CN1455968A - 集成的侧面耦合传输线元件 - Google Patents
集成的侧面耦合传输线元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1455968A CN1455968A CN02800127A CN02800127A CN1455968A CN 1455968 A CN1455968 A CN 1455968A CN 02800127 A CN02800127 A CN 02800127A CN 02800127 A CN02800127 A CN 02800127A CN 1455968 A CN1455968 A CN 1455968A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transmission line
- terminal
- connector section
- conductor
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 132
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
- H01P5/184—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being strip lines or microstrips
- H01P5/187—Broadside coupled lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种新型侧面耦合传输线元件。该元件包括第一金属化层，该层具有第一螺旋形传输线和其中形成的至少一个桥接段。该元件还包括第二金属化层，第二金属化层具有第二螺旋形传输线和其中形成的连接器段。连接器段提供了第一和第二传输线的内部区域和第一和第二传输线的外部区域之间相应的电连接。第一个连接器段电连接到第二传输线的内部终端上。第二传输线在每个与连接器段相交处具有间隙。介电层位于第一和第二金属化层之间。介电层具有多个其中形成的孔，用于提供第二传输线和第一金属化层的桥接段之间的电连接，并用于提供第一传输线的内部终端和第二个连接器段之间的电连接。该元件在集成电路环境中形成，并可以用于产生各种电路元件，诸如在高频下工作的平衡不平衡变换器、平衡和不平衡变压器以及电流和电压变换器。
Description
技术领域
发明涉及一种阻抗变换元件，并尤其涉及一种集成的侧面耦合传输线元件。
背景技术
利用铜导线双绞线形成传输线元件是公知的。这些传输线元件用于产生平衡不平衡转换器、平衡和不平衡变压器以及电流和电压变换器。使用传统传输线元件的示例在Proceeding of the IRE(Institute for Radio Engneers)47卷1337～1342页(1959年8月)中C.L.Ruthroff的“Some Broad BandTransformers”给出，该文献合并于此作为参考。这些传输线元件典型地以可用于整个UHF的频带中的形式而为人所知。
这种传输线元件用在诸如在较高频率下工作的RF功率放大器和低噪放大器的集成电路中是理想的。然而，诸如这些传统传输线元件的多种芯片外(off-chip)器件合并到诸如蜂窝电话的RF装置中由于其尺寸和成本而不具有竞争力。此外，传统耦合的传输线元件不适于用在所需的频率范围内。
发明内容
因此，产生了对解决现有技术的不足和缺陷的耦合传输线元件的需求。尤其是，已经产生了对集成的侧面耦合传输线元件的需求。
于是，公开了一种新型的侧面耦合传输线元件。在一个实施例中，该元件包括第一金属化层，该层具有第一螺旋形传输线和其中形成的至少一个桥接段。该元件还包括第二金属化层，其具有第二螺旋形传输线和其中形成的连接器段。连接器段提供第一和第二传输线的内部区域和第一和第二传输线的外部区域之间的相应的传导路径。第一个连接器段电连接到第二传输线的内部终端。第二传输线在分别与连接器段相交处具有间隙。介电层位于第一和第二金属化层之间。介电层具有多个其中形成的孔，用于提供第二传输线和第一金属化层的桥接段之间的电连接，并用于提供第一传输线的内部终端和第二个连接器段之间的电连接。
本发明的优点在于耦合的传输线元件可以在集成电路环境中形成。本发明的另一优点在于该元件可以用于产生各种电路元件，诸如平衡不平衡变换器、平衡和不平衡变压器、功率分配器、组合器、定向耦合器、以及电流和电压变换器。再一优点在于该元件可以用在比传统非集成耦合传输线元件更高的信号频率下。
附图说明
为了更全面地理解本发明并为了理解进一步的特征和优点，参照下面关联附图给出的描述，图中：
图1是矩形螺旋侧面耦合传输线元件的俯视图；
图2是传输线元件中交叉区域的透视图；
图3A到3C是在各个制造阶段的传输线元件的俯视图；
图4是根据本发明设计的传输线元件的示意图；
图5是利用传输线元件的平衡不平衡变换器的示意图；
图6是利用传输线元件的电压变换器的示意图；
图7是利用传输线元件的电流变换器的示意图；
图8是利用传输线元件的第二个平衡不平衡变换器结构的示意图；
图9是利用传输线元件的4∶1不平衡变压器的示意图；
图10是利用传输线元件的4∶1平衡变压器的示意图；
图11是利用传输线元件的9∶1不平衡变压器的示意图；以及
图12是利用传输线元件的第二个9∶1不平衡变压器的示意图。
具体实施方式
通过参照附图中的图1到12，更好地理解本发明的优选实施例以及他们的优点。相似的附图标记用于各图中相似或相应的零件。
参照图1，示出了矩形螺旋侧面耦合传输线元件10的俯视图。在元件10中，上部传输线12主要占据上部金属化层。下部传输线14主要占据在上部金属化层之下的下部金属化层。上部和下部金属化层由介电层(图1中未示出)分隔。每条传输线12、14具有外部终端12a、14a。从外部终端12a、14a，每条传输线12、14向内盘旋到内部终端12b、14b。
在内部终端12b、14b处，每条传输线12、14电连接到相应的连接器16、18上。在一个实施例中，连接器16和18处于下部金属化层上。连接器16和18用于建立相应的内部终端12b、14b和其他电端子之间的接触。
螺旋元件10的每个环形使得传输线12和14横穿连接器16和18。为了在不利用附加金属化层的前提下实现这一点，传输线14的桥接段14c与交叉区域20内的传输线12共享上部金属化层内的空间。
元件10的传输线被称作侧面耦合，这是由于传输线垂直对齐，使传输线在连接器之间耦合。自然，也可以观察到诸如相同金属化层内连接器环形之间的边缘耦合的其他效应。然而，传输线12和14的螺旋形使得传输线耦合相对其他不需要的效应占优势。
对于元件10，矩形螺旋形之外的各种形状也是有可能的。例如，可以使用曲折形状，这就消除了诸如交叉区域20的交叉区域的需求。然而，曲折形状产生边缘耦合效应，该效应损害导体之间的传输线耦合。
参照图2，示出了交叉区域20的透视图。传输线12和桥接段14c占据上部金属化层，同时连接器16和18占据下部金属化层。介电层(未示出)将两个金属化层分隔。
用于形成元件10的过程示于图3A到3C中，在该图中，示出了在各个制造阶段的元件10的俯视图。参照图3A，示出了下部金属化层22的图案。金属化层22例如可以为一层铝、金、和其他导电材料。金属化层22沉积到衬底24上，并利用传统半导体制造技术，光刻构图以形成传输线14和连接器16及18。衬底24可以是砷化镓、硅或一些其他传统衬底材料。
参照图3B，介电层26沉积到金属化层22和衬底24上。介电层26例如可以为双苯并环丁烯(BCB)，硅的氮化物或氧化物、或一些其他绝缘材料。介电层26利用传统技术沉积。通孔28利用传统光刻技术形成在介电层26中。过孔28形成在所示的位置处以建立两个金属化层之间的电接触。
参照图3C，上部金属化层30形成在介电层26上。金属化层30例如可以是一层铝、金、或其他导电材料。金属化层30沉积到介电层26上并利用传统半导体制造技术光刻限定，而产生传输线12和传输线14的桥接段14c。在沉积过程中，金属化层30填充在介电层26内的通孔中，形成通向金属化层22的电接触。
元件10的尺寸优选地为每条传输线12、14的全长小于和约等于信号波长的八分之一。传输线长度的下限将根据装置的特性而变化，但是一般是由传输线耦合来确定。总之，如本领域技术人员所公知的，优选地是，传输线之间的“奇模”或差动耦合对于不需要的相对于地或公共端子的信号传播的“偶模”或“共模”占主导地位。
在一个示例性实施例中，通过元件10传导频率范围在1GHz到5GHz内的信号。在这个实施例中，每条传输线12、14宽度为15微米、厚度为5微米、而全长为4毫米。传输线12、14由厚度为1.5微米的介电层分隔。
螺旋元件10可以用于形成利用传统耦合传输线所形成的公知的电路装置，如铜导线的双绞线。例如，螺旋元件10可以用于形成平衡不平衡变换器、平衡和不平衡变压器、以及电流和电压变换器。
电路装置的各种示例示于图4到12中，在该图中，耦合传输线由平行电感线圈表示。在这些图中，相应传输线的外部终端例如在每个图的左侧示出，而相应传输线的内部终端在每个图的右侧示出。可以理解到相反的构造同样是可行的，其中相应传输线的外部终端示于每个图的右侧，而相应传输线的内部终端示于每个图的左侧。
在图4到图12中，上部和下部电感线圈可以分别表示前面图中示出的上部和下部传输线12和14。当然，相反的布置也是可行的。在一些情况下，使用多于一个如图1所示的侧面耦合传输线元件。
在图4到图12中，平衡和不平衡电路元件或电感线圈组连接到所示的电路装置(例如变压器或平衡不平衡变换器)的每一侧(右和左侧)上。不平衡元件例如可以是同轴电缆，从而一个装置终端连接到电缆的中心导体，而另一个装置终端连接到电缆的(接地)屏蔽层上。平衡元件例如可以是铜导线的双绞线。当然，可以使用其他平衡和不平衡电路元件。
借助于前面的解释，图4到图12的结构是不需加以说明的。参照图4，示出了如前面所述那样的基本传输线元件。在图5中示出了平衡不平衡变换器。在图6中，示出了电压变换结构。在图7中，示出了电流变换结构。在图8中示出了第二个平衡不平衡变换器结构。在图9中示出了4∶1不平衡变压器。在图10中，示出了4∶1平衡变压器。在图11中，示出了9∶1不平衡变压器。在图12中示出了第二个9∶1不平衡变压器。这些结构中每一种可以利用一个或多个诸如螺旋元件10的螺旋元件形成。本领域技术人员可以轻易构想到其他变型以及这些元件的组合。
虽然已经详细描述了本发明及其优点，应该理解的是在不背离所附权利要求书限定的本发明的精髓和范围前提下可以在其中作出各种变化、替代和改变。
Claims (14)
1.一种平衡不平衡变换器，包括：
第一金属化层，其具有第一和第二螺旋形传输线，每条传输线具有外部终端和内部终端；
第二金属化层，其具有第三和第四螺旋形传输线和多个其中形成的连接器段，第三和第四传输线分别具有外部终端和内部终端，第三和第四传输线基本上分别与第一和第二传输线对齐；
具有导体的不平衡元件；
具有第一和第二导体的平衡元件；
提供不平衡元件的导体和第一传输线中第一次选定的一个终端之间的电连接的第三导体；
提供公共电势和第三传输线中第一次选定的一个终端之间的电连接的第四导体；
提供第二传输线中第一次选定的一个终端与第一传输线的第二选定的一个终端之间的电连接的第五导体；
提供第四传输线中第一次选定的一个终端与第三传输线中第二次选定的一个终端之间的电连接的第六导体；
提供第二传输线中第二次选定的一个终端与第四传输线中第二次选定的一个终端之间的电连接的第七导体；
提供公共电势与第二传输线中第二次选定的一个终端之间的电连接的第八导体；
提供第一传输线中第二次选定的一个终端与平衡元件的第一导体之间的电连接的第九导体；以及
提供第三传输线中第二次选定的一个终端和平衡元件的第二导体之间的电连接的第十导体。
2.一种传输线元件，包括：
限定在第一金属层中的第一导电传输线，其中第一传输线包括多个段并从内部终端向外盘旋；
形成在第一金属层上的介电层；
限定在介电层上形成的第二金属层内的第二导电传输线，其中，第二传输线从内部终端向外盘旋，并且第二传输线定位在第一传输线上；
限定在第二金属层内的桥接段，桥接段形成第一传输线的第一和第二段之间的电连接；以及
限定在第一金属层内的第一连接器段，其中，第一连接器段自第一传输线的内部终端、在桥接段之下、并在第一传输线的第一和第二段之间延伸。
3.如权利要求2所述的传输线元件，还包括限定在第一金属层内的第二连接器段，第二连接器段电连接到第二传输线内部端子上，而第二连接器段在桥接段之下、并在第一传输线的第一和第二段之间延伸。
4.如权利要求3所述的传输线元件，还包括第二连接器段和第一传输线的外部终端之间的电连接。
5.如权利要求2所述的传输线元件，还包括第一连接器段和第二传输线外部终端之间的电连接。
6.如权利要求2所述的传输线元件，其中，第一传输线包括外部终端，而第二传输线包括外部终端，并且在内部终端或外部终端至少一个处接地。
7.如权利要求2所述的传输线元件，其中，第二传输线的长度小于或约等于该传输线元件所接收的信号的波长的八分之一。
8.如权利要求2所述的传输线元件，其中，第一传输线和第二传输线分别电耦合，从而传输线元件在如平衡不平衡变换器、电压变换器、电流变换器和变压器的电路中起作用。
9.一种形成传输线元件的方法，包括以下步骤：
在第一金属层中限定第一导电传输线，其中第一传输线包括多个段，并且从内部终端向外盘旋；
在第一金属层上形成介电层；
在介电层之上形成的第二金属层内限定第二导电传输线，其中，第二传输线自内部终端向外盘旋，且第二传输线定位在第一传输线上；
在第二金属层内限定桥接段，桥接段形成第一传输线的第一和第二段之间的电连接；以及
在第一金属层内限定第一连接器段，其中第一连接器段自第一传输线的内部终端、在桥接段之下、并在第一传输线的第一和第二段之间延伸。
10.如权利要求9所述的方法，还包括以下步骤：
在第一金属层内限定第二连接器段，其中，第二连接器段在桥接段之下、且在第一传输线的第一和第二段之间延伸；以及
将第二连接器段电连接到第二传输线的内部终端上。
11.如权利要求10所述的方法，还包括提供第二连接器段和第一传输线的外部终端之间的电连接的步骤。
12.如权利要求9所述的方法，还包括提供第一连接器段和第二传输线的外部终端之间的电连接的步骤。
13.如权利要求9所述的方法，还包括耦合第一传输线和第二传输线的步骤，以便传输线元件在如平衡不平衡变换器、电压变换器、电流变换器和变压器的电路中起作用。
14.如权利要求9所述的方法，还包括将第二传输线形成为具有小于和约等于该传输线元件所接收的信号的波长的八分之一的长度。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/768,865 US6407647B1 (en) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | Integrated broadside coupled transmission line element |
| US09/768,865 | 2001-01-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1455968A true CN1455968A (zh) | 2003-11-12 |
Family
ID=25083713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN02800127A Pending CN1455968A (zh) | 2001-01-23 | 2002-01-16 | 集成的侧面耦合传输线元件 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6407647B1 (zh) |
| EP (1) | EP1354371A1 (zh) |
| JP (1) | JP3728293B2 (zh) |
| KR (1) | KR100562966B1 (zh) |
| CN (1) | CN1455968A (zh) |
| CA (1) | CA2403046A1 (zh) |
| IL (1) | IL151718A0 (zh) |
| TW (1) | TW513825B (zh) |
| WO (1) | WO2002060002A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103337682A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-10-02 | 东南大学 | 一种宽带、低损耗、高平衡度的片上巴伦 |
| CN103840786A (zh) * | 2012-11-21 | 2014-06-04 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 带有作为接地屏蔽的集成去耦的平衡-非平衡转换器 |
| CN113224492A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-08-06 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种基于互感耦合的超宽带功分器芯片 |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6937128B2 (en) * | 2002-02-12 | 2005-08-30 | Broadcom Corp. | On-chip inductor having a square geometry and high Q factor and method of manufacture thereof |
| US6806558B2 (en) | 2002-04-11 | 2004-10-19 | Triquint Semiconductor, Inc. | Integrated segmented and interdigitated broadside- and edge-coupled transmission lines |
| US7190240B2 (en) * | 2003-06-25 | 2007-03-13 | Werlatone, Inc. | Multi-section coupler assembly |
| US7132906B2 (en) * | 2003-06-25 | 2006-11-07 | Werlatone, Inc. | Coupler having an uncoupled section |
| GB0321658D0 (en) * | 2003-09-16 | 2003-10-15 | South Bank Univ Entpr Ltd | Bifilar transformer |
| DE10348722B4 (de) * | 2003-10-16 | 2013-02-07 | Epcos Ag | Elektrisches Anpassungsnetzwerk mit einer Transformationsleitung |
| US6972639B2 (en) * | 2003-12-08 | 2005-12-06 | Werlatone, Inc. | Bi-level coupler |
| US7245192B2 (en) * | 2003-12-08 | 2007-07-17 | Werlatone, Inc. | Coupler with edge and broadside coupled sections |
| JP2005341118A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Hitachi Communication Technologies Ltd | フィルタ回路、論理ｉｃ、マルチチップモジュール、フィルタ搭載型コネクタ、伝送装置及び伝送システム |
| US20060055495A1 (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-16 | Rategh Hamid R | Planar transformer |
| US7646261B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-01-12 | Anaren, Inc. | Vertical inter-digital coupler |
| US7724484B2 (en) * | 2006-12-29 | 2010-05-25 | Cobham Defense Electronic Systems Corporation | Ultra broadband 10-W CW integrated limiter |
| CN101765893B (zh) * | 2007-07-30 | 2012-10-10 | 株式会社村田制作所 | 片状线圈元器件 |
| US7714679B2 (en) * | 2008-01-29 | 2010-05-11 | Hittite Microwave Corporation | Spiral coupler |
| FR2932079B1 (fr) | 2008-06-06 | 2010-07-30 | Michel Bercovy | Prothese totale de genou |
| US8138857B2 (en) * | 2008-06-24 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Structure, structure and method for providing an on-chip variable delay transmission line with fixed characteristic impedance |
| US7898340B2 (en) * | 2008-10-24 | 2011-03-01 | Raytheon Company | Method and system for amplifying a signal using a transformer matched transistor |
| US8093959B1 (en) | 2009-03-16 | 2012-01-10 | Triquint Semiconductor, Inc. | Compact, low loss, multilayer balun |
| US8179137B2 (en) * | 2009-03-31 | 2012-05-15 | General Electric Company | Magnetic resonance compatible multichannel stripline balun |
| US8988852B2 (en) * | 2009-11-17 | 2015-03-24 | Marvell World Trade Ltd. | Ground shield capacitor |
| DE112009005442B4 (de) | 2009-12-15 | 2018-05-17 | Snaptrack, Inc. | Koppler und Verstärkeranordnung |
| US8610247B2 (en) | 2011-12-30 | 2013-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure and method for a transformer with magnetic features |
| US8659126B2 (en) * | 2011-12-07 | 2014-02-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuit ground shielding structure |
| US20130222060A1 (en) * | 2012-02-27 | 2013-08-29 | Qualcomm Incorporated | Mutually coupled matching network |
| US9035715B2 (en) * | 2012-10-25 | 2015-05-19 | Anaren, Inc. | Compact broadband impedance transformer |
| US9093734B2 (en) | 2013-04-12 | 2015-07-28 | Rfaxis, Inc. | Miniature radio frequency directional coupler for cellular applications |
| US8988161B2 (en) | 2013-06-20 | 2015-03-24 | Triquint Semiconductor, Inc. | Transformer for monolithic microwave integrated circuits |
| US10042805B2 (en) | 2016-01-21 | 2018-08-07 | Northrop Grumman Systems Corporation | Tunable bus-mediated coupling between remote qubits |
| US10074792B1 (en) | 2017-03-10 | 2018-09-11 | Northrop Grumman Systems Corporation | ZZZ coupler for superconducting qubits |
| US10366340B2 (en) | 2017-07-12 | 2019-07-30 | Northrop Grumman Systems Corporation | System and method for qubit readout |
| US11108380B2 (en) | 2018-01-11 | 2021-08-31 | Northrop Grumman Systems Corporation | Capacitively-driven tunable coupling |
| US10749096B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-08-18 | Northrop Grumman Systems Corporation | Controlling a state of a qubit assembly via tunable coupling |
| US10540603B2 (en) | 2018-06-19 | 2020-01-21 | Northrop Grumman Systems Corporation | Reconfigurable quantum routing |
| US10852366B2 (en) | 2018-06-26 | 2020-12-01 | Northrop Grumman Systems Corporation | Magnetic flux source system |
| US10886049B2 (en) | 2018-11-30 | 2021-01-05 | Northrop Grumman Systems Corporation | Coiled coupled-line hybrid coupler |
| US10911016B2 (en) | 2019-01-08 | 2021-02-02 | Analog Devices, Inc. | Wideband balun |
| RU2717386C1 (ru) * | 2019-05-27 | 2020-03-23 | Акционерное общество "Микроволновые системы" | Спиральный сверхширокополосный микрополосковый квадратурный направленный ответвитель |
| US11101227B2 (en) | 2019-07-17 | 2021-08-24 | Analog Devices International Unlimited Company | Coupled line structures for wideband applications |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0371157B1 (de) * | 1988-11-28 | 1994-03-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Leitungstransformator |
| US4999597A (en) * | 1990-02-16 | 1991-03-12 | Motorola, Inc. | Bifilar planar inductor |
| US5200718A (en) * | 1990-10-23 | 1993-04-06 | Smk Co., Ltd. | Balun transformer with common mode coil |
| JP2941484B2 (ja) * | 1991-05-31 | 1999-08-25 | 株式会社東芝 | 平面トランス |
| JP2773617B2 (ja) * | 1993-12-17 | 1998-07-09 | 株式会社村田製作所 | バルントランス |
| US5852866A (en) * | 1996-04-04 | 1998-12-29 | Robert Bosch Gmbh | Process for producing microcoils and microtransformers |
| US5793272A (en) * | 1996-08-23 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit toroidal inductor |
| US5969590A (en) * | 1997-08-05 | 1999-10-19 | Applied Micro Circuits Corporation | Integrated circuit transformer with inductor-substrate isolation |
| US6097273A (en) * | 1999-08-04 | 2000-08-01 | Lucent Technologies Inc. | Thin-film monolithic coupled spiral balun transformer |
-
2001
- 2001-01-23 US US09/768,865 patent/US6407647B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-16 CN CN02800127A patent/CN1455968A/zh active Pending
- 2002-01-16 WO PCT/US2002/001529 patent/WO2002060002A1/en not_active Application Discontinuation
- 2002-01-16 JP JP2002560227A patent/JP3728293B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-16 KR KR1020027012394A patent/KR100562966B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-01-16 TW TW091100629A patent/TW513825B/zh active
- 2002-01-16 CA CA002403046A patent/CA2403046A1/en not_active Abandoned
- 2002-01-16 EP EP02720818A patent/EP1354371A1/en not_active Withdrawn
- 2002-01-16 IL IL15171802A patent/IL151718A0/xx unknown
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103840786A (zh) * | 2012-11-21 | 2014-06-04 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 带有作为接地屏蔽的集成去耦的平衡-非平衡转换器 |
| CN103840786B (zh) * | 2012-11-21 | 2018-06-05 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 带有作为接地屏蔽的集成去耦的平衡-非平衡转换器 |
| CN103337682A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-10-02 | 东南大学 | 一种宽带、低损耗、高平衡度的片上巴伦 |
| CN103337682B (zh) * | 2013-07-24 | 2015-03-25 | 东南大学 | 一种宽带、低损耗、高平衡度的片上巴伦 |
| CN113224492A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-08-06 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种基于互感耦合的超宽带功分器芯片 |
| CN113224492B (zh) * | 2021-04-19 | 2021-12-28 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种基于互感耦合的超宽带功分器芯片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2403046A1 (en) | 2002-08-01 |
| JP3728293B2 (ja) | 2005-12-21 |
| JP2004518363A (ja) | 2004-06-17 |
| TW513825B (en) | 2002-12-11 |
| KR20020095191A (ko) | 2002-12-20 |
| WO2002060002A1 (en) | 2002-08-01 |
| EP1354371A1 (en) | 2003-10-22 |
| US6407647B1 (en) | 2002-06-18 |
| IL151718A0 (en) | 2003-04-10 |
| KR100562966B1 (ko) | 2006-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1455968A (zh) | 集成的侧面耦合传输线元件 | |
| US6882240B2 (en) | Integrated segmented and interdigitated broadside- and edge-coupled transmission lines | |
| US6133806A (en) | Miniaturized balun transformer | |
| KR101156347B1 (ko) | 양-레벨 커플러 | |
| CN1252745C (zh) | 电感元件 | |
| US6801114B2 (en) | Integrated radio having on-chip transformer balun | |
| US7952458B2 (en) | Balun with a 1/4 impedance ratio | |
| US7755447B2 (en) | Multilayer balun, hybrid integrated circuit module, and multilayer substrate | |
| CN1211858C (zh) | 高频功率晶体管器件 | |
| EP2533355A1 (en) | Wideband, differential signal balun for rejecting common mode electromagnetic fields | |
| US8143968B2 (en) | Thin film balun | |
| US7236064B2 (en) | Laminated balun transformer | |
| US5808518A (en) | Printed guanella 1:4 balun | |
| US7579923B2 (en) | Laminated balun transformer | |
| US7671704B2 (en) | LC resonant circuit | |
| US7199682B2 (en) | Distributed balun with a non-unity impedance ratio | |
| US6437658B1 (en) | Three-level semiconductor balun and method for creating the same | |
| EP2269199B1 (en) | Planar inductive unit and an electronic device comprising a planar inductive unit | |
| CN1826671A (zh) | 压缩型阻抗变换电路 | |
| KR20000064229A (ko) | 길이가 다른 비결합선로와 다중 결합선로를 이용한방향성결합기 | |
| CN1175516C (zh) | 平衡到不平衡转换电路 | |
| Liu et al. | Miniaturized Quarter-Wavelength Resonator for Common-Mode Filter Based on Pattern Ground Structure | |
| KR20050109578A (ko) | 밸룬 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |