CN1380812A - 一种复合介质覆铜箔基片及其制造方法 - Google Patents
一种复合介质覆铜箔基片及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1380812A CN1380812A CN 02112642 CN02112642A CN1380812A CN 1380812 A CN1380812 A CN 1380812A CN 02112642 CN02112642 CN 02112642 CN 02112642 A CN02112642 A CN 02112642A CN 1380812 A CN1380812 A CN 1380812A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluiminium
- powder
- covered
- base plate
- composite medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种印刷线路板用复合介质覆铜箔基片及其制造方法。其复合介质板(1)上设有铜箔(2),复合介质板(1)的主要成分为金红石粉、陶瓷粉、聚四氟乙烯粉和聚四氟乙烯分散液,其体积组份按如下公式确定:其中Ln为复合介质板的介电常数;ai为各组份的体积浓度;εr为各组份的介电常数。其主要制造过程为将金红石粉、陶瓷粉、聚四氟乙烯粉和聚四氟乙烯分散液进行干燥-按计算的加料量进行混合-碾压-烧结-预热-加料-加热加压-保温冷却。它作为印刷线路板的基础材料,能改善和提高线路板的使用性能。
Description
所属领域
本发明涉及一种印刷线路板用复合介质覆铜箔基片。
背景技术
目前不少企业生产的复合介质覆铜箔基片采用陶瓷或者氧化铝为介质板,但是由于强度和使用温度相对较低,使其使用范围受到限制。
发明内容
本发明提供了一种使用性能好的复合介质覆铜箔基片。
本发明复合介质板设有铜箔,复合介质板的主要成份为金红石粉、陶瓷粉、聚四氟乙烯粉和60%的聚四氟乙烯分散液,其体积组份按如下公式确定:
其中Ln为复合介质板的介电常数;
ai为各组份的体积浓度;
εr为各组份的介电常数。
复合介质板的介电常数为2.2-16,金红石的介电常数为75-100,聚四氟乙烯粉体和陶瓷粉体为400目左右,陶瓷粉体为氧化铝粉,复合介质板另一面设有铜箔、铝板或者铜板。
本发明一种复合介质覆铜箔基片的制造方法,其主要制造过程为将金红石粉、陶瓷粉、聚四氟乙烯粉和60%的聚四氟乙烯分散液进行干燥--按计算的加料量进行混合--碾压--烧结--预热--加料--加热加压—保温冷却。
其烧结温度为350-420℃,加热加压时加压温度为300-400℃、压力为15-100kg/cm2,保温温度为300-400℃保温时间为10-60分钟,冷却温度为150-250℃。
本发明添加金红石能够提高复合介质板的强度,采用金红石的介电常数为75-100,又保证了电性能。
附图说明
图1为本发明一种复合介质覆铜箔基片结构图
具体实施方式
根据图1所示本发明一种复合介质覆铜箔基片,复合介质板1上设有铜箔2,复合介质板1的主要成份为金红石粉、陶瓷粉和聚四氟乙烯粉,其体积组份按如下公式确定:
其中Ln为复合介质板的介电常数;
ai为各组份的体积浓度;
εr为各组份的介电常数。
复合介质板1介电常数为2.2-16,金红石的介电常数为75-100,聚四氟乙烯粉体和陶瓷粉体为400目左右,陶瓷粉体为氧化铝粉,复合介质板另一面设有铜箔、铝板或者铜板。
本发明的制造方法为将金红石粉、陶瓷粉和60%的聚四氟乙烯分散液混合的聚四氟乙烯粉进行干燥,然后按如上公式计算的加料量进行混合并在碾塑机中碾压,送入烘箱中在350-420℃的温度下进行烧结。将模具进行清洁、涂刷脱模剂并对模具进行预热,然后将呈半固化状态的复合介质板1与板料、铜箔复合,使其在温度为300-400℃、压力为15-100kg/cm2进行粘合。在300-400℃保温10-60分钟,冷却至150-250℃后脱模修边得成品。
Claims (7)
1、一种复合介质覆铜箔基片,其复合介质板(1)设有铜箔(2),其特征是复合介质板(1)的的主要成份为金红石粉、陶瓷粉、聚四氟乙烯粉和聚四氟乙烯分散液,其体积组份按如下公式确定:
其中Ln为复合介质板的介电常数;
εr为各组份的介电常数;
ai为各组份的体积浓度。
2、根据权利要求1所述的复合介质覆铜箔基片,其特征是它的介电常数为2.2-16。
3、根据权利要求1所述的复合介质覆铜箔基片,其特征是金红石的介电常数为75-100,聚四氟乙烯粉体和陶瓷粉体为400目左右。
4、根据权利要求1所述的复合介质覆铜箔基片,其特征是陶瓷粉体为氧化铝粉。
5、根据权利要求1所述的复合介质覆铜箔基片,其特征是复合介质板另一面设有铜箔、铝板或者铜板(3)。
6、一种复合介质覆铜箔基片的制造方法,其主要制造过程为将金红石粉、陶瓷粉、聚四氟乙烯粉和聚四氟乙烯分散液进行干燥--按计算的加料量进行混合--碾压--烧结--预热--加料--加热加压—保温冷却。
7、根据权利要求6所述的制造方法,其特征是烧结温度为350-420℃,加热加压时加压温度为300-400℃、压力为15-100kg/cm2,保温温度为300-400℃,保温时间为10-60分钟,冷却温度为150-250℃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 02112642 CN1380812A (zh) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 一种复合介质覆铜箔基片及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 02112642 CN1380812A (zh) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 一种复合介质覆铜箔基片及其制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1380812A true CN1380812A (zh) | 2002-11-20 |
Family
ID=4742155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 02112642 Pending CN1380812A (zh) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 一种复合介质覆铜箔基片及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1380812A (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101905550A (zh) * | 2010-07-16 | 2010-12-08 | 顾根山 | 一种铜基复合介质覆铜箔板 |
CN101913274A (zh) * | 2010-07-16 | 2010-12-15 | 顾根山 | 一种铁基复合介质覆铜箔板 |
CN101913272A (zh) * | 2010-07-16 | 2010-12-15 | 顾根山 | 一种铝基复合介质覆铜箔板 |
CN102076164A (zh) * | 2011-01-17 | 2011-05-25 | 倪新军 | 一种微波高频电路板 |
CN106086730A (zh) * | 2016-07-28 | 2016-11-09 | 汉舟四川铜铝复合科技有限公司 | 一种铜铝复合材料的热处理工艺 |
CN106590452A (zh) * | 2016-11-25 | 2017-04-26 | 常州中英科技股份有限公司 | 一种覆铜板用粘结片 |
CN110126387A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-08-16 | 铜陵华科电子材料有限公司 | 一种以聚四氟乙烯为基体的挠性铝基板制作方法 |
-
2002
- 2002-02-07 CN CN 02112642 patent/CN1380812A/zh active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101905550A (zh) * | 2010-07-16 | 2010-12-08 | 顾根山 | 一种铜基复合介质覆铜箔板 |
CN101913274A (zh) * | 2010-07-16 | 2010-12-15 | 顾根山 | 一种铁基复合介质覆铜箔板 |
CN101913272A (zh) * | 2010-07-16 | 2010-12-15 | 顾根山 | 一种铝基复合介质覆铜箔板 |
CN102076164A (zh) * | 2011-01-17 | 2011-05-25 | 倪新军 | 一种微波高频电路板 |
CN102076164B (zh) * | 2011-01-17 | 2012-07-04 | 倪新军 | 一种微波高频电路板 |
CN106086730A (zh) * | 2016-07-28 | 2016-11-09 | 汉舟四川铜铝复合科技有限公司 | 一种铜铝复合材料的热处理工艺 |
CN106590452A (zh) * | 2016-11-25 | 2017-04-26 | 常州中英科技股份有限公司 | 一种覆铜板用粘结片 |
CN110126387A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-08-16 | 铜陵华科电子材料有限公司 | 一种以聚四氟乙烯为基体的挠性铝基板制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101321415B (zh) | 基于氮化铝微晶陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件及其制备工艺 | |
CN1092198A (zh) | 非还原性介电陶瓷组合物 | |
CN101483417B (zh) | 一种多层布线用黑色氧化铝基片的制备方法 | |
CN107619264B (zh) | 氧化铝陶瓷基板及其制备方法和应用 | |
CN1332910C (zh) | 采用粉末冶金工艺制备高导热氮化铝陶瓷基片的方法 | |
CN1380812A (zh) | 一种复合介质覆铜箔基片及其制造方法 | |
CN105347777A (zh) | 应用于高频电路的低损耗高温共烧氧化铝黑瓷的制备方法 | |
CN1394113A (zh) | 玻璃陶瓷多层基板的制造方法及玻璃陶瓷多层基板 | |
CN1699276A (zh) | 一种可低温度烧结的钛酸锌高频介质陶瓷及其制备方法 | |
CN110317050A (zh) | 一种陶瓷基板的低温烧结方法 | |
CN112341192B (zh) | 一种高储能密度钛酸铋钠基无铅介质材料及其制备方法 | |
CN113213948A (zh) | 一种多级结构氮化硅陶瓷材料制备方法 | |
CN2537198Y (zh) | 复合介质覆铜箔基片 | |
CN1911860A (zh) | 一种低温烧结电子陶瓷材料的制备方法 | |
CN115947596B (zh) | 一种基于微波冷烧结的微波介质陶瓷材料及低碳制备方法 | |
CN116425528A (zh) | 一种电介质陶瓷材料及其制备的片式多层陶瓷电容器 | |
CN109524310A (zh) | 一种ltcc基板共烧阻焊层制作方法 | |
CN201398264Y (zh) | 一种复合介质覆铜箔基片 | |
CN101547557A (zh) | 一种复合介质覆铜箔基片 | |
Li et al. | Curvature evolution in LTCC tapes and laminates | |
CN1793003A (zh) | (Ba1-x-ySrxYy)TiO3基电介质陶瓷材料及其制备方法 | |
JP2004009681A (ja) | 積層体の製造方法、それに用いる金型および金型の製造方法 | |
CN110493979A (zh) | 三维多层电路陶瓷基板快速制备方法 | |
JP2000299180A (ja) | セラミックヒータの製造方法 | |
CN102140953B (zh) | 氧传感器芯片的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |