CN1365101A - 光记录方法及光记录媒体 - Google Patents

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Abstract

公开了一种光记录方法,其中,用带纹槽的透光性基体上依次具有相变型记录层、电介质层和反射层的光记录媒体进行记录时,以记录用的激光的波长为λ,记录光学系统的物镜数值孔径为NA,记录光道的排列间距为PT时,在0.48≤PT/(λ/NA)≤0.74,PT≤0.50μm成立的条件下,通过对纹槽进行记录,形成两端部从纹槽露出的记录标记。使用上述记录方法,可以进行高密度记录,而且提高了数据传输速度。

Description

光记录方法及光记录媒体
技术领域
本发明涉及在相变型光记录媒体上进行记录的方法及该方法使用的光记录媒体。
背景技术
近年来，已经可以进行高密度记录，而且可消去记录信息重写的光记录媒体受到关注。可重写型的光记录媒体中相变型的光记录媒体，是通过照射激光束，使记录层的结晶状态发生变化进行记录。通过检测记录层随此种状态变化的反射率变化进行再生。相变型的光记录媒体通过照射制单一的激光束的强度，可以过照射(overlight)。而且，因为驱动装置的光学系统比光磁记录媒体的简单而引人注目。
相变型的记录层，由于在结晶质状态和非晶质状态的反射率之差大、非晶质状态的稳定性较高，故一般用Ge-Te系或Ge-Sb-Te系等硫属元素化物系材料。
可用过照射重写的相变型媒体，对结晶质记录层照射记录功率级的激光，使之熔融，通过从熔融状态进行急冷，形成非晶质记录标记。在消去时，照射消去功率级的激光，升温到记录层的结晶化温度以上、熔点以下的温度，然后慢慢冷却，将非晶质记录标记进行结晶化。因此，通过一边强度调制一边照射单一的激光，可过照射。在这样的相变型媒体中，在进行高速记录时，成为速率控制因素的是记录层的结晶化速度，即由非晶质变成结晶质时的结晶转变速度。进行高速记录，虽然可以用结晶化速度快的记录层，但结晶化速度太快时，非晶质记录标记变得容易结晶化而不稳定，为此，在记录时容易产生相邻光道所存在的记录标记被消去的交叉擦除。
因此，可过照射的相变型媒体不能显著提高记录层的结晶化速度，故很难显著提高数据传输速度。虽然可采用扩宽记录光道的排列间距(光道间距)的方法减低交叉擦除，但是扩宽光道间距会降低记录密度。
附图说明
图1是表示纹槽记录方式媒体截面的示意截面图。
图2是表示纹脊·纹槽记录方式媒体截面的示意截面图。
图3是表示光记录媒体构成例的截面图。
图4是表示光记录媒体构成例的截面图。
图5(A)是表示纹槽记录方式媒体截面的示意截面图，(B)表示实施例中纹槽记录方式的测定中所用的评价用盘截面的示意截面图。
发明内容
本发明的目的是使相变型光记录媒体的高密度记录成为可能，并提高数据传输速度。
按照下述(1)～(6)的本发明达到了上述目的。
(1)用带纹槽的透光性基体上具有相变型记录层的光记录媒体进行记录时，
以记录所用激光的波长为λ，记录光学系统的物镜数值孔径(开口数)为NA，记录光道的排列间距为PT时，在
          0.48≤PT/(λ/NA)≤0.74、
          PT≤0.50μm成立的条件下，对纹槽进行记录的光记录方法。
(2)媒体的线速度为4.5m/s以上的上述(1)的光记录方法。
(3)用带纹槽的透光性基体上具有相变型记录层的光记录媒体进行记录时，
以记录所用激光的波长为λ，记录光学系统的物镜数值孔径为NA，记录光道的排列间距为PT时，在
             0.48≤PT/(λ/NA)≤0.68成立的条件下，对纹槽进行记录的光记录方法。
(4)上述(1)～(3)的任一项的光记录方法，其中，形成至少一方的端部从纹槽露出的记录标记。
(5)前述(1)～(4)的任一项的光记录方法，其中，前述光记录媒体的前述透光性基体上，依次具有前述记录层、电介质层和反射层，前述反射层的热导率在100W/mK以上，前述电介质层的热导率在1W/mK以上。
(6)用上述(1)～(5)的任一种光记录方法记录的光记录媒体。
作为记录密度高的相变型媒体，可列举例如DVD-RW和DVD-RAM。DVD-RW采用只以跟踪伺服系统所利用的纹槽作为记录光道的纹槽记录方式进行记录。而DVD-RAM采用以纹槽和相邻纹槽间的区域(纹脊)两者为记录光道的纹脊·纹槽(land·groove)记录方式进行记录。纹脊·纹槽记录方式因为光道间距狭窄化而有利。DVD-RW的光道间距为0.74μm，DVD-RAW的光道间距为0.615μm。
图1表示纹槽记录方式的媒体截面的模式图。而图2表示纹脊·纹槽方式媒体截面的模式图。在各图中，在透光性基体与记录层的层合体即媒体200的上面，分别设有纹槽2G和凸台2L。记录再生用的激光从媒体200的下面射入。纹槽2G是相对接近激光入射面的区域，凸台2L是相对离激光入射面远的区域。
在纹槽记录方式中的记录标记4M，以纹槽2G为中心形成，从纹槽2G露出其两端，搭接在凸台2L上。而纹脊·纹槽记录方式是在纹槽2G内和凸台2L内形成记录标记4M。为了进行高密度记录，最好记录用激光束光点的直径要比光道间距大，但这时由于激光束光点的端部加热，容易影响记录对象的光道相邻的光道。为此，相邻光道中存在的非晶质记录标记的端部被加热，容易结晶化。这是交叉擦除。
以记录用的激光的波长为λ，以记录光学系统物镜的数值孔径为NA时，λ/NA是可视为记录层表面上激光的实效激光束光点直径的值。因此，光道间距为PT时，PT/(λ/NA)可视为是光道间距与激光束光点直径的比率。该值成为交叉擦除产生容易程度的指标，PT/(λ/NA)愈小，交叉擦除愈大。
本发明人对纹槽记录方式的媒体和纹脊·纹槽记录方式的媒体，分别采用光道间距相同，且相同的记录光学系统，即在PT/(λ/NA)为相同的条件下，测定交叉擦除量。其结果与DVD-RW大致相同，在
线速度：3.5m/s
λ＝635nm
NA＝0.60
PT＝0.74μm
PT/(λ/NA)＝0.699的条件下，纹槽记录方式和纹脊·纹槽记录方式都没有交叉擦除。可是，如果缩小光道间距且PT/(λ/NA)大体相同，当
线速度：5.7m/s
λ＝405nm
NA＝0.85
PT＝0.33μm
PT/(λ/NA)＝0.693时，在纹脊·纹槽记录方式中，纹槽中的交叉擦除急增。而，纹槽记录方式和凸、凹记录方式中的凸台中却完全没有交叉擦除。
本发明人反复进行这样的实验的结果，发现在
0.48≤PT/(λ/NA)≤0.74、
PT≤0.50μm的条件下，尤其是在
0.50≤PT/(λ/NA)≤0.70、
PT≤0.45μm的条件下，不用纹脊·纹槽记录方式，而采用纹槽记录方式，可显著减少交叉擦除。为此，本发明当PT/(λ/NA)和PT在上述范围时，限定利用纹槽记录方式。
当PT/(λ/NA)太小时，即使是纹槽记录方式，因为也不能充分减少交叉擦除，故对PT/(λ/NA)设定上述的下限。PT的下限取决于PT/(λ/NA)的下限。
另外，因为本发明以高密度记录媒体为对象，较好是
λ/NA≤680nm，更好是
λ/NA≤630nm。但是，可利用的激光波长和数值孔径有限制，因为很难获得显著短的波长和明显增大的数值孔径，一般最好是
350nm≤λ/NA
根据本发明，交叉擦除之所以降低，估计是因以下说明的理由。
如图3和图4所示，相变型媒体一般是按透光性基体2、第1电介质层31、记录层4、第2电介质层32和反射层这种顺序层合的结构。由金属组成的反射层5也起放热层作用，通过激光的照射被加热的记录层4，通过第2电介质层32，向反射层5放热而被冷却。凸台2L与纹槽2G不同，成为被第2电介质层32和反射层5包围的状态。另外，凸台2L的端部附近，离反射层5的距离比纹槽2G近。因此，凸台2L、尤其是其两端部附近比纹槽2G容易被冷却。
因此，图2所示的纹脊·纹槽记录方式，在凸台2L上存在的记录标记4M的两端，即使被相邻光道所照射激光束光点的端部加热，其后，因被迅速冷却，记录标记4M的端部很难结晶化，交叉擦除变小。而纹槽2G上存在的记录标记4M的端部，被相邻光道所照射的激光束光点的端部加热后，难以被冷却，结果，能较长时间地保持在结晶化温度附近的温度实现结晶化，为此，纹槽2G中的交叉擦除变大。
另一方面，在图1所示的纹槽记录方式中，当光道间距与纹脊·纹槽记录方式的光道间距同等时，如果形成在纹槽内收容的记录标记4M，记录标记4M的面积不够，不能得到足够的CNR(载波噪声比)。因此，在纹槽记录方式中，光道间距狭窄时，必须从纹槽2G露出记录标记4M。此时，记录标记4M的两端部存在于凸台2L的端部上。相邻光道照射的激光束光点的端部便靠近凸台2L的端部，即靠近记录标记4M的端部，但如上所述凸台2L的端部容易被冷却，因温度在短时间内降低，记录标记4M的端部没有进行结晶化。为此，估计纹槽记录方式中，在全记录光道中交叉擦除变小。
本发明为了实现交叉擦除降低效果，在纹槽记录方式中，记录标记至少有一方的端部，更好是两方的端部必须从纹槽露出。具体来讲，当记录标记宽为MW，纹槽宽为GW时，较好是
MW/GW＞1  更好是
MW/GW≥1.1最好是
MW/GW≥1.4
但，当记录标记宽MW与光道间距PT的比率过高时，交叉擦除变大，故较好是
MW/PT≤0.95更好是
MW/PT≤0.90
另一方面，提高记录密度后，为了得到足够的CNR，较好是
MW/PT≥0.60更好是
MW/PT≥0.65
纹槽宽GW与光道间距PT的比率没有特别的限制，虽然可适当地确定MW/GW为理想的范围，但较好是：
0.1≤GW/PT≤0.8更好是
0.2≤GW/PT≤0.6
GW/PT太小时，跟踪误差信号变小，跟踪伺服系统容易不稳定。而GW/PT过大时，MW/GW变小，本发明的效果降低。
本发明的纹槽深度没有特定限制，透光性基体的折射率为n时，纹槽深度GD较好是
λ/13n≤GD≤λ/6n纹槽太浅时，交叉擦除变大，纹槽太深时，再生信号输出变小。
为了进一步提高本发明交叉擦除降低效果，最好是提高凸台2L的冷却效率。为此，分别如图3、图4所示的结构，最好是使反射层5的热导率为100W/mK以上，且存在于记录层4和反射层5之间的第2电介质层32的热导率为1W/mK以上的急冷结构。
其次，尽管PT/(λ/NA)相同，对光道间距PT比特定值小时，交叉擦除变大的理由也进行了考察。在图1和图2中，记录标记的中心与纹槽2G中央或凸台2L中央完全一致，即这些图是正确地进行跟踪描绘的，但实际上跟踪伺服系统有时不稳定，尤其是线速度快时容易不稳定。跟踪伺服系统不稳定时，激光束光点的位置在图中左右摇摆，容易产生交叉擦除。跟踪伺服系统的不稳定性不是依赖于光道间距与电子束光点直径的相对值PT/(λ/NA)，而是依赖于光道间距PT值，PT愈小愈不稳定。为此，即使PT/(λ/NA)与DVD-RW同等，PT也变得比DVD-RW小，明显产生交叉擦除。另外，在本发明跟踪伺服系统容易不稳定的高线速时，具体来讲，媒体的线速度V为
V≥4.5m/s，尤其是
V≥5.5m/s时最有效。但线速度太快时，媒体驱动装置的成本高。因驱动时的媒体的稳定性等产生问题，故较好是
35m/s≥V更好是
30m/s≥V
光道间距PT宽时和/或线速度慢时，难以产生由于跟踪伺服系统不良造成的交叉擦除。可是，即使这样，跟踪伺服系统不稳定的影响小，如果PT/(λ/NA)大于0.68，交叉擦除也会变大。因此，
若0.48≤PT/(λ/NA)≤0.68不依赖于光道间距PT的值，本发明是有效的。
此外，作为采用纹槽方式的相变型媒体，例如众知的CD-RW和DVD-RW，但并不知道纹槽记录方式且具有本发明有效的光道间距PT的媒体，也不知道对一般光道间距狭窄化有利的纹脊·纹槽记录方式中，纹槽的交叉擦除大，而对光道间距狭窄化不利的纹槽记录方式，对交叉擦除有利。
以下，对本发明采用的光记录媒体的构成例进行说明。
图3所表示的结构
该光记录媒体是在支撑基体20上，按下列顺序将由金属或半金属构成的反射层5、第2电介质层32、记录层4、第1电介质层31和透光性基体2层合形成的。用于记录和再生的激光通过透光性基体2射入。而且，在支持基体20和反射层5之间也可以设有电介质材料组成的中间层。
支撑基体20
支撑基体20是用于维持媒体的刚性所设。支撑基体20的厚度一般为0.2～1.2mm，较好是0.4～1.2mm，可以透明也可以不透明。支撑基体20同通常的光记录媒体一样也可由树脂构成，但也可以用玻璃构成。如图所示，可通过把支撑基体20上设的凹凸图案转印到其上面所形成的各层而形成纹槽2G和凸台2L。
反射层5
反射层的构成材料没有特定限制，通常可由Al、Au、Ag、Pt、Cu、Ni、Cr、Ti、Si等金属或半金属的单质或含这些一种以上的合金等构成。如前所述，因本发明理想的是使媒体为急冷结构，故最好是由热导率高的材料构成反射层。作为热导率高的材料最好是Ag或Al，但是Ag或Al为单质，不能得到足够的耐蚀性，为了提高耐蚀性最好添加其他元素。另外，图3所示结构的媒体，由于反射层形成时的结晶成长，在激光射入侧的反射层表面的粗糙度容易变大。该表面粗糙度变大后，再生噪音增大。因此，理想的是反射层的结晶粒径要小，为此，不用Ag或Al的单质，为使反射层的结晶粒径小，或为了作为非晶质层形成反射层，最好加入添加元素。
但是，添加其他元素后，热导率降低，这时最好用热导率较高的Ag为主成分元素，作为在Ag中添加的理想辅助成分元素，可列举例如Mg、Pd、Ce、Cu、Ge、La、S、Sb、Si、Te和Zr中选出的至少1种元素。这些辅助成分元素使用至少1种，最好用2种以上。反射层中辅助成分元素的含量，对各金属较好是0.05～2.0原子％，更好是0.2～1.0原子％，辅助成分总量较好是0.2～5原子％，更好是0.5～3原子％。辅助成分元素含量太少时，含这些元素的效果不够好。而辅助成分含量太多时，热导率变小。
此外，反射层的热导率因结晶粒径愈小而愈低，当反射层是非晶质时，记录时难以得到足够的冷却速度，为此，最好先将反射层形成非晶质层后，再进行热处理使之结晶化。一旦形成非晶质层后进行结晶化，可大体上维持非晶质时的表面粗糙度。而且，通过结晶化实现热导率的提高。
反射层的热导率较好是在100W/mK以上，更好是在150W/mK以上。热导率例如可用4探针法求的反射层的电阻值，按Widemann-Franz定律算出。反射层的热导率没有上限，即也可使用作为反射层构成材料可以使用的物质中具有最高热导率的纯银(热导率250W/mK)。
反射层的厚度一般较好是10～300nm。厚度低于前述范围时，很难得到足够的反射率。而超过前述范围时，反射率的提高小，对成本不利。最好用溅射法、蒸镀法等气相淀积成长法形成反射层。
第1电介质层31和第2电介质层32
这些电介质层防止记录层的氧化、变质，或通过阻隔记录时来自记录层传导的热乃至进面内方向，保护支撑基体20和透光性基体2。另外，通过设这些电介质层可提高调制度。
