DE112009005442B4 - Koppler und Verstärkeranordnung - Google Patents
Koppler und Verstärkeranordnung Download PDFInfo
- Publication number
- DE112009005442B4 DE112009005442B4 DE112009005442.0T DE112009005442T DE112009005442B4 DE 112009005442 B4 DE112009005442 B4 DE 112009005442B4 DE 112009005442 T DE112009005442 T DE 112009005442T DE 112009005442 B4 DE112009005442 B4 DE 112009005442B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- line
- coupler
- metal layer
- capacitor
- arm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
- H01P5/184—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being strip lines or microstrips
- H01P5/187—Broadside coupled lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
- H01P5/184—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being strip lines or microstrips
- H01P5/185—Edge coupled lines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Koppler, der folgendes umfasst:
- eine erste Leitung (31), die in einer ersten Metallschicht angeordnet ist,
- eine zweite Leitung (32), in einer zweiten Metallschicht angeordnet ist,
- einen ersten Kondensator (22), der in einem ersten Abschnitt (42) angeordnet ist, wobei
- die zweite Leitung (32) breitseitig an die erste Leitung (31) in dem ersten und einem zweiten Abschnitt (42, 53) gekoppelt ist,
- die erste Leitung (31) elektrisch an eine erste Elektrode des ersten Kondensators (22) angeschlossen ist oder ein Abschnitt der ersten Leitung (31) die erste Elektrode des ersten Kondensators (22) bildet; und
- die zweite Leitung (32) elektrisch an eine zweite Elektrode des ersten Kondensators (22) angeschlossen ist oder ein Abschnitt der zweiten Leitung (32) die zweite Elektrode des ersten Kondensators (22) bildet,
- wobei der Kondensator die Kapazität zwischen der ersten und der zweiten Leitung (31, 32) pro Längeneinheit der ersten Leitung (31) in dem ersten Abschnitt (42) im Vergleich zu dem zweiten Abschnitt (53) vergrößert, und
- die erste und die zweite Leitung (31, 32) je eine erste Windung (40) bilden, und
- wobei der Koppler eine Dielektrikumsschicht (82) umfasst, die zwischen der ersten und der zweiten Leitung (31, 32) angeordnet ist und eine erste Dicke (T1) in dem ersten Abschnitt (42) und eine zweite Dicke (T2) in dem zweiten Abschnitt (53) aufweist und die zweite Dicke (T2) größer als die erste Dicke (T1) ist.
- eine erste Leitung (31), die in einer ersten Metallschicht angeordnet ist,
- eine zweite Leitung (32), in einer zweiten Metallschicht angeordnet ist,
- einen ersten Kondensator (22), der in einem ersten Abschnitt (42) angeordnet ist, wobei
- die zweite Leitung (32) breitseitig an die erste Leitung (31) in dem ersten und einem zweiten Abschnitt (42, 53) gekoppelt ist,
- die erste Leitung (31) elektrisch an eine erste Elektrode des ersten Kondensators (22) angeschlossen ist oder ein Abschnitt der ersten Leitung (31) die erste Elektrode des ersten Kondensators (22) bildet; und
- die zweite Leitung (32) elektrisch an eine zweite Elektrode des ersten Kondensators (22) angeschlossen ist oder ein Abschnitt der zweiten Leitung (32) die zweite Elektrode des ersten Kondensators (22) bildet,
- wobei der Kondensator die Kapazität zwischen der ersten und der zweiten Leitung (31, 32) pro Längeneinheit der ersten Leitung (31) in dem ersten Abschnitt (42) im Vergleich zu dem zweiten Abschnitt (53) vergrößert, und
- die erste und die zweite Leitung (31, 32) je eine erste Windung (40) bilden, und
- wobei der Koppler eine Dielektrikumsschicht (82) umfasst, die zwischen der ersten und der zweiten Leitung (31, 32) angeordnet ist und eine erste Dicke (T1) in dem ersten Abschnitt (42) und eine zweite Dicke (T2) in dem zweiten Abschnitt (53) aufweist und die zweite Dicke (T2) größer als die erste Dicke (T1) ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Koppler und eine Verstärkeranordnung.
- Ein Koppler umfasst ein Paar gekoppelter Leitungen. Hochfrequenzsignale werden oftmals an den Koppler geliefert. Somit bewirken die beiden Leitungen eine kapazitive oder eine induktive Kopplung der Hochfrequenzsignale.
- Die Dokumente
US 2002/0175775 A1 US 6 407 647 B1 undUS 6 639 490 B2 beschreiben Spiralkoppler. Die DokumenteUS 5 313 175 A ,US 7 034 633 B2 undUS 7 336 142 B2 zeigen Koppler, die zwei Leitungen umfassen, wobei eine kapazitive Kopplung zwischen den beiden Leitungen erreicht wird. Diese Koppler erfordern eine große Fläche auf einem Substrat. -
US 6 515 556 B1 offenbart eine Hochfrequenzkomponente unter Verwendung einer kleinen Kopplungsverbindung, welche fähig ist zum einfachen Einstellen einer elektrischen Charakteristik.US 5 497 137 A offenbart einen Transformator mit einem Laminat mit dielektrischen Substraten.EP 1 796 204 A1 offenbart einen Hochfrequenzkoppler mit ersten und zweiten Kopplungsmustern. - Eine Aufgabe der Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Kopplers und einer Verstärkeranordnung, die auf einem Substrat nur eine kleine Fläche erfordern.
- Diese Aufgabe wird durch einen Koppler nach Anspruch 1 und eine Verstärkeranordnung nach Anspruch 14 gelöst. Ausführungsformen des Kopplers sind in abhängigen Ansprüchen angegeben.
- Ein Koppler umfasst eine erste Leitung und eine zweite Leitung. Die erste und zweite Leitung sind in einem ersten und einem zweiten Abschnitt breitseitig gekoppelt. Die erste und die zweite Leitung bilden eine erste Windung. Die Kapazität zwischen der ersten und der zweiten Leitung pro Längeneinheit der ersten Leitung ist im Vergleich zu dem zweiten Abschnitt größer in dem ersten Abschnitt.
- Ein Vorteil des Kopplers besteht darin, dass sowohl eine induktive Kopplung als auch eine kapazitive Kopplung erreicht werden, so dass nur eine kleine Fläche auf einem Substrat erforderlich ist. Die kapazitive Kopplung wird durch breitseitige Orientierung der ersten Leitung an der zweiten Leitung bereitgestellt. Weiterhin ist die kapazitive Kopplung in den Abschnitten der ersten und zweiten Leitung verschieden. Die kapazitive Kopplung ist im Vergleich zu dem zweiten Abschnitt in dem ersten Abschnitt vergrößert.
- Bei einer Ausführungsform wird die breitseitige Kopplung der ersten Leitung an die zweite Leitung durch eine vertikale Einstellung der ersten Leitung zu der zweiten Leitung realisiert. Somit ist die Kapazität zwischen der ersten Leitung und der zweiten Leitung pro Längeneinheit der ersten Leitung gleich der Kapazität zwischen der ersten und der zweiten Leitung pro Längeneinheit der zweiten Leitung.
- Bei einer Ausführungsform befindet sich der erste Abschnitt innerhalb der ersten Windung. Somit umfasst ein Abschnitt der ersten Leitung, die die erste Windung bildet, den ersten Abschnitt oder mindestens einen Teil des ersten Abschnitts. Die vergrößerte Kapazität wird vorteilhafterweise innerhalb des Umrisses der ersten und der zweiten Leitung der ersten Windung realisiert.
- Bei einer Ausführungsform umfasst der Koppler einen ersten Kondensator. Der erste Kondensator vergrößert die Kapazität zwischen der ersten und der zweiten Leitung pro Längeneinheit in dem ersten Abschnitt im Vergleich zu dem zweiten Abschnitt. Die erste Leitung kann elektrisch an eine erste Elektrode des ersten Kondensators angeschlossen sein. Die zweite Leitung kann elektrisch an eine zweite Elektrode des ersten Kondensators angeschlossen sein. Der erste Kondensator kann als ein Parallelplattenkondensator oder ein Interdigital-Kondensator realisiert sein.
- Der Koppler umfasst eine Dielektrikumsschicht, die zwischen der ersten und der zweiten Leitung angeordnet ist.
