CN1333298C - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置，可以简化电路结构，进行实现了没有误动作、多色化以及面积灰度的高开口率且多灰度的彩色显示。跨接交变电源(φp、φn)的构成第1反相器的第1晶体管对(NM2、PM2)和构成第2反相器的第2晶体管对(NM3、PM3)兼作对像素电极(PX)的输出电路。在第1晶体管对(NM2、PM2)的串联电路中，插入将与该晶体管(NM2、PM2)的导通方向相同的方向作为正向的二极管(D1、D2)，将二极管(D1、D2)的公共连接点连接到开关晶体管(NM1)的输出。在第2晶体管对的控制电极的公共连接点和第2晶体管对的串联连接中间点之间连接电容(CB)，利用蓄积在电容(CB)上的电荷控制数据的写入状态。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种有源矩阵型的显示装置，特别是适于可进行高开口率且高精细的像素存储方式的多灰度显示的显示装置。
背景技术
作为笔记本电脑和显示监视器用的能高精细且彩色显示的显示装置，进行使用了液晶屏的显示装置、使用了电致发光(特别是有机EL)等各种方式的显示装置的实用化或者为了实用化的研究。现在最广泛使用的是液晶显示装置，这里，作为显示装置的典型例子，以所谓有源矩阵型的液晶显示装置为例来进行说明。
作为有源矩阵型液晶显示装置，有代表性的薄膜晶体管(TFT)型，将设置在每个像素上的薄膜晶体管TFT作为开关元件，向像素电极施加信号电压(影像信号电压：灰度电压)，因此，能够进行高精细且多灰度显示，且无像素之间的串扰(cross talk)。
另一方面，在把这种液晶显示装置安装在便携式信息终端等电源使用电池的电子装置上时，需要减少伴随该显示的消耗功率。为此，提出了比以往更多的使液晶显示装置的各像素具有存储功能的构思。
图7是说明构成把1位的静态随机存取存储器内置在各像素中的低温多晶硅薄膜晶体管方式的液晶显示装置的液晶屏的结构例的示意图。液晶屏构成为在第1基板和第2基板的相对间隙中夹持液晶。图中，参考符号PNL为液晶屏，在占平面大部分的像素部(显示领域)AR的周围，在第1基板上具有垂直扫描电路GDR和水平扫描电路DDR。像素部(像素阵列)AR的各像素具有1位(bit)的图像存储器(静态随机存取存储器：SRAM)。该液晶屏PNL在其水平扫描电路DDR上内置有4位的数模转换电路(DAC)，但这并不是必须的。
图8是说明图7中的1位SRAM图像存储器的概要的电路图。图中，GL为栅极线(扫描线)，DL为漏极线(信号线)，LC为液晶，VCOM为公共电压。参考符号PIX表示像素电路。像素电路PIX由基于施加在栅极线GL上的扫描电压读入从漏极线DL输入的显示信号的开关用的晶体管T1，液晶LC，以及对图像存储器SRAM进行影像信号的读入和读出的一对晶体管T2、T3构成。像素电路PIX具有将来自外部的4～6位的灰度模拟电压直接提供给液晶驱动用电极的普通的抽样功能；以及将外部1位数据暂时存储在SRAM中，将以该1位数据为基准的交变电压φp、φn输出到液晶驱动用电极的图像存储功能。
抽样功能和图像存储功能的动作选择由外部进行控制。而且，交变电压φp和φn为与液晶交变电压同步地彼此以相反极性进行交变的交流信号，φn用φp的反相波形来表示。通过采用该像素结构，可以通过在例如便携电话机的等待时等显示存储在SRAM中的1位数据来减少数据写入等的消耗功率。
而且，作为已公开的具有1位存储器的面积灰度显示构造的显示装置，可以举出例如专利文献1。
[专利文献1]日本特开2002-175040号公报
发明内容
图9是说明包含与本申请人的既有提案有关的图像存储电路的液晶显示装置的1个像素电路的结构例的电路图。在构成该液晶显示装置的第1基板上，构成多条漏极线DL的漏极线DL1构成对像素提供影像信号的布线，选择信号线HADL1和VADL是用于选择施加影像信号的像素的布线。参考符号VCOM是作为固定电压的公共电压，在所谓TN型液晶屏中，位于第2基板侧。像素具有在下一次被选择并改写之前保持所施加的影像信号的功能。而且，若将液晶LC置换为有机电致发光元件(有机EL)等，则成为有机EL显示装置等。
在固定电压线VCOM-L上施加固定电压VCOM。固定电压VCOM连接到在夹有液晶LC的第2基板上形成的电极。在交变电压线PBP-L和PBN-L上施加交变电压PBP(相当于图8中的φp)和PBN(相当于φn)。
通过由施加在构成选择信号线HADL的选择信号线HADL1和选择信号线VADL上的各选择信号使两个NMOS晶体管VADSW1和HADSW1处于导通状态，进行对像素的影像信号的写入。
一对p型场效应晶体管(PMOS)PLTF1和n型场效应晶体管(NMOS)NLTF1构成第1反相器，该一对p型场效应晶体管(PMOS)PLTF1和n型场效应晶体管(NMOS)NLTF1以写入的影像信号电位作为输入栅极(电压节点N8)电位，其各自的作为源极或者漏极的电极或扩散区域进行电连接而形成输出部(电压节点N9)。以下，把电压节点简称为节点。
一对p型场效应晶体管(PMOS)PLTR1和n型场效应晶体管(NMOS)NLTR1构成第2反相器，该一对p型场效应晶体管(PMOS)PLTR1和n型场效应晶体管(NMOS)NLTR1以构成第1反相器的一对p型场效应晶体管(PMOS)PLTF1和n型场效应晶体管(NMOS)NLTF1的各自的作为源极或者漏极的电极或扩散区域进行电连接的输出部(节点N9)的电位作为输入栅极电位。
一对p型场效应晶体管(PMOS)PPVS1和n型场效应晶体管(NMOS)NPVS1构成第3反相器，该一对p型场效应晶体管(PMOS)PPVS1和n型场效应晶体管(NMOS)NPVS1以构成第2反相器的一对p型场效应晶体管PLTR1和n型场效应晶体管NLTR1的各自的作为源极或者漏极的电极或扩散区域进行电连接的输出部(节点N8)的电位作为输入栅极电位。
而且，构成第2反相器的一对p型场效应晶体管PLTR1和n型场效应晶体管NLTR1的输出部(节点N8)同时和第1反相器的输入栅极(节点N8)进行电连接。构成第1和第2反相器的n型场效应晶体管NLTF1和NLTR1的、不是反相器的输出的作为源极或者漏极的电极或扩散区域(节点N6)连接到上述一对交变电压线的一方(PBN)。
另外，构成第1和第2反相器的p型场效应晶体管PLTF1和PLTR1的、不是反相器的输出的作为源极或者漏极的电极或扩散区域(节点N4)，连接到电压的交变电压线PBP，该电压的交变电压线PBP与构成第1和第2反相器的n型场效应晶体管的不是反相器的输出的作为源极或者漏极的电极或扩散区域所连接的交变电压线(节点N6)成为一对。
构成第3反相器的一对p型场效应晶体管PPVS1和n型场效应晶体管NPVS1的不是反相器输出部(节点N10)的各自的作为源极或者漏极的电极或扩散区域的一方(节点N6)，连接到上述交变电压线的任意一方(PBN)，另一方连接到固定电压线VCOM(节点N3)。
能够用1位SRAM实现的颜色数，对于R、G、B各色各为2，合计为2×2×2＝8色，作为彩色显示颜色数过少，限于在上述那样的便携电话机的等待时等，通过显示存储在SRAM中的1位数据，减少数据的写入功率这样的利用方法。
图10是组合了在图9中所说明的单位像素的面积灰度像素的结构例的说明图。在该例中，使构成各单位像素的像素电极的面积为面积不同的单元(cell)CL-A、单元CL-B、单元CL-C的3种组合。有选择地将这些面积不同的单元进行组合，可以进行3位8灰度显示。关于各色(R、G、B)构成该组合，进而能作为可以进行多色显示的1个彩色像素。
但是，在上述图9中所说明的像素存储方式中，因为其布线数、晶体管数量增多，电路规模增大，所以降低消耗功率是有限的，并且难以提高开口率。而且，在图10所说明的形式中，电路结构和像素电极的结构复杂，难以降低制造成本。作为其对策，本发明的申请人提出了将在下面说明的结构。
图11是说明包含本申请人的既有提案的图像存储电路的液晶显示装置的1个像素的其它结构例的电路图。而且，图12是说明在将彩色显示的灰度作为R为3位、G为3位、B为2位的数据来显示256色的情况下，1个彩色像素的显示区域中的布局的一例的平面图。
图11的基本的动作和图9是一样的，在该结构中，有这样的不同点，用于数据保持的晶体管对(CMOS晶体管对)兼作向像素电极PX输出的输出电路。图像存储器(存储电路)具有：由跨接一对电源线φp、φn串联连接的晶体管(NMOS)NM2和晶体管(PMOS)PM2构成的第1的晶体管对；以及由跨接上述一对电源线φp、φn串联连接的晶体管(NMOS)NM3和晶体管(PMOS)PM3构成的第2晶体管对。
对一对电源线φp、φn提供彼此以相反极性变化的交流电压。存储电路的构成第1晶体管对的晶体管NM2和晶体管PM2的控制电极的公共连接点，连接到构成第2晶体管对的晶体管NM3和晶体管PM3的串联连接中间点(节点)N2。而且，构成第2晶体管对的晶体管NM3和晶体管PM3的控制电极的公共连接点，连接到构成第1晶体管对的晶体管NM2和晶体管PM2的串联连接中间点(节点)N1。
NMOS晶体管NM1是开关元件(晶体管)。该开关元件NM1由栅极线GL选择，将由漏极线提供的影像信号(数据)连接到构成第1晶体管对的晶体管NM2和晶体管PM2的节点N1。开关元件NM1的输出点连接到构成第1晶体管对的晶体管NM2和晶体管PM2的节点N1，构成第2晶体管对的晶体管NM3和晶体管PM3的节点N2连接到单位像素PX的像素电极。而且，在构成第2晶体管对的晶体管NM3和晶体管PM3的节点N2与控制电极的公共连接点之间，插入有自举电容CB。另外，参考符号CS表示杂散电容。
在图12中，参考符号CX表示1个彩色像素；R1、R2、R3以及G1、G2、G3表示分别根据3位数据以面积灰度控制的红(R)和绿(G)的分割单位像素电极；B1、B2表示分别根据2位数据以面积灰度控制的蓝(B)的分割单位像素电极。用分割单位像素电极R1、R2、R3构成R的单位像素，用分割单位像素电极G1、G2、G3构成G的单位像素，用分割单位像素电极B1、B2构成B的单位像素。分割单位像素电极是上述的液晶驱动电极。
R和G的单位像素由分别连接到栅极线GL和提供3位数据的3条漏极线DL(R1)、(R2)、(R3)以及DL(G1)、(G2)、(G3)的开关元件NM1进行选择。在各单位像素中，具有由各开关元件NM1控制的与位数相对应的数量的图像存储器SRAM，图像存储器SRAM的输出用接触孔CTH电连接到分割单位像素电极。
R、G、B的各单位像素在栅极线GL的延伸方向的尺寸相同，R、G的各单位像素在漏极线DL的延伸方向上以“3”、“6”、“12”的比率被分割成分割单位像素，B的单位像素以“7”、“14”的比率被分割成分割单位像素。通过该分割实现了256色的面积灰度。
根据图12所示的布局的彩色像素，能够用R为3位、G为3位、B为2位总计8位数据实现256色的彩色显示，无变化的显示数据显示存储在存储器中的数据，而不需要进行每帧的数据传送，因此可以减少消耗功率。另外，增加各色的位数还能够实现更多的彩色显示。
这样，通过使像素自身具有数据的保持功能(存储功能)，不需要每次都对每帧送进数据，只改写变化部分的数据就可以。而且，由于每个像素都具有存储功能，因此可以随机地读出显示区域的像素并进行显示。在进行随机存取显示时，可以设置随机存取电路。
通过构成上述的图11的电路结构，和图9相比，能够实现电路规模的大幅度的简化。但是，在该结构中，在使图像存储器保持数据时，例如在图11中的第1晶体管对PM2和NM2的导通/截止动作迁移时，有时会发生误动作。
本发明的优点在于能够提供这样的显示装置：简化电路结构，实现基于面积灰度的多色化，并且，防止对像素存储器的数据写入的误动作，能进行高开口率且多灰度的彩色显示。
本发明构成为在对像素电极输出的输出电路中兼有保持影像信号的CMOS晶体管对，而且在像素电极上连接电容，利用蓄积在上述电容中的电荷控制对SRAM的写入状态，并且，对于控制对像素存储器的数据写入的上述CMOS晶体管对，分别串联插入导通方向相同的二极管。以下，记述本发明有代表性的结构。
具有与多条扫描线和多条信号线交叉的部分相对应地设置的像素；
上述像素包括像素电极、选择该像素电极的开关元件、以及设置在上述像素电极和上述开关元件之间存储写入上述像素电极的数据的存储电路；
具有对上述存储电路施加彼此以相反极性变化的交变电压的由第1交变电压电源线和第2交变电压电源线构成的一对交变电压电源线；
上述存储电路包括跨接上述一对交变电压电源线串联连接的由第1NMOS晶体管和第1PMOS晶体管构成的第1晶体管对，以及跨接上述一对交变电压电源线串联连接的由第2NMOS晶体管和第2PMOS晶体管构成的第2晶体管对；
上述第1晶体管对的控制电极的公共连接点连接到上述第2晶体管对的串联连接中间点，上述第2晶体管对的控制电极的公共连接点连接到上述第1晶体管对的串联连接中间点；
上述第1NMOS晶体管被连接在上述第1交变电压电源线和上述第1PMOS晶体管之间；
上述第2NMOS晶体管被连接在上述第1交变电压电源线和上述第2PMOS晶体管之间；
在上述第1交变电压电源线和上述第1晶体管对的上述串联连接中间点之间，与上述第1NMOS晶体管串联连接有在从上述第2交变电压电源线向上述第1交变电压电源线的方向具有导通方向的第1二极管；
在上述第2交变电压电源线和上述第1晶体管对的上述串联连接中间点之间，与上述第1PMOS晶体管串联连接有在从上述第2交变电压电源线向上述第1交变电压电源线的方向具有导通方向的第2二极管；
将上述开关元件的输出点连接到上述第1晶体管的上述串联连接中间点，并且将上述第2晶体管对的上述串联连接中间点连接到上述像素电极；
在上述第2晶体管对的上述控制电极的上述公共连接点和上述第2晶体管对的上述串联连接中间点之间连接电容。
最好是上述第1二极管被连接在上述第1NMOS晶体管和上述第1晶体管对的上述串联连接中间点之间，上述第2二极管被连接在上述第1PMOS晶体管和上述第1晶体管对的上述串联连接中间点之间；或者是上述第1二极管被连接在上述第1NMOS晶体管和上述第1交变电压电源线之间，上述第2二极管被连接在上述第1PMOS晶体管和上述第2交变电压电源线之间。
优选的是，将上述像素作为1种颜色的单位像素，将多个上述单位像素作为1个彩色像素，或者，用面积不同的多个电极构成上述1个彩色像素的各单位像素的像素电极，与2位以上的灰度显示相对应地由上述开关元件选择上述多个电极。
依照本发明，能够减少布线数和晶体管数，并防止对图像存储器的写入、读出的误动作，防止开口率的降低，得到多灰度且高精细的彩色图像显示装置。
另外，本发明并不限于上述结构以及后述的实施例的结构，在不脱离本发明的技术思想的范围内，可作种种变更。
附图说明
图1是用于说明本发明实施例1的液晶显示装置的1个像素的电路图。
图2是说明施加在电源线φp、φn上的用于液晶驱动的交变电压的一例的波形图。
图3是用于说明本发明实施例2的液晶显示装置的1个像素的电路图。
图4是说明在图1中所说明的本发明实施例1的第1晶体管对的布局的主要部分平面图。
图5是说明在图3中所说明的本发明实施例2的第1晶体管对的布局的主要部分平面图。
图6是说明作为安装了本发明的显示装置的电子设备的一例的便携式信息终端的结构例的立体图。
图7是说明构成在各像素中内置了1位的静态随机存取存储器的低温多晶硅薄膜晶体管方式的液晶显示装置的液晶屏的结构例的示意图。
图8是说明在图7中的1位SRAM图像存储器的概要的电路图。
图9是说明包含本发明人的既有提案的图像存储电路的液晶显示装置的1个像素的结构例的电路图。
图10是组合了图9中所说明的单位像素的面积灰度像素的结构例的说明图。
图11是说明包含本申请人的既有提案的图像存储电路的液晶显示装置的1个像素的其它结构例的电路图。
图12是说明在将彩色显示的灰度作为R为3位、G为3位、B为2位的数据显示256色时，1个彩色像素的显示区域中的布局的一例的平面图。
具体实施方式
以下，参照实施例的附图详细地说明本发明的显示装置的实施方式。另外，在以下的实施例中，以液晶显示装置为例进行说明，但是，不言而喻，也同样能够适用于有机EL等矩阵型显示装置。
(实施例1)
图1是用于说明本发明实施例1的液晶显示装置的1个像素的电路图。与上述图11一样，图像存储器(存储电路)具有：由跨接一对电源线φp、φn串联连接的晶体管(NMOS)NM2和晶体管(PMOS)PM2构成的第1晶体管对；以及由跨接上述一对电源线φp、φn串联连接的晶体管(NMOS)NM3和晶体管(PMOS)PM3构成的第2晶体管对。构成第1晶体管对的晶体管NM2和晶体管PM2经由具有与各晶体管NM2和PM2的各自的导通方向相同的导通方向的二极管D1、D2进行连接。即二极管D1、D2连接在各晶体管NM2和PM2的漏极侧。
对一对电源线φp、φn提供彼此以相反极性变化的交流电压(交变电压)。构成存储电路的第1晶体管对的晶体管NM2和晶体管PM2的控制电极的公共连接点，连接到构成第2晶体管对的晶体管NM3和晶体管PM3的串联连接中间点(节点)N2。而且，构成第2晶体管对的晶体管NM3和晶体管PM3的控制电极的公共连接点，连接到作为构成第1晶体管对的晶体管NM2和晶体管PM2的串联连接中间点的二极管D1和D2的串联连接中间点(节点)N1。
NMOS晶体管NM1为开关元件(开关晶体管)，由栅极线GL进行选择，由漏极线DL提供影像信号(数据)。该开关元件NM1的输出连接到构成第1晶体管对的晶体管NM2和晶体管PM2的连接点，即作为二极管D1和D2的连接点的节点N1。
这样，开关元件NM1的输出点连接到构成第1晶体管对的晶体管NM2和晶体管PM2的节点N1，构成第2晶体管对的晶体管NM3和晶体管PM3的节点N2连接到单位像素PX的像素电极。而且，在构成第2晶体管对的晶体管NM3和晶体管PM3的节点N2与第2晶体管对的控制电极的公共连接点之间，插入有自举电容CB。另外，参考符号CS表示杂散电容。
图2是说明在电源线φp、φn上所施加的用于液晶驱动的交变电压的一例的波形图。施加在该电源线φp、φn上的用于液晶驱动的交变电压(为了说明，交变电压本身也作为φp、φn进行说明)，以高电平和低电平(或者是正电平和负电平)进行重复。图中，在时刻t1，φp为高电平，φn为低电平。在时刻t2，φp为低电平，φn为高电平。
在图1的电路中，用于像素选择的栅极线GL为低电平，NMQS晶体管NM1为截止状态，图像存储器相对于外部是孤立(浮置)的时，用成为液晶LC的像素电极的节点N2的电位作为栅极电压，公共连接点连接到节点N1的第1晶体管对的NMOS晶体管NM2和PMOS晶体管PM2，在时刻t2为一般的偏置关系，在时刻t1作为漏极、源极电压的电压φp、φn相反。
在设定为图2的时刻t1的相反电压时，在节点N1的电位变化的过渡状态下，有时动作不稳定。作为它的对策，在本实施例中，将二极管D1、D2与第1晶体管对的各晶体管NM2和PM2串联连接。即，使二极管D1与晶体管NM2的导通方向一致、使二极管D2与晶体管PM2的导通方向一致地插入到两晶体管的公共连接点之间。
根据本实施例的结构，仅在关于图2中的时刻t2所示的由第2晶体管对NM3和PM3所构成的CMOS反相器为一般的正常偏置时，三极管D1、D2的导通方向为正向，进行电位保持电流(电荷)的流入流出。另一方面，如时刻t1所示，关于构成CMOS反相器的晶体管PM2和NM2为一般的反向偏置时，二极管D1、D2的导通变为反向，禁止电位保持电流(电荷)的流入流出。根据该动作，将可靠地进行图像存储器的电位保持。
(实施例2)
图3是用于说明本发明实施例2的液晶显示装置的1个像素的电路图。在本实施例中，使在图1中的二极管D1、D2的插入位置在构成第1晶体管对的晶体管NM2和PM2与上述电源线φp、φn之间，即源极侧。其它的结构和功能因为和图1相同，所以不进行重复的说明。
即使依照本实施例，仅在关于图2中时刻t2所示的由第2晶体管对NM3和PM3所构成的CMOS反相器为一般的正常偏置时，二极管D1、D2的导通方向为正向，进行电位保持电流(电荷)的流入流出。另一方面，如时刻t1所示，关于构成CMOS反相器的晶体管PM2和NM2为一般的反向偏置时，二极管D1和D2的导通为反向，禁止电位保持电流(电荷)的流入流出。根据该动作，将可靠地进行图像存储器的电位保持。
(实施例3)
作为本发明的实施例3，也可以在晶体管PM2和NM2的一方的漏极侧插入上述的二极管D1、D2的一方，在源极侧插入另外的一方，而且，与此相反也能够得到同样的效果。
下面，说明在以本发明的像素电路中的第1晶体管对构成的反相器电路的一部分的基板上的具体布局的例子。
图4是说明在图1中所说明的本发明的实施例1的第1晶体管对的布局的主要部分平面图。图中，与图1相同的符号对应同一功能部分。电源线φp和φn优选例如铝(A1)。而且，栅极线GL优选钼-钨(MoW)。把第1晶体管对NM2和PM2以及二极管D1和D2做入多晶硅半导体层(poly-Si)。参考符号CH1表示实施半导体层和布线层的连接的接触孔，CH2表示实施n型多晶硅扩散层和p型多晶硅扩散层的连接的接触孔。
图5是说明在图3中所说明的本发明实施例2的第1晶体管对的布局的主要部分平面图。图中，与图1相同的符号对应相同的功能部分。在该布局例中，用于将二极管D1和D2连接到晶体管NM2和PM2的漏极或源极的接触孔的数量比图4多。特别是，实施构成晶体管和二极管的半导体层和布线层的连接的接触孔所占的面积相对于1个像素所分配的面积是较大的。因此，减少接触孔数量，有利于实用。
图6是说明作为安装了本发明的显示装置的电子设备的一例的便携式信息终端的结构例的立体图。在该便携式信息终端(PDA)包括主计算机HOST和电池BAT，在表面，由具有键盘KB的主体部MB，以及在显示装置中使用液晶显示装置LCD、安装了背光源用的反相器INV的显示部DP所构成。便携式电话机PTP经由连接电缆L2可连接到主体部MB，并可进行与异地之间的通信。
显示部DP的液晶显示装置LCD和主计算机HOST之间用接口电缆L1进行连接。液晶显示装置LCD具有图像存储功能，因此，主计算机HOST发送到显示装置LCD的数据可以只是和上次的显示帧不同的部分，在显示没有变化时，不需要发送数据，所以，主计算机HOST的负担极轻。因此，使用了本发明的显示装置的信息处理装置消耗功率低，易小型化，并且能高速化、多功能化。
另外，在该便携式信息终端的显示部DP的一部分上设置有笔架PNH，在这里收存输入笔PN。液晶显示装置可进行如下操作：可以使用键盘KB的信息输入和用输入笔对触摸屏的表面进行按压操作，以描绘或记入输入各种信息，或者选择显示在液晶显示元件PNL上的信息，选择处理功能，以及进行其它的各种操作。
另外，这种便携式信息终端(PDA)的形状和构造并不限于图示的情形，可以考虑具有其它的多样的形状、构造和功能。而且，通过在图6的便携式电话PTP的显示部所使用的显示装置LCD2中使用本发明的显示装置，能够减少发送给显示元件LCD2的显示数据的信息量，因此，能够减少由电波和通信线路发送的图像数据，能够在便携电话机的显示部分上进行多灰度且高精细的文字、图形、照片显示，甚至动图像显示。
另外，本发明的显示装置不仅是应用在图6中所说明的便携式信息终端和便携电话机，不言而喻，也能够应用在台式电脑、笔记本电脑、投影式液晶显示装置、以及其它的信息终端的监视器上等。
而且，本发明的显示装置并不限于液晶显示装置，有机EL显示装置和等离子体显示装置等矩阵型的显示装置也能够应用。

Claims (6)

1.一种显示装置，其特征在于：
具有与多条扫描线和多条信号线的交叉部分相对应地设置的像素；
上述像素包括像素电极，选择该像素电极的开关元件，以及设置在上述像素电极和上述开关元件之间存储写入上述像素电极的数据的存储电路；
具有对上述存储电路施加彼此以相反极性变化的交变电压的由第1交变电压电源线和第2交变电压电源线构成的一对交变电压电源线；
上述存储电路包括跨接上述一对交变电压电源线串联连接的由第1NMOS晶体管和第1PMOS晶体管构成的第1晶体管对，以及跨接上述一对交变电压电源线串联连接的由第2NMOS晶体管和第2PMOS晶体管构成的第2晶体管对；
将上述第1晶体管对的控制电极的公共连接点连接到上述第2晶体管对的串联连接中间点，将上述第2晶体管对的控制电极的公共连接点连接到上述第1晶体管对的串联连接中间点；
上述第1NMOS晶体管被连接在上述第1交变电压电源线和上述第1PMOS晶体管之间；
上述第2NMOS晶体管被连接在上述第1交变电压电源线和上述第2PMOS晶体管之间；
在上述第1交变电压电源线和上述第1晶体管对的上述串联连接中间点之间，与上述第1NMOS晶体管串联连接有在从上述第2交变电压电源线向上述第1交变电压电源线的方向具有导通方向的第1二极管；
在上述第2交变电压电源线和上述第1晶体管对的上述串联连接中间点之间，与上述第1PMOS晶体管串联连接有在从上述第2交变电压电源线向上述第1交变电压电源线的方向具有导通方向的第2二极管；
上述开关元件的输出点连接到上述第1晶体管对的上述串联连接中间点，并且上述第2晶体管对的上述串联连接中间点连接到上述像素电极；
在上述第2晶体管对的上述控制电极的上述公共连接点和上述第2晶体管对的上述串联连接中间点之间连接有电容。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1二极管被连接在上述第1NMOS晶体管和上述第1晶体管对的上述串联连接中间点之间，
上述第2二极管被连接在上述第1PMOS晶体管和上述第1晶体管对的上述串联连接中间点之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1二极管被连接在上述第1NMOS晶体管和上述第1交变电压电源线之间，
上述第2二极管被连接在上述第1PMOS晶体管和上述第2交变电压电源线之间。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
将上述像素作为1种颜色的单位像素，将多个上述单位像素作为1个彩色像素。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
用面积不同的多个电极构成上述1个彩色像素的各单位像素的像素电极。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
与大于或等于2位的灰度显示相对应地由上述开关元件选择上述多个电极。
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