CN1499487A - 磁头及装备了此磁头的磁带装置及磁头的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种磁头及装备了此磁头的磁带装置及磁头的制造方法。该磁头是可以良好地保持再生信号的S/N比的磁头。在磁记录头(37b)的前端面(61)、(62)、(63)之中的磁芯宽度方向的两侧边(61a)、(62a)、(63a)沿着记录磁道(72)的长度方向(M)延伸，因此，可以通过隔层(52)减低在上部磁芯层(53)和下部磁芯层凸出部(46b)之间的磁芯宽度方向的两侧伸出的漏磁场(F2)的外伸。如果这样的伸出隔层(52)的两侧的漏磁场(F2)被减低，则可以防止超过重叠记录区(79)而形成擦除区。在从磁带(71)读出磁信息时可以良好地保持再生信号的S/N比。

Description

磁头及装备了此磁头的磁带装置及磁头的制造方法
技术领域
本发明涉及把磁带用作记录介质的磁头及其制造方法及磁带装置。
背景技术
如图15所示，当往磁带101记录时，以使备有磁头102的转鼓103高速旋转、并使磁带101倾斜地沿着此转鼓103的圆周面103a的方式记录信息的螺旋扫描方式被广泛应用。如图16所示，根据这样的记录方式，记录磁道105被规范为相对于磁带101的运行方向L(长度方向)只倾斜规定角度。
在基于螺旋扫描的磁记录中，为了尽可能以高密度把磁信息记录在磁带101上，一般采用在相邻的记录磁道105间不设间隙的所谓的无保护带记录方式。在无保护带记录方式中，为了防止在读出磁信息的记录磁道105上混入相邻的记录磁道105的信号即所谓的串道，在磁带101上交互形成有相对于记录磁道的长度方向M以互不相同的方位角记录的第1记录磁道106和第2记录磁道107。
为了实现这样的记录方式，在转鼓103上具备有以相互改变角度的方式被安装的记录第1记录磁道106的磁头102a和记录第2记录磁道107的磁头102b(参照图17)。如果改变相邻的第1记录磁道106和第2记录磁道107的方位角记录磁信息，则即便在相邻的第1记录磁道106和第2记录磁道107之间不形成保护带也可以借助于方位的角差异减少相邻磁道的信号的影响。
还有，因记录密度的提高，使用了薄膜加工的感应磁头广为人知(例如参照专利文献1)。还有，由于防止感应磁头的磁渗漏，使下部磁芯层的一部分隆起的感应磁头在面向硬盘的应用方面广为人知(例如参照专利文献2)。
【专利文献1】特开2001-52304号公报
【专利文献2】特开平11-328616号公报
发明内容
(发明要解决的问题)
如图17所示，为了在磁带101的第1记录磁道106及第2记录磁道107上以互不相同的方位角进行方位磁记录，在旋转柱上配设有由被形成为矩形的上部磁芯层111和下部磁芯层112组成的2个磁头102a、102b，使得磁头102a、102b可以相对于记录磁道的长度方向M以2个方位角相互倾斜着进行磁记录。考虑到基于磁头102a、102b的记录位置的误差等，在第1记录磁道106及第2记录磁道107的相邻部分上设有重叠记录区110，在此重叠记录区110中，磁信息的一部分通过磁头102a及磁头102b被重叠记录。
但是，以往的磁头102a、102b其与磁带101相对的前端面被形成为矩形(长方形)状，因此，当使之以规定的方位角相对于记录磁道倾斜时，在上述上部磁芯层111和下部磁芯层112之间产生的磁场在磁芯宽度方向的两侧，相对于记录磁道的长度方向倾斜。因此，在接着已经由一个的磁头102a做了磁记录的第1记录磁道106用另一个的磁头102b在第2记录磁道107上进行磁记录时，在此磁芯宽度方向伸出的漏磁场F1的影响变大，有可能大大超过重叠记录区110。结果，第1记录磁道106因超过重叠记录区110而在磁性上变成被擦除的状态。这样的因超过重叠记录区110产生的由漏磁场F1引起的较宽的擦除区121使实质的磁道宽度变窄，在从磁带101读出记录信息时有可能成为使再生信号的S/N比下降的原因。
本发明就是鉴于上述问题而成就的，其目的在于提供可以良好地保持再生信号的S/N比的磁头及其制造方法及磁带装置。
(解决问题的手段)
为了实现上述目的，由本发明所提供一种磁头其特征在于：相对于磁带的运行方向以规定的角度交互形成以互不相同的方位角记录的带有重叠记录相邻部分的重叠记录区的第1和第2记录磁道的磁记录芯部具备有上部磁芯层和下部磁芯层以及被夹在其间的隔层，上述上部磁芯层及下部磁芯层的至少其中一方的在介质滑动面一侧的前端面被形成为规定上述记录磁道宽度的宽度，该前端面中的至少一边与上述第1和第2记录磁道的长度方向对齐。
根据这样的磁头，即便相对于记录磁道以规定的方位角使磁头倾斜，磁头的上下磁芯层之间产生的磁场也不会超过重叠记录区进入记录磁道，防止因上下磁芯层之间产生的漏磁场导致记录磁道的一部分超过重叠记录区被重叠记录。可以防止超过重叠记录区而产生擦除区，并可以良好地保持再生信号的S/N比。还有，因方位角的倾斜，上部磁芯层的两侧边缘部分的漏磁场对磁带的影响达到最小限度。
和上述前端面相向的2边最好与上述记录磁道的长度方向对齐。这是由于可以使螺旋扫描方式的2个磁头的磁记录芯部的前端的体积相等，并使饱和磁通密度等磁特性一致。
下部磁芯层也可以由在磁头的磁芯宽度方向从上部磁芯层大幅扩展开来的下部磁芯层基部和上述下部磁芯层基部的一部分朝着上述上部磁芯层凸出的下部磁芯层凸出部构成。下部磁芯层凸出部使上部磁芯层的两侧边缘部分和下部磁芯层基部之间的漏磁场的影响达到最小限度。如果这样的两侧边缘部分的漏磁场减小，则对减少磁记录时的记录渗出有用。
上部磁芯层及下部磁芯层的介质滑动面一侧的前端面最好保持着其形状沿隔层深度方向被延伸到规定的深度。由此，即便磁头因和磁带之间的滑动而磨损，也可以良好地保持再生信号的S/N比。如果在螺旋扫描方式的磁带装置中备有以上那样的磁头，则可以提供再生信号的S/N比良好的磁带装置。
由本发明所提供一种磁头的制造方法其特征在于：具备有在和基准面垂直的叠层方向把由下部磁芯层、隔层及上部磁芯层组成的记录层叠压在基准面上的工序、从上述记录层的和磁带相向的前端面朝着隔层深度方向挖下上述记录层的磁芯宽度方向的端部并在上述记录层的磁芯宽度方向的端部形成从上述叠层方向倾斜着规定角度向隔层深度方向展开的斜面的工序。
根据这样的磁头的制造方法，形成由此记录层的叠层方向倾斜着规定角度向隔层深度方向展开的斜面，因此，不必经过为了形成这样的斜面而倾斜着对记录层本体进行叠压等困难的工序，比较容易地在平面上形成记录层，因此，可以利用现有的制造工序，并以低成本进行制造。
由本发明所提供一种磁头的制造方法，其特征在于：具备有在和基准面垂直的叠层方向把由下部磁芯层、隔层及上部磁芯层组成的记录层叠压在基准面上的工序、借助于聚焦离子束从上述记录层的上表面朝着叠层方向挖下上述记录层的磁芯宽度方向的端部并在上述记录层的磁芯宽度方向的端部形成从上述叠层方向倾斜着规定角度向隔层深度方向展开的斜面的工序，设定上述聚焦离子束的照射角度使之相对于上述规定角度进一步倾斜3～8°，并借助于聚焦离子束挖下上述记录层的磁芯宽度方向的端部并形成上述斜面。只要上述记录层以被形成在衬板(wafer)上的状态形成上述斜面即可。
由本发明所提供一种磁头的制造方法，其特征在于：具备有在和基准面垂直的叠层方向把由下部磁芯层、隔层及上部磁芯层组成的记录层叠压在基准面上的工序、借助于聚焦离子束从上述记录层的和磁带相向的前端面朝着隔层深度方向挖下上述记录层的磁芯宽度方向的端部并在上述记录层的磁芯宽度方向的端部形成从上述叠层方向倾斜着规定角度向隔层深度方向展开的斜面的工序，设定上述聚焦离子束的照射角度使之相对于上述隔层深度方向倾斜3～8°，并借助于聚焦离子束挖下上述记录层的磁芯宽度方向的端部并形成上述斜面。
(发明的效果)
根据本发明的磁头，夹着隔层形成的上部磁芯层及下部磁芯层在与上述磁带相向的前端面之中的至少1边沿着上述第1和第2记录磁道的长度方向延伸，因此，即便相对于记录磁道以规定的方位角使磁头倾斜，在磁头的上下磁芯层之间产生的磁场也不会超过重叠记录区进入记录磁道，防止因上下磁芯层之间产生的漏磁场导致记录磁道的一部分超过重叠记录区而被重叠记录。可以防止超过重叠记录区而产生擦除区，并可以良好地保持再生信号的S/N比。还有，因方位角的倾斜，上部磁芯层的两侧边缘部分的漏磁场对磁带的影响达到最小限度。
还有，下部磁芯层是由在磁头的磁芯宽度方向从上部磁芯层大幅扩展开来的下部磁芯层基部和上述下部磁芯层基部的一部分朝着上述上部磁芯层凸出的下部磁芯层凸出部构成的，防止上部磁芯层的两侧边缘部分和下部磁芯层基部之间的漏磁场的影响增大。如果这样的两侧边缘部分的漏磁场的影响被降低，则有益于减少磁记录时的记录渗出。如果把这样的磁头装备在磁带装置中，则可以提供再生信号的S/N比良好的磁带装置。
根据本发明的磁头的制造方法，在和基准面垂直的叠层方向形成记录层，从这个记录层的和磁带相向的前端面朝着隔层深度方向挖下记录层的磁芯宽度方向的端部并形成从叠层方向倾斜着规定角度向隔层深度方向展开的斜面，因此，不必经过为了形成斜面而倾斜着对磁记录头进行叠压等困难的工序，可以比较容易地形成。还有，如果同时蚀刻磁记录头的磁芯宽度方向的两侧，则可以使2个磁记录头的尺寸相匹配，可以在使对磁带的记录电平相同的情况下以高精度形成记录磁道。
如果以使斜面比相对于叠层方向倾斜的规定角度进一步倾斜3～8°的照射角照射聚焦离子束并形成斜面，则可以排除离子密度的分布的影响、一致按照设计上的规定角度形成斜面。
附图说明
图1是简略地表示本发明的一实施方式的磁带装置的传带系统路线的俯视图。
图2是表示图1的旋转磁头鼓的放大立体图。
图3是表示磁头的概要的立体图及平面图。
图4是表示磁头的详细构造的立体图。
图5是图3所示的磁头的侧剖视图。
图6是表示磁头的介质滑动面一侧的详细构造的放大立体图。
图7是说明上部磁芯层的轭部和磁极部的形状的平面图。
图8是表示本发明的磁头的作用的说明图。
图9是表示在本发明的磁头的其他实施方式中的成形过程中的状态的剖视图。
图10是表示本发明的磁头的其他实施方式的剖视图。
图11是表示本发明的磁头的制造方法的说明图。
图12是表示本发明的磁头的制造方法的说明图。
图13是表示本发明的磁头的制造方法的说明图。
图14是表示本发明的磁头的制造方法的说明图。
图15是表示以往的旋转磁头鼓的放大立体图。
图16是示意地表示往磁记录介质的磁记录的状况的说明图。
图17是示意地表示基于以往的磁头的磁记录的状况的说明图。
图18是表示本发明的磁头的另外的制造方法的说明图。
图19是表示本发明的磁头的另外的制造方法的说明图。
图中符号说明：
10：磁带装置；12：磁头；14：磁带；37：磁记录头；46：下部磁芯层；46a：下部磁芯层基部；46b：下部磁芯层凸出部；50：磁记录芯部；52：隔层；53：上部磁芯层；61、62、63：前端面；61a、62a、63a：侧边；65：斜面；72：记录磁道；73：第1记录磁道；74：第2记录磁道；79：重叠记录区；80：基板(基准面)；120：聚焦离子束
具体实施方式
(实施方式1)
以下参照附图对本发明的实施方式进行说明。举在记录介质上采用了磁带的磁带装置的例子作为本发明的实施方式1。图1是简略地表示螺旋扫描方式的磁带装置的传带系统路线的俯视图。磁带装置10备有由马达(图中未示出)旋转驱动的旋转磁头鼓11。