- Bei einer Ausführungsform ist die Dicke der Dielektrikumsschicht in dem ersten Abschnitt gleich der Dicke der Dielektrikumsschicht in dem zweiten Abschnitt. Die erste Leitung und die zweite Leitung weisen eine erste Breite in dem ersten Abschnitt auf. Die erste Leitung und die zweite Leitung weisen eine Leitungsbreite in dem zweiten Abschnitt auf. Die erste Breite kann größer sein als die Leitungsbreite. Somit wird die Kapazität pro Längeneinheit der ersten Leitung durch die größere Breite der ersten und der zweiten Leitung in dem ersten Abschnitt im Vergleich zu dem zweiten Abschnitt vergrößert.
- Bei einer alternativen Ausführungsform weist die Dielektrikumsschicht eine erste Dicke in dem ersten Abschnitt und eine zweite Dicke in dem zweiten Abschnitt auf. Die zweite Dicke ist größer als die erste Dicke. Somit wird eine höhere Kapazität pro Längeneinheit der ersten Leitung durch die geringere Dicke der Dielektrikumsschicht in dem ersten Abschnitt im Vergleich zu dem zweiten Abschnitt erreicht. Der erste Kondensator kann als ein Parallelplattenkondensator realisiert sein. Ein Abschnitt der ersten Leitung kann die erste Elektrode des ersten Kondensators bilden. Ein Abschnitt der zweiten Leitung kann die zweite Elektrode des ersten Kondensators bilden. Alternativ ist mindestens eine der ersten und der zweiten Leitung mit Hilfe einer Verbindungsleitung oder eines Via an die entsprechende Elektrode des ersten Kondensators angeschlossen.
- Die erste Windung kann als eine Spirale oder eine Wicklung implementiert werden. Die erste Windung kann einen Winkel von mehr als 360 Grad abdecken. Die erste Leitung der ersten Windung kann als eine Primärwicklung implementiert werden, und die zweite Leitung der ersten Windung kann als eine Sekundärwicklung implementiert werden. Die Primärwicklung und die Sekundärwicklung können gekoppelt sein. Sie können phasengleich oder nichtphasengleich gekoppelt sein. Die erste Windung kann eine erste Kreuzung umfassen.
- Bei einer Ausführungsform umfasst der Koppler eine erste und zweite Metallschicht. Die erste Leitung ist in der ersten Metallschicht mit der Ausnahme der ersten Kreuzung angeordnet. Entsprechend ist die zweite Leitung in der zweiten Metallschicht mit der Ausnahme der ersten Kreuzung angeordnet. Somit ist die erste Leitung in mehr als der Hälfte der ersten Windung in der ersten Metallschicht angeordnet. Die zweite Leitung ist in mehr als der Hälfte der ersten Windung in der zweiten Metallschicht angeordnet.
- Bei einer ersten Ausführungsform umfasst die erste Kreuzung Leitungsabschnitte und Vias, die sich in der ersten und der zweiten Metallschicht und zwischen der ersten bzw. der zweiten Metallschicht befinden.
- Bei einer Ausführungsform befinden sich die Leitungsabschnitte und die Vias, die die erste Kreuzung bilden, in der ersten und der zweiten Metallschicht sowie zwischen der ersten bzw. der zweiten Metallschicht. Die Leitungsabschnitte, die die erste Kreuzung bilden, können sich in der ersten bzw. der zweiten Metallschicht befinden. Die Vias, die die erste Kreuzung bilden, befinden sich zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht.
- Bei einer Weiterentwicklung befinden sich alle Leitungsabschnitte und alle Vias, die zum Ausbilden der ersten Kreuzung erforderlich sind, in der ersten und der zweiten Metallschicht sowie zwischen der ersten bzw. der zweiten Metallschicht.
- Vorteilhafterweise ist eine dritte Metallschicht oder ein Bonddraht zum Ausbilden der ersten Kreuzung nicht erforderlich. Dies führt zu einer kompakten Realisierung der ersten Kreuzung mit hoher Kosteneffizienz.
- Die erste Kreuzung ist eine horizontale Kreuzung. Somit kann die erste Kreuzung in einer Draufsicht auf den Koppler gesehen werden. Der Koppler ist auf einer Oberfläche eines Substrats angeordnet. Das Substrat kann ein Träger sein. Die erste Kreuzung ist in einer Projektion auf die Oberfläche des Substrats sichtbar. Die erste Kreuzung umfasst einen ersten, einen zweiten, einen dritten und einen vierten Arm. Der erste, der zweite, der dritte und der vierte Arm sind in der Projektion äuf die Oberfläche des Substrats sichtbar. Der dritte Arm befindet sich gegenüber dem ersten Arm. Der vierte Arm befindet sich gegenüber dem zweiten Arm. Jeder der vier Arme umfasst einen Leitungsabschnitt der ersten Leitung und einen Leitungsabschnitt der zweiten Leitung. Der erste Arm und der zweite Arm schließen einen Winkel von 90° ein. Der erste Arm und der vierte Arm schließen ebenfalls einen Winkel von 90° ein. Weiterhin schließen der zweite Arm und der dritte Arm einen Winkel von 90° ein. Folglich schließen der dritte Arm und der vierte Arm einen Winkel von 90° in der Projektion auf die Oberfläche des Substrats ein. Die Länge jedes der Arme ist kleiner als ein Viertel der ersten Windung.
- Bei einer Ausführungsform ist die erste Leitung an einem Ende des ersten Arms und an einem Ende des zweiten Arms in der ersten Metallschicht angeordnet und ist die zweite Leitung in der zweiten Metallschicht angeordnet. In dem ersten Arm befindet sich die erste Leitung in der ersten Metallschicht und die zweite Leitung wechselt von der zweiten Metallschicht zu der ersten Metallschicht. Im Gegensatz dazu wechselt die erste Leitung im zweiten Arm von der ersten Metallschicht zu der zweiten Metallschicht, und die zweite Leitung befindet sich in der zweiten Metallschicht. Somit befinden sich ein Leitungsabschnitt der ersten Leitung und ein Leitungsabschnitt der zweiten Leitung in der ersten Metallschicht in der Mitte der Kreuzung. Zudem befinden sich ein Leitungsabschnitt der ersten Leitung und ein Leitungsabschnitt der zweiten Leitung in der zweiten Metallschicht in der Mitte der ersten Kreuzung.
- Bei einer weiteren Ausführungsform bilden die erste und die zweite Leitung eine zweite Windung. Die zweite Windung ist von der ersten Windung getrennt. Die zweite Windung befindet sich unter der ersten Windung. Die zweite Windung befindet sich seitlich von der ersten Windung in der Projektion auf die Oberfläche des Substrats.
- Die zweite Windung kann eine zweite Kreuzung aufweisen. Die zweite Kreuzung kann in der Projektion auf die Oberfläche des Substrats eine horizontale Kreuzung sein.
- In einer Entwicklung umfasst die zweite Windung einen dritten Abschnitt, so dass die Kapazität zwischen der ersten und der zweiten Leitung pro Längeneinheit der ersten Leitung in dem dritten Abschnitt im Vergleich zu dem zweiten Abschnitt größer ist. Der dritte Abschnitt kann so wie der erste Abschnitt realisiert sein. Ein zweiter Kondensator wird mit Hilfe des dritten Abschnitts realisiert. Der erste und der zweite Kondensator können chipintegrierte Kondensatoren sein.
- Bei einer Ausführungsform ist die erste Leitung in mehr als der Hälfte der zweiten Windung in der zweiten Metallschicht angeordnet und ist die zweite Leitung in mehr als der Hälfte der zweiten Windung in der ersten Metallschicht angeordnet.
- Bei einer Ausführungsform umfasst eine Verstärkeranordnung einen ersten und einen zweiten Koppler sowie einen ersten und einen zweiten Verstärker. Mindestens einer des ersten und des zweiten Kopplers ist als der oben beschriebene Koppler implementiert. Der erste Koppler koppelt einen Eingang der Verstärkeranordnung an einen Eingang des ersten Verstärkers und an einen Eingang des zweiten Verstärkers. Der zweite Koppler koppelt einen Ausgang des ersten Verstärkers und einen Ausgang des zweiten Verstärkers an einen Ausgang der Verstärkeranordnung.
- Die Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Ausführungsformen und die betreffenden Figuren ausführlicher beschrieben. Einrichtungen und Strukturen mit dem gleichen Effekt sind mit gleichen Bezugszahlen bezeichnet. Eine Beschreibung eines Teils einer Schaltung oder einer Einrichtung oder einer Struktur mit der gleichen Funktion in verschiedenen Figuren wird in jeder der folgenden Figuren wiederholt.
-
1A bis1D zeigen Schaltungsdiagramme von beispielhaften Kopplern gemäß der Erfindung; -
2A bis2D zeigen Draufsichten und einen Querschnitt eines beispielhaften Kopplers gemäß der Erfindung; -
3A und3B zeigen Kondensatoren eines erfindungsgemäßen Kopplers gemäß der Erfindung; -
4 zeigt eine beispielhafte Verstärkeranordnung gemäß der Erfindung und -
5A bis5G zeigen beispielhafte Simulationsergebnisse eines Kopplers gemäß der Erfindung. -
1A zeigt einen beispielhaften Schaltplan eines als Leistungskombinierer verwendeten Kopplers. Der Koppler10 umfasst einen ersten, einen zweiten, einen dritten und einen vierten Anschluss11 bis14 . Ein Anschluss kann auch als ein Port oder Endpunkt bezeichnet werden. Der erste Anschluss11 und der dritte Anschluss13 sind als Eingangsanschlüsse implementiert. Der zweite Anschluss12 und der vierte Anschluss14 sind als Ausgangs- oder isolierte Anschlüsse implementiert. Der erste, der zweite, der dritte und der vierte Anschluss11 bis14 weisen eine erste, eine zweite, eine dritte und eine vierte charakteristische Impedanz17 , 18, 19, 16 jeweils zu dem Referenzpotentialanschluss15 auf. - Ein erstes Eingangssignal
SIN1 wird an den ersten Anschluss 11 geliefert, und ein zweites EingangssignalSIN2 wird an den dritten Anschluss13 angelegt. Das zweite EingangssignalSIN2 ist so bezeichnet, dass das zweite EingangssignalSIN2 eine Phasenbeziehung von 90° in Beziehung zu dem ersten EingangssignalSIN1 aufweist. Ein AusgangssignalSOUT wird von dem Koppler10 an dem zweiten Anschluss12 generiert. - Der Koppler
10 ist als ein Vier-Anschluss-Hybrid implementiert. Der Koppler10 ist als ein Leistungskombinierer oder als ein Leistungsteiler realisiert. -
1B zeigt einen weiteren beispielhaften Schaltplan des als Leistungsteiler verwendeten Kopplers. Der Koppler10' von1B ist eine Weiterentwicklung des in1A gezeigten Kopplers10 . Der Koppler10' umfasst den ersten, den zweiten, den dritten und den vierten Anschluss11 bis14 . Ein Anschluss kann auch als ein Port oder als ein Endpunkt bezeichnet werden. Der erste Anschluss11 und der dritte Anschluss13 sind als Ausgangsanschlüsse implementiert. Der zweite Anschluss12 und der vierte Anschluss14 sind als Eingangs- oder isolierte Anschlüsse implementiert. Der erste, der zweite, der dritte und der vierte Anschluss11 bis14 weisen eine erste, eine zweite, eine dritte und eine vierte charakteristische Impedanz17 ,18 ,19 ,16 jeweils zu dem Referenzpotentialanschluss15 auf. - Ein Eingangssignal
SIN wird an den zweiten Anschluss12 geliefert. Ein erstes und ein zweites AusgangssignalSOUT1 , SOUT2 werden von dem Koppler10' an dem ersten Anschluss11 und dem dritten Anschluss13 generiert. Falls ein Testsignal an den zweiten Anschluss12 als das EingangssignalSIN angelegt wird, weist das erste AusgangssignalSOUT1 eine 90°-Phasenbeziehung zu dem zweiten AusgangssignalSOUT2 auf.1C zeigt einen weiteren Schaltplan eines beispielhaften Kopplers, der eine Weiterentwicklung des in1A und1B gezeigten Kopplers10 ist. Eine erste Induktionsspule20 koppelt den ersten Anschluss11 an den vierten Anschluss14 . Eine zweite Induktionsspule21 koppelt den zweiten Anschluss 12 an den dritten Anschluss13 . Die erste und die zweite Induktionsspule20 ,21 sind als konzentrierte Induktionsspulen mit einem hohen gegenseitigen Koppelkoeffizienten implementiert. Ein erster Kondensator22 koppelt den ersten Anschluss11 an den zweiten Anschluss12 . Entsprechend koppelt ein zweiter Kondensator23 den vierten Anschluss14 an den dritten Anschluss13 . Der Induktivitätswert der ersten Induktionsspule20 ist gleich dem Induktivitätswert der zweiten Induktionsspule21 . Der Kapazitätswert des ersten Kondensators22 ist gleich dem Kapazitätswert des zweiten Kondensators23 . Ein dritter Kondensator24 koppelt den ersten Anschluss11 an den Referenzpotentialanschluss15 . Analog koppeln ein vierter, ein fünfter und ein sechster Kondensator25 ,26 ,27 den zweiten, den dritten und den vierten Anschluss12 ,13 ,14 jeweils an den Referenzpotentialanschluss15 . Die Kapazitätswerte des dritten, des vierten, des fünften und des sechsten Kondensators24 bis27 sind gleich. Gemäß1A und1B sind der erste und der dritte Anschluss11 ,13 als Eingangs- oder Ausgangsanschlüsse realisiert. Der zweite Anschluss12 kann als ein Anschluss aus einer Gruppe realisiert sein, die einen Eintakt-Ausgangsanschluss, einen Eintakt-Eingangsanschluss oder einen isolierten Anschluss umfasst. Analog kann der vierte Anschluss14 als ein Anschluss aus einer Gruppe implementiert sein, die einen Eintakt-Ausgangsanschluss, einen Eintakt-Eingangsanschluss oder einen isolierten Anschluss umfasst. Der die erste und zweite Induktionsspule20 ,21 und den ersten und den zweiten Kondensator22 ,23 umfassende Koppler 10 wird von einer ersten und einer zweiten Leitung31 ,32 realisiert. Die erste und die zweite Leitung31 ,32 sind breitseitig gekoppelt. Die erste und die zweite Leitung31 , 32 sind vertikal ausgerichtete Leitungen. Die erste und die zweite Leitung31 ,32 sind als Übertragungsleitung realisiert. Die erste und die zweite Leitung31 ,32 sind gefaltet. Die erste Leitung31 koppelt den ersten Anschluss 11 an den vierten Anschluss14 . Die zweite Leitung32 koppelt den zweiten Anschluss12 an den dritten Anschluss13 . - Da der Koppler
10 als eine eng gekoppelte Struktur implementiert ist, kann vorteilhafterweise ein niedriger Verlust erreicht werden. Der Induktanzwert L der ersten und der zweiten Induktionsspule20 ,21 , die gegenseitige Induktanz M zwischen der ersten und der zweiten Leitung31 , 32, der Kapazitätswert Cc des ersten und des zweiten Kondensators22 ,23 und der Kapazitätswert Cp des dritten, vierten, fünften und sechsten Kondensators24 bis27 können gemäß den folgenden Gleichungen berechnet werden: -
1D zeigt einen Schaltplan eines beispielhaften Kopplers 10, der eine Weiterentwicklung des in1A bis1C gezeigten Kopplers10 ist. Die erste und die zweite Leitung 31, 32 sind als Streifenleitungen implementiert. Somit sind die erste und die zweite Leitung31 ,32 gefaltete breitseitige gekoppelte Streifenleitungen. Deshalb kann ein Wert eines gegenseitigen Induktionsspulenkoppelkoeffizienten k ≈ 1 erreicht werden. Falls die erwünschte Phasenverschiebung θ = 90° beträgt, können die oben beschriebenen Gleichungen auf die folgenden Gleichungen vereinfacht werden:17 ,18 ,19 , 16 den Wert Z0. Der Koppler10 wird durch eine Chiptechnologie realisiert. Der Koppler10 kann auf einem Chip integriert sein. Es ist ein Vorteil der Chiptechnologie, dass eng breitseitige gekoppelte Streifenleitungen realisiert werden können. Die erste und die zweite Induktionsspule20 , 21 können auf einem Substrat80 realisiert werden. Zudem können der erste und der zweite Kondensator22 ,23 als Metall-Isolator-Metall-Kondensatoren, MIM-Kondensatoren, implementiert werden. Die Elektroden der MIM-Kondensatoren werden von einer ersten und einer zweiten Metallschicht43 , 48 geliefert. Alternativ werden die Elektroden der MIM-Kondensatoren zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht43 ,48 platziert. Diese Anordnung der Induktionsspulen20 ,21 und Kondensatoren22 ,23 erfordert auf dem Substrat80 nur eine kleine Fläche. - Bei einer alternativen Ausführungsform umfasst der Koppler
10 nicht den dritten, vierten, fünften und sechsten Kondensator 24 bis 27. Diese vier Kondensatoren24 bis27 entfallen und werden durch offene Kreise ersetzt. -
2A zeigt eine Draufsicht auf einen beispielhaften Koppler, der eine Weiterentwicklung des in1A bis1D gezeigten Kopplers10 ist. Die erste Leitung und die zweite Leitung31 ,32 sind breitseitig gekoppelt. In den2A bis2C befinden sich der dritte und der vierte Anschluss13 , 14 auf der linken Seite, und der erste und der zweite Anschluss11 ,12 befinden sich auf der rechten Seite.2A zeigt eine Projektion auf eine Oberfläche des Substrats 80. In der Projektion ist die zweite Metallschicht43 gezeigt. Die erste Metallschicht48 befindet sich zwischen der zweiten Metallschicht43 und der Oberfläche des Substrats 80. Die zweite Metallschicht43 kann auch als eine obere Metallisierungsschicht bezeichnet werden, und die erste Metallschicht48 kann als eine untere Metallisierungsschicht bezeichnet werden. Somit ist die obere der ersten und der zweiten Leitung31 ,32 in der Draufsicht von2A zu sehen. Der Koppler10 umfasst eine erste Windung40 auf der linken Seite. Die erste Windung40 umfasst eine erste Kreuzung41 . Weiterhin umfasst die erste Leitung31 einen ersten Abschnitt42 für die Realisierung eines ersten Kondensators22 und einen zweiten Abschnitt53 . Der erste Abschnitt42 besteht aus der ersten Windung40 . Die erste Windung40 deckt einen Winkel von über 360° ab. Die zweite Leitung32 ist in der zweiten Metallschicht43 in den meisten Teilen der ersten Windung40 angeordnet. Der dritte Anschluss 13 befindet sich in der zweiten Metallschicht43 . Ein erster Abstimmkondensator44 koppelt den dritten Anschluss13 an den vierten Anschluss14 . Der erste Abstimmkondensator44 befindet sich nahe bei dem dritten und dem vierten Anschluss 13, 14. - Zudem umfasst der Koppler
10 eine zweite Windung45 . Die zweite Windung45 ist neben der ersten Windung40 angeordnet. In der Projektion auf die Oberfläche des Substrats80 , in2A gezeigt, sind die zweite Windung45 und die erste Windung40 Seite an Seite angeordnet. Die zweite Windung45 umfasst eine zweite Kreuzung46 . Die zweite Kreuzung46 befindet sich bei der ersten Kreuzung41 . Somit bilden die erste und die zweite Kreuzung41 ,46 eine Doppelkreuzung. Die erste Leitung31 bildet den größten Teil der zweiten Windung 45. Außerdem umfasst der Koppler10 einen dritten Abschnitt 47 für die Realisierung des zweiten Kondensators23 . Der dritte Abschnitt47 befindet sich in der zweiten Windung45 . Der Koppler10 umfasst einen zweiten Abstimmkondensator49 . Der zweite Abstimmkondensator49 koppelt den ersten Anschluss 11 an den zweiten Anschluss12 . Der erste und der zweite Kondensator22 ,23 befinden sich zwischen der zweiten Metallschicht43 und der ersten Metallschicht48 . - Außerdem umfasst der Koppler
10 einen dritten Abstimmkondensator50 . Der Koppler10 umfasst ein erstes und ein zweites Via51 ,52 . Das erste Via51 verbindet die zweite Metallschicht43 mit einer weiteren Oberfläche des Substrats 80. Die weitere Oberfläche ist die Rückseite des Substrats 80. Das zweite Via52 verbindet die erste Metallschicht48 mit der weiteren Oberfläche. Die erste und die zweite Leitung 31, 32 umfassen rechteckige Leitungsabschnitte. Die erste und die zweite Windung40 ,45 erhalten eine Drehung im Uhrzeigersinn. - Die zweite Leitung
32 weist die LeitungsbreiteD auf. Die DistanzDD zwischen verschiedenen Leitungsabschnitten der zweiten Leitung32 der ersten Windung40 ist die Mindestdistanz gemäß einer Menge von Designregeln für die Herstellung des Kopplers10 . Somit erfordert die erste Windung40 nur einen kleinen Raum auf dem Substrat80 . Vorteilhafterweise erfordert der Koppler10 keine zusätzliche Fläche für die Realisierung des ersten und des zweiten Kondensators22 ,23 . - In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform umfassen die erste und die zweite Leitung
31 ,32 abgerundete Leitungsabschnitte. - In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist nur eine Windung der ersten und der zweiten Windung
40 ,45 eine Drehung im Uhrzeigersinn auf, und die weitere Windung der ersten und der zweiten Windung40 ,45 weist eine Drehung entgegen dem Uhrzeigersinn auf. Alternativ weist die erste und die zweite Windung40 ,45 eine Drehung entgegen dem Uhrzeigersinn auf. -
2B zeigt eine Draufsicht auf die erste Metallschicht48 des in2A gezeigten Kopplers10 . In mehr als der Hälfte der ersten Windung40 ist die erste Leitung31 in der ersten Metallschicht48 angeordnet. Die erste Kreuzung41 weist einen ersten, einen zweiten, einen dritten und einen vierten Arm61 bis64 auf. Der dritte Arm63 befindet sich gegenüber dem ersten Arm61 . Dementsprechend befindet sich der vierte Arm64 gegenüber dem zweiten Arm62 . Der dritte Arm63 erstreckt sich in der x-Richtung, wohingegen sich der erste Arm61 in der -x-Richtung erstreckt. Der zweite Arm62 erstreckt sich in der y-Richtung, und der vierte Arm64 erstreckt sich in der -y-Richtung. In dem ersten Arm61 ist die erste Leitung31 in der ersten Metallschicht48 angeordnet, und die zweite Leitung32 wechselt von der zweiten Metallschicht43 über ein erstes Via65 zu der ersten Metallschicht48 . In dem zweiten Arm62 wechselt die erste Leitung31 von der ersten Metallschicht48 über ein zweites Via66 zu der zweiten Metallschicht43 . Im dritten Arm63 befinden sich die erste und die zweite Leitung31 ,32 in der ersten Metallschicht48 . In dem vierten Arm64 wechselt die erste Leitung31 von der zweiten Metallschicht43 über ein drittes Via67 zu der ersten Metallschicht48 . - Die zweite Kreuzung
46 umfasst ebenfalls vier Arme63 ,69 , 70, 71. Der erste Arm der zweiten Kreuzung46 ist gleich dem dritten Arm63 der ersten Kreuzung40 . Ein dritter Arm70 der zweiten Kreuzung46 befindet sich gegenüber dem ersten Arm63 der zweiten Kreuzung46 . Ein zweiter Arm69 der zweiten Kreuzung46 befindet sich gegenüber einem vierten Arm71 der zweiten Kreuzung46 . Der erste Arm63 der zweiten Kreuzung46 erstreckt sich, von der zweiten Kreuzung46 aus gesehen, in der -x-Richtung. Der dritte Arm70 erstreckt sich in der x-Richtung der zweiten Kreuzung46 . Der zweite Arm69 erstreckt sich in der y-Richtung von der zweiten Kreuzung46 , und der vierte Arm71 erstreckt sich in der -y-Richtung von der zweiten Kreuzung46 . In dem ersten Arm63 der zweiten Kreuzung46 sind die erste und die zweite Metallleitung31 , 32 in der ersten Metallschicht48 angeordnet. In dem dritten Arm70 der zweiten Kreuzung46 wechselt die erste Leitung31 von der ersten Metallschicht48 über ein viertes Via72 zur zweiten Metallschicht43 . Die zweite Leitung32 ist in dem dritten Arm70 der zweiten Kreuzung46 in der ersten Metallschicht48 angeordnet. In dem vierten Arm71 der zweiten Kreuzung46 wechselt die zweite Leitung32 über ein fünftes Via73 von der ersten Metallschicht48 zu der zweiten Metallschicht43 . In dem zweiten Arm69 der zweiten Kreuzung 46 wechselt die zweite Leitung32 über ein sechstes Via74 von der zweiten Metallschicht43 zu der ersten Metallschicht 48. - Auf der linken Seite umfasst die erste Leitung
31 den vierten Anschluss14 des Kopplers10 . Auf der rechten Seite umfasst die zweite Leitung32 den zweiten Anschluss12 des Kopplers 10. -
2C zeigt die zweite Metallschicht43 des in2A und2B gezeigten Kopplers10 . Die zweite Leitung32 befindet sich in mehr als der Hälfte der ersten Windung40 in der zweiten Metallschicht43 . Die erste Leitung31 weist ein siebtes Via68 im ersten Arm61 der ersten Kreuzung40 auf. Keine Leitungsabschnitte sind mit dem siebten Via68 in der zweiten Metallschicht43 verbunden. Mit Hilfe des siebten Vias68 wird eine bessere Symmetrie des Kopplers10 erreicht. In dem zweiten und dem vierten Arm62 ,64 der ersten Windung 40 befindet sich die zweite Leitung32 , und die erste Leitung 31 wechselt mit Hilfe des zweiten und des dritten Via66 ,67 von der ersten Metallschicht48 zu der zweiten Metallschicht 43. In dem zweiten und dem vierten Arm62 ,64 der ersten Windung40 weist die erste Leitung31 in der zweiten Metallschicht43 einen dritten Leitungsabschnitt78 auf. Die zweite Leitung32 weist eine LeitungsbreiteD in mehr als der Hälfte der ersten Windung40 und in dem zweiten und dem vierten Arm62 ,64 der ersten Windung40 auf. Im Gegensatz dazu weist die erste Leitung31 eine kleine LeitungsbreiteDS in dem zweiten und dem vierten Arm62 ,64 auf. Die kleine LeitungsbreiteDS ist kleiner als die LeitungsbreiteD . - In mehr als der Hälfte der zweiten Windung
45 befindet sich die erste Leitung31 in der zweiten Metallschicht43 . Die erste Leitung31 weist ebenfalls die LeitungsbreiteD in mehr als der Hälfte der zweiten Windung45 auf. Die erste Leitung 31 weist die LeitungsbreiteD in dem zweiten und dem vierten Arm69 ,71 der zweiten Kreuzung46 auf. In dem zweiten und dem vierten Arm69 ,71 der zweiten Kreuzung45 ist die erste Leitung31 in der zweiten Metallschicht43 angeordnet, und die zweite Leitung32 umfasst ein vierter Leitungsabschnitt 79 in der zweiten Metallschicht43 . In dem dritten Arm70 befindet sich ein achtes Via75 , das durch die zweite Leitung 32 angeschlossen ist. Kein Leitungsabschnitt ist mit dem achten Via75 in der zweiten Metallschicht43 verbunden. Auf der linken Seite umfasst die zweite Leitung32 den dritten Anschluss13 . Auf der rechten Seite umfasst die erste Leitung 31 den ersten Anschluss11 . Die erste Leitung31 und die zweite Leitung32 weisen die gleiche gefaltete Struktur mit Ausnahme der ersten und zweiten Kreuzung41 ,46 auf. - Es ist ein Vorteil des Kopplers
10 , dass die erste und die zweite Kreuzung41 ,46 nur Leitungsabschnitte in der ersten und der zweiten Metallschicht43 ,48 und das erste bis sechste Via65 ,66 ,67 ,72 ,73 ,74 zwischen der ersten Metallschicht48 und der zweiten Metallschicht43 umfassen. Es sind keine Bonddrähte erforderlich, um die erste und die zweite Kreuzung41 ,46 zu realisieren. Weiterhin ist eine dritte oder vierte Metallschicht nicht für die Implementierung der ersten und der zweiten Kreuzung41 ,46 erforderlich. Die Induktionsspulen20 ,21 werden nicht als eine drahtgewickelte oder Luftspule realisiert. Der Koppler 10 erhält einen niedrigen Verlust. - Bei einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform umfasst der Koppler
10 die erste Windung40 , aber nicht die zweite Windung45 . Alternativ umfasst der Koppler10 mehr als zwei Windungen. -
2D zeigt einen Querschnitt des Kopplers10 an der Linie AA' von2A . Der Koppler10 ist auf dem Substrat80 abgeschieden. Das Substrat80 ist ein Halbleitersubstrat auf einer gedruckten Leiterplatte oder einer Keramik. Die Keramik kann eine Dünnschichtkeramik oder eine Feinleitungskeramik sein. Eine untere Dielektrikumsschicht81 befindet sich auf dem Substrat80 . Die erste Metallschicht48 befindet sich auf der unteren Dielektrikumsschicht81 . Eine Dielektrikumsschicht82 ist auf der ersten Metallschicht48 angeordnet. Die zweite Metallschicht43 befindet sich auf der Dielektrikumsschicht82 . Eine obere Dielektrikumsschicht83 ist auf der zweiten Metallschicht43 angeordnet. In dem Querschnitt A-A' umfasst die erste Metallschicht48 Leitungsabschnitte der ersten Leitung31 , und die zweite Metallschicht43 umfasst Leitungsabschnitte der zweiten Leitung32 . Die Dielektrikumsschicht82 weist eine zweite DickeT2 zwischen der ersten Metallschicht48 und der zweiten Metallschicht43 in dem zweiten Abschnitt53 auf. Die zweite DickeT2 kann 200 nm betragen. Der zweite Abschnitt53 umfasst die erste und zweite Leitung31 ,32 mit der Ausnahme des ersten und des dritten Abschnitts42 ,47 . In dem ersten Abschnitt42 weist die Dielektrikumsschicht82 eine erste DickeT1 auf. Die erste DickeT1 ist kleiner als die zweite DickeT2 . Die erste DickeT1 kann 50 nm betragen. Die Dielektrikumsschicht82 in dem ersten Abschnitt42 kann Siliziumdioxid umfassen. Deshalb ist die Kopplung zwischen der ersten und der zweiten Leitung31 ,32 pro Längeneinheit höher in dem ersten Abschnitt42 im Vergleich zum zweiten Abschnitt53 . Der dritte Abschnitt47 wird wie der erste Abschnitt42 hergestellt. Der zweite Kondensator23 wird wie der erste Kondensator22 realisiert. Weiterhin werden auch der erste, der zweite und der dritte Abstimmkondensator44 , 49, 50 mit Hilfe von Bereichen implementiert, wobei die Dielektrikumsschicht82 die erste DickeT1 aufweist. - Der erste und der zweite Kondensator
22 ,23 und die drei Abstimmkondensatoren44 ,49 ,50 sind vorteilhafterweise zwischen der ersten und der zweiten Leitung31 ,32 realisiert und auch als vergrabene chipinterne Kondensatoren realisiert. Somit ist auf dem Substrat80 kein zusätzlicher Raum für die Realisierung dieser Kondensatoren erforderlich. Weiterhin werden keine Kontaktbereiche für Verbindungen zu externen Kondensatoren benötigt. -
3A zeigt ein alternatives Ausführungsbeispiel des ersten Kondensators22 , der in dem in1A bis1D und2A bis2D gezeigten Koppler10 verwendet werden kann. Der zweite Kondensator23 und der erste, der zweite und der dritte Abstimmkondensator44 ,49 ,50 können ebenfalls wie der erste Kondensator22 von3A implementiert werden. Der erste Kondensator22 wird als ein Interdigital-Kondensator91 realisiert. Der Koppler10 umfasst eine dritte Metallschicht 90. Der Interdigital-Kondensator91 ist in der dritten Metallschicht90 angeordnet.3A zeigt eine Draufsicht auf die dritte Metallschicht90 und einen Querschnitt. Der Interdigital-Kondensator91 umfasst eine erste Anzahl N erster Elektroden92 , die an die erste Leitung31 angeschlossen sind, und eine zweite Anzahl M zweiter Elektroden93 , die an die zweite Leitung32 angeschlossen sind. Vias werden für die Verbindung der ersten Elektroden92 zu der ersten Leitung31 und der zweiten Elektroden93 zu der zweiten Leitung32 verwendet. Die ersten und die zweiten Elektroden91 ,93 sind mit Hilfe von Dielektrikumsschichten von der ersten und der zweiten Leitung31 ,32 getrennt. Die erste Anzahl N der ersten Elektroden92 besitzt keinen elektrischen Kontakt zu der zweiten Anzahl M der zweiten Elektroden93 . Die ersten und die zweiten Elektroden92 ,93 sind derart realisiert, dass es zu keinem Kurzschluss zwischen einer ersten Elektrode92 der ersten Anzahl N und einer zweiten Elektrode93 der zweiten Anzahl M kommt. Der Interdigital-Kondensator91 ist ein vergrabener chipinterner Kondensator. -
3B zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des ersten Kondensators22 , der in dem in1A bis1D und2A bis2D gezeigten Koppler10 verwendet werden kann. Der zweite Kondensator23 kann ebenfalls wie der erste Kondensator22 von3B implementiert werden.3B zeigt eine Draufsicht. Der erste Kondensator22 ist als ein Parallelplattenkondensator realisiert. Die erste und die zweite Leitung31 ,32 weisen eine erste BreiteD1 in dem ersten Abschnitt42 auf, die im Vergleich zu der LeitungsbreiteD in dem zweiten Abschnitt53 größer ist. -
4 zeigt eine beispielhafte Verstärkeranordnung100 . Die Verstärkeranordnung100 umfasst einen ersten und einen zweiten Koppler101 ,102 . Der ersten Koppler101 ist wie der Leistungsteiler von1B realisiert. Der zweite Koppler 102 ist wie der Leistungskombinierer von1A implementiert. Der erste und/oder der zweite Koppler101 ,102 ist wie ein Koppler gemäß einer der1C ,1D ,2A bis2D ,3A und3B realisiert. Ein Eingang103 der Verstärkeranordnung100 ist an den zweiten Anschluss12 des ersten Kopplers101 angeschlossen. Der erste Anschluss11 des ersten Kopplers101 ist an einen ersten Verstärker104 gekoppelt. Der dritte Anschluss13 des ersten Kopplers101 ist an einen zweiten Verstärker105 gekoppelt. Der erste und der zweite Verstärker104 ,105 sind als Leistungsverstärker realisiert. Eine erste Anpassungsschaltung106 verbindet den ersten Anschluss11 des ersten Kopplers101 mit dem ersten Verstärker104 . Eine zweite Anpassungsschaltung107 verbindet den dritten Anschluss13 des ersten Kopplers101 mit dem zweiten Verstärker105 . Die erste und die zweite Anpassungsschaltung106 ,107 können einen Koppler wie oben beschrieben mit mindestens der ersten Windung40 umfassen. Der vierte Anschluss14 des ersten Kopplers101 ist über eine Reihenschaltung aus einem Eingangskondensator108 und einem Eingangswiderstand109 an den Referenzpotentialanschluss15 angeschlossen. Ein Ausgang des ersten Verstärkers104 ist an den ersten Anschluss11 des zweiten Kopplers102 gekoppelt. Ein Ausgang des zweiten Verstärkers105 ist an den dritten Anschluss13 des zweiten Kopplers102 gekoppelt. Der zweite Anschluss12 des zweiten Kopplers102 ist an einen Ausgang 110 der Verstärkeranordnung100 gekoppelt. Der vierte Anschluss14 des zweiten Kopplers102 ist über einen Ausgangskondensator111 und einen Ausgangswiderstand112 an den Referenzpotentialanschluss15 angeschlossen. - Das Eingangssignal
AIN wird an den Eingang103 der Verstärkeranordnung100 geliefert. Das EingangssignalAIN wird von dem ersten Koppler101 in ein erstes VerstärkereingangssignalA1 und ein zweites VerstärkereingangssignalA2 umgewandelt, die an den ersten bzw. den zweiten Verstärker 104, 105 geliefert werden. Der erste und der zweite Verstärker104 ,105 generiert ein erstes und ein zweites VerstärkerausgangssignalA3 ,A4 . Die VerstärkerausgangssignaleA3 ,A4 werden an den zweiten Koppler102 geliefert und mit Hilfe des zweiten Kopplers102 in ein VerstärkerausgangssignalAOUT umgewandelt. Die durch den ersten Koppler101 bereitgestellte Phasenverschiebung wird durch die von dem zweiten Koppler102 bereitgestellte Phasenverschiebung kompensiert. - Die Verstärkeranordnung
100 von4 ist eine Endstufe einer Reihe von Verstärkeranordnungen. Die Verstärkeranordnung100 ist als eine Quadraturleistungsverstärkeranordnung implementiert. Die Verstärkeranordnung ist vom symmetrischen Typ. Die Verstärkeranordnung100 ist auf der Oberfläche des Substrats80 integriert. Der erste und der zweite Verstärker 104, 105 sind mit Hilfe der ersten und der zweiten Metallschicht43 ,48 und des Substrats80 realisiert. Das Substrat80 ist ein Halbleitersubstrat wie etwa ein Silizium- oder ein III-V-Gruppe-Halbleiter, beispielsweise Galliumarsenid. - Die
5A bis5G zeigen beispielhafte Charakteristika des in1A bis1D und2A bis2D gezeigten Kopplers. -
5A zeigt die Übertragungsfunktion,5B die Rückflussdämpfung im Fall von Eintakt-Anschlüssen,5C die Rückflussdämpfung im Fall von Differentialanschlüssen,5D die Phase zwischen Differentialanschlüssen,5E die Rückflussdämpfung eines Isolationsanschlusses,5F die Übertragungsfunktion im Differentialmodus und5G die Rückflussdämpfung im Differentialmodus. Ein Anschluss kann auch als ein Port bezeichnet werden. Die Signale und Charakteristika sind in Abhängigkeit von der Frequenz f eines am Koppler10 abgegriffenen Signals gezeigt. - Bezugszeichenliste
-
- 10, 10'
- Koppler
- 11
- erster Anschluss
- 12
- zweiter Anschluss
- 13
- dritter Anschluss
- 14
- vierter Anschluss
- 15
- Referenzpotentialanschluss
- 16
- vierte charakteristische Impedanz
- 17
- erste charakteristische Impedanz
- 18
- zweite charakteristische Impedanz
- 19
- dritte charakteristische Impedanz
- 20, 20'
- erste Induktionsspule
- 21, 21'
- zweite Induktionsspule
- 22
- erster Kondensator
- 23
- zweiter Kondensator
- 24
- dritter Kondensator
- 25
- vierter Kondensator
- 26
- fünfter Kondensator
- 27
- sechster Kondensator
- 31
- erste Leitung
- 32
- zweite Leitung
- 40
- erste Windung
- 41
- erste Kreuzung
- 42
- erster Abschnitt
- 43
- zweite Metallschicht
- 44
- erster Abstimmkondensator
- 45
- zweite Windung
- 46
- zweite Kreuzung
- 47
- dritter Abschnitt
- 48
- erste Metallschicht
- 49
- zweiter Abstimmkondensator
- 50
- dritter Abstimmkondensator
- 51
- erstes Via
- 52
- zweites Via
- 53
- zweiter Abschnitt
- 61
- erster Arm
- 62
- zweiter Arm
- 63
- dritter Arm
- 64
- vierter Arm
- 65
- erstes Via
- 66
- zweites Via
- 67
- drittes Via
- 68
- siebtes Via
- 69
- zweiter Arm
- 70
- dritter Arm
- 71
- vierter Arm
- 72
- viertes Via
- 73
- fünftes Via
- 74
- sechstes Via
- 75
- achtes Via
- 76
- erster Leitungsabschnitt
- 77
- zweiter Leitungsabschnitt
- 78
- dritter Leitungsabschnitt
- 79
- vierter Leitungsabschnitt
- 80
- Substrat
- 81
- untere Dielektrikumsschicht
- 82
- Dielektrikumsschicht
- 83
- obere Dielektrikumsschicht
- 90
- dritte Metallschicht
- 91
- Interdigital-Kondensator
- 92
- erste Elektrode
- 93
- zweite Elektrode
- 100
- Verstärkeranordnung
- 101
- erster Koppler
- 102
- zweiter Koppler
- 103
- Eingang
- 104
- erster Verstärker
- 105
- zweiter Verstärker
- 106
- erste Anpassungsschaltung
- 107
- zweite Anpassungsschaltung
- 108
- Eingangskondensator
- 109
- Eingangswiderstand
- 110
- Ausgang
- 111
- Ausgangskondensator
- 112
- Ausgangswiderstand
- AIN
- Eingangssignal
- AOUT
- Ausgangsignal
- A1
- erstes Verstärkereingangssignal
- A2
- zweites Verstärkereingangssignal
- A3
- erstes Verstärkerausgangssignal
- A4
- zweites Verstärkerausgangssignal
- D
- Leitungsbreite
- DD
- Distanz
- DS
- kleine Leitungsbreite
- D1
- erste Breite
- SIN
- Eingangssignal
- SIN1
- erstes Eingangssignal
- SIN2
- zweites Eingangssignal
- SOUT
- Ausgangssignal
- SOUT1
- erstes Ausgangssignal
- SOUT2
- zweites Ausgangssignal
- T1
- erste Dicke
- T2
- zweite Dicke
Claims (14)
- Koppler, der folgendes umfasst: - eine erste Leitung (31), die in einer ersten Metallschicht angeordnet ist, - eine zweite Leitung (32), in einer zweiten Metallschicht angeordnet ist, - einen ersten Kondensator (22), der in einem ersten Abschnitt (42) angeordnet ist, wobei - die zweite Leitung (32) breitseitig an die erste Leitung (31) in dem ersten und einem zweiten Abschnitt (42, 53) gekoppelt ist, - die erste Leitung (31) elektrisch an eine erste Elektrode des ersten Kondensators (22) angeschlossen ist oder ein Abschnitt der ersten Leitung (31) die erste Elektrode des ersten Kondensators (22) bildet; und - die zweite Leitung (32) elektrisch an eine zweite Elektrode des ersten Kondensators (22) angeschlossen ist oder ein Abschnitt der zweiten Leitung (32) die zweite Elektrode des ersten Kondensators (22) bildet, - wobei der Kondensator die Kapazität zwischen der ersten und der zweiten Leitung (31, 32) pro Längeneinheit der ersten Leitung (31) in dem ersten Abschnitt (42) im Vergleich zu dem zweiten Abschnitt (53) vergrößert, und - die erste und die zweite Leitung (31, 32) je eine erste Windung (40) bilden, und - wobei der Koppler eine Dielektrikumsschicht (82) umfasst, die zwischen der ersten und der zweiten Leitung (31, 32) angeordnet ist und eine erste Dicke (T1) in dem ersten Abschnitt (42) und eine zweite Dicke (T2) in dem zweiten Abschnitt (53) aufweist und die zweite Dicke (T2) größer als die erste Dicke (T1) ist.
- Koppler nach
Anspruch 1 , wobei der erste Abschnitt (42) mindestens teilweise innerhalb der ersten Windung (40) angeordnet ist. - Koppler nach
Anspruch 1 oder2 , wobei der erste Kondensator (22) als ein Parallelplattenkondensator ausgelegt ist. - Koppler nach
Anspruch 1 oder2 , wobei der Koppler (10) einen ersten Kondensator (22) umfasst, der als ein Interdigital-Kondensator (91) ausgelegt und in dem ersten Abschnitt (42) angeordnet ist, eine erste Elektrode (92) des Interdigital-Kondensators (91) elektrisch an die erste Leitung (31) angeschlossen ist sowie eine zweite Elektrode (93) des Interdigital-Kondensators (91) elektrisch an die zweite Leitung (32) angeschlossen ist. - Koppler nach einem der
Ansprüche 1 bis4 , wobei der Koppler (10) eine erste und eine zweite Metallschicht (43, 48) umfasst und die erste Leitung (31) in mehr als der Hälfte der ersten Windung (40) in der ersten Metallschicht (48) angeordnet ist sowie die zweite Leitung (32) in mehr als der Hälfte der ersten Windung (40) in der zweiten Metallschicht (43) angeordnet ist. - Koppler nach einem der
Ansprüche 1 bis5 , wobei die erste Windung (40) eine erste Kreuzung (41) umfasst. - Koppler nach
Anspruch 6 , wobei die erste Kreuzung (41) Leitungsabschnitte (76, 77, 78) und Vias (65, 66, 67) umfasst, so dass die Leitungsabschnitte (76, 77, 78) und die Vias (65, 66, 67) die erste Kreuzung (40) bilden und sich in einer ersten Metallschicht (48), einer zweiten Metallschicht (43) und zwischen der ersten bzw. der zweiten Metallschicht (43, 48) befinden. - Koppler nach
Anspruch 6 oder7 , wobei die erste Kreuzung (41) eine horizontale Kreuzung ist und einen ersten Arm (61), einen zweiten Arm (62), einen dritten Arm (63), der sich gegenüber dem ersten Arm (61) befindet, sowie einen vierten Arm (64), der sich gegenüber dem zweiten Arm (62) befindet, aufweist, - in dem ersten Arm (61) die erste Leitung (31) in der ersten Metallschicht (48) angeordnet ist und die zweite Leitung (32) von der zweiten Metallschicht (43) zu der ersten Metallschicht (48) wechselt und - in dem zweiten Arm (62) die erste Leitung (31) von der ersten Metallschicht (48) zu der zweiten Metallschicht (43) wechselt und die zweite Leitung (32) in der zweiten Metallschicht (43) angeordnet ist. - Koppler nach
Anspruch 8 , wobei - in dem dritten Arm (63) die erste und die zweite Leitung (31, 32) in der ersten Metallschicht (48) angeordnet sind und - in dem vierten Arm (64) die zweite Leitung (32) in der zweiten Metallschicht (43) angeordnet ist und die erste Leitung (31) von der ersten Metallschicht (48) zu der zweiten Metallschicht (43) wechselt. - Koppler nach einem der
Ansprüche 1 bis9 , wobei die erste und die zweite Leitung (31, 32) eine zweite Windung (45) bilden, die sich seitlich von der ersten Windung (40) befindet und eine zweite Kreuzung (46) umfasst, die eine horizontale Kreuzung ist. - Koppler nach
Anspruch 10 , wobei die zweite Windung (45) einen dritten Abschnitt (47) umfasst, so dass die Kapazität zwischen der ersten und der zweiten Leitung (31, 32) pro Längeneinheit der ersten Leitung (31) in dem dritten Abschnitt (47) im Vergleich zu dem zweiten Abschnitt (53) größer ist. - Koppler nach
Anspruch 10 oder11 , wobei die erste Leitung (31) in mehr als der Hälfte der zweiten Windung (45) in der zweiten Metallschicht (43) angeordnet ist und die zweite Leitung (32) in mehr als der Hälfte der zweiten Windung (45) in der ersten Metallschicht (48) angeordnet ist. - Koppler nach einem der
Ansprüche 1 bis12 , wobei die erste Leitung (31) einen ersten und einen vierten Anschluss (11, 14) umfasst, die zweite Leitung (32) einen zweiten und einen dritten Anschluss (12, 13) umfasst, sich der erste Anschluss (11) neben dem zweiten Anschluss (12) befindet, sich der dritte Anschluss (13) neben dem vierten Anschluss (14) befindet und der Koppler (10) als ein Leistungskombinierer und/oder ein Leistungsteiler implementiert ist. - Verstärkeranordnung, wobei die Verstärkeranordnung (100) folgendes umfasst: - einen Eingang (103), - einen ersten Koppler (101), der auf seiner Eingangsseite an den Eingang (103) der Verstärkeranordnung (100) gekoppelt ist, - einen ersten Verstärker (104) mit einem Eingang, der an den ersten Koppler (101) gekoppelt ist, - einen zweiten Verstärker (105) mit einem Eingang, der an den ersten Koppler (101) gekoppelt ist, - einen zweiten Koppler (102), der auf seiner Eingangsseite an einen Ausgang des ersten Verstärkers (104) und an einen Ausgang des zweiten Verstärkers (105) gekoppelt ist, und - einen Ausgang (110), der an den zweiten Koppler (102) gekoppelt ist, wobei der erste und/oder der zweite Koppler (101, 102) als ein Koppler (10) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis13 realisiert ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2009/067210 WO2011072723A1 (en) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | Coupler and amplifier arrangement |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112009005442T5 DE112009005442T5 (de) | 2013-04-04 |
DE112009005442T8 DE112009005442T8 (de) | 2013-05-29 |
DE112009005442B4 true DE112009005442B4 (de) | 2018-05-17 |
Family
ID=42931846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112009005442.0T Expired - Fee Related DE112009005442B4 (de) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | Koppler und Verstärkeranordnung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9172127B2 (de) |
JP (1) | JP5518210B2 (de) |
DE (1) | DE112009005442B4 (de) |
WO (1) | WO2011072723A1 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012107877B4 (de) | 2012-08-27 | 2016-01-07 | Epcos Ag | Duplexer |
JP2014116844A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体モジュール |
JP6565130B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2019-08-28 | 三菱電機株式会社 | 増幅器 |
WO2015172287A1 (en) * | 2014-05-12 | 2015-11-19 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Quadrature hybrid with multi-layer structure |
JP6941018B2 (ja) | 2017-09-28 | 2021-09-29 | 太平洋セメント株式会社 | 固化材 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5313175A (en) | 1993-01-11 | 1994-05-17 | Itt Corporation | Broadband tight coupled microstrip line structures |
US5497137A (en) | 1993-12-17 | 1996-03-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip type transformer |
US6407647B1 (en) | 2001-01-23 | 2002-06-18 | Triquint Semiconductor, Inc. | Integrated broadside coupled transmission line element |
US20020175775A1 (en) | 2000-11-09 | 2002-11-28 | Lillo Rocco A. De | Spiral couplers |
US6515556B1 (en) | 1999-11-10 | 2003-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coupling line with an uncoupled middle portion |
US6639490B2 (en) | 2001-10-31 | 2003-10-28 | International Business Machines Corporation | Ninety degree coupler for radio frequency degraded circuits |
US7034633B2 (en) | 2001-02-28 | 2006-04-25 | Nokia Corporation | Coupling device using buried capacitors in multilayered substrate |
EP1796204A1 (de) | 2004-08-27 | 2007-06-13 | Hiroshi Hata | Hochfrequenzkoppler, hochfrequenzsender und antenne |
US7336142B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-02-26 | Nokia Corporation | High frequency component |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0197813A (ja) | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Mitsutoyo Corp | 光学式変位検出器 |
JPH05206763A (ja) | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波増幅装置 |
SE514767C2 (sv) * | 1999-08-27 | 2001-04-23 | Allgon Ab | 4-ports hybrid |
JP3765261B2 (ja) | 2001-10-19 | 2006-04-12 | 株式会社村田製作所 | 方向性結合器 |
KR100551577B1 (ko) * | 2001-10-19 | 2006-02-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 방향성 결합기 |
US6825738B2 (en) | 2002-12-18 | 2004-11-30 | Analog Devices, Inc. | Reduced size microwave directional coupler |
DE10316047B4 (de) * | 2003-04-08 | 2006-11-30 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Richtkoppler in koplanarer Wellenleitertechnik |
US6972639B2 (en) | 2003-12-08 | 2005-12-06 | Werlatone, Inc. | Bi-level coupler |
US7245192B2 (en) * | 2003-12-08 | 2007-07-17 | Werlatone, Inc. | Coupler with edge and broadside coupled sections |
JP2005168072A (ja) | 2005-03-10 | 2005-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 結合線路形方向性結合器 |
US7321284B2 (en) | 2006-01-31 | 2008-01-22 | Tdk Corporation | Miniature thin-film bandpass filter |
JP4729464B2 (ja) | 2006-09-20 | 2011-07-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 方向性結合器および高周波回路モジュール |
DE102006052611A1 (de) * | 2006-11-08 | 2008-05-15 | Eads Deutschland Gmbh | Leistungsbreitbandverstärker |
US20100107236A1 (en) | 2007-03-09 | 2010-04-29 | Shozo Fujino | Network system, communication method, communication terminal, and communication program |
JP2008244924A (ja) | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Renesas Technology Corp | 方向性結合器および半導体装置 |
EP2238644A1 (de) | 2007-12-21 | 2010-10-13 | BAE Systems PLC | Mikrowellenkoppler |
-
2009
- 2009-12-15 US US13/515,493 patent/US9172127B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-15 JP JP2012543481A patent/JP5518210B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-15 DE DE112009005442.0T patent/DE112009005442B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-15 WO PCT/EP2009/067210 patent/WO2011072723A1/en active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5313175A (en) | 1993-01-11 | 1994-05-17 | Itt Corporation | Broadband tight coupled microstrip line structures |
US5497137A (en) | 1993-12-17 | 1996-03-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip type transformer |
US6515556B1 (en) | 1999-11-10 | 2003-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coupling line with an uncoupled middle portion |
US20020175775A1 (en) | 2000-11-09 | 2002-11-28 | Lillo Rocco A. De | Spiral couplers |
US6407647B1 (en) | 2001-01-23 | 2002-06-18 | Triquint Semiconductor, Inc. | Integrated broadside coupled transmission line element |
US7034633B2 (en) | 2001-02-28 | 2006-04-25 | Nokia Corporation | Coupling device using buried capacitors in multilayered substrate |
US6639490B2 (en) | 2001-10-31 | 2003-10-28 | International Business Machines Corporation | Ninety degree coupler for radio frequency degraded circuits |
US7336142B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-02-26 | Nokia Corporation | High frequency component |
EP1796204A1 (de) | 2004-08-27 | 2007-06-13 | Hiroshi Hata | Hochfrequenzkoppler, hochfrequenzsender und antenne |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011072723A1 (en) | 2011-06-23 |
JP2013514021A (ja) | 2013-04-22 |
US9172127B2 (en) | 2015-10-27 |
DE112009005442T8 (de) | 2013-05-29 |
JP5518210B2 (ja) | 2014-06-11 |
DE112009005442T5 (de) | 2013-04-04 |
US20120326780A1 (en) | 2012-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102008003396B4 (de) | Leistungsverstärkersystem und zugehöriges Verfahren | |
DE60304329T2 (de) | Verbesserter quadratur-hybrid und verbesserter vektormodulator in einem chipgehäuse | |
DE69935426T2 (de) | Eine induktanzvorrichtung | |
DE60132401T2 (de) | Tiefpassfilter | |
DE102009006696B4 (de) | Halbleiterkonfiguration mit einem integrierten Koppler und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Halbleiterkonfiguration sowie Verfahren zum Übertragen eines elektrischen Signals | |
DE112009005442B4 (de) | Koppler und Verstärkeranordnung | |
DE60131193T2 (de) | Kopplungseinrichtung mit innenkondensatoren in einem mehrschichtsubstrat | |
DE4317545A1 (de) | Dünnschichtübertrager | |
DE102015212232B4 (de) | Leistungscombiner zur Kopplung von Hochfrequenzsignalen und Leistungscombineranordnung mit einem solchen Leistungscombiner | |
DE102009003891A1 (de) | Transformator mit einer primärer Wicklung mit mehreren Segmenten und einer sekundären Wicklung mit mehreren Windungen für ein Leistungsverstärkersystem | |
DE102012223256A1 (de) | Wellenleiter | |
DE102014115315B4 (de) | Transistor-Eingangsanpassung mit Transformator | |
EP0947030B1 (de) | Mikrowellenfilter | |
DE102016123932A1 (de) | HF-Bauelementpackage mit integriertem Hybridkoppler | |
DE102016201244A1 (de) | Induktiv gekoppelter transformator mit abstimmbarem impedanzanpassungsnetzwerk | |
DE102017213154B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102007054621A1 (de) | Hochfrequenzfilter mit elektromagnetisch gekoppelten Verzweigungsleitungen | |
DE102022106002A1 (de) | Magnetsensor und magnetsensorvorrichtung | |
WO2009000431A1 (de) | Breitbandiger richtkoppler mit einstellbarer richtschärfe | |
DE102017128833B4 (de) | Integrierte Schaltung, Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung und Vorrichtung zum Herstellen einer integrierten Schaltung | |
DE102018105349A1 (de) | Vorrichtung mit mindestens einem Streifenleiter | |
DE60304172T2 (de) | Modul zur entkopplung von hochfrequenz-signalen von einer versorgungsleitung | |
DE102008051531B4 (de) | Elektrisches System mit einer Vorrichtung zur Unterdrückung der Ausbreitung einer elektromagnetischen Störung | |
DE112017007836B4 (de) | Rauschfilterschaltkreis | |
DE69200038T2 (de) | Mikrowellen-Hybridrichtkoppler mit konzentrierten Impedanzelementen und um 90 Graden phasenverschobenen Ausgängen. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |