KR100365801B1 - 분산제어 광섬유 모재 및 변형 화학 기상 증착법을 이용한분산제어 광섬유 모재 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 분산제어 광섬유 모재 및 변형 화학 기상 증착법을 이용한 분산제어 광섬유 모재 제조방법에 관한 것으로서, 개시된 분산제어 광섬유 모재 제조방법은 (a) 준비된 모재를 따라서 토치가 천천히 이동하여 코어에 음 분산값을 구비하는 에칭 부분을 형성하는 제1단계; (b) 상기 토치가 상대적으로 상기 제1단계의 토치 속도보다 빨리 이동하여 상기 에칭 부분 다음으로 코어에 양 분산값을 구비하는 비 에칭 부분을 형성하는 제2단계; 및 (c) 상기 제1단계와 제2단계를 주기적으로 반복하여 상기 에칭 부분과 비 에칭 부분을 주기적으로 반복적으로 형성하는 제3단계로 구성된다.

Description

분산제어 광섬유 모재 및 변형 화학 기상 증착법을 이용한 분산제어 광섬유 모재 제조방법{DISPERSION MANAGED FIBER PREFORM AND DISPERSION MANAGED FIBER PREFORM FABRICATION METHOD USING MODIFIED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD}

본 발명은 광섬유 모재 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 분산제어 광섬유 모재 및 변형 화학 기상 증착법을 이용한 분산제어 광섬유 모재 제조방법에 관한 것이다.

광섬유의 매우 넓은 대역폭 때문에 광통신은 오랜 시간동안 많은 관심을 가져왔다. 머리카락 만큼이나 얇은 광섬유 한 가닥을 통해서 수천개의 전화 채널들과 수백개의 텔레비젼 채널들의 전송이 가능할 정도로 광섬유는 넓은 대역폭을 가지고 있다. 광섬유의 전송 용량은 전송 파장에서의 색분산 값이 작을 수록 증가하기 때문에 가장 작은 광손실을 가지는 파장대인 1550nm에서 색분산 값이 0인 광섬유가 제안되었는 데, 이를 분산 천이 광섬유(DSF:Dispersion Shifted Fiber)라 한다. 그 후, 1530nm에서 1565nm의 넓은 파장대에서 광신호의 증폭을 가능하게 하는 어븀 첨가 광섬유 증폭기(EDFA:Erbium Doped Fiber Amplifier)의 개발은 하나의 광섬유안에 다른 파장대의 여러 채널의 광신호를 함께 전송하는 파장분할다중(WDM) 방식을 가능하게 하여 광선송 용량을 더욱 증가시킬 수 있는 기반이 되었다. 그러나, 분산천이 광섬유에서 파장분할다중 방식을 이용한 광통신에서는 포-웨이브-믹싱(four-wave-mixing) 효과와 같은 서로 다른 파장대의 신호들 간의 비선형 상호작용이 시스템의 성능을 크게 저하시킨다.

이러한 문제는 앤드류 알. 크라플리비(Andrew R. Chraplyvy)등에 의해 발명되어 특허허여된 미국특허번호 제5,327,516호(OPTICAL FIBER FOR WAVELENGTH DIVISION MULTIPLEXING)에서 광전송 파장대에서 2∼6ps/km-nm의 적은 양의 색분산 값을 가지는 광섬유를 도입하여 해결하였다. 이처럼 비선형 효과를 억제하기 위해 적은 양의 색분산 값을 가지는 광섬유를 non-zero dispersion shifted fiber(NZDSF)라고 하는데, 대표적인 NZDSF로 루슨트 테크놀러지(Lucent Technology)의 TrueWave^(TM)광섬유와 코닝(corning)사의 LEAF^(TM)(Large Effective Area Advantage Fiber)를 들수 있다.특히, 최근에 발표된 루슨트 테크놀러지의 TrueWave^(TM)RS 광섬유는 기존의 광섬유들에 비해 C-band(1530∼1565nm) 뿐만 아니라 L-band(1565∼1620nm)에서도 낮은 색분산 값을 가지도록 만들어 졌다. 이에 비해 코닝사의 LEAF^(TM)는 다른 광섬유들에 비해 더 넓은 유효 면적(effective area)을 가지는 것을 장점으로 하고 있다. 이러한 사항이 얀밍 리우(Yanming Liu)등에 의해 발명되어 특허허여된 미국특허번호 제5,835,655호(LARGE EFFECTIVE AREA WAVEGUIDE FIBER)에 상세히 개시되어 있다. 광섬유의 유효 면적이 넓을 수록 광섬유의 비선형 효과가 감소함으로, 넓은 유효 면적을 가지는 것도 NZDSF로서 큰 장점이라 할 수 있다.

NZDSF는 색분산 값이 작기는 하지만, 영은 아니므로 전송 거리가 긴 경우에는 분산과 전송 거리의 곱이 계속 증가하므로, 결국에는 색분산 의해 펄스가 퍼지는 것을 피할 수 없게 된다. 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 각각 양과 음의 색분산 값을 가지는 두개의 NZDSF를 서로 교대로 연결하여 아무리 전송 거리가 길어도 분산과 전송거리의 곱이 어느 한계 값 이상으로 증가하지 않게 만드는 방법이 제안되었는 데, 이를 분산 제어(dispersion management)라 한다. 분산 제어된 WDM 시스템(dispersion managed WDM system)은 가장 이상적인 광통신 방식이라 할 수 있다.

분산제어 라인을 구성하기 위하여 지금까지 사용된 방식은 양과 음의 색분산 값을 가지는 광섬유들을 완전히 독립된 제조과정으로 따로 제작한 후, 이 광섬유들을 교대로 연결하는 구성이었다. 이와 같은 방식은 하나의 긴 광섬유 라인을 따라 두 가지의 다른 종류의 광섬유들을 교대로 설치해야 하므로, 광통신 케이블의 설치에서 많은 불편을 야기시킨다.

본 발명의 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명은 변형 화학 기상 증착법을 이용한 분산제어 광섬유 모재 제조방법을 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 하나의 광섬유 모재에서 일정한 길이에서는 양 분산 값을 가지고, 그 다음 일정한 길이에서는 음 분산값을 교대로 가지는 분산제어 광섬유 모재 제조방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 하나의 광섬유 모재에서부터 인출된 광섬유가 일정한 길이에서는 양 분산값을 가지고, 그 다음 일정한 길이에서는 음 분산값을 가지는 분산제어 광섬유 모재 제조방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 MCVD로 광섬유 모재 제조시 길이방향으로 굴절율 분포를 바꾸는 방법으로 증착과정까지는 길이방향으로 균일하게 증착을 하고, 튜브를 콜랩스하는 과정전에서 굴절율 변화를 주고 싶은 부분에만 에칭을 한 분산제어 광섬유 모재 제조방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 NZDSF+와 NZDSF-에 해당하는 굴절율 분포들이 모재 중심의 코어 층의 두께만 다르고, 나머지 부분은 같은 굴절율 분포를 가지게 설계된 분산제어 광섬유 모재 제조방법을 제공함에 있다.

상기한 목적들을 달성하기 위하여 본 발명은 변형 화학 기상 증착법을 이용한 광섬유 모재 제조방법에 있어서,

(a) 준비된 모재를 따라서 토치가 천천히 이동하여 코어에 음 분산값을 구비하는 에칭 부분을 형성하는 제1단계; (b) 상기 토치가 상대적으로 상기 제1단계의 토치 속도보다 빨리 이동하여 상기 에칭 부분 다음으로 코어에 양 분산값을 구비하는 비 에칭 부분을 형성하는 제2단계; 및 (c) 상기 제1단계와 제2단계를 주기적으로 반복하여 상기 에칭 부분과 비 에칭 부분을 주기적으로 반복적으로 형성하는 제3단계로 구성된다.

더욱이, 본 발명은 변형 화학 기상 증착법을 이용하여 제작된 광섬유 모재에 있어서,

(a) 제1속도로 토치가 이동하여 양 분산값을 가지는 코어의 굴절률 분포를 길이방향으로 주기적으로 가지는 주기적 비 에칭 부분; 및 (b) 상기 비 에칭 부분들 사이에 상기 제1속도보다 상대적으로 느리게 이동하는 토치에 의해 가열공정이 수행되어 음 분산값을 가지는 코어의 굴절률 분포를 가지는 주기적 에칭 부분들로 구성된다.

도 1은 통상적인 변형 화학 기상 증착법을 이용한 광섬유 모재 제조장치를 개략적으로 나타낸 구성도.

도 2는 본 발명에 따른 광섬유 모재를 보여주며, 광전송 파장대에서 색분산 값이 영이 아니면서도 전체 색분산 효과는 사라지는 원리를 설명한 도면.

도 3은 본 발명에 따른 분산제어 광섬유 모재의 굴절율 분포를 나타내는 그래프.

도 4는 1530nm에서 1565nm까지의 파장대에서 도 3의 굴절율 분포를 가지는 광섬유의 색분산 값을 보여주는 그래프.

도 5는 본 발명에 따른 광섬유 모재와, 광섬유 모재로부터 인출된 광섬유의 분산값을 나타내는 도면.

도 6은 본 발명에 따라 튜브내의 증착단계에서 토치의 이동속도 변화에 따라서 에칭 부분과 비 에칭 부분이 코어에 형성된 광섬유 모재를 나타내는 도면.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.

도 1을 참조하여 MCVD법에 대해서 간단히 설명하면 다음과 같다. 수평선반에 장착된 양척(12)에 유리 튜브를 고정하고, 화살표①방향으로 유리 튜브(T)를 회전시키고, 토치(14)를 화살표③방향으로 이동시키면서 유리 튜브(T)를 가열한다. 이때, 유리 튜브(T)내에 SiCl₄와 그 외 화학물들을 산소 가스에 실어 기체의 형태로 화살표②방향으로 공급하면서 유리 튜브 내부에 증착시키는 공정이다. 이어서 증착공정 후에 콜랩스 공정(collapsing)과 클로우징 공정(closing)을 진행하여 하나의 광섬유 모재(preform)를 제작하게 된다. 이와같은 MCVD법은 당해분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

이러한 MCVD법은 길이방향으로 균일한 유리 튜브(T)(quartz tube)에 안으로는 SiCl₄와 그 외 화학물들을 산소 가스에 실어 기체의 형태로 공급하면서 튜브 밖에서는 토치(torch)를 일정한 속도로 이동시키며 가열하여 길이 방향으로 균일하게증착이 일어나도록 하는 시스템이므로, 길이 방향에 따라 굴절율 분포를 원하는 데로 바꾸는 것은 매우 힘든 일이다.

하나의 광섬유 모재를 균일한 지름을 가지도록 일정하게 인출하여 만들어지는 광섬유 케이블이 길이에 따라 양과 음의 색분산 값을 교대로 가지게 하기 위해서는 길이 방향에 따라 양의 색분산 광섬유에 대응하는 굴절률 분포와 음의 색분산 광섬유에 대응하는 굴절율 분포를 일정한 길이씩 교대로 가지는 광섬유 모재의 개발이 선행되어야 한다. 도 2는 이와 같은 특성을 가지는 광섬유 모재를 도시하고 있으며, 이하에서는 광전송 파장대에서 색분산 값이 영은 아니면서 전체 색분산 효과는 사라지는 원리를 설명하고자 한다.

도 2에 보여진 광섬유 모재를 개발하기 위해서는 광전송 파장대에서 2.5∼6ps/km-nm의 적은 양의 색분산 값을 가지는 광섬유(NZDSF+)의 굴절율 분포와 이에 대응하는 비슷한 크기의 음의 색분산 값을 가지는 광섬유(NZDSF-)의 굴절율 분포를 설계하여야 한다. 여기서 어려운 점은 이 두 가지의 다른 굴절율 분포가 MCVD를 이용하여 제작되는 광섬유 모재에서 길이 방향으로 일정한 간격으로 주기적으로 교차되어야 한다는 것이다.

본 발명은 도 2에 도시된 것과 같은 특성을 가지는 광섬유 모재의 제작을 가능하게 하는 NZDSF+와 NZDSF-에 대한 굴절율 분포를 찾아내고, 이러한 특성을 갖는 광섬유 모재를 MCVD법으로 제조하는 방법을 개발하는데 있다.

본 발명에서는 먼저 MCVD법으로 광섬유 모재 제조시, 길이방향으로 굴절율 분포를 바꾸는 방법으로, 증착 과정까지는 길이 방향으로 균일하게 증착을 하고,튜브를 콜랩스하는 과정 바로 전에서 굴절율 변화를 주고 싶은 부분에만 토치를 이용하여 에칭공정을 수행한다. 상기한 에칭 공정은 튜브안으로 CF₄나 C₂F₆와 같은 F를 포함하는 가스를 주입시키면서, 튜브밖에서는 토치로 2000℃ 이상으로 매우 뜨겁게 가열하여 이루어진다. 이와 같은 에칭 공정을 수행하면 F와 접촉하는 튜브 안쪽면의 유리가 깎여 나가게 되므로서, 에칭을 한 부분에 해당하는 광섬유 모재는 코어의 직경크기가 더 작아지는 것과 같은 효과를 가지게 된다.

상기와 같은 방법을 사용하면 MCVD법을 이용한 모재 제작의 전 과정에서 기존의 모재 제작방법과 큰 차이점 없이 길이방향에 따라 굴절율 분포를 효과적으로 변화시킬 수 있다. 다만, 이와 같은 방법을 이용하여 광섬유 모재를 제작하기 위해서는 NZDSF+와 NZDSF-에 해당하는 굴절율 분포들이 모재 중심의 코어층의 두께만 다르고, 나머지 부분은 같은 굴절율 분포를 가지도록 설계되어져야만 한다.

도 3은 본 발명에 따른 분산제어 광섬유 모재의 굴절율 분포를 나타내는 그래프이다. 도 3에 상기한 조건을 만족시키는 광섬유 굴절율 분포들이 묘사되었다. 여기서 굴절율 차이를 나타내는 양으로 도입된는 하기 수학식 1로 정의되었다.

여기서는 순수한 유리의 굴절율이다.

도 2에 도시된 두 가지의 굴절율 분포에서 각각 NZDSF+와 NZDSF-는 광섬유중앙의 코어 층의 두께만 다르고, 나머지 부분들의 굴절율 분포는 같기 때문에 MCVD를 이용한 광섬유 모재 제작과정에서 양의 색분산 값을 가지는 광섬유 굴절율 분포에 대응하도록 튜브에 클래드 층과 코어 층들을 증착한 후, 마지막 콜랩스 공정전에서 음의 색분산 광섬유에 해당하는 모재의 부분만 에칭에 의해 중앙 코어층의 일부분을 제거하면, 각각 양과 음의 색분산 값을 가지는 두 가지 종류의 광섬유가 교대로 연결되어 있는 분산 처리 라인에 해당하는 광섬유 모재를 제작한다.

이와 같은 방법으로 분산제어 광섬유를 위한 모재를 제작할 경우, 또 하나의 큰 장점은 에칭 공정이 토치를 매우 천천히 이동시키면서 음의 색분산 값을 가지는 해당 부분에만 이루어 지므로, NZDSF+의 NZDSF에 해당하는 모재 굴절율 변화 주기를 매우 짧게 하면, 인출된 광섬유들의 색분산 변화 주기로 짧아지므로 색분산과 전송 길이의 곱의 최대값이 작아지게 되며, 따라서 전송 길이에 상관없이 색분산에 의한 펄스 퍼짐을 효과적으로 억제할 수 있다. 즉, 에칭이 이루어지는 유리 튜브의 주기를 변경시킴에 따라서 다양한 주기를 가지는 분산제어 광섬유 제작이 가능하다. 또한, 이러한 광섬유 모재 제작이 가능함에 따라서 분산제어 광섬유 모제로부터 양과 음의 색분산값을 가지는 광섬유의 인출이 가능하다.

도 4는 1530nm에서 1565nm까지의 파장대에서 도 3의 굴절율 분포를 가지는 광섬유들의 색분산 값을 보여준다. 양의 색분산 광섬유(NZDSF+)는 파장에 따라 양의 기울기를 가지는 반면, 음의 색분산 광섬유(NZDSF-)는 파장에 따라 음의 기울기를 가지면서 양쪽 광섬유들의 색분산 값이 크기는 거의 같으므로, 양과 음의 색분산 광섬유를 같은 길이로 교대로 연결할 경우, 1530nm에서 1565nm의 파장대 전체에걸쳐 분산제어가 거의 완전하게 이루어 진다.

도 3의 굴절율 분포를 가지는 광섬유들의 모드 특성들은 양의 색분산 광섬유가 1530nm에서 1565nm까지 색분산 값을 4.10ps/km-nm에서 4.36/km-nm이며, 1550nm 파장에서 색분산 기울기는 0.0065ps/km-nm²이며, LP_H모드 차단 파장은 1.17㎛이며, 1550nm 파장에서 모드 필터 직경은 7.56㎛이고, 음의 색분산 광섬유의 1530nm에서 1565nm까지 색분산 값은 -4.19ps/km-nm에서 -5.61/km-nm이며, 1550nm 파장에서 색분산 기울기는 -0.0358ps/km-nm²이며, LP_H모드 차단 파장은 1.14㎛이며, 1550nm 파장에서 모드 필터 직경은 8.39㎛이다.

도 3의 굴절율 분포를 갖는 광섬유들은 도 4에 보여진 파장에 대한 색분산 기울기가 매우 작으므로, 그 자체만으로 우수한 NZDSF+와 NZDSF-로써 사용될 수 있다.

도 5, 도 6은 광섬유 모재 제조공정 중, 튜브(T)에 토치를 이용하여 코어와 클래드를 증착하는 단계에서 토치의 이동속도변화를 주어서 주기적으로 양 분산값을 가지는 비 에칭 부분과, 음 분산값을 가지는 에칭 부분으로 이루어지는 광섬유 모재 제조방법을 나타내는 도면이다. 도 5, 도 6를 참조하여 양 분산값과 음 분산값을 가지는 광섬유 모재 제조방법에 대해서 설명하면 다음과 같다. 본 발명에 따른 분산제어 광섬유 모재(P)는 음 분산값과 양 분산값을 가지는 광섬유 모재로 이루어진다. 이를 위하여 광섬유 모재 제조공정 중, 튜브(T)의 길이방향을 따라서 에칭 부분과 비 에칭 부분이 주기적으로 연결되는 분산제어 광섬유 모재(P)를 제작한다.

이를 위하여 튜브(T)내에 F를 함유한 가스가 혼합된 He/O₂를 주입시키고, 이어서 상기 가스들과 화학반응을 일으키도록 토치를 튜브(T) 길이방향을 따라서 이동시킨다. 이때, 본 발명에 따른 토치는 주기적으로 이동속도변화가 있다. 먼저, 주기적으로 토치의 속도를 소정의 저속으로 하고, 다음에는 상기 속도보다 빠르게 이동시키는 동작을 반복한다. 준비된 튜브(T)를 따라서 토치가 천천히 이동하면, 튜브내에 증착되는 코어(C)에 음 분산값을 구비한 에칭 부분이 형성되고, 다음으로 토치가 상대적으로 빨리 이동하면, 튜브내에 증착되는 코어(C)에 양 분산값을 구비한 비 에칭 부분이 형성된다. 이러한 단계를 여러 번 반복함으로서, 본 발명에서 구현하는 분산제어 광섬유 모재가 제조된다.

도 6에 도시된 바와 같이, 토치가 빨리 이동한 튜브(T)내의 코어(C)의 굵기는 에칭이 되어 상대적으로 얇고, 토치가 상대적으로 천천히 이동한 튜브(T)내의 코어(C)의 굵기는 비 에칭이 되어 상대적으로 굵게 형성된 것을 알 수 있다. 이러한 방식으로 제조된 광섬유 모재를 인출한 광섬유의 분산값이 도 5에 도시되었다. 즉, 광섬유(F)의 길이방향을 따라서 양 분산값과 음 분산값을 구비함을 알 수 있다. 본 발명에 따라서 제조된 분산제어 광섬유 모재는 도 3에 도시된 굴절률 분포를 가지며, 이러한 분산제어 광섬유 모재로부터 인출된 광섬유는 도 4에 도시된 분산값을 가지게 되었다.

한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도내에서 여러가지 변형이 가능함을 당해분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어서 자명하다 할 것이다.

이상으로 살펴본 바와같이, 본 발명은 양과 음 분산값을 가지는 NZDSF들이 교대로 연결되어 있는 것과 같은 효과를 가지는 분산제어 광섬유를 하나의 광섬유 모재에서부터 바로 인출하는 방법에 대하여 제시하였다. 따라서, 본 발명은 광섬유 모재를 제작하면, 하나의 모재를 일정한 지름의 광섬유로 인출하여 광케이블을 만들면, 그 광케이블 자체가 분산 처리 라인이 된다. 또한, 본 발명에서 제시한 굴절율 분포를 가지는 양과 음 분산값 광섬유들은 전송 파장에 따라 매우 평평한 색분산 광섬유 분포를 가지므로, 그 자체만으로 우수한 NZDSF+와 NZDSF-로써 사용될 수 있다.

Claims (8)

1. 변형 화학 기상 증착법을 이용한 광섬유 모재 제조방법에 있어서,

   (a) 양 분산값을 가지는 광섬유 굴절율 분포를 구비하는 코어와 클래드를 유리 튜브내에 균일하게 증착하는 단계;

   (b) 양 분산값을 가지는 상기 모재에 가열원을 이용하여 소정의 주기로 가열함으로서 가열된 부분의 모재가 음 분산값을 가지도록 에칭하는 단계; 및

   (c) 길이방향으로 양 분산값을 가지는 부분과 음 분산값을 가지는 부분이 교대로 연결된 모재를 콜랩스하는 단계로 이루어진 변형 화학 기상 증착법을 이용한 분산제어 광섬유 모재 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 에칭하는 단계(b)는 코어에서 이루어지는 변형 화학 기상 증착법을 이용한 분산제어 광섬유 모재 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 에칭하는 단계는 튜브안으로 F를 포함하는 가스를 주입시키는 공정으로 구성되는 분산제어 광섬유 모재 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 F를 포함하는 가스는 CF₄나 C₂F₆를 포함하는 분산제어 광섬유 모재 제조방법.
5. 변형 화학 기상 증착법을 이용한 광섬유 모재 제조방법에 있어서,

   (a) 준비된 모재를 따라서 토치가 천천히 이동하여 코어에 음 분산값을 구비하는 에칭 부분을 형성하는 제1단계;

   (b) 상기 토치가 상대적으로 상기 제1단계의 토치 속도보다 빨리 이동하여 상기 에칭 부분 다음으로 코어에 양 분산값을 구비하는 비 에칭 부분을 형성하는 제2단계; 및

   (c) 상기 제1단계와 제2단계를 주기적으로 반복하여 상기 에칭 부분과 비 에칭 부분을 주기적으로 반복적으로 형성하는 제3단계로 구성되어짐을 특징으로 하는 변형 화학 기상 증착법을 이용한 광섬유 모재 제조방법.
6. 제5항에 있어서, 상기 주기적 에칭 부분은 F를 포함하는 가스가 혼합된 He/O₂를 튜브내에 주입함과 동시에 토치의 이동에 따라서 이루어짐을 특징으로 하는 변형 화학 기상 증착법을 이용한 광섬유 모재 제조방법.
7. 변형 화학 기상 증착법을 이용하여 제작된 광섬유 모재에 있어서,

   (a) 양 분산값을 가지는 광섬유의 굴절률 분포를 길이방향으로 주기적으로 가지는 제1광섬유 모재부분; 및

   (b) 상기 제1광섬유 모재부분들 사이에 토치에 의해 가열공정이 수행되어 음분산 값을 가지는 광섬유 굴절률 분포를 가지는 주기적 제2광섬유 모재부분들이 교대로 연결되게 구성되어짐을 특징으로 하는 분산제어 광섬유 모재.
8. 변형 화학 기상 증착법을 이용하여 제작된 광섬유 모재에 있어서,

   (a) 제1속도로 토치가 이동하여 양 분산값을 가지는 코어의 굴절률 분포를 길이방향으로 주기적으로 가지는 주기적 비 에칭 부분; 및

   (b) 상기 비 에칭 부분들 사이에 상기 제1속도보다 상대적으로 느리게 이동하는 토치에 의해 가열공정이 수행되어 음 분산값을 가지는 코어의 굴절률 분포를 가지는 주기적 에칭 부분들로 구성되어짐을 특징으로 하는 분산제어 광섬유 모재.