在旋转磁头鼓11中装有与本发明相关的2个磁头12。由磁带盒的送出侧的带卷13引出的磁带(磁记录介质)14在2个引导柱15a、15b之间被压在旋转磁头鼓11的圆周面11a上。然后，磁带14被夹在主导轮16和压带轮17之间，并被卷到卷入侧的带卷18上。作为磁带存储用的构造的情况采用以上的构成，但在把本实施方式应用于VCR(视频录象装置)的情况下，还要如图1所示那样另外在传带系统路线之间备有全消磁头21和声音用磁头22。
如图2所示，旋转磁头鼓11以由马达驱动的转轴23为中心旋转。磁带14一边斜着被压在旋转磁头鼓11的圆周面11a上一边移动。2个磁头12a、12b的露出面以例如相互错开180度的位置露在旋转磁头鼓11的圆周面11a上，使之交互与磁带14接触。2个磁头12a、12b被配设成相对于磁带14以互不相同的记录角度记录信息。
图3(a)为表示磁头12的概要的简要立体图，图3(b)为从介质滑动面一侧看到的磁头12的放大平面图。磁头12把块状的磁芯半体32、33通过磁芯内嵌层35粘接其相应的侧端面而整体化、整体被形成为块状，把粘接后的磁芯半体32、33的侧面之一粘接在衬板(wafer)31上，使磁芯半体32、33的一侧从衬板31的端部向外侧露出一些并被固定在衬板31上。被露到衬板31的外侧的磁头12的磁带滑动面被加工成凸面状，形成与磁带等磁记录介质相向的介质滑动面36。
如图4及图5所示，构成本发明的磁头12的关键部分磁记录头37被内嵌在磁芯内嵌层35上。磁记录头37形成于磁芯半体32的图中上方，是由包含介质滑动面36的磁极端部38和位于隔离介质滑动面36并与磁极端部38相邻的磁极基部39构成的。还有，在此磁记录头37的下方备有装了磁阻效应(MR)元件的再生用的再生磁头40。
再生磁头40是通过在磁芯半体32上依次叠压基底绝缘层41、下部屏蔽层42、下部绝缘层43、从介质滑动面36露出的磁阻效应元件(以下称为MR元件)44、上部绝缘层45、下部磁芯层46而形成的。下部磁芯层46是由在磁芯半体32上展开来的下部磁芯层基部46a和在此下部磁芯层基部46a的中央部分沿着介质滑动面36以规定宽度凸出的下部磁芯层凸出部46b组成的。还有，下部磁芯层46是磁记录头37的下部磁芯层，同时起到再生磁头40的保护的作用。
本发明的磁记录头37是以由起到再生磁头40的保护的作用的下部磁芯层46、由非磁性体组成的隔层52、形成于隔层52上的上部磁芯层53组成的磁记录芯部50为主体构成的。在磁极端部38中，下部磁芯层46和隔层52和上部磁芯层53(53c)以依次被叠压的状态露出介质滑动面36。上部磁芯层53使其前端53a在介质滑动面36上通过隔层52隔着微小间隙和下部磁芯层46相对，由此形成记录隔层Gw。
在磁极基部39中，隔层54被叠压在下部磁芯层46上，在隔层54上象形成平面螺旋状那样形成有图案化的电磁线圈层56，此电磁线圈层56被绝缘层55覆盖。
在绝缘层55上还形成有上部磁芯层53。上部磁芯层53由至少2部分构成。即是由位于磁极端部38一侧并露出介质滑动面36的磁极部53c和位于磁极基部39一侧并与磁极部53c相邻的轭部53d构成的。磁极部53c和轭部53d由磁极端部38和磁极基部39的边界部38a划分的。上部磁芯层53的上表面被保护绝缘层59覆盖。
下面参照图6及图7对磁记录头37的前端部的详细构造进行说明。在上部磁芯层53的磁极端部38一侧的前端面61(与磁带相向的端面)中，磁芯宽度方向的两侧边61a、61a相对于磁记录头37的磁芯宽度方向(图中Z方向)倾斜角度θ。这样的角度θ最好和在例如磁带的记录磁道上进行带方位角的记录时的方位角相同或相近。另一方面，前端面61的上下边61b、61b几乎沿着磁记录头37的磁芯宽度方向(图中Z方向)平行地延伸。
隔层52的磁极端部38一侧的前端面62(与磁带相向的端面)的磁芯宽度方向的两侧边62a、62a也相对于磁记录头37的磁芯宽度方向(图中Z方向)倾斜角度θ，连在上部磁芯层53的的两侧边61a、61a的延长线上。还有，下部磁芯层凸出部46b的磁极端部38一侧的前端面63(与磁带相向的端面)的磁芯宽度方向的两侧边63a、63a也相对于磁记录头37的磁芯宽度方向(图中Z方向)倾斜角度θ，连在上部磁芯层53的的两侧边61a、61a的延长线上。
这样，上部磁芯层53、隔层52、下部磁芯层凸出部46b的和磁带相向的前端面(介质相对面)61、62、63的磁芯宽度方向的两侧边61a、62a、63a相对于磁记录头37的磁芯宽度方向(图中Z方向)倾斜和方位角相近的角度θ。另一方面，构成下部磁芯层46的下部磁芯层基部46a和下部磁芯层凸出部46b的连接部分标有R，形成缓慢倾斜的曲面部46c。下部磁芯层凸出部46b防止在上部磁芯层53的的两侧边61a、61a和曲面部46c、46c的两侧的下部磁芯层基部46a部分之间产生漏磁场。如果象这样两侧边缘部分的漏磁场被减低，则对减少磁记录时的记录渗出有用。
上述上部磁芯层53、隔层52、下部磁芯层凸出部46b保持着前端面61、62、63的形状向隔层深度(GD)方向延伸。由此，在上部磁芯层53、隔层52、下部磁芯层凸出部46b的一部分上在磁极端部38一侧形成有从两侧边61a、62a、63a向隔层深度(GD)方向扩展的2个平行的斜面65、65。从前端面61、62、63的磁芯宽度方向的两侧向隔层深度(GD)方向扩展的2个平行的斜面65、65相对于磁芯宽度方向(图中Z方向)倾斜与方位角相近的角度θ。此角度θ最好和方位角相同，也可以相对于方位角倾斜(1～25°)。因此，两侧边61a最好与后述的长度方向M平行，但也可以倾斜(1～25°)。
在上部磁芯层53、隔层52、下部磁芯层凸出部46b的磁极端部38上形成的斜面65、65扩展到上部磁芯层53的轭部53d和磁极部53c的连接部分。在斜面65、65的磁芯宽度方向的两侧在后述的制造工序中形成有凹部。此凹部为由斜面65、65和下部磁芯层基部46a的上表面和保护绝缘层59的下表面所划分成的大致梯形状的凹口，只要被绝缘材料比如氧化铝(Al2O3)填充即可。
下面参照图2及图8对在如以上那样的构成的磁带装置10中的磁记录头37的作用进行说明。被埋设在旋转磁头鼓11的圆周面11a上的2个磁头12之中的构成磁头12a的磁记录头37a把磁信息记录在磁带71的记录磁道72之中的第1记录磁道73上。还有，构成磁头12b的磁记录头37b把磁信息记录在磁带71的记录磁道72之中的第2记录磁道74上。在磁带71上交互形成有相对于磁带的长度方向L倾斜规定角度的第1和第2记录磁道73、74。
第1记录磁道73和第2记录磁道74的邻接部形成有在接着要记录的记录磁道74的端部重写先前记录好的记录磁道72的端部的重叠记录区79。这样的重叠记录区79成为对由磁带71的传送误差等引起的记录位置的偏离的容许极限。
第1记录磁道73及第2记录磁道74以互不相同的方位角记录有磁信息。在第1记录磁道73上，相对于记录磁道72的磁道宽度方向N倾斜正方位角Q1而被记录。在第2记录磁道74上，相对于记录磁道72的磁道宽度方向N倾斜负方位角Q2而被记录。这样以互不相同的方位角对邻接的记录磁道72进行记录，由此，即便在邻接的记录磁道72之间不形成保护带也可以降低拾取相邻磁道的记录信号的影响。
磁头12a被装在旋转磁头鼓11的圆周面11a上，使之在相对于记录磁道72的磁道宽度方向N倾斜正方位角Q1的状态下可以进行磁记录。还有，磁头12b被装在旋转磁头鼓11的圆周面11a上，使之在相对于记录磁道72的磁道宽度方向N倾斜负方位角Q2的状态下可以进行磁记录。由此，在第1记录磁道73上由磁记录头37a以正方位角Q1进行磁记录，在第2记录磁道74上由磁记录头37b以负方位角Q2进行磁记录。
现在想象例如接着已经被记录的特定的第1记录磁道73对邻接的第2记录磁道74进行磁记录的情形，在磁记录头37b的前端面61、62、63之中的磁芯宽度方向的两侧边61a、62a、63a沿着记录磁道72的长度方向M延伸，因此，在对第2记录磁道74进行磁记录时，磁记录头37b的前端面(介质相对面)61、62、63的一部分不会超过重叠记录区79进入第1记录磁道73。因此，可以防止先前被记录的第1记录磁道73超过重叠记录区79而在进行第2记录磁道74的记录时被重写。
然后，磁芯宽度方向的两侧边61a、62a、63a沿着记录磁道72的长度方向M延伸，因此，可以通过隔层52减低在上部磁芯层53和下部磁芯层凸出部46b之间的磁芯宽度方向的两侧伸出的漏磁场F2的外伸。如果这样的伸出隔层52的两侧的漏磁场F2被减低，则可以使得超过重叠记录区79而形成擦除区的影响达到最小限度。如上所述，如果可以防止超过重叠记录区79而产生擦除区，则在从磁带71读出磁信息时可以良好地保持再生信号的S/N比。
还有，如图6所示，磁记录头37a、37b的上部磁芯层53、隔层62、下部磁芯层凸出部46b保持着前端面61、62、63的形状向隔层深度(GD)方向延伸，因此，即便磁记录头37a、37b的介质滑动面磨损从而在隔层深度(GD)方向有些损耗，也可以保持防止因超过重叠记录区79而形成擦除区的功能。
还有，如果没使构成磁记录头37a、37b的前端面61、62、63的磁芯宽度方向的两侧边61a、62a、63a沿记录磁道72的长度方向M延伸、至少使重写一侧的侧边沿记录磁道72的长度方向M延伸，则可以防止因超过重叠记录区79而形成擦除区。还有，也可以只使构成前端面(介质相对面)61、62、63的磁芯宽度方向的两侧边61a、62a、63a之中的构成上部磁芯层53的前端面61的侧边61a沿记录磁道72的长度方向M延伸。
除了上述形状的磁头之外，也可以使例如下部磁芯层的两侧面整体与记录磁道的长度方向一致。如图9所示，在实施方式2中，在再生磁头90的保护绝缘层91上形成分离层95，在此分离层95的上部形成由下部磁芯层基部92a和下部磁芯层凸出部92b组成的下部磁芯层92。然后，夹着隔层96形成上部磁芯层93。
然后，用蚀刻等工艺以规定的倾斜角沿隔层深度方向从上部磁芯层93的前端面93a及下部磁芯层92的前端面92c把上部磁芯层93及包含下部磁芯层基部92a的下部磁芯层92到分离层95为止削减磁芯的两侧(参照图9中的虚线)。在这样形成的实施方式2的磁头中，如图10所示，下部磁芯层92及上部磁芯层93的前端部分的两侧98整体都与记录磁道的长度方向一致。这样，到下部磁芯层基部92a为止与记录磁道的长度方向一致，可以有效地减低从上部磁芯层93的两侧面漏出到下部磁芯层92的基于边缘效应的漏磁场。还有，通过设置分离层95可以高度维持再生磁头的屏蔽效果。
下面以在磁记录头37的磁极端部38上形成斜面65的工序为中心对本发明的磁头12的制造方法进行说明。如图11所示，在进行磁记录头37的制造时，在磁芯半体等基板80(基准面)上形成由下部磁芯层基部46a和下部磁芯层凸出部46b组成的下部磁芯层46、上部磁芯层53、隔层52。
接着，如图12所示，形成覆盖由下部磁芯层46、隔层52、上部磁芯层53组成的记录层81的前端面81a的一部分的抗蚀层82。抗蚀层82在覆盖前端面81a的部分上被形成为相对于记录层81的叠层方向X以规定角度(例如方位角)倾斜着，仿照图6所示的磁记录头37的前端面61、62、63。
接着，以抗蚀层82为掩膜从记录层81的前端面81a一侧沿隔层深度方向Y进行离子蚀刻，斜着刻去记录层81的磁芯宽度方向Z的两侧。这样的离子蚀刻只要能进行到规定的隔层深度即可。离子蚀刻完成后，除去抗蚀层82。
当把仿照磁记录头37的前端面61、62、63的抗蚀层82作为掩膜进行离子蚀刻时，如图13所示，在记录层81中的下部磁芯层凸出部46b、隔层52、上部磁芯层53的磁芯宽度方向Z的两侧形成有扩展向隔层深度方向的斜面65。然后，下部磁芯层凸出部46b、隔层52、上部磁芯层53的前端面61、62、63的两侧边相对于叠层方向X倾斜规定角度(例如方位角)θ。然后，如图14所示，最好以绝缘材料85比如氧化铝等充填斜面65的两侧被刻去的空间并对磁带滑动面进行精抛光。这样，形成前端面61、62、63的两侧边相对于叠层方向X倾斜规定角度(例如方位角)θ的磁记录头37的前端部分。
如上所述，根据本发明的磁头的制造方法，用通常的工序把磁记录头叠压在基板80(基准面)上，然后，形成仿照相对于叠层方向倾斜的形状的抗蚀层、刻去磁记录头的磁芯宽度方向的两侧并形成斜面，因此，不必经过为了形成斜面而倾斜着对磁记录头进行叠压等困难的工序。还有，通过同时蚀刻磁记录头的磁芯宽度方向的两侧可以使螺旋扫描方式所用的2个磁记录头的尺寸相匹配。这样，如果可以使2个磁记录头的尺寸相同，则可以使对磁带的记录电平相同。于是，可以以高精度形成记录磁道。
在对本发明的磁头进行制造时，在形成向隔层深度(GD)方向展开的2个平行的斜面65、65的工序中，最好用聚焦离子束(FIB)从衬板状态向记录层的叠层方向进行挖除加工。
聚焦离子束(FIB)和用于一般的蚀刻的离子束相比其直线性高，使高精度的加工变得容易。但是，在用聚焦离子束蚀刻例如垂直的表面的情况下，由于聚焦离子束的离子密度的分布的影响，加工面在完工后有可能比预定的角度偏离3～8°。
当使用这样的聚焦离子束以加工面偏离设计3～8°的程度完成时，在用于把例如上述磁记录头从衬板状态向记录层的叠层方向进行挖除加工的情况下，以方位角倾斜的斜面被形成为越往下层走越展开。在这样的磁记录头中，因记录介质和磁记录头之间的滑动而导致磁记录头在隔层深度方向磨损，记录宽度随之展宽，有可能无法进行稳定的记录。
在本发明中，为了借助于聚焦离子束(FIB)从衬板状态形成高精度的磁记录头，预先倾斜聚焦离子束和加工面之间的角度进行加工。也就是说，如图18所示，在形成磁记录头37的2个平行的斜面65、65的工序中，在形成被设计为预先相对于记录层81的叠层方向S倾斜角度θ的2个平行的斜面65、65时，使形成有记录层81的衬板91倾斜角度θ2，使聚焦离子束120的照射角度相对于作为加工面的斜面65、65的设计角度θ进一步倾斜角度θ2而被照射。这样的θ2最好被设定为例如3～8°。
这样，如果使衬板91倾斜θ2即3～8°、使聚焦离子束120的照射角度比斜面65、65的设计角度θ进一步倾斜3～8°而被照射，则可以排除聚焦离子束120的离子密度的分布的影响，斜面65、65会如设计那样整体只倾斜θ，几乎被平行地形成而不向下层扩展。由于斜面65、65相互平行地被形成而不向下层扩展，不会因磁芯宽度的变化而产生漏磁场，可以稳定地进行记录。
在用这样的聚焦离子束120形成斜面65、65时，最好先在1枚衬板上形成多层记录层，然后进行整体加工。由此可以有效地大量形成磁记录头37。
还有，为了在用这样的聚焦离子束在记录层上形成斜面，除了如上述那样在衬板的状态下从记录层的上表面向叠层方向挖入而形成斜面之外，还可以在从衬板切下棒形材的状态下从前端面(和磁带相对的端面)向隔层深度(GD)方向挖入。
当使用这样的聚焦离子束以加工面偏离设计3～8°的程度完成时，在用于例如上述磁记录头的磁芯宽度方向的加工的情况下，记录面被形成为越往隔层深度方向越展开。在这样的磁记录头中，磁芯宽度从介质相向面向隔层深度方向展开。因此，因记录介质和磁记录头之间的滑动而导致磁记录头在隔层深度方向磨损，记录宽度随之展宽，有可能无法进行稳定的记录。
在本发明中，为了借助于聚焦离子束(FIB)形成高精度的磁记录头，预先倾斜聚焦离子束和加工面之间的角度进行加工。也就是说，如图19所示，在形成磁记录头37的从前端面62向隔层深度(GD)方向扩展的2个平行的斜面65、65的工序中，使聚焦离子束120的照射角度相对于作为加工面的斜面65、65的隔层深度(GD)方向的角度倾斜一定角度θ2例如3～8°而进行照射。
这样，如果使聚焦离子束120的照射角度比加工面的设计角度θ进一步倾斜3～8°进行照射形成斜面65、65，则可以排除离子密度的分布的影响，斜面65、65相对于前端面62几乎垂直地被形成。由于斜面65、65相对于前端面62几乎垂直地被形成，即便因磁记录头37和记录介质之间的滑动所导致的磨损而使前端面62在隔层深度(GD)方向磨损，磁芯宽度也没有变化，可以稳定地进行记录。在用这样的聚焦离子束120形成斜面65、65时，最好先在1枚衬板上形成多层记录层，然后进行整体加工。由此可以有效地大量形成磁记录头37。
还有，在本实施方式中，通过刻去磁记录头的磁芯宽度方向的两侧形成斜面，也可以在单侧形成斜面，此外还可以借助于电镀形成记录层的前端部分。还有，在本实施方式中说明了记录磁头和再生磁头整体化的实施方式，但也可以只有记录磁头。

Claims (9)

1.一种磁头，其特征在于：
相对于磁带的运行方向以规定的角度交互形成以互不相同的方位角记录的带有重叠记录相邻部分的重叠记录区的第1和第2记录磁道的磁记录芯部具备有上部磁芯层和下部磁芯层以及被夹在其间的隔层，上述上部磁芯层及下部磁芯层的至少其中一方的在介质滑动面一侧的前端面被形成为规定上述记录磁道宽度的宽度；该前端面中的至少一边与上述第1和第2记录磁道的长度方向对齐。
2.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于：
和上述前端面相向的2边与上述记录磁道的长度方向对齐。
3.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于：
上述下部磁芯层是由在上述磁头的磁芯宽度方向从上述上部磁芯层大幅扩展开来的下部磁芯层基部和上述下部磁芯层基部的一部分朝着上述上部磁芯层凸出的下部磁芯层凸出部构成。
4.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于：
上述前端面保持着其形状沿隔层深度方向被延伸到规定的深度。
5.一种螺旋扫描方式的磁带装置，其特征在于：
装备了根据权利要求1所述的磁头。
6.一种磁头的制造方法，其特征在于：
具备有在和基准面垂直的叠层方向把由下部磁芯层、隔层及上部磁芯层组成的记录层叠压在基准面上的工序、从上述记录层的和磁带相向的前端面朝着隔层深度方向挖下上述记录层的磁芯宽度方向的端部并在上述记录层的磁芯宽度方向的端部形成从上述叠层方向倾斜着规定角度向隔层深度方向展开的斜面的工序。
7.一种磁头的制造方法，其特征在于：
具备有在和基准面垂直的叠层方向把由下部磁芯层、隔层及上部磁芯层组成的记录层叠压在基准面上的工序、借助于聚焦离子束从上述记录层的上表面朝着叠层方向挖下上述记录层的磁芯宽度方向的端部并在上述记录层的磁芯宽度方向的端部形成从上述叠层方向倾斜着规定角度向隔层深度方向展开的斜面的工序；设定上述聚焦离子束的照射角度使之相对于上述规定角度进一步倾斜3～8°，并借助于聚焦离子束挖下上述记录层的磁芯宽度方向的端部并形成上述斜面。
8.根据权利要求7所述的磁头的制造方法，其特征在于：
上述记录层以被形成在衬板上的状态形成上述斜面。
9.一种磁头的制造方法，其特征在于：
具备有在和基准面垂直的叠层方向把由下部磁芯层、隔层及上部磁芯层组成的记录层叠压在基准面上的工序、借助于聚焦离子束从上述记录层的和磁带相向的前端面朝着隔层深度方向挖下上述记录层的磁芯宽度方向的端部并在上述记录层的磁芯宽度方向的端部形成从上述叠层方向倾斜着规定角度向隔层深度方向展开的斜面的工序，设定上述聚焦离子束的照射角度使之相对于上述隔层深度方向倾斜3～8°，并借助于聚焦离子束挖下上述记录层的磁芯宽度方向的端部并形成上述斜面。
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