CN1540377A - 光纤耦合器的制作方法及装置 - Google Patents
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003570 air Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 3
- -1 Hydroxyl ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
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Abstract
本发明是指一种光纤耦合器的制作方法及装置，是利用可移动式电弧熔烧已经过侧磨或激光切削的光纤元件，以制成一体积小稳定性高的光纤耦合器。它最大的优势在于拥有较低的极化双折射效应(polarization birefringence effect)，故可以使用在高码速传输光通讯系统中，制造过程可避免氢氧基离子被引入光纤，故极适用于制造横跨E频带的光纤耦合器，也可用来制作CWDM(Coarse WavelengthDivision Multiplexing)全光纤型合波器及光塞取多路复用器的次元件(sub－component)，而这是目前其它技术所不易实现的。
Description
(1)技术领域
本发明有关一种光纤耦合器的制作方法及装置，尤其有关一种体积超小型且因光纤芯核未受破坏的微型光纤耦合器的制作方法及装置。
(2)背景技术
光纤耦合器(Fiber Coupler，又称光纤分歧器Fiber Splitter)，主要作用是将光信号由一条光纤中分至多条光纤的元件。由于在通讯应用上有许多不同的需求，今日光纤耦合器的种类已相当复杂。
从功能上光纤耦合器可分为1对2、1对多及多对多的耦合器，提供光信号多种输出模式。由制作方式来分，则可分成纤核交互作用型(core interactiontype)及表面交互作用型(surface interaction type)光纤耦合器两种。
在制作方法上，Kawasaki首先于1981年提出的熔烧式(Biconic tapering)单模光纤耦合器的制作方法，至今仍广为世界上所采用，其利用丙烷-氧火焰加热于剥除纤衣且紧密靠合的两光纤，同时施以光纤轴向的拉力，以使光纤逐渐熔化与靠近；当光纤中的芯模(core mode)因芯核逐渐细化而失掉导光的效果，传输模态就会转换成壳模(cladding mode)而与另一光纤产生光耦合的效果；当光纤加热延伸到所需的分光比后停止熔烧程序，即将此区域封入一有凹槽的石英基板中，最后套以一不绣钢钢管即成。但此方法受限于光纤材质熔化的温度是使用丙烷-氧火焰的温度所难以达到的摄氏1500度，因此需在火焰加热的同时对光纤施以拉伸力量，以使熔点下降而发生熔合，并使光纤芯核细化至失去作用，使得光模场藉壳模扩大至另一光纤形成耦合，此时熔合区域的光壳形成新的芯核，并以外在空气当新的纤壳，整个光纤熔合区域形成有如哑铃形的结构，如图6所示，因此，将易诱发极化双折射效应(polarization birefringence effect)，而熔合区域直径也只剩30微米左右，加上光纤熔烧拉伸形成的锥角必须控制在缓慢变化的情形下，始能达到光能量的绝热(adiabatic)状态，然而仍避免不了存在激发光多重模态的缺点；另外，火焰宽度约5mm左右，这么长的加热区域易造成光纤加热拉伸时受地心引力影响而下垂，且用来熔烧的火焰有气体喷出流动也会使光纤产生形变，若要制作较高等级的光耦合器，例如窄波道光合分波器，则光纤熔烧拉伸区域势必加长，导致光学损耗快速增加，机械强度急遽下降，同时累积更严重的极化双折射现象，造成信号通道隔离度(channel isolation)变差。故此种作法，对于窄波道光合分波器和光极化态敏感的光纤元件有其瓶颈。
(3)发明内容
本发明的目的是提供一种具有良好性能的光纤耦合器的制作方法及装置。
本发明一方面提供一种光纤耦合器的制作方法，其步骤包含：(a)提供一第一光纤及一第二光纤，它们分别具有一第一消逝场裸露面及一第二消逝场裸露面；(b)将该第一及第二光纤叠合固定在一起，使得该第一消逝场裸露面及该第二消逝场裸露面互相对准贴合而形成一接合区域；以及(c)以具有一第一温度的电弧熔烧该接合区域以形成一光纤耦合器，其中，该第一消逝场裸露面及该第二消逝场裸露面之间形成一耦合区域。
根据上述构想，其中该第一消逝场裸露面及该第二消逝场裸露面的形成方式可为一光纤研磨方式或激光切削方式。
根据上述构想，其中该电弧是一可在一固定范围内移动的电弧。
根据上述构想，其中该电弧是一温度可改变的电弧。
根据上述构想，其中步骤(b)和(c)之间还包含另一步骤；降低该电弧所具有的该第一温度，使其具有一第二温度，以具有该第二温度的电弧对该接合区域实施清洁。
根据上述构想，其中步骤(c)之后还包含另一步骤：降低该电弧所具有的该第一温度，使其具有一第三温度，以具有该第三温度的电弧对该耦合区域实施退火。
根据上述构想，其中还包含一步骤：于熔烧该接合区域时，调制该接合区域的长度，以改变该接合区域所具有的一光学特性。
根据上述构想，其中该光学特性是指一分光比。
根据上述构想，其中还包含一步骤：于熔烧该接合区域时，于该接合区域周围引入一净化气体。
根据上述构想，其中该净化气体可为空气、氮气、惰性气体或排放时合乎环保与安全条件的气体。
本发明另一方面提供一种光纤耦合器的制作装置，其是用以将一第一光纤所具有的一第一光芯裸露面及一第二光纤所具有的一第二光芯裸露面互相耦合，进而形成一光纤耦合器，其中该制作装置包含：一平台；一第一固定单元及一第二固定单元，它们分别位于该平台上的两端，用以将该第一光纤的该第一光芯裸露面及该第二光纤的该第二光芯裸露面互相对准贴合，并形成一接合区域；一承载架，其是位于该平台上，并可沿着该第一光纤及该第二光纤贴合固定后的平行方向在该第一固定部及该第二固定部之间移动；一放电部，其是位于该承载部上，并电连接于一电源供应装置，可利用该电源供应装置提供的电力产生一电弧，以熔烧该接合区域形成该光纤耦合器；以及一夹持调制器，其是位于该平台上，可夹持住该第一及第二光纤位于该第一及第二固定部之外的部分，并以拉伸的方式调制该接合区域的长度，以改变该接合区域所具有的一光学特性。
根据上述构想，其中该第一光芯裸露面及该第二光芯裸露面的形成方式可为一光纤研磨方式或激光切削方式。
根据上述构想，其中该第一固定单元是包含一第一组对准装置及一第二组对准装置，其中，该第一组对准装置是为位于该接合区域外侧，该第二组对准装置是为位于该接合区域内侧，并可随该放电部同步移动。
根据上述构想，其中该第一组对准装置包含两个各自具有一V型沟槽的突块，以该V型沟槽上下相对的方式将两突块叠合而成，并以该V型沟槽上下相对时形成的一菱形空间固定该第一及第二光纤。
根据上述构想，其中该两突块的制作材料可为半导体硅晶片、金属材料、玻璃材料、陶瓷材料、高分子材料的其中一种。
根据上述构想，其中该第二组对准装置包含一其上具有一沟槽的矩块及一大小等同于该沟槽的突件，以该突件嵌入该沟槽的方式而成，其中，该突件是以本身的重量固定该第一及第二光纤于该沟槽内。
根据上述构想，其中该矩块及该突件的制作材料可为半导体硅晶片、金属材料、玻璃材料、陶瓷材料、高分子材料的其中一种。
根据上述构想，其中该第二固定单元与该第一固定单元的构造完全相同。
根据上述构想，其中该放电部是由一对电极互相相对所构成。
根据上述构想，其中该放电部还具有一紫外光源或一激光装置，可产生紫外光、蓝光激光或绿光激光以稳定该电弧的产生。
根据上述构想，其中该对电极周围是充满一净化气体。
根据上述构想，其中该净化气体可为空气、氮气、惰性气体或排放时合乎环保与安全条件的气体。
根据上述构想，其中该对电极材质可为钨、钼、钛、钽、铬、镍、钒、锆、铪、铂、不锈钢或其合金。
根据上述构想，其中该电源供应装置还可利用所提供电力大小的不同于该放电部产生温度不同的电弧。
根据上述构想，其中该光学特性是指一分光比。
本发明再一方面提供一种光纤耦合器的制作装置，其是用以将一第一光纤所具有的一第一光芯裸露面及一第二光纤所具有的一第二光芯裸露面互相耦合，进而形成一光纤耦合器；其中该制作装置包含：一平台；一第一固定单元及一第二固定单元，它们分别位于该平台上的两端，用以将该第一光纤的该第一光芯裸露面及该第二光纤的该第二光芯裸露面互相对准贴合，并形成一接合区域；一放电部，其是位于该平台上，并电连接于一电源供应装置，可利用该电源供应装置提供的电力产生一电弧，以熔烧该接合区域形成该光纤耦合器；以及一夹持调制器，其是位于该平台上，可夹持住该第一及第二光纤位于该第一及第二固定部之外的部分，并以拉伸的方式调制该接合区域的长度，以改变该接合区域所具有的一光学特性。
根据上述构想，其中该第一光芯裸露面及该第二光芯裸露面的形成方式可为一光纤研磨方式或激光切削方式。
根据上述构想，其中该第一固定单元包含一第一组对准装置及一第二组对准装置，其中，该第一组对准装置是位于该接合区域外侧，该第二组对准装置是位于该接合区域内侧，并可随该放电部同步移动。
根据上述构想，其中该第一组对准装置包含两个各自具有一V型沟槽的突块，以该V型沟槽上下相对的方式将两突块叠合而成，并以该V型沟槽上下相对时形成的一菱形空间固定该第一及第二光纤。
根据上述构想，其中该两突块的制作材料可为半导体硅晶片、金属材料、玻璃材料、陶瓷材料、高分子材料的其中一种。
根据上述构想，其中该第二组对准装置包含一其上具有一沟槽的矩块及一大小等同于该沟槽的突件，以该突件嵌入该沟槽的方式而成，其中，该突件是以本身的重量固定该第一及第二光纤于该沟槽内。
根据上述构想，其中该矩块及该突件的制作材料可为半导体硅晶片、金属材料、玻璃材料、陶瓷材料、高分子材料的其中一种。
根据上述构想，其中该第二固定单元与该第一固定单元的构造完全相同。
根据上述构想，其中该放电部可沿着该第一光纤及该第二光纤贴合固定后的平行方向在该第一固定部及该第二固定部之间移动。
根据上述构想，其中该放电部包含一对互相相对的电极及一承载架，其中该对电极是固定于该承载架上。
根据上述构想，其中该放电部还具有一紫外光源或一激光装置，可产生紫外光、蓝光激光或绿光激光以稳定该电弧的产生。
根据上述构想，其中该对电极的材质可为钨、钼、钛、钽、铬、镍、钒、锆、铪、铂、不锈钢或其合金。
根据上述构想，其中该对电极周围充满一净化气体。
根据上述构想，其中该净化气体可为空气、氮气、惰性气体或排放时合乎环保与安全条件的气体。
根据上述构想，其中该电源供应装置还可利用所提供电力大小的不同于该放电部产生温度不同的电弧。
根据上述构想，其中该光学特性是指一分光比。
本发明再一方面提供一种光纤耦合器的制作装置，其是用以将一第一光纤所具有的一第一光芯裸露面及一第二光纤所具有的一第二光芯裸露面互相耦合，进而形成一光纤耦合器；其中该制作装置包含：一平台；一第一固定单元及一第二固定单元，它们分别位于该平台上的两端，用以将该第一光纤的该第一光芯裸露面及该第二光纤的该第二光芯裸露面互相对准贴合，并形成一接合区域；一承载架，其是位于该平台上，并可沿着该第一光纤及该第二光纤贴合固定后的平行方向在该第一固定部及该第二固定部之间移动；以及一放电部，其是位于该承载部上，并电连接于一电源供应装置，可利用该电源供应装置提供的电力产生一电弧，以熔烧该接合区域形成该光纤耦合器；
根据上述构想，其中该第一光芯裸露面及该第二光芯裸露面的形成方式可为一光纤研磨方式或激光切削方式。
根据上述构想，其中该第一固定单元包含一第一组对准装置及一第二组对准装置，其中，该第一组对准装置是位于该接合区域外侧，该第二组对准装置是位于该接合区域内侧，并可随该放电部同步移动。
根据上述构想，其中该第一固定单元还包含一夹持调制器，可夹持住该第一及第二光纤位于该第一及第二固定部之外的部分，并以拉伸的方式调制该接合区域的长度，以改变该接合区域所具有的一光学特性。
根据上述构想，其中该光学特性是指一分光比。
根据上述构想，其中该第一组对准装置包含两个各自具有一V型沟槽的突块，以该V型沟槽上下相对的方式将两突块叠合而成，并以该V型沟槽上下相对时形成的一菱形空间固定该第一及第二光纤。
根据上述构想，其中该两突块的制作材料可为半导体硅晶片、金属材料、玻璃材料、陶瓷材料、高分子材料的其中一种。
根据上述构想，其中该第二组对准装置包含一其上具有一沟槽的矩块及一大小等同于该沟槽的突件，以该突件嵌入该沟槽的方式而成，其中，该突件是以本身的重量固定该第一及第二光纤于该沟槽内。
根据上述构想，其中该矩块及该突件的制作材料可为半导体硅晶片、金属材料、玻璃材料、陶瓷材料、高分子材料的其中一种。
根据上述构想，其中该第二固定单元与该第一固定单元的构造完全相同。
根据上述构想，其中该放电部是由一对电极互相相对所构成。
根据上述构想，其中该对电极材质可为钨、钼、钛、钽、铬、镍、钒、锆、铪、铂、不锈钢或其合金。
根据上述构想，其中该放电部还具有一紫外光源或一激光装置，可产生紫外光、蓝光激光或绿光激光以稳定该电弧的产生。
根据上述构想，其中该对电极周围充满一净化气体。
根据上述构想，其中该净化气体可为空气、氮气、惰性气体或排放时合乎环保与安全条件的气体。
根据上述构想，其中该电源供应装置还可利用所提供电力大小的不同于该放电部产生温度不同的电弧。
本发明再一方面提供一种光纤耦合器的制作装置，其是用以将多条光纤所具有的多个光芯裸露面互相耦合，进而形成一光纤耦合器；其中该制作装置包含：一平台；一固定元件，其是位于该平台上，具有多个固定单元，用以将该多条光纤所具有的该多个光芯裸露面互相对准贴合，并形成一接合区域；以及一放电部，其是位于该平台上，可产生一电弧，以熔烧该接合区域形成一光纤耦合器。
根据上述构想，其中该多个光芯裸露面的形成方式可为一光纤研磨方式或激光切削方式。
根据上述构想，其中该固定元件还包含一夹持调制器，可以夹持住该多条光纤，并以拉伸的方式调制该接合区域的长度，以改变该接合区域所具有的一光学特性。
根据上述构想，其中该光学特性是指一分光比。
根据上述构想，还包含一电源供应装置，其是电连接于该放电部，并利用其所提供的电力于该放电部产生该电弧。
根据上述构想，其中该放电部还可沿着该多条光纤贴合固定后的平行方向在一定的范围内移动。
根据上述构想，其中该电源供应装置还可利用所提供电力大小的不同于该放电部产生温度不同的电弧。
本发明得藉由下列附图及详细说明可获得一更深入的了解：
(4)附图说明
图1是本发明的光纤耦合器制作装置结构示意图。
图2是本发明第一组对准装置结构侧面示意图；
图3是本发明第二组对准装置结构侧面示意图；
图4是本发明第二组对准装置剖面示意图；
图5是本发明放电部的熔烧示意图；
图6是习知熔烧方法所产生的光纤耦合器结构；
图7是本发明熔烧方法所产生的光纤耦合器结构。
(5)具体实施方式
将一第一光纤11及一以一第二光纤12分别加以研磨或激光切削，使得该第一光纤具有一第一消逝场裸露面13且该第二光纤具有一第二消逝场裸露面14，将该第一消逝场裸露面13及该第二消逝场裸露面14互相对准，且以如图1所示的方式将该第一光纤及该第二光纤上下叠合，并以固定于一平台15上的一第一组对准装置16及一第二组对准装置17之间，使得该第一消逝场裸露面13及该第二消逝场裸露面14贴合后形成一接合区域18；再利用一电源供应装置19提供较低的电压于一放电部20产生一温度较低的第一电弧，以该第一电弧并配合一可在该第二组对准装置17之间移动的一承载架21对该接合区域18实施一清洁效应；接着将该电源供应装置19的输出电压调高，使得该放电部20产生一温度较高的第二电弧，以该第二电弧对该接合区域18实施熔烧，并以该承载架21的来回移动调整熔烧区域的长度，同时以一夹持调制器22以拉伸的方式调整该接合区域18的延伸长度，使得该接合区域18所具有的分光比为所要求的；之后再将该电源供应装置19的输出电压调低，使得该放电部20产生一温度较低的第三电弧，以该第三电弧对该接合区域18实施一退火效应，以完成一光纤耦合器。
如图2所示，其为该第一组对准装置16固定该第一及第二光纤的结构示意图；该第一组对准装置16是由其上分别具有一曲率半径相同的V型沟槽23、24、25、26的四个突块27、28、29、30所构成。将突块27、28以该V型沟槽23、24上下相对，同样将该突块29、30以该V型沟槽25、26上下相对，并将已上下贴合的该第一及第二光纤置于该V型沟槽23、24与25、26上下相对形成的菱形空间中，以该突块27、28及29、30彼此叠合的方式固定该第一光纤11及该第二光纤12。
如图3所示，其为该第二组对准装置17固定该第一及第二光纤的结构示意图；将已上下贴合的该第一及第二光纤置于两矩块31、32分别具有的矩形沟槽33、34之中，其中该矩形沟槽33、34的宽度恰为一完整裸光纤的外径，再将两大小相等于该矩形沟槽33、34的突件35、36分别置于该矩形沟槽33、34中，并以重力的方式固定该第一光纤11及该第二光纤12，如图4所示。
如图5所示，其为该放电部20的熔烧示意图。该放电部20是由一对周围布满一净化气体39的互相相对的电极37、38所构成(该对电极的制作材料可为钨、钼、钛、钽、铬、镍、钒、锆、铪、铂、不锈钢或其合金)，可产生温度不同的电弧对该第一消逝场裸露面13及该第二消逝场裸露面14互相对准贴合而形成的一接合区域18实行清洁、熔烧及退火，以完成该光纤耦合器。其中较特别的是，该放电部20更可装设一紫外光源或一激光装置(图中并未画出)与其搭配，作用是在将该放电部20的电压调整到电极37、38将放电但未放电的状态时，利用紫外光(或该激光装置产生的蓝光激光或绿光激光)照射于电极中间，藉由电压未达释放电弧的强度时，两电极中间的原子分子处在一个不是很稳定但又未达导通的强度的状态，藉由紫外光(或该激光装置产生的蓝光激光或绿光激光)的强力游离特性，协助两电极中间的原子分子达电荷分离而形成电离子通道的状态，使得电弧具有较为稳定的产生状态，同时也使电弧释放时的电压可以维持每次皆大部份相同。
由以上的说明可知，本发明是利用电弧熔烧光纤形成一光纤耦合器，由于光纤加热的温度足够高(高于摄氏1500)，因此不需要如同传统的熔烧方式那样在加热的同时以拉伸光纤的方式破坏光纤的芯核，且电弧面积较小，加热状态亦稳定，又可以以移动的方式调整熔烧区域的长度，因此制作出的光纤耦合器不但没有传统的熔烧方式的气体流动所造成的光纤变形的情形，如图7所示，同时机械强度也比传统方式制作的来得强；更特别的是制作出的光纤耦合器，拥有较低的极化双折射效应(polarization birefringenceeffect)，故可以使用在高码速传输光通讯系统中，同时制造过程中亦可避免氢氧基离子被引入光纤，因此亦极适用于制造横跨E频带的光纤耦合器，也可用来制作CWDM(Coarse Wavelength Division Multiplexing)全光纤型合波器及光塞取多路复用器的次元件(sub-component)。
Claims (23)
1.一种光纤耦合器的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：
(a)提供一第一光纤及一第二光纤，它们分别具有一第一消逝场裸露面及一第二消逝场裸露面；
(b)将该第一及第二光纤叠合固定在一起，使得该第一消逝场裸露面及该第二消逝场裸露面互相对准贴合而形成一接合区域；以及
(c)以具有一第一温度的电弧熔烧该接合区域以形成一光纤耦合器，其中，该第一消逝场裸露面及该第二消逝场裸露面之间形成一耦合区域。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该第一消逝场裸露面及该第二消逝场裸露面的形成方式可为一光纤研磨方式或激光切削方式。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该电弧是一可在一固定范围内移动的电弧，及/或是一温度可改变的电弧。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(b)和(c)之间还包含另一步骤：降低该电弧所具有的该第一温度，使其具有一第二温度，以具有该第二温度的电弧对该接合区域实施清洁。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(c)的后还包含另一步骤：降低该电弧所具有的该第一温度，使其具有一第三温度，以具有该第三温度的电弧对该耦合区域实施退火。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包含一步骤：于熔烧该接合区域时，调制该接合区域的长度，以改变该接合区域所具有的一光学特性，而该光学特性是指一分光比。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包含一步骤：于熔烧该接合区域时，于该接合区域周围引入一净化气体，而该净化气体可为空气、氮气、惰性气体或排放时合乎环保与安全条件的气体。
8.一种光纤耦合器的制作装置，其是用以将一第一光纤所具有的一第一光芯裸露面及一第二光纤所具有的一第二光芯裸露面互相耦合，进而形成一光纤耦合器；其特征在于，该制作装置包含：
一平台；
一第一固定单元及一第二固定单元，其是分别位于该平台上的两端，用以将该第一光纤的该第一光芯裸露面及该第二光纤的该第二光芯裸露面互相对准贴合，并形成一接合区域；
一承载架，其是位于该平台上，并可沿着该第一光纤及该第二光纤贴合固定后的平行方向在该第一固定部及该第二固定部之间移动；
一放电部，其是位于该承载部上，并电连接于一电源供应装置，可利用该电源供应装置提供的电力产生一电弧，以熔烧该接合区域形成该光纤耦合器；以及
一夹持调制器，其是位于该平台上，可夹持住该第一及第二光纤位于该第一及第二固定部之外的部份，并以拉伸的方式调制该接合区域的长度，以改变该接合区域所具有的一光学特性。
9.如权利要求8所述的制作装置，其特征在于，该第一固定单元包含一第一组对准装置及一第二组对准装置，其中，该第一组对准装置是位于该接合区域外侧，该第二组对准装置是位于该接合区域内侧，并可随该放电部同步移动。
10.如权利要求9所述的制作装置，其特征在于，该第一组对准装置是包含两个各自具有一V型沟槽的突块，以该V型沟槽上下相对的方式将两突块叠合而成，并以该V型沟槽上下相对时形成的一菱形空间固定该第一及第二光纤，该两突块的制作材料可为半导体硅晶片、金属材料、玻璃材料、陶瓷材料、高分子材料的其中一种。
11.如权利要求9所述的制作装置，其特征在于，该第二组对准装置包含一其上具有一沟槽的矩块及一大小等同于该沟槽的突件，以该突件嵌入该沟槽的方式而成，其中，该突件是以本身的重量固定该第一及第二光纤于该沟槽内，而该矩块及该突件的制作材料可为半导体硅晶片、金属材料、玻璃材料、陶瓷材料、高分子材料的其中一种。
12.如权利要求8所述的制作装置，其特征在于，该第二固定单元与该第一固定单元的构造完全相同。
13.如权利要求8所述的制作装置，其特征在于，该放电部是由一对电极互相相对所构成，而该对电极周围充满一净化气体，且该对电极材质可为钨、钼、钛、钽、铬、镍、钒、锆、铪、铂、不锈钢或其合金。
14.如权利要求8所述的制作装置，其特征在于，该电源供应装置还可利用所提供电力大小的不同于该放电部产生温度不同的电弧。
15.一种光纤耦合器的制作装置，其是用以将一第一光纤所具有的一第一光芯裸露面及一第二光纤所具有的一第二光芯裸露面互相耦合，进而形成一光纤耦合器；其特征在于，该制作装置包含：
一平台；
一第一固定单元及一第二固定单元，它们分别位于该平台上的两端，用以将该第一光纤的该第一光芯裸露面及该第二光纤的该第二光芯裸露面互相对准贴合，并形成一接合区域；
一放电部，其是位于该平台上，并电连接于一电源供应装置，可利用该电源供应装置提供的电力产生一电弧，以熔烧该接合区域形成该光纤耦合器；以及
一夹持调制器，其是位于该平台上，可夹持住该第一及第二光纤位于该第一及第二固定部之外的部分，并以拉伸的方式调制该接合区域的长度，以改变该接合区域所具有的一光学特性。
16.如权利要求15所述的制作装置，其特征在于，该放电部可沿着该第一光纤及该第二光纤贴合固定后的平行方向在该第一固定部及该第二固定部之间移动。
17.如权利要求15所述的制作装置，其特征在于，该放电部包含一对互相相对的电极及一承载架，其特征在于，该对电极是固定于该承载架上。
18.一种光纤耦合器的制作装置，其是用以将一第一光纤所具有的一第一光芯裸露面及一第二光纤所具有的一第二光芯裸露面互相耦合，进而形成一光纤耦合器；其特征在于，该制作装置包含：
一平台；
一第一固定单元及一第二固定单元，它们分别位于该平台上的两端，用以将该第一光纤的该第一光芯裸露面及该第二光纤的该第二光芯裸露面互相对准贴合，并形成一接合区域；
一承载架，其是位于该平台上，并可沿着该第一光纤及该第二光纤贴合固定后的平行方向在该第一固定部及该第二固定部之间移动；以及
一放电部，其是位于该承载部上，并电连接于一电源供应装置，可利用该电源供应装置提供的电力产生一电弧，以熔烧该接合区域形成该光纤耦合器；
19.如权利要求8所述的制作装置，其特征在于，该第一固定单元还包含一夹持调制器，可夹持住该第一及第二光纤位于该第一及第二固定部之外的部分，并以拉伸的方式调制该接合区域的长度，以改变该接合区域所具有的一光学特性。
20.一种光纤耦合器的制作装置，其是用以将多条光纤所具有的多个光芯裸露面互相耦合，进而形成一光纤耦合器；其特征在于，该制作装置包含：
一平台；
一固定元件，其是位于该平台上，具有多个固定单元，用以将该多条光纤所具有的该多个光芯裸露面互相对准贴合，并形成一接合区域；以及
一放电部，其是位于该平台上，可产生一电弧，以熔烧该接合区域形成一光纤耦合器。
21.如权利要求20所述的制作装置，其特征在于，该固定元件还包含一夹持调制器，可以夹持住该多条光纤，并以拉伸的方式调制该接合区域的长度，以改变该接合区域所具有的一光学特性。
22.如权利要求20所述的制作装置，其特征在于，还包含一电源供应装置，其是电连接于该放电部，并利用其所提供的电力于该放电部产生该电弧，且该电源供应装置还可利用所提供电力大小的不同于该放电部产生温度不同的电弧。
23.如权利要求20所述的制作装置，其特征在于，该放电部还可沿着该多条光纤贴合固定后的平行方向在一定的范围内移动。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB031229999A CN100412586C (zh) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | 光纤耦合器的制作方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB031229999A CN100412586C (zh) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | 光纤耦合器的制作方法及装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1540377A true CN1540377A (zh) | 2004-10-27 |
| CN100412586C CN100412586C (zh) | 2008-08-20 |
Family
ID=34321178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB031229999A Expired - Fee Related CN100412586C (zh) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | 光纤耦合器的制作方法及装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100412586C (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100422776C (zh) * | 2005-06-17 | 2008-10-01 | 陈南光 | 激光微加工处理全光纤型元件的制作方法 |
| CN103217814A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-07-24 | 哈尔滨工程大学 | 一种光纤电光强度调制器及其制备方法 |
| CN103969744A (zh) * | 2013-02-04 | 2014-08-06 | 大豪信息技术（威海）有限公司 | 一种光纤熔接机的放电强度校正方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI79412C (fi) * | 1987-10-16 | 1989-12-11 | Nokia Oy Ab | Foerfarande och anordning foer framstaellning av ett optiskt foergreningsmedel. |
| JP2918940B2 (ja) * | 1989-11-25 | 1999-07-12 | 京セラ株式会社 | 光分岐結合器の製造装置 |
| JPH06250041A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバ型カプラの製造方法およびその装置 |
| EP0813693B1 (de) * | 1995-03-07 | 1999-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Spleisseinrichtung zum verschweissen von lichtwellenleitern |
-
2003
- 2003-04-21 CN CNB031229999A patent/CN100412586C/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100422776C (zh) * | 2005-06-17 | 2008-10-01 | 陈南光 | 激光微加工处理全光纤型元件的制作方法 |
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| CN103217814A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-07-24 | 哈尔滨工程大学 | 一种光纤电光强度调制器及其制备方法 |
| CN103217814B (zh) * | 2013-04-22 | 2015-09-30 | 哈尔滨工程大学 | 一种光纤电光强度调制器及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100412586C (zh) | 2008-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
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|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
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|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |