CN1511317A

CN1511317A - 光记录介质的初始化方法

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Publication number: CN1511317A
Application number: CNA038002965A
Authority: CN
Inventors: �ڴ��̫��; 黑川光太郎; 山崎刚; 上田大辅; 高川繁树; 山本真伸
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-02-08
Filing date: 2003-02-07
Publication date: 2004-07-07
Anticipated expiration: 2023-02-07
Also published as: US6999396B2; JPWO2003067582A1; KR100949234B1; JP4375021B2; CN1278311C; KR20040075705A; US20040145999A1; TWI257096B; WO2003067582A1; TW200401286A

Abstract

本发明提供了一种对有多层光记录层的光记录介质进行初始化的方法，在初始化时，此方法能够减少由于光干涉而引起的初始化的不均匀性但不会损坏光记录层的信息记录/再现信号特性。一个光记录介质的初始化方法，在此，第二光记录层和第一光记录层通过一个中间层按顺序堆叠在衬底上，并进而在第一光记录层上生成一个保护层，在第一光记录层中的记录膜包括一个相变式的记录材料，在记录/再现信息时从保护膜的一侧上发射出记录/再现光。在初始化步骤中，通过将初始化光从保护膜的一侧投射到第一光记录层上来对第一光记录层进行初始化，以便使得能量密度ID1和能量密度ID2能满足ID2/ID1≤0.002，在此，ID1是投射在第一光记录层的光聚焦区中的各个点上的初始化光的入射光在单位面积上的能量密度，ID2是返回光在光聚焦区中的各个点上的单位面积上的能量密度，该返回光是初始化光透过第一光记录层而达到第二光记录层，并在第二光记录层上反射后再回到第一光记录层上的。

Description

光记录介质的初始化方法

技术领域

本发明涉及到光记录介质(下文中也称之为光盘)的初始化方法，尤其是涉及到具有用相变式的材料作为记录介质的光记录层的多层光盘的初始化方法。

背景技术

近年来，在信息记录领域中，在不同的地方都对光信息记录方法进行了一些研究。这些光信息记录方法的优点是能以非接触的方式记录和再现信息，并能处理只读式的、一写多读式的和可重写式的存储方式，并有希望广泛地用作为实现廉价存储大容量文件的方法。

现已通过缩短作为光源的激光束波长的方法使得供各种光信息记录方式用的光记录介质(下文中也称之为光盘)获得了很大的容量。这种用在光信息记录方法中的激光源采用了高数值孔径的物镜以便缩小聚焦面上的光斑尺寸。

例如，在小型光盘(CD)中，激光的波长为780nm，物镜的数值孔径(NA)为0.45，容量为650MB，然而，对于数字通用光盘只读存储器(DVD-ROM)而言，其激光波长为650mn，NA为0.6，容量为4.7GB。

此外，在下一代的光盘系统中，已通过如下一些手段为获得大的容量作了研究：使用在光记录层上具有厚度约为100μm的薄的光透射保护膜(一覆盖膜)的光盘；从保护膜的一侧上发射用于记录和再现信息的激光束；使激光的波长为450nm或更小；使物镜的数值孔径为0.78或更大。

另外，近年来，己对可重写式的多层光盘进行了研究。这种光盘使用相变式的记录材料并具有两个光记录层。在下文中，分别将具有多个光记录层的光盘称之为多层光盘，而把仅有一个光记录层的光盘称之为单层光盘。

本发明人一直从事相变式多层光盘的研制，并在1999和2001年出席了光数据存储(ODS)研讨会。

相变光盘，不管是单层光盘还是多层光盘，在发送到市场上之前，都需要进行称为初始化的处理。

在相变式光盘的生产工序中，通常，用溅射装置在由聚碳酸脂等材料制成的衬底上生成一个相变式记录材料的薄膜，在生成称为“淀积成的(as-deposited)”膜之后，相变式记录介质的晶相状态与无定形态相接近。

在相变光盘中，在记录信息时，要求相变式记录材料的状态为结晶状态。在生成薄膜后，立即将无定形状态改变为结晶状态的工序称为“初始化工序”。

在当前广泛使用的初始化装置中，整个光记录层的结晶化是通过将激光束聚焦在要初始化的光记录层上以加热相变式的记录材料，并对整个光记录层进行扫射来实现的。

此时，聚焦在光记录层上的激光光束的形状在盘旋转的方向上大约有1μm的束宽，在半径方向上大约有100μm的束宽。

在具有相变式光记录层的多层光盘上，用这样的初始化装置来对光记录层进行初始化时，该光记录层是用作为从光的入射面上算起的第一光记录层，如己公开的日本专利No.2001-250265中所披露的，由于在第一光记录层和第二光记录层之间的夹层的厚度的不匀均性而产生的光干涉，会使初始化光在第一记录层上发生强度变化，并造成初始化不均匀。

发明内容

本发明是在考虑到上述情况下实行的。因此，本发明的目的是提供一个光记录介质的初始化方法，它能减少由于在初始化时产生的光干涉而引起的初始化的不均匀性，但不会损坏各个记录层的信息记录/再现信号的特征。

为了达到上述目的，本发明的光记录介质的初始化方法是这样的一种方法：其中，第二光记录层和第一光记录层通过一个中间层依次堆叠在一个衬底上，并进而在第一光记录层上生成一个保护层，在第一光记录层上的记录膜包括一相变式的记录材料，并在记录/再现的时候从保护膜侧发射记录/再现光；和在初始化的步骤中，将初始化光从保护膜侧照射在第一光记录层上，使第一光记录层初始化，以便让能量密度ID1和能量密度ID2能满足下面的公式(1)，在此，ID1是第一光记录层上光聚焦区中的各个点上的初始化光的入射光在单位面积上的能量密度，ID2是返回光在光聚焦区中的各个点上的单位面积上的能量密度，该返回光是初始化光透过第一光记录层达到第二光记录层上，并在第二光记录层上反射后再回到第一光记录层上的。

ID2/ID1≤0.002 (1)

在本发明的光记录介质的上述初始化方法中，初始化光的波长最好不同于记录/再现光的波长；第一光记录层包括一个对记录/再现光是透明的并且具有吸收初始化光的性能的膜。

此外，初始化光的波长最好小于400nm；并且对记录/再现光而言，此薄膜应当是透明的，并具有吸收初始化光的性能，该薄膜含有ZnS-SiO₂或ITO。

在本发明的光记录介质的上述初始化方法中，在实行初始化的步骤时，将初始化光照射到第一光记录层上，在把一个激光束当作初始化光聚焦到要初始化的第一光记录层上时，照射到要初始化的光记录层上的初始化光的一部分透过第一光记录层而达到第二光记录层上，并在第二光记录层上反射后回到要初始化的第一光记录层上。

在此，在第一光记录层上，与在初始化光的入射光及来自第二光记录层的返回光相重叠的区域上的入射光的能量密度相比，如果能使返回光的能量密度足够地小，就能足以减少由于光干涉而引起的聚焦初始化的不均匀性。

这就是说，根据能量密度ID1和能量密度ID2来初始化第一光记录层以满足上述的公式(1)，就能足够地减少初始化的不均匀性，在此，ID1是聚焦在第一光记录层的光聚焦区中的各个点上的初始化光的入射光在单位面积上的能量密度，ID2是返回光的光聚焦区中的各个点上的单位面积上的能量密度，该返回光是透过第一光记录层达到第二光记录层上，并在第二光记录层上反射后又回到第一光记录层上的初始化光的入射光。

相对初始化光的波长而言，如果第一光记录层的光透射率足够地小，或者是第二光记录层的反射率足够地小，那就足以降低返回光的能量密度。在本发明中，所用的是前者。

构成相变式光记录层的多层膜通常包括由相变式记录材料制成的一个记录层，一个对于记录/再现波长是透明的介电膜，以及一个由金属反射膜构成的薄膜。

例如，在本发明中，引用了一个对初始化光波长具有吸收性能的介电物质来降低第一光记录层的初始化光波长的光透射率，并能较好地实现初始化。

附图说明

图1A是一个简略透视图，它根据本发明的实施例示出了将一束光投射到光盘上的状态，图1B是一个简略的截面图；

图2A和图2B是截面图，它们根据本实施例示出了光盘生产方法中的一个生产工序；

图3A和图3B是接在图2B之后的一个工序的截面图；

图4A和图4B是接在图3B之后的一个工序的截面图；

图5A和图5B是接在图4B之后的一个工序的截面图；

图6A和图6B是接在图5B之后的一个工序的截面图；

图7是接在图6B之后的一个工序的截面图；

图8是用在本实施例中的初始化设备的结构示意图；

图9是光斑形状的示意图以及用在本实施例中的初始化光的光强度分布的示意图；

图10是根据本发明的实施例，在对光盘上的第一光记录层进行初始化时的初始化光的排列示意图；

图11是投射到第一光记录层上的入射光的能量密度ID1和来自第二光记录层上的返回光的能量密度ID2之比的估计结果；

图12是本实施例中初始化光的强度变化程度的估计结果；

图13是信号特征(抖动)与初始化光的功率的相关性曲线示意图；

图14A和图14B是假设本实施例中所采用的第一光记录层的层结构示意图；

图15是图14A所示的第一光记录层的光透射率示意图；

图16是如图14B所构建的第一光记录层的光透射率的示意图；

图17是Si₃N₄的复折射率的波长的相关性曲线示意图(“n”是折射率，“k”是消光系数)；

图18是ZnS-SiO₂的复折射率的波长的相关性曲线示意图(“n”是折射率，“k”是消光系数)；和

图19是ITO的复折射率的波长的相关性曲线示意图(“n”是折射率，“k”是消光系数)。

具体实施方式

下面，将结合附图详细说明本发明的实施例。

本实施例涉及光记录介质(光盘)的初始化方法。首先将简要地说明光盘的结构和生产方法，然后，再说明光盘的初始化方法。

图1A是根据本实施例所示出的将一束光投射到具有两个光记录层的光盘上的状况的简略透视图。

光盘DC的形状约为盘状，其上的中心孔CH是开在中心部位上的，内周部分是一个夹持区CA，而光盘的外周部分具有一个信息记录/再现区RA，光盘按照驱动方向DR旋转。

在记录或再现信息时，将蓝到蓝紫色范围内的激光束或来自物镜OL(其数值孔径为0.8或更大)的其它记录/再现光束LT_R投射到光盘中的光记录层上。

图1B是图1A中沿着A-A’线剖开的截面示意图。

在由聚碳酸脂制成的盘衬底11的一个表面上生成第二光记录层，其厚度为1.1mm，外径为120mm，中心孔CH的内径为15mm。另一方面，由紫外固化树脂制成的转换层(transfer layre)14是在树脂膜13的一个表面上生成的，并且在其表面上生成第一光记录层16。第一光记录层16和第二光记录层12通过中间层17粘合在一起的，该中间层的膜厚例如为20μm左右，并且对记录/再现光的波长是透明的。光透射保护膜18的膜厚例如为90μm，它是通过将转换层14和树脂膜13放在一起而构成的。

第二光记录层12和第一光记录层16的结构都是将一个介电膜、一个用相变式记录材料等制成的记录膜、一个介电膜和一个反射膜由上而下地堆叠在一起而构成的，其中，至少配有一个第一光记录层16的记录膜，以便将相变式记录材料包括在内。

在此，盘衬底11的一个表面具有凹凸不平的形状11’，并沿着此凹凸不平的形状生成第二光记录层12。转换层14的表面也具有凹凸不平的形状14’，第一光记录层16是沿着该凹凸不平的表面生成的。第一光记录层16和第二光记录层12上都有凹凸不平的形状，这是由上述的凹凸不平的形状14’或11’引起的，并将这些凹凸不平的形状划分为许多称之为平地或凹槽的轨迹区。

如图1B所示，当记录或再现上面的光盘时，从物镜OL上发出的激光或其它的记录/再现光LT_R通过光透射保护膜18聚焦在第一光记录层16和第二光记录层12中的任何一个之上。在再现的时候，接收在第一光记录层16或第二光记录层12上反射的返回光，并提取出再现信号。

此外，通过在凹凸不平的形状11’上刻制一个长度相当于记录数据的坑，并用像铝膜之类的反射层来构建光记录层，第二光记录层12也可以是一个只读式的光记录层。

下面将解释上述的具有两个光记录层的光盘的生产方法的一个例子。

在此，将根据如下的一个例子来加以说明。在此例子中，为了包含一个由相变式记录材料制成的记录膜，不仅构建了第一光记录层16，而且还构建了第二光记录层12，以包含一个由相变式记录材料制成的记录膜。

首先，用一个按常规预定的公认方法来制备表面上具有凹凸不平形状10’的第二光记录层的压模10，该压模的表面上具有第二光记录层的模压图形。

然后，安放上述的第二光记录层的压模10，以使其面对模具腔体的内部，并且如图2A所示，例如通过成型注射注入熔化的聚碳酸脂来生产由聚碳酸脂制成的盘衬底11。此时，通过设定模具的形状就能在盘衬底11上形成中心孔CH的形状。

在此，相应于第二光记录层压模10上的凹凸不平的形状10’，在盘衬底11的表面上形成了凹凸不平的形状11’。

通过拆除第二光记录层的压模10，就得到了如图2B所示的表面上具有凹凸不平形状的盘衬底11。

然后，如图3A所示，在用空气或氮气之类的气体吹去盘衬底11表面上灰尘之后，例如通过溅射或化学气相淀积(CVD)等方法，在衬底上连续地堆叠由铝膜制成的全反射反射膜、介电膜、由相变式记录材料制成的记录膜和介电膜，以生成第二光记录层12。

然后，如图3B所示，在完成称为“淀积成的”的薄膜形成工序之后的阶段中，使接近于无定形状态的第二光记录层的相变记录材料结晶化，用物镜OL对初始化光LT_I聚焦，并将其照射在第二光记录层12上，再对整个第二光记录层12进行扫描，以使得第二光记录层12初始化。

作为初始化光LT_I，例如，可以使用红外激光或波长小于400nm的激光。

另一方面，如图4A所示，提供适量的、用作为转换层的紫外线固化树脂14a，并将其旋转涂覆到厚度为80μm的、约呈环形的树脂膜13和位于中心的中心孔CH上。

然后，预先生成第一光记录层压模15，在该压模的表面上具有凹凸不平的形状15’，它们是为第一光记录层制作的图形。如图4B所示，将紫外线固化树脂14a和第一光记录层压模15放在一起，并照射足够量的紫外线来使紫外固化树脂14a固化以获得转换层14。

在此，相应于第一光记录层压模15上的凹凸不平的形状15’，在转换层14的表面上生成了凹凸不平的形状14’。

然后，如图5A所示，通过在第一光记录层压模15和转换层14的边界上拆除压模，凹凸不平的形状14’就转移到了转换层14的表面上。

然后，如图5B所示，在用空气或氮气之类的气体吹去转换层14表面上灰尘之后，通过溅射或化学气相淀积(CVD)等方法，在衬底上连续地堆叠由铝膜制成的全反射反射膜、介电膜、由相变式记录材料制成的记录膜和介电膜，从而形成了第一光记录层16。

然后，如图6A所示，在生成在盘衬底上的第二光记录层的上面安放一个压敏粘合剂17a，使第二光记录层12和第一光记录层16相互面对面，并将它们的中心相互对准。然后如图6B所示，用压敏粘合剂17a作为中间层17将两个光记录层粘结起来。

然后，如图7所示，在完成了称为“淀积成的”薄膜形成工序之后的阶段中，用与处理第二光记录层12相同的方式使接近于无定形状态的第一光记录层16中的相变式记录材料结晶化，用物镜OL对初始化光LT_I进行聚焦，并将其照射在第一光记录层16上，以对整个第二光记录层16进行扫射，从而使第一光记录层16初始化。

在此，为了使第一光记录层16初始化，使用了波长小于400nm的激光作为初始化光LT_I。

由上所述，就能生产出构造如图1所示的光盘。

需要注意的是，上面的生产方法是一个实施例，也能用其它的方法来进行生产。例如，在第二光记录层12上生成具有凹凸不平表面的中间层17，以供在其上制作第一光记录层16之用，然后，在中间层上生成第一光记录层16，并在第一光记录层16上生成透射保护膜18。要注意的是，如上所述，在任何情况下，第一光记录层16的初始化都是在通过中间层17与第二光记录层12堆叠在一起后进行的。

图8是一个初始化设备的简要示意图，该设备用于对上述的第一光记录层16进行初始化。该设备不仅限于用在第一光记录层16上，也可用在图3B所示的第二光记录层12的初始化步骤中。

用主轴电动机SM来转动光盘DC，该光盘具有包含第一光记录层16和第二光记录层12在内的多层光记录层。初始化光LT_I从光学头HD上发射出来，它能相对于转动着的光盘DC在光盘的半径方向DRrad上运动。初始化光LT_I的波长小于400nm.。

光学头HD上具有一个作为初始化光光源的激光二极管LD，一个分光器Bs，一个反射镜MR，一个物镜OL。该光学头在结构上能够通过分光器BS和光聚焦透镜LS将来自光盘DC的返回光引导到光探测器PD上，并对其进行监控。

图9示出了利用初始化设备聚焦在光盘DC的第一光记录层16上的初始化光LT_I的光斑形状和光强度(L1)分布。

该初始化光LT_I有一个椭圆形的光斑，它在盘的半径方向x上具有宽度为x1的光强度分布Px，在信道方向y上具有宽度为y1的光强度分布Py。例如，宽度x1将半宽定为50μm左右，而宽度y1将半宽定为1μm左右。

下面将解释用上述的初始化设备对具有多层光记录层的光盘进行初始化的方法。

用主轴电动机驱动的旋转台以适当的转速转动光盘，并对作为初始化光的激光聚焦光进行聚焦，以便用称为聚焦伺服的技术来使聚焦的位置落在要初始化的记录层的表面位置上。

光盘每转一周，激光聚焦光就在半径方向上移动一定的距离，例如5μm。

由于这个移动，光盘的全部信息记录/再现区域RA就被初始化了。

图10示出了在初始化具有多层(两层)光记录层的光盘的第一光记录层16的情况下，初始化光的排列。在此要注意的是，在图10中省略了通常存在于各个记录层上的导槽的图例。

由物镜OL聚焦(FC)在第一光记录层16上的初始化光的入射光LT_I的一部分穿过了第一光记录层16和中间层17，在第二光记录层12上发生反射，并再次穿过中间层17，作为返回光LT_I’投射到第一光记录层16上。图10示出了在第二光记录层上的返回光投射在第一光记录层上的辐照区AR的情况。

在此情况下，聚焦在第一光记录层16上的初始化光的入射光LT_I和来自第二光记录层12的返回光LT_I’在第一光记录层16上引起光干涉。在出现光干涉时，在第一光记录层16上的激光强度与在没有来自第二光记录层12的返回光的情况下有所不同。

在第一光记录层16上由于光干涉而产生的激光强度的变化会随着中间层17的厚度D的变化而发生周期性的变化。如果假设中间层17对初始化光的波长λ_I的折射率为n_I，在第一光记录层16上的激光强度就会根据中间层17的厚度D的增量，以λ_I/(2n_I)的周期发生变化。

在相关工艺中，在广泛使用800nm的初始化光λ_I的情况下，如果所使用的中间层17的折射率n_I＝1.5，在中间层17的厚度D每次改变0.27μm时，在第一光记录层16上的光强度就会重复增强和减弱。例如，当中间层17的厚度D为20μm时，中间层17的厚度误差必须控制在0.01μm之内。然而，实际上这是不可能的，并且盘表面上实际有一个1μm或更大的膜厚度误差。因此，在光盘表面上的干涉程度就不能保持恒定。

另一方面，如同在下面的例子中将要说明的那样，在本实施例中，初始化光的波长λ_I小于400nm，由于在第一光记录层中使用一种特定的材料作为介电层，这种材料对此波长区中的光有足够的光吸收性能，并且对通常用在可见光强度区域中的信息记录/再现光是足够透明，因而能满足下列的公式(1)。

ID2/ID1≤0.002 (1)

因此，在聚焦光和返回光因相互干涉而相互增强的情况下，如果假设光强度为Imax；在两种光因相互干涉而减弱的情况下，如果假设光强度为Imin，那么，强度变化度则为I_max/I_min≤1.2。这样，就能减少第一光记录层初始化的不均匀性。

[例子]

在本例中，为了抑制初始化的不均匀性，将所需条件的估计结果说明如下。

首先，估计抑制初始化不均匀所需的条件。

在对第一光记录层初始化的时候，要关注能量密度ID1和ID2，在此，ID1是聚焦在第一光记录层16上的光聚焦区内的各个点上的初始化光的入射光在单位面积上的能量密度，ID2是返回光在上述光聚焦区中各个点上的单位面积上的能量密度，该返回光是透过第一光记录层16达到第二光记录层12上，并在第二光记录层12上反射后再返回到第一光记录层16上的初始化光。图11示出了入射光和返回光的能量密度比与由中间层干涉引起的光强度变化之间的关系。

在图11中，横坐标表明ID2/ID1的值，纵坐标表示I_max/I_min，在此，I_max是在聚焦光和返回光通过干涉而彼此增强的情况下的光强度，而I_min是在二者彼此减弱的情况下的光强度。

强度的变化程度最好是在I_max/I_min≤1.2左右，其原因将在下面加以解释。从图11可知，只要满足上述的条件就足以满足下列的公式(1)。

ID2/ID1≤0.002 (1)

下面将对在第一光记录层16上初始化光的强度变化程度的估计结果进行解释，该初始化光是在初始化具有多个光记录层的光盘的情况下通过光干涉而产生的，在此，中间层17的厚度和折射率分别为20μm和1.5，所用的初始化设备具有特定的结构，其初始化激光的波长为300nm，物镜的数值孔径为0.35，在聚焦位置上初始化激光的光斑形状在半径方向上的半宽为50μm，它在信道方向上的半宽为0.7μm。

在此，初始化激光的波长为300nm，在下文中将使用这个波长。

图12中示出了上述的初始化光的强度变化程度的估计结果。

在图12中，横坐标X表示由下面的公式(2)表达的值，其中，第一光记录层16的透射度为T₁₆，中间层17的透射度为T₁₇(＝1-中间层的吸收率T₁₆)，第二光记录层12的反射率为R₁₂。

x＝T₁₆ ²×T₁₇ ²×R₁₂ (2)

纵坐标表示在第一光记录层16上的初始化光的强度变化程度，它是一个由I_max/I_min来表达的值，其中，I_max是聚焦光和返回光通过干涉而彼此增强的情况下的光强度，而I_min是在二者彼此削弱的情况下的光强度。

另一方面，例如，在初始化步骤中，各种情况下的初始化光的功率也会影响相变式光盘的信号特征。

图13示出了信号特征和初始化光的功率之间的相关性曲线。在图13中，横坐标是在假设初始化光的功率的最佳值为1时的相对值，纵坐标表示用各个功率的初始化光重写1000次后的抖动值。该抖动值越小越好。

由图13可以判断，随着初始化光功率变得比最佳值更高或更低，增加少量的重写时间就会终止抖动，因此，为了将抖动抑制在低于10％或百分之几的限度内，最佳值上下10％的范围都是初始化光功率的一个可允许的范围。

当初始化光功率的可允许的范围在最佳值上下10％时，在转换时它大致相当于ID2/ID1≤1.2左右。由此可以得出如下结论：为了满足这个条件，公式(2)中的“X”最好满足X≤0.003。当X＝0.003时，ID2/ID1大约为0.002。

下面，作为第一光记录层的一个例子，假设该记录层的结构如图14A和图14B所示，各个光透射率如图15和图16所示。

图14A和图14B中示出的第一光记录层是为记录/再现光的波长为400nm的情况而设计的，并且对400nm的波长有适当的光透射率。要注意的是，这里假设初始化是在光的入射面上没有一般常具有的光透射保护层的情况下进行的，因此与具有光透射保护膜的情况有所不同。

在图14A和图14B中，各个第一光记录层的构造的不同之处在于，在图14A中用Si₃N₄，而在图14B中用ZnS-SiO₂作为介电层，后者对400nm的波长是透明的，相变式记录材料的记录膜和银合金的反射膜都有相同的构造。

在图14A的情况下，第一光记录层的光透射率示于图15之中。

据此，在波长为250nm或更大的情况下，没有观察到光透射率的变化。

这是因为在上述的波长范围内，Si₃N₄没有很强的吸收性能，而其它材料的吸收性能并不因波长而有较大的改变。

另一方面，在图14B的情况下，第一光记录层的光透射率示于图16之中。

在波长为350nm或更小的情况下，第一光记录层显示出较高的吸收性能而光透射率则突然下降。光透射率突然下降的原因在于ZnS-SiO₂的光吸收性能。

图17示出了Si₃N₄的复折射率的波长的相关性曲线(“n”是折射率，“k”是消光系数)。

如图17所示，当波长为250nm或更大时，Si₃N₄的“k”值大约为零，这表明在那个波长范围内不显示吸收性能。

图18示出了ZnS-SiO₂的复折射率的波长的相关性曲线(“n”是折射率，“k”是消光系数)。

由图18可知，当波长为350nm或更小时，消光系数“k”的值增加了。

在此，如图14B所示，当光记录层的激光波长为300nm、在用ZnS-SiO₂作为介电膜的情况下该光透射率小到8％，第二光记录层的反射率估计最大为50％左右。因此，在按上述的公式(2)来计算“X”时，X＝0.003满足X≤0.003的条件，这个条件是满足I_max/I_min大约≤1.2所需要的条件。

另一方面，在如图14A所示的光记录层的情况下，使用Si₃N₄作为介电膜，在激光波长高达250nm上下时，第一光记录层显示出高的光透射率。因此，其结果是，为了满足条件X≤0.003，还需要其它的条件。

由上可知，通过使用波长小于400nm的紫外区中的激光，并在第一光记录层中用一种特定的材料作为介电膜，这种材料对此区域中的光有足够光吸收性能，并对通常用在可见光强度范围内的信息记录/再现光有足够的透射度，这样，就能减少第一光记录层在初始化时的不均匀性。

需要注意的是，此介电膜在可见光的范围内应是透明的，并在紫外线的范围内具有吸收性能，符合这样要求的介电膜不仅限于ZnS-SiO₂，如果与要使用的激光波长一起考虑，也能选用一种称之为ITO(氧化铟锡)的材料或其它的材料。

图19示出了ITO的复合折射率的波长的相关曲线(“n”是折射率，“k”是消光系数)。

在ITO中，与在ZnS-SiO₂中的方式一样，其消光系数“k”的值在波长约为400nm的时候开始增加，并在约为250nm的短波长范围内超过ZnS-SiO₂的消光系数的值。

相应地，即使是在使用ITO作为介电膜的情况下，通过适当地选择初始化光的波长也能满足X≤0.003的条件，这个条件是满足I_max/I_min大约≤1.2所需要的条件。

根据本实施例，在初始化一个属于相变式光盘的多层光盘时，通过使用一层特定的物质作为构成第一光记录层的介电膜，就能减少由光记录层之间的光干涉而引起的初始化表面的光强度的变化。该多层光盘具有两层或多层可重写式的或一次写式的光记录层，而此介电膜对信息记录/再现激光有足够的透射度，对用于初始化的激光具有光吸收性能。照此办理，就能进行较佳的初始化。

具体地说，通过将初始化光的波长设置为400nm或更小，就能容易地用一种特定的材料作为构成第一光记录层的膜，并减少上述初始化的不均匀性。这种材料对用于信息记录/再现的激光有足够的透射度，并在初始化光波长中显示出吸收性能。

本发明并不仅限于上述的实施例。

例如，要初始化的光盘的构造并不仅限于图1所示的构造，也可以在没有光透射保护层18的情况下进行初始化，在图1的结构中该保护层是在光记录层16上生成的。

除上述之外，在本发明的范围内还可以制造出各种各样的光记录层的变型。

根据本发明，在初始化具有相变式光记录层的光记录介质时，不会损害各个光记录层的信息记录/再现信号的特征，并能减少在初始化时由于光干涉而引起的初始化的不匀均性。

产业上的可利用性

本发明可用于光盘的初始化方法之中。此初始化方法又被用在能处理可重写的存储方式的光盘的生产方法中。这种光盘具有用相变式材料作为记录材料的光记录层，并能实现廉价的大容量文件。

Claims

1.一种光记录介质的初始化方法，其中，第二光记录层和第一光记录层通过一个中间层依次堆叠在衬底上，进而在所述的第一光记录层上生成一个保护层，在所述的第一光记录层中的记录膜包括一相变式记录材料，在记录/再现信息时，从所述的保护膜侧发射记录/再现光，其中：

在初始化步骤中，从所述的保护膜侧发射初始光到所述的第一光记录层上，以对所述的第一光记录层进行初始化，从而使得能量密度ID1和能量密度I D2能满足下列的公式(1)，在此，ID1是投射在第一光记录层的光聚焦区中的各个点上的所述的初始化光的入射光在单位面积上的能量密度，ID2是返回光在所述的光聚焦区中的各个点上的单位面积上的能量密度，该返回光是所述的初始化光透过所述的第一光记录层而达到所述的第二光记录层，并在第二光记录层上反射后再回到所述的第一光记录层上的，

ID2/ID1≤0.002 (1)。

2.如权利要求1所述的光记录介质的初始化方法，其中：

所述的初始化光的波长不同于所述的记录/再现光的波长；和

所述的第一光记录层包括一个膜，该膜对所述的记录/再现光是透明的，并对所述的初始化光呈现吸收性能。

3.如权利要求2所述的光记录介质的初始化方法，其中：

所述的初始化光的波长小于400nm；和

一个包含ZnS-SiO₂的膜，它对所述的记录/再现光是透明的并对所述的初始化光呈现吸收性能。

4.如权利要求2所述的光记录介质的初始化方法，其中：

所述的初始化光的波长小于400nm；和

一个包含ITO的膜，它对所述的记录/再现光是透明的，并对所述的初始化光呈现吸收性能。