CN1503803A - 寡糖结晶及寡糖结晶的制造方法 - Google Patents

寡糖结晶及寡糖结晶的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种在保健食品、医药品、化妆品等的原料或中间体等方面具有实用性的寡糖结晶及一种适于工业化的寡糖结晶制造方法。即，提供一种三糖或三糖以上的寡糖结晶的制造方法，其特征在于将含有三糖或三糖以上寡糖的水溶液添加到水混溶性有机溶剂中。另外还提供一种寡糖结晶的制造方法，其特征在于将含有下述式(I)所示寡糖的水溶液添加到水混溶性有机溶剂中；及提供一种用下述式(I)表示的寡糖结晶。式中，Gal表示半乳糖、Glc表示葡萄糖，R1表示单糖残基、氨基糖残基、或这些残基的衍生物，R2、R3及R4可以相同或不同，表示单糖残基、氨基糖残基、或这些残基的衍生物、－X(－Y)－(式中，X及Y可以相同或不同，表示单糖残基、氨基糖残基、或这些残基的衍生物)或单键，R5表示氢原子、单糖残基、氨基糖残基、或这些残基的衍生物。

Description

寡糖结晶及寡糖结晶的制造方法
技术领域
本发明涉及在例如保健食品、医药品、化妆品等的原料或中间体等方面具有实用性的寡糖结晶及寡糖结晶的制造方法。
背景技术
寡糖在例如保健食品、医药品、化妆品等的原料或中间体等方面具有实用性。因此，要求其为保存稳定性良好、不含杂质或分解物等的高纯度物质。有关寡糖的合成方法或发酵方法已有一些报道[Chemical Review，100卷，4465页(2000年)；Current Opinion in DrugDiscovery & Developent，3卷，756页(2000年)，WO98/12343，WO99/40205]，但通常是由冻干处理得到终产物的粉末(非结晶，amorphous)，难以获得结晶。一般而言，由冻干处理得到的粉末(非结晶，amorphous)具有吸湿性、潮解性等，在稳定性方面存在问题。因此，例如在保存、运输、流通等时，必须进行冷藏或冷冻。为了满足工业水平的大量供给的需要，需要一种能在常温下保存的寡糖结晶及其制造方法。
另外，对于寡糖结晶，唯一已知的是Lewis X[Lewis X；Galβ1，4(Fucα1，2)GlcNAc]的结晶，已知其制造方法[Glycobiology，6卷，537页(1996年)]。但是，所述制造方法的结晶化耗时长，需要2年时间，不适用于大量合成或工业化。因此，需要一种能够短时间结晶化的寡糖结晶制造方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种在保健食品、医药品、化妆品等的原料或中间体等方面具有实用性的寡糖结晶及一种适于工业化的寡糖结晶制造方法。
本发明涉及下述(1)～(24)项的内容。
(1)一种三糖或三糖以上寡糖结晶的制造方法，其特征在于将含有三糖或三糖以上寡糖的水溶液添加到水混溶性有机溶剂中。
(2)一种寡糖结晶制造方法，其特征在于将含有下述式(I)所示寡糖的水溶液添加到水混溶性有机溶剂中。
[式中，Gal表示半乳糖(下同)，Glc表示葡萄糖(下同)，R1表示单糖残基、氨基糖残基、或这些残基的衍生物，R2、R3及R4可以相同或不同，表示单糖残基、氨基糖残基、或这些残基的衍生物、-X(-Y)-(式中，X及Y可以相同或不同，表示单糖残基、氨基糖残基、或这些残基的衍生物)  或单键，R5表示氢原子、单糖残基、或氨基糖残基、或这些残基的衍生物]
(3)如上述(2)所述的寡糖结晶制造方法，其中R1为GlcNAc(GlcNAc表示N-乙酰葡糖胺，下同)，NeuAc(NeuAc表示N-乙酰神经氨酸，下同)，Gal、Fuc(Fuc表示岩藻糖，下同)或GalNAc(GalNAc表示N-乙酰半乳糖胺，下同)，R2、R3及R4可以相同或不同，表示单键、GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc，R5表示氢原子、GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc。
(4)如上述(2)或(3)所述的寡糖结晶制造方法，其中R2、R3及R4可以相同或不同，表示GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc。
(5)如上述(2)或(3)所述的寡糖结晶制造方法，其中R4为单键。
(6)如上述(2)或(3)所述的寡糖结晶制造方法，其中R3及R4为单键。
(7)如上述(2)或(3)所述的寡糖结晶制造方法，其中R2、R3及R4为单键。
(8)如上述(5)所述的寡糖结晶制造方法，其中R1为GlcNAc，R2为Gal，R3为GlcNAc，R5为氢原子。
(9)如上述(6)所述的寡糖结晶制造方法，其中R1为NeuAc或Gal，R2为GlcNAc或GalNAc，R5为氢原子。
(10)如上述(7)所述的寡糖结晶制造方法，其中R1为GlcNAc、Gal、NeuAc或Fuc，R5为氢原子或GalNAc。
(11)如上述(2)所述的寡糖结晶制造方法，其中R1、R2、R3、R4及R5中的至少一个为脱氧糖残基，含寡糖的水溶液为由合成吸附树脂处理得到的水溶液。
(12)如上述(11)所述的寡糖结晶制造方法，其中脱氧糖残基为Fuc。
(13)如上述(11)所述的寡糖结晶制造方法，其中R1为Fuc，R2、R3及R4为单键，R5为氢原子。
(14)如上述(1)～(13)中任一项所述的寡糖结晶制造方法，其中水混溶性有机溶剂为醇类或酮类。
(15)如上述(1)～(13)中任一项所述的寡糖结晶制造方法，其中水混溶性有机溶剂为甲醇或丙酮。
(16)一种寡糖结晶，是用上述(2)所述的通式(I)表示的寡糖结晶。
(17)如上述(16)所述的寡糖结晶，其中R1为GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc，R2、R3及R4可以相同或不同，表示单键、GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc，R5为氢原子、GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc。
(18)如上述(16)或(17)所述的寡糖结晶，其中R2、R3及R4可以相同或不同，表示GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc。
(19)如上述(16)或(17)所述的寡糖结晶，其中R4为单键。
(20)如上述(16)或(17)所述的寡糖结晶，其中R3及R4为单键。
(21)如上述(16)或(17)所述的寡糖结晶，其中R2、R3及R4为单键。
(22)如上述(19)所述的寡糖结晶，其中R1为GlcNAc，R2为Gal，R3为GlcNAc，R5为氢原子。
(23)如上述(20)所述的寡糖结晶，其中R1为NeuAc或Gal，R2为GlcNAc或GalNAc，R5为氢原子。
(24)如上述(21)所述的寡糖结晶，其中R1为GlcNAc、Gal、NeuAc或Fuc，R5为氢原子或GalNAc。
将三糖或三糖以上的寡糖或通式(I)表示的寡糖定义为寡糖(I)，将寡糖(I)的结晶定义为寡糖结晶(I)。
通式(I)中各基团的定义如下：
(i)作为单糖残基的单糖部分，例如有Gal、Glc、阿洛糖(A11)、阿拉伯糖(Ara)、阿卓糖(Alt)、古罗糖(Gul)、甘露糖(Man)、塔罗糖(Tal)、果糖(Fru)、核糖(Rib)、木糖(Xyl)等。
(ii)作为氨基糖残基的氨基糖部分，例如有神经氨酸(Neu)、胞壁酸(Mur)、葡糖胺(GlcN)、甘露糖胺(ManN)、半乳糖胺(GalN)、2-氨基-2-脱氧吡喃葡萄糖(GlcpN)等。
(iii)作为单糖残基或氨基糖残基的衍生物，例如有糖醛酸、脱氧糖、2个相同或不同的单糖残基[所述单糖残基与上述单糖残基(i)同义]或氨基糖残基[所述氨基糖残基与上述氨基糖残基(ii)同义]或这些残基的衍生物(所述单糖残基和氨基糖残基的衍生物，例如有脱氧糖等)等形成糖键得到的物质，以及上述物质所具有的羟基或氨基被例如乙酰基等保护的物质等。
此处所述的糖醛酸，例如有葡糖醛酸(GlcA)、半乳糖醛酸(GalA)等；作为脱氧糖，例如有Fuc、鼠李糖(Rha)等；作为所具有的羟基或氨基被乙酰基等保护的物质，例如有GlcNAc、NeuAc、GalNAc、N-乙酰甘露糖胺(ManNAc)等。
(iv)作为R1-R2、R2-R3、R3-R4、R4-Gal及R5-Gal(R1、R2、R3、R4及R5分别与上述同义)各自之间的糖键(糖苷键)，可以相同或不同，例如为α-1，2键、α-2，3键、α-1，4键、β-1，3键、β-1，4键等；作为特别优选的由糖键形成的寡糖(I)，例如有GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc、Galα1，4Galβ1，4Glc、NeuAcα2，3Galβ1，4Glc、Fucα1，2Galβ1，4Glc等三糖，Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNeuAcα2，3(GalNAcβ1，4)Galβ1，4Glc等四糖，GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3 Galβ1，4Glc等五糖等。
本发明中，
(v)作为三糖或三糖以上的寡糖，例如为支链状或直链状的寡糖，例如为3～20个相同或不同的单糖残基[所述单糖残基与上述单糖残基(i)同义]或氨基糖残基[所述氨基糖残基与上述氨基糖残基(ii)同义]或这些残基的衍生物[所述单糖残基或氨基糖残基的衍生物与上述单糖残基或氨基糖残基的衍生物(iii)同义]等相互间形成糖键(糖苷键；所述糖键可以相同或不同，例如α-1，2键、α-2，3键，α-1，4键、β-1，3键、β-1，4键等)而得到的物质等，优选3～10个糖残基、特别优选3～6个糖残基相互间形成糖键(所述糖键与上述同义)得到的物质。
(vi)含寡糖水溶液只要是含有寡糖的水溶液就可以，但优选寡糖的糖纯度为50％或50％以上的水溶液，更优选糖纯度为70％或70％以上的水溶液。所述水溶液也可以含有其他的有机溶剂，所述有机溶剂例如有甲醇、乙醇、异丙醇等醇类，丙酮、甲乙酮等酮类等。所述水溶液中水的含量优选20％或20％以上。具体而言，例如有通过对寡糖溶液进行前处理调制得到的水溶液等，所述寡糖溶液，例如有由合成法或发酵法得到的寡糖反应液、培养液、除菌液等，所述前处理方法例如有膜处理、凝胶过滤处理、活性炭处理、离子交换树脂处理、合成吸附树脂处理、溶剂沉淀等方法，优选活性炭处理、离子交换树脂处理、合成吸附树脂处理、溶剂沉淀等方法，更优选溶剂沉淀、合成吸附树脂处理等方法；也可以适当组合这些处理方法。其中，为了得到单糖残基中至少有一个为Fuc的寡糖(I)的水溶液，更优选利用合成吸附树脂处理作为前处理方法。
(vii)水混溶性有机溶剂只要是具有与水相混合性质的有机溶剂就可以，作为优选的有机溶剂，例如有甲醇、乙醇、异丙醇等醇类，丙酮、甲乙酮等酮类等。
(viii)作为合成吸附树脂，可以举出非极性多孔吸附树脂，例如酚醛型离子交换树脂HP系列(例如HP10、HP20、HP21、HP30、HP40、HP50等；三菱化学工业制)，酚醛型离子交换树脂SP800系列(例如SP800、SP825、SP850、SP875等；三菱化学工业制)，酚醛型离子交换树脂SP200系列(例如SP205、SP206、SP207、SP207SS等，三菱化学工业制)，Amberlite树脂(离子交换树脂商品名)XAD系列(例如XAD4、XAD7HP、XAD16、XAD1600等；Rohm and Haas公司制)等。
(ix)寡糖结晶可以为任意一种结晶，例如柱状、板状、针状等结晶，特别优选柱状结晶。
下面详细说明寡糖结晶(I)的制造方法。
制造方法：
基于已知方法[例如，Chemical Review，100卷，4465页(2000年)；Current Opinion in Drug Discovery & Developent，3卷，756页(2000年)，WO98/12343，WO99/40205]，对由合成法或发酵法得到的寡糖(I)的反应液、培养液、或除菌液进行前处理，由此调制含有寡糖(I)水溶液，使寡糖(I)水溶液的糖纯度为50％或50％以上，优选70％或70％以上。在-20℃至水混溶性有机溶剂沸点间的温度下或回流下，将此含寡糖(I)水溶液滴加到作为弱溶剂的水混溶性有机溶剂中，滴加时间为1分钟～10小时，优选10分钟～2小时。滴加结束后，在-20℃至水混溶性有机溶剂沸点间的温度下或回流条件下，进行搅拌晶析1～20小时，优选2～4小时，使结晶析出。对析出的结晶，进行例如离心过滤、倾析等，分离结晶，用水或水混溶性有机溶剂洗涤结晶后，在减压下或通风下干燥所得结晶，能够得到寡糖结晶(I)。另外，也可以通过洗涤、干燥、重结晶等操作，进一步纯化。
作为用于获得寡糖(I)水溶液的前处理方法，例如有膜处理、凝胶过滤处理、活性炭处理、离子交换树脂处理、合成吸附树脂处理、溶剂沉淀等方法，优选活性炭处理、离子交换树脂处理、合成吸附树脂处理、溶剂沉淀等方法，更优选溶剂沉淀、合成吸附树脂处理等方法，也可以适当组合这些处理方法。其中，为了得到含有单糖残基中至少有一个为Fuc的寡糖(I)的水溶液，更优选利用合成吸附树脂处理作为前处理方法。
水混溶性有机溶剂可以单独使用，也可以2种或2种以上混合或与水混合后使用。
除了利用上述制造方法得到寡糖结晶(I)之外，也可以采用通常的晶析方法，例如边对含寡糖(I)水溶液进行浓缩、冷却、中和，边进行晶析的方法，另外也可以采用边在含寡糖(I)水溶液中添加作为弱溶剂的水混溶性有机溶剂，边进行晶析，由此促进寡糖结晶(I)成长的方法等。
由上述制造方法得到的寡糖结晶(I)也可以为与水或各种水混溶性有机溶剂的加成物。
另外，由上述制造方法得到的寡糖结晶(I)中，有时存在不同晶型或不同粒度的物质，这些物质有时单独存在，有时以混合物的形式存在。
表1给出由上述制造方法得到的寡糖结晶(I)的具体例。
表1
实施例编号 结晶编号     寡糖结晶
    1     1     GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc
    2     2     Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc
    3     3     GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc
下面，通过试验例具体说明本发明寡糖结晶(I)的保存稳定性。
试验例：寡糖结晶(I)与寡糖(I)冻干粉末的稳定性比较
通过测定寡糖(I)的残存率，追踪实施例1～3中分别得到的寡糖结晶(I)和参考例1～3中分别得到的寡糖(I)冻干粉末在105℃、大气中、常压条件下20天的保存稳定性。其结果如表2所示。
用高效液相色谱法(HPLC)测定样品中寡糖(I)的残存率，表示为HPLC纯度(％)。
HPLC测定条件如下：
分析仪器：Dionex社制
柱：CarboPac PA10
柱温：30℃
流动相：10～100％NaOH水溶液(500mmol/L)(按11分钟进行梯度操作)
流速：0.8mL/分
检测条件：电化学检测(PAD法)
表2
  寡糖残存率：HPLC纯度(％)
  经过天数(日)
  0   1   4   7   20
    GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶(结晶编号1) 98.0 99.7 99.7 99.7 98.9
    GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc冻干粉末   99.8   99.7   97.0   98.8   93.8
    Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶(结晶编号2) 99.3 99.0 99.2 99.0 98.8
    Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc冻干粉末 99.3 98.6 97.6 96.2 90.9
    GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶(结晶编号3) 98.8 99.3 99.0 99.0 99.3
    GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc冻干粉末 98.6 98.2 97.4 95.4 85.2
由表2可知，参考例中得到的寡糖(I)冻干粉末，经HPLC分析，发现寡糖(I)的残存率低下，发生显著分解。与此相反，由本发明制造方法得到的寡糖结晶(I)，均未发现寡糖(I)残存率低下，可以认为寡糖结晶(I)非常稳定。
具体实施方式
下面，通过实施例及参考例详细说明本发明，但是本发明并不限定于此。
实施例1：GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶的制造
参考例4中得到的GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液，经离心分离除菌后，依次通过酚醛型离子交换树脂SK-1B(H型；三菱化成工业制)柱、酚醛型离子交换树脂WA-30(OH型；三菱化成工业制)柱，进行脱盐处理。用HCl调节脱盐处理液成pH6.5后，减压浓缩，得到GlcNAcβ1，3Ga1β1，4Glc的处理液(水溶液；100mL，200g/L)。将所述处理液在30分钟内添加到加热至60℃的甲醇(500mL)中；60℃下回流约3小时，在此条件下进行晶析。晶析液冷却至20℃，搅拌1小时后，滤取结晶，用甲醇洗涤结晶。通风干燥此结晶，得到GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶14g。
表3给出此结晶粉末的X射线结构衍射测定值。
                        表3
GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶粉末的X射线结构衍射测定值
    d值(A)     I/I0(％)     d值(A)     I/I0(％)
    10.773     41     4.027     42
    9.253     74     3.855     28
    6.992     36     3.774     36
    5.336     22     3.697     24
    4.779     100     3.558     21
    4.618     46     3.311     54
    4.537     49     3.030     33
    4.491     98     2.811     19
    4.236     59     2.630     22
    4.129     65
实施例2：Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶的制造
将参考例5中得到的Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液经离心分离除菌后，依次通过酚醛型离子交换树脂SK-1B(H型；三菱化成工业制)柱、酚醛型离子交换树脂WA-30(OH型；三菱化成工业制)柱，进行脱盐处理。用HCl调节脱盐处理液成pH6.5后，减压浓缩，得到Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc的处理液(水溶液；70mL，300g/L)。将所述处理液在30分钟内添加到加热至58℃的丙酮(500mL)中；58℃下回流约2小时，在此条件下进行晶析。晶析液冷却至20℃，搅拌1小时后，滤取结晶，用丙酮洗涤结晶。通风干燥此结晶，得到Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶16g。
表4给出此结晶粉末的X射线结构衍射测定值。
                         表4
Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶粉末的
                  X射线结构衍射测定值
    d值(A)     I/I0(％)     d值(A)     I/I0(％)
    18.588     15     4.560     100
    13.281     22     4.381     98
    11.182     30     4.277     52
    10.644     34     4.055     34
    9.253     16     3.888     27
    8.147     10     3.580     23
    7.824     11     3.299     19
    6.804     20     3.235     20
    6.167     12     2.708     15
    5.843     14     2.453     14
    5.639     21     2.354     18
    4.897     18     2.321     18
    4.679     66
实施例3：GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶的制造
将参考例6中得到的GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液经离心分离除菌后，依次通过酚醛型离子交换树脂SK-1B(H型；三菱化成工业制)柱、酚醛型离子交换树脂WA-30(OH型；三菱化成工业制)柱，进行脱盐处理。用HCl调节脱盐处理液成pH6.5后，减压浓缩，得到GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc的处理液(水溶液；100mL，200g/L)。将所述处理液在30分钟内添加到加热至60℃的甲醇(500mL)中；60℃下回流约3小时，在此条件下进行晶析。晶析液冷却至20℃，搅拌1小时后，滤取结晶，用甲醇洗涤结晶。通风干燥此结晶，得到GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶16g。
表5给出此结晶粉末的X射线结构衍射测定值。
                     表5
GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc
      结晶粉末的X射线结构衍射测定值
    d值(A)     I/I0(％)     d值(A)     I/I0(％)
    20.5322     8     3.5037     16
    12.0996     16     3.4242     20
    11.2531     15     3.3607     16
    10.7084     17     3.2936     13
    9.4509     40     3.1729     18
    7.1037     8     3.1026     9
    6.3887     7     3.0305     10
    5.7863     9     2.8915     7
    5.3042     9     2.8466     9
    5.0350     8     2.8074     10
    4.6189     100     2.6728     11
    4.3710     28     2.6384     9
    4.2874     32     2.5687     9
    4.0920     26     2.5232     8
    3.9397     20     2.4728     10
    3.7985     18     2.3600     11
    3.6672     14     2.3335     10
    3.5729     13
参考例1：GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc冻干粉末的制造
将实施例1中得到的GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶5g溶于水，得到GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc溶液(10mL，500g/L)。将此溶液在-30℃下冻结后，用冷冻干燥机进行干燥，得到GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc冻干粉末4.8g。
参考例2：Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc冻干粉末的制造
将实施例2中得到的Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶5g溶于水，得到Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc溶液(10mL，500g/L)。将此溶液在-30℃下冻结后，用冷冻干燥机进行干燥，得到Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc冻干粉末4.5g。
参考例3：GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc冻干粉末的制造
将实施例3中得到的GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc结晶5g溶于水，得到GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc溶液(10mL，500g/L)。将此溶液在-30℃下冻结后，用冷冻干燥机进行干燥，得到GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc冻干粉末4.7g。
参考例4：GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液
基于WO98/12343中记载的糖链生产方法，以按WO98/12343中记载的方法得到的尿苷二磷酸-N-乙酰葡糖胺和乳糖为原料，使用Glycobiology 9卷、1061页(1999)中记载的使酶高度表达的重组大肠杆菌，得到GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液。
参考例5：Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液
基于参考例4中记载的方法，使用参考例4中得到的GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液和尿苷二磷酸半乳糖，得到Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液。
参考例6：GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液
基于参考例4中记载的方法，以按WO98/12343中记载的方法得到的尿苷二磷酸-N-乙酰葡糖胺和参考例5中得到的Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液为原料，得到GlcNAcβ1，3Galβ1，4GlcNAcβ1，3Galβ1，4Glc反应液。
根据本发明，能够提供一种在保健食品、医药品、化妆品等的原料或中间体等方面具有实用性的寡糖结晶及一种适于工业化的寡糖结晶制造方法。

Claims (24)

1、一种三糖或三糖以上寡糖结晶的制造方法，其特征在于将含有三糖或三糖以上寡糖的水溶液添加到水混溶性有机溶剂中。
2、一种寡糖结晶制造方法，其特征在于将含有下述式(I)所示寡糖的水溶液添加到水混溶性有机溶剂中，
Figure A0280860800021
式中，Gal表示半乳糖(下同)，Glc表示葡萄糖(下同)，R1表示单糖残基、氨基糖残基、或这些残基的衍生物，R2、R3及R4可以相同或不同，表示单糖残基、氨基糖残基、或这些残基的衍生物、-X(-Y)-(式中，X及Y可以相同或不同，表示单糖残基、氨基糖残基、或这些残基的衍生物)  或单键，R5表示氢原子、单糖残基、或氨基糖残基、或这些残基的衍生物。
3、如权利要求2所述的寡糖结晶制造方法，其中R1为GlcNAc(GlcNAc表示N-乙酰葡糖胺，下同)、NeuAc(NeuAc表示N-乙酰神经氨酸，下同)、Gal、Fuc(Fuc表示岩藻糖，下同)、或GalNAc(GalNAc表示N-乙酰半乳糖胺，下同)，R2、R3及R4可以相同或不同，表示单键、GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc，R5表示氢原子、GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc。
4、如权利要求2或3所述的寡糖结晶制造方法，其中R2、R3及R4可以相同或不同，表示GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc。
5、如权利要求2或3所述的寡糖结晶制造方法，其中R4为单键。
6、如权利要求2或3所述的寡糖结晶制造方法，其中R3及R4为单键。
7、如权利要求2或3所述的寡糖结晶制造方法，其中R2、R3及R4为单键。
8、如权利要求5所述的寡糖结晶制造方法，其中R1为GlcNAc，R2为Gal，R3为GlcNAc，R5为氢原子。
9、如权利要求6所述的寡糖结晶制造方法，其中R1为NeuAc或Gal，R2为GlcNAc或GalNAc，R5为氢原子。
10、如权利要求7所述的寡糖结晶制造方法，其中R1为GlcNAc、Gal、NeuAc或Fuc，R5为氢原子或GalNAc。
11、如权利要求2所述的寡糖结晶制造方法，其中R1、R2、R3、R4及R5中的至少一个为脱氧糖残基，含寡糖水溶液为经合成吸附树脂处理得到的水溶液。
12、如权利要求11所述的寡糖结晶制造方法，其中脱氧糖残基为Fuc。
13、如权利要求11所述的寡糖结晶制造方法，其中R1为Fuc，R2、R3及R4为单键，R5为氢原子。
14、如权利要求1～13中任一项所述的寡糖结晶制造方法，其中水混溶性有机溶剂为醇类或酮类。
15、如权利要求1～13中任一项所述的寡糖结晶制造方法，其中水混溶性有机溶剂为甲醇或丙酮。
16、一种寡糖结晶，是权利要求2中记载的通式(I)表示的寡糖结晶。
17、如权利要求16所述的寡糖结晶，其中R1为GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc，R2、R3及R4可以相同或不同，表示单键、GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc，R5为氢原子、GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc。
18、如权利要求16或17所述的寡糖结晶，其中R2、R3及R4可以相同或不同，表示GlcNAc、NeuAc、Gal、Fuc或GalNAc。
19、如权利要求16或17所述的寡糖结晶，其中R4为单键。
20、如权利要求16或17所述的寡糖结晶，其中R3及R4为单键。
21、如权利要求16或17所述的寡糖结晶，其中R2、R3及R4为单键。
22、如权利要求19所述的寡糖结晶，其中R1为GlcNAc，R2为Gal，R3为GlcNAc，R5为氢原子。
23、如权利要求20所述的寡糖结晶，其中R1为NeuAc或Gal，R2为GlcNAc或GalNAc，R5为氢原子。
24如权利要求21所述的寡糖结晶，其中R1为GlcNAc、Gal、NeuAc或Fuc，R5为氢原子或GalNAc。
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