作为这些电介质层用的电介质，理想的是，例如，含有从Si、Ge、Zn、Al、稀土类元素等中选出的至少1种金属成分的各种化合物。作为化合物，较好是氧化物、氮化物或硫化物，也可使用含2种以上这些化合物的混合物。
为了成为急冷结构，电介质层尤其是第2电介质层32最好由热导率高的电介质构成。作为热导率高的电介质，例如，较好是硫化锌与氧化硅的混合物(ZnS-SiO2)、氮化铝、氧化铝、氮化硅、氧化钽等，最好是铝的氧化物和/或氮化物，硅的氧化物和/或氮化物。作为ZnS-SiO2，最好含有30～60mol％的SiO2。SiO2含量太少时，热导率太低。而SiO2含量太多时，与其他层的密合性不够，在长时间保持时层间容易产生剥离。
第2电介质层的热导率较好在1W/mK以上，更好是在1.5W/mK以上。第2电介质层热导率的上限没有特定限制，但作为电介质层可使用的材料，一般热导率在约20W/mK以下。本发明中的第2电介质层的热导率不是薄膜状态下的测定值，而是整体材料的值。
第1电介质层和第2电介质层，也可由组成不同的2层以上的电介质层层合而成。
第1电介质层和第2电介质层的厚度，虽可适当地确定使之能充分得到保护效果和调制度提高效果，但一般第1电介质层31的厚度，较好是30～300nm，更好是50～250nm，第2电介质层32的厚度，较好是10～50nm，但为了成为急冷结构，第2电介质层的厚度较好是30nm以下，更好是25nm以下。
最好用溅射法形成各电介质层。
记录层4
记录层的组成没有特定限制，可由各种相变材料适当地选择，但最好至少含有Sb和Te。只由Sb和Te组成的记录层，结晶化温度大约130℃，比较低，其保存可靠性不够好，为了提高结晶化温度，最好添加其他元素。作为这时添加的元素，最好从In、Ag、Au、Bi、Se、Al、P、Ge、H、Si、C、V、W、Ta、Zn、Ti、Sn、Pb、Pd和稀土类元素(Sc、Y和镧系元素)中选出至少1种。考虑保存可靠性提高效果特别高时，最好从稀土类元素、Ag、In和Ge中选出至少1种。
作为含有Sb和Te的组成，较好是以下的组成。用M表示除Sb和Te外的元素，用式I表示记录层构成元素的原子比时
式I   (SbxTe1-x)1-yMy
较好是0.2≤x≤0.90、
      0≤y≤0.25
更好是0.55≤x≤0.85、
      0.01≤y≤0.20
上述式I中，代表Sb含量的x太小时，结晶化速度太慢。另外，因记录层的结晶区域的反射率低，再生信号输出变低。而如果x明显地小，记录也困难。当x太大时，结晶状态和非结晶状态之间的反射率差变小。
元素M没有特别的限制，最好从显示保存可靠性提高效果的上述元素中选用至少1种。代表元素M含量的y太大时，结晶化速度降低，故y最好是在上述范围内。
记录层的厚度较好是4～50nm，更好是5～30nm。记录层太薄时，结晶相的成长困难，结晶化困难。而记录层太厚时，因记录层的热容量变大，除记录困难外，再生信号输出也降低。
记录层的形成最好用溅射法。
透光性基体2
为了透过记录再生用的激光，透光性基体2要具有透光性。透光性基体2也可用与支撑基体20厚度基本相同的树脂板或玻璃板。但是，为了通过记录再生光学系统的高NA化达到高密度记录，最好使透光性基体2薄型化。此时，透光性基体的厚度最好从30～300μm的范围选择。透光性基体太薄时，由于粘附在透光性基体表面上的尘土而造成的光学影响增大。而透光性基体太厚时，用高NA化很难达到高记录密度。
将透光性基体2薄型化时，例如可用各种粘接剂或粘合剂将由透光性树脂组成的光透过性片材粘贴在第1电介质层31上形成透光性基体，也可以用涂布法在第1电介质层31上直接形成透光性树脂层后成为透光性基体。
图4所表示的结构
图4所表示的光记录媒体，在透光性基体2上，按下列顺序有第1电介质层31、记录层4、第2电介质层32、反射层5和保护层6。激光通过透光性基体2射入。
图4中的透光性基体2，可使用与图3中支撑基体20同样的材料，但必须有透光性。
为了提高耐擦伤性和耐蚀性，设有保护层6。该保护层优选用各种有机类物质构成，但最好是用电子射线、紫外线等放射线使放射线固化型化合物或其组合物固化得到的物质构成。保护层的厚度通常为0.1～100μm左右。也可用旋涂、照相凹版涂布、喷涂、浸涂等一般方法形成。
其他的各层与图3所示的构成例一样。
实施例
实施例1
按以下步骤制作具有图3所示的结构、用纹槽记录方式或纹脊·纹槽记录方式记录的光记录盘样品。
支撑基体20用直径120mm、厚1.2mm的盘状聚碳酸酯。在该支撑基体表面，设有在转印到透光性基体2上后成为纹槽和凸台的凹凸图案。
在Ar环境气氛下，用溅射法形成反射层5，靶用Ag98Pd1Cu1。反射层的厚度为100nm，反射层的热导率为170W/mK。
第2电介质层32，用Al2O3靶在Ar环境气氛下通过溅射法形成。第2电介质层的厚度为20nm。靶用的Al2O3的热导率为10.5W/mK。
记录层4，用合金靶在Ar环境气氛下用溅射法形成。记录层的组成(原子比)为(Sb0.78Te0.22)0.95In0.01Ge0.04。记录层的厚度为12nm。
第1电介质层31，用ZnS(80mol％)-SiO2(20mol％)靶在Ar环境气氛下用溅射法形成。第1电介质层的厚度为130nm。
利用溶剂型紫外线固化型丙烯酸系树脂构成的厚3μm的粘接层，在第1电介质层31的表面粘接聚碳酸酯片(厚100μm)而形成透光性基体2。
将这样制作的样品用消磁器初始化(结晶化)后，在
线速度：5.7m/s
激光波长：405nm
数值孔径NA：0.85
调制码：(1，7)RLL的条件下，按下述步骤测定交叉擦除。
首先，在测定对象光道上记录8T信号，使该载波输出为C1，然后在上述测定对象光道相邻的两侧光道上，分别过照射7T信号10次。再对最初测定对象光道上记录的8T信号重新测定载波输出，记此为C2。C2-C1为交叉擦除。以纹槽的交叉擦除为G-XE，凸台的交叉擦除为L-XE，分别示于表1。
另外，在本实施例中，因必须测定极窄光道间距媒体的交叉擦除，故纹槽记录方式的媒体纹槽宽度明显变窄。因此很难提高样品的尺寸精确度，结果很难得到可靠度高的数据。为此，纹槽记录方式采用图5(B)所示的评价用盘，按以下步骤测定交叉擦除，确保数据的可靠性。
图5(A)是表示通常的纹槽记录盘上，先在测定对象光道上形成记录标记4M，然后对其相邻光道照射激光，产生交叉擦除的实验的示意截面图。而图5(B)是表示本实施例中用的媒体200。图5(B)中凸台宽LW与图5(A)中凸台宽LW相同，而纹槽宽GW比图5(A)中纹槽宽GW宽，故容易制造尺寸精确度高的盘。在此状态下，图5(B)中的光道间距比图5(A)宽，为此，测定时，如图5(B)所示，首先在测定对象光道上、在光道宽度方向用偏置的激光形成记录标记4M，测定前述C1。此时的偏置量的设定，要使记录标记4M朝凸台上的露出量在图5(A)和图5(B)中相同，即从凸台中央到激光束光点中央的距离在图5(A)和图5(B)中相同。
然后，对相邻光道照射激光，使之产生交叉擦除，但此时，也对光道宽度方向偏置地照射激光，此时的偏置量T0与形成记录标记时的偏置量相同。
接着，测定前述C2，求C2-C1，但该C2-C1只是记录标记一面的交叉擦除，对另一面也要同样地进行测定，将两个测定结果相加的值作为纹槽中的交叉擦除G-XE。
表1示出了各记录方式中的光道间距PT。在纹脊·纹槽记录方式的样品中，纹槽宽与凸台宽相同。而且，纹槽记录方式中的PT是由激光的偏置量算出的假想光道间距，相当于图5(A)中的GW+LW。而纹槽记录方式中，由激光的偏置量算出的假想纹槽宽GW即相当于图5(A)中的GW值的设定，使得用假想光道间距除假想纹槽宽的值GW/PT设定为0.30～0.35。
用纹槽记录方式在各样品上记录后，拍记录层的透过型电子显微镜照片。由所得的照片测定记录标记宽MW，求与假想纹槽宽GW的比和与假想光道间距PT的比。其结果MW/GW在2.3～2.8的范围，而MW/PT在0.70～0.85的范围。
表1
  λ＝405nm，NA＝0.85
PT                      交叉擦除(dB)
                    纹槽记录  纹脊·纹槽记录
(μm)   PT/(λ/NA) G-XE      G-XE      L-XE
0.33    0.693       0         -0.5      0
0.30    0.630       0         -1.5      0
0.27    0.567       0         -3.2      0
0.24    0.502       -0.2      -4.0      -0.3
由表1可知本发明的效果明显。即，即使纹脊·纹槽记录方式中的PT/(λ/NA)大致与DVD-RW相同，为0.693，如果光道间距为0.33μm时，纹槽也产生交叉擦除。这可能是线速度快且光道间距窄，跟踪伺服系统不稳定的结果。而纹槽记录方式时，即使光道间距窄到0.27μm，也完全不发生交叉擦除。即使是光道间距为0.24μm，交叉擦除也十分小。
实施例2
除了用纹槽宽度的尺寸精确度高的支撑基体20、光道间距PT为表2所示的值外，其他同实施例1一样制作光记录盘样品。表2中所示的PT不是实施例1中假想光道间距，而是实际的光道间距。
同实施例1一样对这些样品进行评价，将结果示于表2。而且，用纹槽记录方式在各样品上记录后，拍记录层的透过型电子显微镜照片，由所得的照片测定记录标记宽MW，求与纹槽宽GW的比和与光道间距PT的比。结果，MW/GW在2.0～2.8的范围，而MW/PT在0.70～0.86的范围。表2
  λ＝405nm，NA＝0.85
PT                   交叉擦除(dB)
            纹槽记录          纹脊·纹槽记录
(μm)    PT/(λ/NA)  G-XE    G-XE     L-XE
0.33     0.693        0       -0.7     0
0.30     0.630        0       -1.1     0
0.28     0.588        0       -2.6     0
0.26     0.546        -0.1    -3.1     -0.1
0.24     0.502        -0.3    -3.8     -0.4
表2中，按照光道间距PT和PT/(λ/NA)，得到与表1同等的结果。由该结果可知本发明的效果明显。
实施例3
按以下步骤制作具有图4所示的结构，用纹槽记录方式或纹脊·纹槽记录方式记录的先记录盘样品。
透光性基体2用由注射成型同时形成纹槽的直径120mm、厚0.6mm的盘状聚碳酸酯。在纹槽记录方式和纹脊·纹槽记录方式中，光道间距PT分别为表3所示的值。纹槽记录方式媒体中的纹槽宽GW设定成使GW/PT为0.30～0.35，纹脊·纹槽记录方式媒体中的纹槽宽与凸台宽相同。
用ZnS(80mol％)-SiO2(20mol％)靶，在Ar环境气氛下用溅射法形成第1电介质层31。第1电介质层厚80nm。
用合金靶，在Ar环境气氛下用溅射法形成记录层4。记录层的组成(原子比)为：(Sb0.72Te0.28)0.88Ag0.06In0.04Ge0.02。记录层的厚度为23nm。
用ZnS(50mol％)-SiO2(50mol％)靶，在Ar环境气氛下用溅射法形成第2电介质层32。第2电介质层的厚度为25nm。靶所用ZnS(50mol％)-SiO2(50mol％)的热导率为1.0W/mK。
同实施例1一样形成反射层5。
用旋涂法涂布紫外线固化型树脂后，用紫外线照射固化形成保护层6。保护层的厚度为5μm。
把这样制作的样品，用消磁器进行初始化(结晶化)后，在
线速度：3.5m/s
激光波长：635nm
数值孔径NA：0.60
调制码：8～16调制的条件下，同实施例1一样测定交叉擦除。而测定对象光道记录的信号为14T，相邻光道记录的信号为11T。结果示于表3。
用纹槽记录方式在各样品上记录后，拍记录层的透过型电子显微镜照片，由所得的照片测定记录标记宽MW，求与纹槽宽GW的比和与光道间距PT的比。结果，MW/GW在2.3～3.2的范围，而MW/PT在0.70～0.96的范围。
表3
   λ＝635nm，NA＝0.60
PT                         交叉擦除(dB)
                      纹槽记录    纹脊·纹槽记录
(μm)    PT/(λ/NA)  G-XE        G-XE     L-XE
0.74     0.699        0           0        0
0.70     0.661        0           -0.5     0
0.67     0.633        0           -1.0     0
0.60     0.567        0           -2.1     0
0.56     0.529        0           -3.2     0
0.50     0.472        -0.7        -4.5     -0.8
由表3可知，在PT/(λ/NA)≤0.68时，在纹脊·纹槽记录方式中，纹槽的交叉擦除增大。而纹槽记录方式时，甚至PT/(λ/NA)极小时，也不发生交叉擦除。
根据本发明，在过去认为适合纹脊·纹槽记录方式的高密度记录媒体中，通过采用纹槽记录方式，可比纹脊·纹槽记录方式明显降低交叉擦除。由于可采用难以抑制交叉擦除的结晶化速度快的记录层，故可实现高传输速度的记录体系。又因可使光道间距变窄，故可实现高密度记录体系。

Claims (6)

1.一种光记录方法，其中，用带纹槽的透光性基体上具有相变型记录层的光记录媒体进行记录时，
以记录所用激光的波长为λ，记录光学系统的物镜数值孔径为NA，记录光道的排列间距为PT时，在
         0.48≤PT/(λ/NA)≤0.74、
         PT≤0.50μm成立的条件下，对纹槽进行记录。
2.权利要求1的光记录方法，其中，媒体的线速度为4.5m/s以上。
3.一种光记录方法，其中，用带纹槽的透光性基体上具有相变型记录层的光记录媒体进行记录时，
以记录所用激光的波长为λ，记录光学系统的物镜数值孔径为NA，记录光道的排列间距为PT时，在
        0.48≤PT/(λ/NA)≤0.68成立的条件下，对纹槽进行记录。
4.权利要求1～3的任一项的光记录方法，其中，形成至少一方的端部从纹槽露出的记录标记。
5.权利要求1～4的任一项的光记录方法，其中，前述光记录媒体的前述透光性基体上，依次具有前述记录层、电介质层和反射层，前述反射层的热导率在100W/mK以上，前述电介质层的热导率在1W/mK以上。
6.一种光记录媒体，它用权利要求1～5的任一项的光记录方法进行记录。
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