、成本低廉的氮化物晶体制备方法具有重要的意义。
氮化铝(AlN)具有较高的硬度和热导率，并具有低的热膨胀系数和介电常数，良好的机械强度和接近二氧化硅基质的热膨胀系数，优良的化学稳定性和无毒性，因而被广泛应用于切削、磨削材料和高温短波长光电器件中，例如作为衬底材料、热沉和激光加热散热器、大功率电子器件的密封材料以及在场效应管研制等方面具有重要的应用价值。而且，由于其具有很宽的带隙(6.2eV)，在紫外光电子器件领域具有广阔的应用前景。
至今为止，已经报道了一些合成氮化铝的方法。这些方法主要包括三氧化二铝的碳热还原和氮化法，氨气与氯化铝、氟化铝、三—异丁基铝的气相反应法，热等离子反应法。虽然直接氮化法是制备氮化铝粉的一种最广泛的合成方法，但是它需要高温高压条件。
六方氮化硼材料由于具有很高的热导率、良好的化学稳定性、优异的润滑性能和烧结性能引起了人们的广泛关注。现在制备六方氮化硼微粉的主要方法是在高温条件下尿素与硼砂反应，该方法均匀性差且要求的反应温度高(700～1000℃)，难于保证所得粉体的粒度均匀性且只能得到六方相。
立方氮化硼(cBN)的热导率仅次于金刚石，但稳定性优于金刚石，是最好的散热材料；它的硬度比金刚石略低，但与铁族元素之间不发生化学反应，这种优点可以大幅度延长刀具的寿命和提高机械加工精度，使得它成为大多数金属和合金的最佳切削和磨削材料。立方氮化硼工具的广泛应用，对大幅度提高机械加工行业整体水平和提升产品档次具有决定性的作用。
大尺寸高纯立方氮化硼聚晶可用做高能射线窗口或高效率散热片，有非常重要的应用前景。长期以来，只能用高消耗和低产出的高温高压方法合成。因此，目前立方BN都是通过高温高压相变(1500～2000℃，1.5～4.0GPa)得到的。这种方法所需设备昂贵，条件无法准确监测，重复性差，价格高；另外，压力、温度等的不均匀分布使产物的均匀性不理想，几乎不可能获得粒度均匀、尺寸为亚微米以至纳米的产物。
氮化铟(InN)具有直接带隙结构，可用来制备高效率的发光二极管和激光二极管；由于其优良的电子传输和光学性能，InN在场发射晶体管方面具有明显的应用优势。但是InN晶体的制备非常困难，传统的制备方法有：有机金属源法、热解法、高压合成、外延生长、反应磁溅射、化学其想沉积、熔化合成、卤离子交换气相外延和分子束外延等。
综合考虑以上制备方法，发现这些方法或者具有较强的腐蚀性，对设备有严格要求，或者需要高温高压条件，使用极其昂贵的大型精密设备。它们一方面要求的条件过于苛刻，另一方面也难于获得结晶完整、粒度均匀的材料，更难于获得大的晶体。考虑到这种情况，我们曾经发展了氮化硼、氮化铝、氮化镓和氮化铟的溶剂液相化学反应合成方法，使温度和压力大幅度下降，而且避免了使用昂贵的高温高压设备，使生产成本大幅度下降的同时，生产规模大幅度提高。但这种方法需要使用大量的有毒化工原料苯，硼源和氮源的价格也比较高，这一方面使得操作过程复杂化，而且会对环境造成较大污染。
(三)发明内容
本发明针对已有技术存在的问题，提出利用新型氮源的直接或助熔剂反应方法在较低的温度和压力条件下制备氮化硼、氮化镓、氮化铟、氮化铝的技术方案，以实现此类氮化物晶体材料的低成本大批量生产。
本发明的氮化物晶体材料制备方法包括如下步骤，反应物的加入顺序不限：
(1)把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中，加入氮源，将反应容器密封，抽真空，充入氮气，加热到200～1000℃，反应2～480小时，
(2)反应完成后，产物先用乙醇洗涤，接着用去离子水洗涤、抽滤，或用碱性或酸性溶液处理后，再进行抽滤，直到滤液呈中性为止，
(3)所得到的产物在真空中加热40～100℃，优选40～80℃进行干燥，得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料。
为了制备大尺寸的氮化物晶体，可以在反应容器中先加入氮化物晶粒作籽晶，在进行上述步骤的同时，通过控制温度梯度分布、压力梯度分布和反应物的浓度，按常规晶体生长方法生长氮化物晶体材料。
在上述步骤(1)中还加入定量的助熔剂，助熔剂选自钠、锂、钙、镁、钾之一或其组合，加入量为反应物总重量的10-40％。
步骤(1)中使用的硼、铝、镓、铟源分别是它们的单质、氧化物、卤化物及它们有机物之一。
上述氧化物包括B2O3、H3BO3、Al2O3、Al(OH)3、Ga2O3或In2O3。
上述卤化物包括BCl3、BBr3、AlCl3、AlBr3、GaCl3、GaBr3、InCl3或InBr3。
上述有机物包括：三甲基镓、三甲基铝、三甲基硼、三甲基铟。
在步骤中(1)中，原料的用量按化学计量比，但不完全受此限制，反应物有一种适当过量不影响反应结果，过量成份在后续步骤(2)中可被去除。
步骤(1)中使用的氮源是氮化物、迭氮化物、氨、卤化氨以及有机胺类。要求其中的氮原子易于参加反应。所述氮化物选自Li3N、Na3N、K3N之一或其组合，迭氮化物是NaN3，卤化氨选自NH4Cl、NH4Br、NH4I之一，有机胺选自尿素、苯胺、三甲胺之一。
生长大尺寸晶体时，选择的籽晶应与要制备的氮化物为同一种物质或具有相同的晶体结构。例如，在制备氮化镓的反应体系中加入氮化镓籽晶，通过控制温度和浓度的分布可以得到大的氮化物晶体；而当它们为不同的物种时，籽晶对生成的氮化物具有结构诱导作用，就是说生成的氮化物具有与籽晶相同的晶体结构，例如，把具有立方结构的氮化铝晶粒加入到合成氮化硼的反应体系中时，可以得到近纯相的立方氮化硼。
本方法的显著特征特点在于：制备氮化物晶体的过程是在助熔剂中或直接反应，而且使用低压反应条件，避免了高温高压等极端条件。易于实现低成本大批量生产，本发明对制备过程的关键影响因素，如浓度、摩尔比、助熔剂的种类及数量、反应温度以及压力等进行了系统的研究。
本方法有如下优良效果：1.成本低。所用原料均为常用化学试剂或化工原料，操作程序简单，有利于提高产率，降低成本。2、反应过程中的各种参数(温度、压力、浓度等)易于监测和控制，这使我们能够更容易研究反应机理，找出最关键的影响因素，尽快稳定工艺条件。3、环境污染少。与其它方法相比，本发明方法可以从根本上消除污染，有利于环境保护。4、有利于长出氮化物大晶体。通过控制温度、压力或浓度，从而得到大的氮化物晶体。
本发明方法制备的氮化晶体，可广泛应用于蓝紫光和紫外光半导体光电子器件的衬底材料、热衬材料、高效率的发光二极管和激光二极管、场发射晶体管、光加热散热器、大功率电子器件的密封材料、精密机械加工刀具、高稳定性耐高温加热容器、高热导率绝缘材料、磨削切削工具，军用特种窗口材料等。
下面就结合附图说明和具体的实施例对本发明的方法进行进一步的说明。
(四)附图说明
图1是实施例1制备的氮化镓晶体的X-射线衍射图。
图2是实施例1制备的氮化镓晶体的X射线光电子能谱。
图3是实施例1制备的氮化镓晶体的高分辨电镜照片和电子衍射图。
(五)具体实施方式
实施例1.氮化镓晶体的制备
合成氮化镓的原料是Ga、Li3N、NaN3，助熔剂Na，助熔剂法生长。
首先将1gGa，0.8gNa，1gNaN3和0.5gLi3N混合放入氮化硼(BN)坩埚中，然后将BN坩埚放入反应釜中，封釜，然后对反应釜进行抽真空处理后，再充入4atm的高纯氮气，把反应釜加热到500℃保温20小时。反应完成后，产物首先用乙醇进行处理，以去掉产物中所含的钠，然后用去离子水洗涤、抽滤3-5次。这样所得到的产物在真空中加热60℃干燥后就得到氮化镓晶体材料。
图1所示是本实施例中制备的氮化镓晶体材料的X-射线衍射图。由图中可见样品的结晶性能及纯度都比较好，仅含有六方相氮化镓。图2是本实施例得到的氮化镓晶体材料的X射线光电子能谱，由此元素分析可以确定，样品确实为氮化镓晶体材料，并且由镓和氮的峰面积可以确定样品中镓和氮的比例约为1∶1。图3是本实施例制备的氮化镓晶体的高分辨电镜照片和电子衍射图，由图可见样品的结晶性能良好，为六方相氮化镓。
实施例2氮化镓晶体的制备
合成氮化镓的原料是Ga、Li3N、NaN3。直接反应法。
首先将1gGa，1gNaN3和0.5gLi3N混合放入BN坩埚中，然后将BN坩埚放入反应釜中，封釜，然后对反应釜进行抽真空处理后，再充入4atm的高纯氮气，把反应釜加热到500℃保温20小时。反应完成后，产物首先用乙醇进行处理，以去掉产物中所含的钠，然后用去离子水洗涤、抽滤3-5次，直到滤液呈中性为止。这样所得到的产物在真空中加热60℃干燥后就得到氮化镓晶体材料。
实施例3.氮化镓晶体的制备
合成氮化镓的原料是Ga、Li3N、NaN3，助熔剂Na，助熔剂法生长。
首先在BN坩埚中放入氮化镓籽晶，然后将1gGa，0.8gNa，1gNaN3和0.5gLi3N混合放入坩埚中，将坩埚放入反应釜中，封釜，然后对反应釜进行抽真空处理后，再充入4atm的高纯氮气，把反应釜加热到500℃保温80小时。反应完成后，产物首先用乙醇进行处理，以去掉钠，然后用去离子水洗涤、抽滤3-5次。将产物干燥后就得到氮化镓晶体。
实施例4.氮化镓晶体的制备
合成氮化镓的原料是Ga、Li3N、NaN3。直接反应法。
首先在BN坩埚中放入氮化镓籽晶，然后将1gGa，1gNaN3和0.5gLi3N混合放入坩埚中，然后将BN坩埚放入反应釜中，封釜，然后对反应釜进行抽真空处理后，再充入4atm的高纯氮气，把反应釜加热到500℃保温80小时。反应完成后，产物首先用乙醇进行处理，以去掉产物中所含的钠，然后用去离子水洗涤、抽滤3-5次。所得到的产物在真空中加热60℃干燥后就得到氮化镓晶体材料。
实施例5.氮化镓晶体的制备
如实施例1所述，所不同的是助熔剂为Na和Li。
实施例6.氮化镓晶体的制备
如实施例1所述，所不同的是助熔剂为Ca。
实施例7.氮化镓晶体的制备
如实施例1所述，所不同的是将原料Ga换为Ga2O3。
实施例8.氮化镓晶体的制备
如实施例1所述，所不同的是将原料将Ga换为GaCl3
实施例9.氮化镓晶体的制备
如实施例1所述，所不同的是将原料Li3N、NaN3换为NH4Cl。
实施例10.氮化镓晶体的制备
如实施例1所述，所不同的是将将原料Li3N、NaN3换为Li3N。
实施例11.氮化镓晶体的制备
如实施例1所述，所不同的是将将原料Li3N、NaN3换为NaN3。
实施例12.氮化镓晶体的制备
如实施例1所述，所不同的是助熔剂为Na和Ca。
实施例13.氮化铟晶体的制备
合成氮化镓的原料是In、Li3N、NaN3，助熔剂为Na，助熔剂法生长。
首先将1.63gIn，1.2gNa，1.5gNaN3和0.8gLi3N混合放入BN坩埚中，然后将BN坩埚放入反应釜中，封釜，然后对反应釜进行抽真空处理后，再充入10atm的高纯氮气，把反应釜加热到800℃保温80小时。反应完成后，产物首先用乙醇进行处理，以去掉产物中所含的钠，然后用去离子水洗涤、抽滤3-5次，直到滤液呈中性为止。所得到的产物在真空中加热60℃干燥后就得到氮化铟晶体材料。
实施例14.氮化铟晶体的制备
合成氮化镓的原料是In、Li3N、NaN3。直接反应法。
首先将1.63gIn，1.5gNaN3和0.8gLi3N混合放入BN坩埚中，然后将BN坩埚放入反应釜中，封釜，然后对反应釜进行抽真空处理后，再充入10atm的高纯氮气，把反应釜加热到800℃保温80小时。反应完成后，产物首先用乙醇进行处理，以去掉产物中所含的钠，然后用去离子水洗涤、抽滤3-5次，直到滤液呈中性为止。将产物在真空中加热干燥后就得到氮化铟晶体。
实施例15.氮化铟晶体的制备
如实施例13所述，所不同的是先在坩埚之中放入氮化铟籽晶，再加其他原料。通过控制温度梯度分布、压力梯度分布和反应物的浓度，按常规晶体生长方法生长氮化物晶体材料。生长周期一般为3-10天。
实施例16.氮化铟晶体的制备
如实施例14所述，所不同的是在坩埚之中放入氮化铟籽晶。
实施例17.氮化铟晶体的制备
如实施例13所述，所不同的是原料In用In2O3替代。
实施例18.氮化铟晶体的制备
如实施例13所述，所不同的是原料In用InCl3替代。
实施例19.氮化铟晶体的制备
如实施例13所述，所不同的是用NH4Cl3替代原料Li3N和NaN3。
实施例20.氮化铟晶体的制备
如实施例13所述，所不同的是助熔剂为Li和Na。
实施例21.氮化铟晶体的制备
如实施例13所述，所不同的是助熔剂为Ca和Na。
实施例22.氮化铟晶体的制备
如实施例13所述，所不同的是将原料Li3N、NaN3换为三甲铵。
实施例23.氮化铟晶体的制备
如实施例13所述，所不同的是将原料In换为In(OH)3。
实施例24.氮化铝晶体的制备
合成氮化铝的原料是Al、Li3N、NaN3，助熔剂Na。
首先将0.77gAl，1.5gNa，2gNaN3和1gLi3N混合放入不锈钢反应釜中，封釜，然后对反应釜进行抽真空处理后，再充入1MPa的高纯氮气，把反应釜加热到600℃保温40小时。反应完成后，产物首先用乙醇进行处理，以去掉产物中所含的钠，然后用去离子水洗涤、抽滤3-5次。所得到的产物在真空中干燥后就得到氮化铝晶体材料。
实施例25.氮化铝晶体的制备
合成氮化铝的原料是Al、Li3N、NaN3，直接反应法。
首先将0.77gAl，2gNaN3和1gLi3N混合放入不锈钢反应釜中，封釜，然后对反应釜进行抽真空处理后，再充入1MPa的高纯氮气，把反应釜加热到600℃保温40小时。反应完成后，产物首先用乙醇进行处理，以去掉产物中所含的钠，然后用去离子水洗涤、抽滤3-5次。所得到的产物在真空中干燥后就得到氮化铝晶体材料。
实施例26.氮化铝晶体的制备
如实施例24所述，所不同的是：在反应釜之中放入氮化铝籽晶。
实施例27.氮化铝晶体的制备
如实施例25所述，所不同的是：在反应釜之中放入氮化铝籽晶。
实施例28.氮化铝晶体的制备
如实施例24所述，所不同的是原料Al换为Al2O3。
实施例29.氮化铝晶体的制备
如实施例24所述，所不同的是原料Al换为Al(OH)3。
实施例30.氮化铝晶体的制备
如实施例24所述，所不同的是将原料Al换为AlCl3。
实施例31.氮化铝晶体的制备
如实施例24所述，所不同的是助熔剂为K。
实施例32.氮化铝晶体的制备
如实施例24所述，所不同的是助熔剂为Li。
实施例33.氮化铝晶体的制备
如实施例24所述，所不同的是用原料NH4Cl替代Li3N、NaN3。
实施例34.氮化铝晶体的制备
如实施例24所述，所不同的是将原料Li3N、NaN3换为尿素。
实施例35.氮化硼晶体的制备
合成氮化硼的原料是B、Li3N、NaN3，助熔剂Na。
首先将0.6gB，2gNa，4gNaN3和2gLi3N混合放入不锈钢反应釜中，封釜，然后对反应釜进行抽真空处理后，再充入1MPa的高纯氮气，把反应釜加热到800℃保温50小时。反应完成后，产物首先用乙醇进行处理，以去掉产物中所含的钠，然后用去离子水洗涤、抽滤3-5次，所得到的产物在真空中干燥后就得到氮化硼晶体。
实施例36.氮化硼晶体的制备
合成氮化硼的原料是B、Li3N、NaN3。
首先将0.6gB，4gNaN3和2gLi3N混合放入不锈钢反应釜中，封釜，然后对反应釜进行抽真空处理后，再充入1MPa的高纯氮气，把反应釜加热到800℃保温50小时。反应完成后，产物首先用乙醇进行处理，以去掉产物中所含的钠，然后用去离子水洗涤、抽滤3-5次。所得到的产物在真空中干燥后就得到氮化硼晶体。
实施例37.氮化硼晶体的制备
如实施例35所述，所不同的是：在反应釜之中放入氮化硼籽晶。
实施例38.氮化硼晶体的制备
如实施例36所述，所不同的是：在反应釜之中放入氮化硼籽晶。
实施例39.氮化硼晶体的制备
如实施例35所述，所不同的是将原料B换为B2O3。
实施例40.氮化硼晶体的制备
如实施例35所述，所不同的是将原料B换为H3BO3。
实施例41.氮化硼晶体的制备
如实施例35所述，所不同的是将原料B换为BBr3。
实施例42.氮化硼晶体的制备
如实施例35所述，所不同的是将原料Li3N、NaN3换为NH4Cl。
实施例43.氮化硼晶体的制备
如实施例35所述，所不同的是将原料Li3N、NaN3换为尿素。
Claims (9)
1.氮化物晶体材料制备方法，包括如下步骤：
(1)把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中，加入至少一种氮源，将反应容器密封，抽真空，充入氮气，加热到200～1000℃，反应2～480小时，
(2)反应完成后，产物先用乙醇洗涤，接着用去离子水洗涤、抽滤，或用碱性或酸性溶液处理后，再进行抽滤，直到滤液呈中性为止，
(3)所得到的产物在真空中加热干燥，得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料。
2.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，在步骤(1)中还加入反应物总重量10-40％的助熔剂，助熔剂选自钠、锂、钙、镁、钾之一或其组合。
3.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的硼、铝、镓、铟源分别是它们的单质、氧化物、卤化物及它们的有机物之一或其混合。
4.如权利要求3所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，所述氧化物选自B2O3、H3BO3、Al2O3、Al(OH)3、Ga2O3或In2O3。
5.如权利要求3所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，所述卤化物包括BCl3、BBr3、AlCl3、AlBr3、GaCl3、GaBr3、InCl3或InBr3。
6.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的氮源是氮化物、迭氮化物、氨、卤化氨或有机胺类。
7.如权利要求7所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，所述氮化物选自Li3N、Na3N、K3N之一或其组合，迭氮化物是NaN3，卤化氨选自NH4Cl、NH4Br、NH4I之一，有机胺选自尿素、苯胺、三甲胺之一。
8.如权利要求1所述的氮化物晶体材料制备方法，其特征在于，在反应容器中加入氮化物晶粒作籽晶。
9.如权利要求8所述的制备氮化物晶体的方法，其特征在于，所述的籽晶与制备的氮化物为同一种物质或具有相同的晶体结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB200410023466XA CN100554148C (zh) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | 低温低压合成氮化物晶体材料的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB200410023466XA CN100554148C (zh) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | 低温低压合成氮化物晶体材料的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1557698A true CN1557698A (zh) | 2004-12-29 |
| CN100554148C CN100554148C (zh) | 2009-10-28 |
Family
ID=34352149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB200410023466XA Expired - Fee Related CN100554148C (zh) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | 低温低压合成氮化物晶体材料的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100554148C (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407461C (zh) * | 2005-11-28 | 2008-07-30 | 晶元光电股份有限公司 | 高发光效率的发光元件的制造方法 |
| CN105314609A (zh) * | 2015-10-21 | 2016-02-10 | 五邑大学 | 一种ain纳米粉体材料的制备方法 |
| CN106517113A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-03-22 | 哈尔滨理工大学 | 氮化铝的制备方法 |
| CN107840668A (zh) * | 2017-10-29 | 2018-03-27 | 贵州喜文化艺术有限责任公司 | 一种陶瓷组合物及其制备方法 |
| CN108796611A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-13 | 孟静 | 氮化镓单晶生长方法 |
-
2004
- 2004-02-10 CN CNB200410023466XA patent/CN100554148C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407461C (zh) * | 2005-11-28 | 2008-07-30 | 晶元光电股份有限公司 | 高发光效率的发光元件的制造方法 |
| CN105314609A (zh) * | 2015-10-21 | 2016-02-10 | 五邑大学 | 一种ain纳米粉体材料的制备方法 |
| CN106517113A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-03-22 | 哈尔滨理工大学 | 氮化铝的制备方法 |
| CN107840668A (zh) * | 2017-10-29 | 2018-03-27 | 贵州喜文化艺术有限责任公司 | 一种陶瓷组合物及其制备方法 |
| CN108796611A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-13 | 孟静 | 氮化镓单晶生长方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100554148C (zh) | 2009-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chen et al. | Centimeter‐sized Cs4PbBr6 crystals with embedded CsPbBr3 nanocrystals showing superior photoluminescence: nonstoichiometry induced transformation and light‐emitting applications | |
| CN1119384C (zh) | 稀土金属硼酸盐和其前体、其制备方法及其作为发光体的用途 | |
| CN100345255C (zh) | Al系Ⅲ－V族化合物半导体的气相生长方法、Al系Ⅲ－V族化合物半导体的制造方法与制造装置 | |
| US8455273B2 (en) | Method for producing crystalline nitride phosphors | |
| CN101067080A (zh) | 荧光体及其制造方法和发光器具 | |
| Xi et al. | Mn 4+ doped (NH 4) 2 TiF 6 and (NH 4) 2 SiF 6 micro-crystal phosphors: synthesis through ion exchange at room temperature and their photoluminescence properties | |
| CN1839191A (zh) | 荧光体及其制造方法、照明器具以及图像显示装置 | |
| CN1934029A (zh) | 氧氮化物粉末及其制造方法 | |
| JP5240399B2 (ja) | Ｌｉ含有α−サイアロン系蛍光体粒子とその製造方法、照明器具ならびに画像表示装置 | |
| CN105883734A (zh) | 一种石墨相氮化碳量子点及其制备方法 | |
| CN110606505B (zh) | 一种零维卤族钙钛矿结构材料Cs4PbBr6的制备及应用 | |
| CN101054720A (zh) | 单结晶钻石成长用基材的制造方法 | |
| Ding et al. | How organic ligands affect the phase transition and fluorescent stability of perovskite nanocrystals | |
| CN1173879C (zh) | 水热条件下制备氮化物超微粉和氮化物晶体的方法 | |
| Ogi et al. | Influence of polymer decomposition temperature on the formation of rare-earth free boron carbon oxynitride phosphors | |
| CN1236027A (zh) | 化合物r2mb10o19非线性光学晶体及其制法和用途 | |
| Single et al. | Effect of preparation conditions on the crystallinity of chemically synthesized BCNO nanophosphor | |
| CN1557698A (zh) | 低温低压合成氮化物晶体材料的方法 | |
| CN1215972C (zh) | 一种在水热条件下多步原位反应合成氮化物微晶和体块晶体的方法 | |
| CN1803596A (zh) | 一种可控制备硼碳氮材料的水热恒压合成方法 | |
| Sakamoto et al. | Development of gas-solid phase hybrid synthesis method of single crystal Ba2SiO4: Eu2+ | |
| Zou et al. | Effect of Al/Ga substitution on photoluminescence and chromatic properties of Y 3 Al 5− x Ga x O 12: Ce 3+ phosphor | |
| CN1597499A (zh) | 一种用于控制氮化硼物相的选相原位合成方法 | |
| Markovskyi et al. | Color converters for white LEDs using liquid phase epitaxy growth method | |
| CN112064115A (zh) | 一种Cs4PbI6钙钛矿晶体与制备方法及应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20091028 Termination date: 20150210 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |