CN1425147A - 自对准的混合工艺和元件 - Google Patents

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Abstract

形成混合光学元件的方法包括以下步骤，在平面光学元件的核心层上进行掩模和蚀刻图案以限定至少一个对准零件和一个光学元件以及其后上包该光学元件，这样形成了无源平台，它暴露了诸如波导一类光学元件的表面和对准零件，后者用于接收包括激光器之类有源器件的有源平台上所形成的镜象对准零件。混合元件包括其中形成有对准零件的无源平台和用于接收有源平台的波导，所述有源平台带有匹配的镜象对准零件和有源器件，后者当该平台进行匹配时对准于该波导。这样的制造方法和生成的光学元件提供了高效，自对准无源和有源器件的平台，它们大大地减小了混合光学电路的制造价格，也提高了它们的可靠性，降低了成本。

Description

自对准的混合工艺和元件
                       有关对照申请
本申请要求于2000年1月25日所提出的欧洲专利申请00400201.0的权益，其内容是可信的，并通过参考加以完整引入，因此要求其优先权。
发明背景
1.发明领域
本发明涉及平面光学装置，尤其涉及把有源器件和平面无源光学器件对准的对准系统。
2.背景技术
用于通信产业的光网络需要许多复杂的光学元件，其例子包括NXM开关，增益平坦化滤波器，可变衰减器，和插分复用器。设计这类元件的有效方法是使用平面光学装置，因为许多光学功能可以在同一个基片上实现。另外，可以把有源器件添加到平面平台上以便形成满足许多光网络所需功能的混合元件，它们在相对紧凑的包装中，用作开关，监控器，波长复用器，分用器，波长转换器，等等。
制造混合装置的一个难点在于有源器件和无源器件在相同基片上的精确对准，有源器件包括半导体激光器，光电二极管等，无源器件包括了光波导，耦合器，光开关。过去，使用有源对准方法，那里混合元件的光学性能，随着自然地移动有源器件到进入到对准位置而加以监控，直到例如，把半导体激光器同无源石英波导对准为止。监控波导输出直到探测到最佳输出，此时，通过焊接之类手段把有源器件固定到无源器件的平台上。这个方法非常耗费时间并且需要复杂的实验设备来执行这类对准。
用于以前工艺的另一种方法是使用在光波导基片上的诸对准标志和在有源平台上分立的各个对准标志，而当有源器件平台连接无源元件平台时，通过各相应对准标志相互对准即行。这开始也需要对两平台上的对准标志精确放置以及其后对有源平台和无源平台在其连结和键合时进行精确对准。
因此，对系统和最终的混合元件，存在一种需要其中，可以精确对准有源器件到无源平台的平面光元件上，俾使有源器件精确耦合到该元件上。由于对混合光学元件的需求日益增加，以及单个晶圆片上所指执行光学功能的数目增多，故也的确需要实现无源和有源光学器件的有效和精确对准。。
发明内容
本发明的方法和所得结构提供这样一种混合元件的精确对准，这由在无源平台上形成对准扯平另件进行，无源平台匹配地接收有源平台的镜象结构，其中，有源平台包含有，例如，待与无源平台之波导对准的有源元件。两个平台精确地互相对准，无需有源器件相对于无源器件的实验性放置或是使用引导标志企图把有源和无源平台对准。根据本发明形成混合装置的方法包括以下步骤，对平面光学元件的核心层作掩模和蚀刻来限定至少一个扯平对准另件和一个光学元件，然后上包该光学元件，从而形成无源平台，它暴露出诸如波导一类光学元件和扯平对准另件，后者用于接收包括诸如固态激光器之类有源器件在内之有源平台上形成的镜象对准另件。
实施本发明的混合元件包括无源平台，无源平台具有至少一个扯平对准另件和其中形成的一光学元件，用来接收带有匹配的镜象对准另件的有源平台。这样的制造方法和生成的光学元件提供了高效，自对准无源和有源器件的平台，它们使混合光学元件的制造价格大大地减小，也提高了它们的可靠性，降低了成本。
在下面的详细描述中将阐述本发明其他的特征和优点，那些熟炼的技术人员将从详细描述中清楚这些或通过实施下面描述中所述的本发明连同权利要求和附图一起来加以理解。
要明白前面的描述只是本发明的范例，目的是提供本发明的概貌，揭示由权利要求限定的本发明的实质和特征。附图提供了对本发明进一步的理解并且在此合并形成说明书的一部分。附图示出了本发明不同的特征和实施例，并和它们的描述一起解释本发明的原理和操作。
附图说明
图1是根据本发明制造混合光学元件的一个工艺步骤的示意图。
图2是根据本发明制造混合光学元件的另一附加工艺步骤的示意图。
图3是根据本发明制造混合光学元件的另一附加工艺步骤的示意图。
图4是根据本发明制造混合光学元件的另一附加工艺步骤的示意图。
图5是根据本发明制造混合光学元件的另一附加工艺步骤的示意图。
图6是根据本发明制造混合光学元件的另一附加工艺步骤的示意图。
图7是根据本发明制造混合光学元件的另一附加工艺步骤的示意图。
图8是根据本发明制造混合光学元件的另一附加工艺步骤的示意图。
图9是根据本发明制造混合光学元件的另一附加工艺步骤的示意图。
图10是根据本发明制造混合光学元件的另一附加工艺步骤的示意图。
图10a是通过图10中截面线Xa-Xa的横截面图。
图11是根据本发明的方法制造所得无源平台的示意图。
图12是有源平台的示意图，有源平台包括了与图12中所示无源平台相配合的有源器件，以及
图13是根据本发明制造的混合光学元件和包括了与图11中无源平台相结合的图12中有源平台的示意图。
较佳的具体实施方式
首先参考图1，图1示出平面光电路的起始预型件，它的全部可以包括几个光学元件，例如开关，耦合器，或复用器，并且它包括平面无源光学元件和诸如光电二极管，固态激光器，之类有源器件。然而，为了清楚起见，附图示出了单个无源器件和单个有源器件，它们形成了整个光电路的一部分。在图1中，示出了用于此光电路的晶圆片部分，它包括了形成基片的石英或硅10的平面层，下包层12，它是石英(SiO2)和或诸如硼或锗等的掺杂剂，导致在1550nm处产生从大约1.44到大约1.55的折射率。在下包层12上用常规方法沉积石英的核心层14，核心层有不同但是常规的掺杂剂混合物，它提供了比下包层12大约大1％的折射率，例如，从大约1.5到大约1.6。图1示出的结构通常由典型工艺形成，诸如对基片上的下覆包盖层和下包层上的核心层进行火焰水解沉积，等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)或类似沉积。
下一个处理步骤由图2示出，包括了在核心层14的暴露表面上通过溅射或蒸发一层金属层16。金属层可以是任意适合的导由材料或半导体材料，例如铝，铬，硅，镍，或类似物，沉积厚度大约从0.2到大约5μm。
接着，如图3所示，使用掩模把光致抗蚀剂材料15和图案沉积到金属表面16上，以限定哪些部分最终会成为扯平对准另件18和22，18和22各自包括了一对隔离开的腿17和19，以及21和23。正如将在下面更详细加以描述的那样，光致抗蚀剂图案层15限定了支架对准另件和诸如波导之类无源光学元件20的形状和位置以及它们的各自位置。这样，在把光致抗蚀剂图案层15印到图3所示结构的金属层16上以及其后的工艺步骤中，支架对准另件18和22将被精确地放置到固定位置并和波导20对准。
下一个步骤由图4示出，它将图3所示暴露的金属层16蚀刻到暴露出核心层材料14，只保留光致抗蚀剂15以下限定另件18，20和22的金属层16。下一步，如图5所示除去光致抗蚀剂，通过化学清洗暴露出相应于另件18，20和22的金属掩模，另件18，20和22具有只包括保留的被暴露导电材料16之图案的初始光致抗蚀剂图案的相同图案和有关对准。正如图6所示，于是通过诸如反应离子蚀刻方法蚀刻掉核心材料14，导致如图6所示的三维结构，使得支架对准另件18，波导20和支架对准另件22的金属表面16之下。现在下包层12就暴露在包围着波导20和另件18和22的区域中。可以部分蚀刻下包层12。
下一步，在图8中示出了平行矩形的上表面和扯止另件18的隔离开的腿17及19以及支架元件22的隔离开的腿21及23，涂覆以光致抗蚀剂材料25，以在图8所示下面步骤中保护其上的金属表面，其中，波导20和支架元件18和22之各自的波导交叠部分26和27的金属表面16分别通过常规的湿法或干法蚀刻加以蚀剂掉。然后清洗光致抗蚀剂材料25从而相应地暴露出支架对准另件18和22各自的腿17，19，21和23上的金属表面。
图9示出了接着沉积的上包层30，例如在图8的结构上进行火焰水解沉积而成。上包层30是带掺杂剂的石英，提供了与下包层相似的折射率，但它有较低的熔点，诸如相对下包层和基片12和10的熔点比如，1340℃，上包层大约为1240℃。这样，如图8所示上覆盖层30的火焰水解沉积不会影响以前形成的基片下包层，波导或支架对准另件的几何构造。在上包过程之后，通过常规的溅射或蒸发技术在上包层30的顶部表面涂覆上铝，铬，或硅金属层32(图9)来包覆上包层30的整个顶部表面。
下一步，只在金属层32上如图9所示结构的后部施加光致抗蚀剂34的矩形图案。部分覆盖了波导元件20和交叠部分26和27。如图10和图10a的横截面所示，于是通过湿法或干法蚀刻除去暴露在波导元件20和支架元件18和22上的金属表面32。其后洗去光致抗蚀剂34，暴露出先前被光致抗蚀剂层34保护的金属层32。在这个处理结束时，现在元件20，26和27的一部分金属层32被暴露，在支架对准另件18和22之结构的前面部分的上包层30也被暴露。光致抗蚀剂掩模34限定了如下面所述的垂直壁38中(图11)所得结构的前面和后面部分之间的精确边界。该处理的一个关键步骤是在上包沉积以前在核心层蚀刻上述对准另件期间使掩模留在适当位置。在部分上包层蚀刻期间，这个嵌入层担当了阻止蚀刻层的作用。
如图11所示，对在无源平台40前端如此形成的未覆盖的上包层30，再次使用诸如反应离子蚀刻这样的常规蚀刻处理，来再一次暴露支架对准另件18的平行纵向延伸腿17和19以及扯平对准另件22的平行纵向延伸腿21和23。嵌入层16用作阻挡蚀刻层来保护扯平另件17，19，21和23。蚀刻可以延伸入下包层12沟来形成支架元件17，19，21和23之间的各自沟35和37，以及腿19和21之间的宽的沟道36。下面描述的有源器件的对准Z轴用参考表面是支架元件18和22的上金属暴露表面16。如下面所述，在蚀刻时精确形成的残留上包层30的垂直壁端部38，提供了在无源平台40上有源平台的Y轴对准。当固态激光器之类的有源器件被放置在现结合图12和13所述的无源平台上时，由核心材料14所形成波导20的末端表面28可以涂覆二氧化钛(TiO2)或其他材料来减小反射。
如图12所示的有源平台50具有为无源平台40的支架对准另件18之镜象(相匹配)的对准另件。有源平台50由周期表III-V族元素无定形材料化合物，例如，由InP和InGaAsP有源层构成以形成嵌入或激光器波导54，它在那里被对准中心，并同对准另件58和62精确对准，对准另件包括了与无源平台40上的沟道35和37相匹配的纵向延伸，矩形和向下凸出的背脊。如图13所示，当有源平台50放置在无源平台40上并与之通过热压(一个实施例)或常规键合剂之类任意其他合适的方法加以键合时，有源平台50对准无源平台40对准，俾使激光器波导54的有源端部55对准并以波导20的端部28为中心。这样制成的有源平台提供了镜象互配的对准另件58和62，它们匹配入平台40的沟道35和37，和沟道70，72，74及76，它们分别接收平台40的扯平对准另件18和22之各自的腿17，19，21和23。有源器件的对准另件是无源平台的对准另件的镜象并且直接在有源器件的顶部表面加以蚀刻。
有源平台50的后壁52与有源平台40的前壁38邻接并且对准以提供如图13中箭头Y示出的Y轴方向的对准，而与此同时互配的对准另件和沟道则提供图13中箭头X所示的X轴对准。通过与沟道70，72，74和76各个较低表面51相匹配的支架元件18和22的顶部金属表面16达到Z轴的对准，其中，沟道70，72，74和76被精确的蚀刻以提供有源激光器波导54和光波导20的基本中心对准。有源平台50上的镜象对准另件通过使用在制造无源平台40所用的镜象掩模进行反应离子刻蚀或类似的刻蚀加以形成。
如图13所示的合成元件60只示出了工艺过程和包括了与波导20耦合并且对准的固态激光器54的合成元件。光电路包括许多其他光学元件，它们可在形成波导的同时和在相同的工艺步骤中整体地加以形成。由于无源平台的正对准另件自对准于有源平台的负对准另件，以及反之亦然，故X轴对准精度由形成正/负对准另外的精度提供，该精度良好地处在5μm以内。同样Y轴对准精度分别由无源和有源平台壁之端部38和54加以限定，且也在5μm以内。正轴对准精度则由有源器件表面的蚀刻深度加以控制，且当采用标准的反应离子蚀剂或反应离束蚀刻工艺时可以容易地控制在1μm以内。虽然在较佳实施例中揭示的对准另件是平行的，一般是壁38和52这类的有整个端部壁的矩形延伸突出物和沟道，但可以理解对准另件的形状，位置和数目是可以改变的，只要它们在无源平台和有源平台的X，Y，Z方向提供了互相匹配的表面即行。这样，对准另件可以采用正方形，矩形，或三角形组合以及接收插口的相似形状。
通过本发明的方法，可以使用花费经济的制造方法制作提供在无源和有源元件之间精确对准的复杂混合光学元件。那些熟练的技术人员将清楚在不背离由所附权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下，可以对这里描述的本发明的较佳实施例进行不同的修改。

Claims (10)

1.一种制造混合光学元件的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一基片；
在第一基片上沉积核心层；
对核心层进行掩模和蚀刻以限定光学元件和至少一个对准另件；
蚀刻期间至少在一部分对准另件上保留掩模于适当的位置；
上包光学元件来限定无源平台，上面带有一暴露的光学元件表面，并与对准另件有预定的固定关系；
提供有源光学元件；
对有源元件进行掩模和蚀刻以形成对准另件，它是无源平台对准另件的镜象；以及
把所述有源平台和所述无源平台相耦合，这样使对准另件各自相互接合并将所述有源光学器件置于同无源平台上光学元件的暴露表面形成对准运行的关系。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述核心层掩模和蚀刻步骤包括以下诸步骤：
在核心层上沉积金属层；
在所述金属层上施加光致抗蚀剂图案以限定光学元件和对准另件；
蚀刻掉暴露的金属层；
除去光致抗蚀剂；以及
蚀刻掉基片上暴露的核心层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述上包步骤包括以下步骤：
把光致抗蚀剂施加到对准另件；
蚀刻掉光学元件所暴露的金属表面；
除去对准另件上的光致抗蚀剂；
在所述核心层和基片上沉积上包层；
在上包层暴露的表面沉积金属层；
至少在一部分光学元件上的金属层表面上施加光致抗蚀剂；
蚀刻所暴露的金属表面；
除去光致抗蚀剂；以及
蚀刻掉暴露的上包层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述核心掩模和蚀刻限定了波导。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述核心掩模和蚀刻限定了一对彼此处于间隔关系的对准另件。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，提供的所述第一基片备有SiO2和掺杂SiO2之下包层的合成物，掺杂SiO2工具有大约从1.44到大约1.55的折射率。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，核心沉积通过火焰水解进行导致核心具有的折射率从大约1.5到1.6。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，提供的第二基片备有III-V族化合物的平面基片。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述耦合步骤包括热压以相互固定所述有源平台和无源平台。
10.一种用于混合光学元件以制造无源平台的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基片；
在基片上沉积核心层；
在核心层上进行掩模和蚀刻以限定波导和至少一个三维对准另件；
蚀刻期间在一部分三维对准另件上保留掩模于合适的位置；
上包波导以限定无源平台，它具有暴露的波导末端并和对准另件有预定的固定关系。
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TW (1) TW502125B (zh)
WO (1) WO2001055791A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102356338A (zh) * 2009-04-08 2012-02-15 国际商业机器公司 具有埋设光反射特征的光波导及其制造方法
CN112912778A (zh) * 2018-06-03 2021-06-04 达斯特光子学公司 用于使激光器单元和波导单元对准的设备和方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6345139B1 (en) * 2000-04-04 2002-02-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting element coupled with optical fiber
US6744953B2 (en) * 2001-09-07 2004-06-01 Agilent Technologies, Inc. Planar optical waveguide with alignment structure
GB0128616D0 (en) * 2001-11-29 2002-01-23 Denselight Semiconductors Pte Standoffs for passive alignment of semiconductor chip and coupling bench
US6800212B2 (en) * 2002-05-15 2004-10-05 The Regents Of The University Of California Fabrication of optical components using Si, SiGe, SiGeC, and chemical endpoint detection
US6959134B2 (en) * 2003-06-30 2005-10-25 Intel Corporation Measuring the position of passively aligned optical components
JP4678155B2 (ja) * 2004-07-28 2011-04-27 富士ゼロックス株式会社 光導波路、光導波路用フェルール、及び光コネクタ
US7936953B2 (en) * 2005-07-15 2011-05-03 Xyratex Technology Limited Optical printed circuit board and manufacturing method
JP2007298770A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Nec Corp 光導波路デバイス及びその製造方法
JP2008281780A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Nitto Denko Corp タッチパネル用レンズ付き光導波路およびそれに用いる光導波路
JPWO2008153140A1 (ja) * 2007-06-14 2010-08-26 日本電気株式会社 光モジュール及びその製造方法
JP5156502B2 (ja) * 2007-06-26 2013-03-06 パナソニック株式会社 光モジュール
JP2009036924A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Nitto Denko Corp 光導波路フィルム、光基板およびこれらの製造方法
JP4892457B2 (ja) 2007-11-06 2012-03-07 日東電工株式会社 光導波路デバイスの製法およびそれによって得られる光導波路デバイス
CH700471B1 (de) * 2009-02-17 2013-07-31 Vario Optics Ag Verfahren zur Herstellung einer elektro-optischen Leiterplatte mit Lichtwellenleiterstrukturen.
KR101199302B1 (ko) * 2009-10-13 2012-11-09 한국전자통신연구원 광 소자 및 그 제조 방법
CN103975265A (zh) * 2012-01-09 2014-08-06 惠普发展公司，有限责任合伙企业 光连接
JP2015079061A (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 富士通株式会社 光モジュール、これを用いた電子機器、及び光モジュールの組立方法
CN110741294B (zh) 2017-06-07 2021-11-12 日本电信电话株式会社 光波导芯片的连接结构
US10490971B2 (en) * 2017-06-09 2019-11-26 International Business Machines Corporation Self-alignment features for III-V ridge process and angled facet die
US10156688B1 (en) * 2017-08-17 2018-12-18 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Passive alignment system and an optical communications module that incorporates the passive alignment system
CN111323878B (zh) * 2020-04-01 2021-10-15 联合微电子中心有限责任公司 一种激光器芯片与硅基光电子芯片的耦合对准装置及方法
WO2024100782A1 (ja) * 2022-11-09 2024-05-16 三菱電機株式会社 光集積デバイス及び光集積デバイスの製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03136346A (ja) * 1989-10-23 1991-06-11 Fujitsu Ltd Ｓｏｉ基板の製造方法
US5182782A (en) * 1990-07-11 1993-01-26 Gte Laboratories Incorporated Waferboard structure and method of fabricating
US6017681A (en) * 1992-11-09 2000-01-25 Fujitsu Limited Method of coupling optical parts and method of forming a mirror
JP3117107B2 (ja) * 1993-08-03 2000-12-11 シャープ株式会社 光集積回路素子の組立構造

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102356338A (zh) * 2009-04-08 2012-02-15 国际商业机器公司 具有埋设光反射特征的光波导及其制造方法
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