CN1331407A - 磁记录媒体和采用该媒体的磁记录装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供热波动受到抑制的新的磁记录媒体,以及采用该磁记录媒体的磁记录装置。通过以磁性离子交换方式使M₂O_y为主成份的膜与记录信号的磁性膜结合,由此,使磁性膜的有效V与Ku增加,抑制热波动。在这里,M表示是从Fe,Co,Ni,碱土类元素,Y,镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素,而且从Fe,Co和Ni中选择出的至少1种是作为必须的元素,y为满足2.8<y<3.2的数值。

Description

磁记录媒体和采用该媒体的磁记录装置

本发明涉及磁记录媒体以及采用该媒体的磁记录装置，更具体地说本发明涉及抑制热波动的磁记录媒体。

在过去，HDD(硬盘驱动器)的高密度化显著，记录于磁记录媒体上的记录位逐年减小。伴随该情况，记录媒体中的磁性颗粒的粒径减小，造成热波动的问题。相对热波动的稳定性的大致标准包括KuV/k_BT，该值越大，抵抗热波动的稳定性越高。但是，Ku表示磁性媒体的磁性各向异性能量，V表示磁性颗粒的体积，K_B表示玻耳兹曼(Boltzmann)常数，T表示绝对温度。为了解决上述问题，人们进行了下述尝试，即如果试图使Ku增加，则采用垂直磁化媒体，使膜厚方向延伸，使V增加。另外，人们进行了下述尝试，即，将用于旋转阀式(スピソバルブ)磁头的氧化物的NiO，NiMn，RhMn，CrMnPt等的合金的反铁磁性膜与记录媒体结合，使有效的体积V增加，由此，改善热波动(JP特开平11—296832号文献)。

但是，如果增加Ku，则记录媒体的顽磁力增加，记录磁头的写入困难。为了解决该问题，必须开发饱和磁化性较高的软磁性膜，但是由于现在，没有5T以上的软磁性膜，故该方法最终受到限制。采用垂直磁记录媒体的方法从理论上说是优良的，但是实际上，具有媒体噪音的问题，或适合垂直记录媒体的磁头的开发迟缓等的问题。由此，未出现超过过去的面内媒体的特性的情况。

另外，如果以离子交换方式将氧化物的NiO或上述合金的反铁磁性膜与记录媒体接合，则由于这些反铁磁性体的单向各向异性的作用，记录媒体的磁化曲线不对称。形成下述记录媒体，其中如果磁化曲线是非对称的，则容易通过来自其中1个的外部磁场磁化，不容易通过来自另一个的外部磁场磁化，相对热波动，稳定性随磁化方向而不同。

于是，本发明的目的在于提供热波动受到抑制的磁记录媒体和采用该磁记录媒体的磁记录装置。

为了实现上述目的，按照本发明，通过以磁性离子交换方式使M₂O_y为主成分的膜与记录信号的磁性膜接合，由此，使磁性膜的有效V与Ku增加，抑制热波动。

在这里，M表示是从Fe，Co，Ni，碱土类元素，Y，镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素，而且从Fe，Co和Ni中选择出的至少1种是作为必须的元素(换言之，包含从Fe，Co和Ni中选择出的至少1种，根据情况，还包含从碱土类元素，Y，镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素)，y为满足2.8＜y＜3.2的数值。另外，在本说明书中，“主成分”指占50重量％以上的成分。

另外，本发明的磁记录装置的特征在于其包括上述的磁记录媒体，以及用于在上述媒体中记录信息的磁头。

图1为表示本发明的磁记录媒体的一个方案的剖视图；

图2为表示过去的交换接合膜的磁化曲线的一个实例的图；

图3为表示本发明的磁记录媒体的磁化曲线的一个实例的图；

图4为表示本发明的磁记录媒体的另一方案的剖视图；

图5为表示本发明的磁记录媒体的再一个方案的剖视图；

图6为表示本发明的磁记录媒体的还一个方案的剖视图；

图7为表示本发明的磁记录装置的一个方案的透视图。

下面参照附图，对本发明的优选实施方案进行描述。

在图1所示的磁记录媒体中，形成于基板3上的，记录信号的磁性膜(第1磁性膜)1与以M₂O_Y为主成分的膜2按照相互进行磁性离子交换的方式接合。

通过设置以M₂O_Y为主成分的膜2，在表示磁场(H)与磁化性(M)之间的关系的磁化性—磁场曲线(M—H曲线；下面简称为“磁化曲线”)中，当磁化性为0(M＝0)的2个磁场由H₁，H₂表示时，可将通过下述式(1)确定的移动磁场s的绝对值控制在200Oe以下，最好控制在100Oe以下。

s＝(H₁＋H₂)/2                               (1)

移动磁场是表示磁化曲线的移动量的指标。

在这里重要的是以M₂O_Y为主成分的膜从整体上说，基本上是属于非磁性的。通常，由于该膜呈现反铁磁性的特性，故即使在从微观方面来说，为磁性的情况下，从整体上说，仍是非磁性的。但是，该膜用于HDD的旋转阀式磁头的氧化物NiO或TM(TM＝Ni，Pt，Fe，Pd，Rh，Ru，Cr)—Mn系合金这样的通常的反铁磁性体在下述的方面有很大区别。

即，如图2所示，为了获得反铁磁性体的单向的各向异性，叠置有通常的反铁磁性膜与磁性膜的交换结合膜为磁化曲线沿一个方向移动的非对称的形式。如果按照此方式，将移动磁场s较大的磁性膜用于记录媒体，则容易为来自一个的外部磁场磁化，而不容易为来自另一个的外部的磁场磁化。由此，即使在相对热波动的情况下，稳定性仍随经磁化的方向而不同。

与此相对，如图3所示，叠置有磁性膜与以M₂O_Y为主成分的膜的交换结合膜的磁化曲线相对磁场H的对称性较高，该膜适合于记录媒体。

通常，最好移动磁场s是200Oe以下，但是在本发明中，其也可是100Oe以下，特别是50Oe以下。

即使在将磁性膜与硬质磁性膜叠置的情况下，仍可获得图3所示的磁化曲线。但是，在此场合，由于记录媒体的磁性层部的膜厚大于磁性膜的膜厚与硬质磁性膜的膜厚的总值，故如果减小面内方向的磁畴或磁性颗粒的粒径，则退磁场增加。因此，产生本身退磁，难于进行高密度记录。

与此相反，由于以M₂O_Y为主成分的膜基本上为非磁性的，故即使在将其与磁性膜叠置的情况下，磁性层部的膜厚不相对磁性层的膜厚增加，不产生上述这样的问题。另外，通过与以M₂O_Y为主成分的膜以离子交换方式接合，故可增加有效的磁性膜体积V，并且抑制移动磁场s的增加，同时可形成具有更大Ku的磁记录媒体，作为整体，获得对热波动具有较强的抵抗性的磁记录媒体。

元素M也可包括作为从碱土族元素，Y，镧系元素和Bi中选择出的至少1种的元素A，以及作为从Fe，Co和Ni中选择出的至少1种的元素B。在此场合，M₂O_Y可通过(A_1-xB_x)₂O_Y(但是，0＜X＜1)表示。

在A_1-xB_x)₂O_Y中，当元素A的离子半径由Ra表示，元素B的离子半径由Rb表示，氧离子的离子半径由Ro表示时，则最好由下述式(2)确定的t满足0.8＜t＜0.97。 $t=(\mathrm{Ra}+\mathrm{Ro})/(\sqrt{2}\&CenterDot;(\mathrm{Rb}+\mathrm{Ro}))---\left(2\right)$

如果t在上述范围内，则通常氧化物为钙钛矿结构。

作为元素A，最好为离子半径较大的元素，特别是Y，La，Pr，Sm等的稀土族元素，或Ca，Sr等的碱土族类元素。

作为元素B，最好为离子半径相对较小的过渡金属(Ra＞Rb)，特别是最好采用Fe。如果采用Fe，则可实现销连接效果达到高温的磁化旋转抑制层。

另外，元素A和元素B的比率不受到特别限制，但是其最好满足0.4＜x＜0.6。另外，在x＝0.5的场合，在下面，将(A_0.5B_0.5O_y)简单地表示为ABO_y。优选的ABO_y，例举有YFeO₃，LaFeO₃，PrFeO₃，NdFeO₃，SmFeO₃，GdFeO₃，TbFeO₃，CaFeO₃，SrFeO₃，BiFeO₃等。

显然，元素A和/或元素B也可包含多种元素。作为具体实例，比如，例举有La_0.9Sr_0.1Fe_0.9Ni_0.1O₃。按照上述方式，在包含多种元素的场合，元素A(B)的离子半径Ra(Rb)是通过按照各元素的原子比例对加权进行加权平均而确定的。

在M₂O_y中的元素M也可以是Fe。作为Fe₂O_y适宜的是一种叫作赤铁矿的α—Fe₂O₃。

以M₂O_y为主成分的膜也可以将基板温度作为室温而进行成膜，但是，如果将其加热到300℃以上而形成膜，则提供大于记录信号的磁性膜的磁性各向异性。另外，作为形成膜的方法，也可采用蒸镀法等，但是，适合采用溅射法。特别是在2mTorr以下的Ar气体压力下通过溅射器形成的以M₂O_y为主成分的膜相对磁性膜，可具有更大的磁性各向异性。另外，也可在形成膜的过程中施加磁场，从而容易确定轴方向。

记录信号的第1磁性膜通过以离子交换方式与以M₂O_y为主成分的膜接合的方式形成硬质磁性膜，但是该磁性膜本身也最好为硬质磁性膜，具体来说，最好具有100Oe以上的顽磁力。最好第1磁性膜采用以Co，Fe或CoFe为主成分的膜，比如，可采用以CoPt，CoCrPtTa，CoCrPtB，CoNiCrPtTa，FePt这样的(Co，Fe，Ni)—(Cr，Pt，Ta，B)组成为主成分的硬质磁性膜。

本发明的磁记录媒体的结构不限于图1的结构。比如，如图4所示，还可形成下述磁记录媒体，其中在第1磁性膜1和以M₂O_y为主成分的膜2之间，具有第1非磁性膜4和第2磁性膜5，第1磁性膜1和第2磁性膜5通过第1非磁性膜4以反铁强磁性离子交换的方式接合。按照此结构，作为整个记录媒体，可获得更大的Ku，有效的体积V也可增加。在图4所示的媒体中，以M₂O_y为主成分的膜2直接与第2磁性膜5以离子交换方式接合，间接地与和第2磁性膜5以反铁磁性的方式接合的第1磁性膜1以离子交换方式接合。

但是，第1磁性膜1的磁化性Ms₁与膜厚d₁的乘积Ms₁·d₁也可大于第2磁性膜5的乘积Ms₂·d₂。上述乘积Ms₁·d₁也可足够地大于乘积Ms₂·d₂，以便使来自媒体的泄漏磁通减小，而头的复制信号不减小。

为了使第1磁性膜1和第2磁性膜5以反铁磁性离子交换的方式接合，第1非磁性膜4可采用膜厚在0.6～0.9nm的范围内的Ru膜，或膜厚在0.8～1.0nm的范围内的Cu膜。

另外，如图5所示，也可使第2磁性膜5为依次叠置有第3磁性膜6，第2非磁性膜7和第4磁性膜8的叠层体，形成第3磁性膜6与第4磁性膜8以反铁磁性离子交换的方式接合的磁记录媒体。按照此结构，作为整个记录媒体，可获得更大的Ku。在图5所示的媒体中，以M₂O_y为主成分的膜2直接以离子交换方式与第4磁性膜8接合，间接地与和第3和第4磁性膜6，8以反铁磁性离子交换的方式接合的第1磁性膜1以离子交换方式接合。

在图5所示的媒体中，如果第3磁性膜6和第4磁性膜8的磁化性和膜厚的乘积Ms₃·d₃(乘积Ms₄·d₄)基本上相等，由于来自第1磁性膜的泄漏磁场基本上不减少，故最好采用该方式。同样在该媒体中，第2非磁性膜7可采用比如，膜厚在0.6～0.9nm的范围内的Ru膜，或膜厚在0.8～1.0nm的范围内的Cu膜。

此外，如图6所示，为了可实现超高密度记录，作为记录信号的磁性膜，也可采用在非磁性基体13中包含粒径为10nm以下的细微的许多磁性颗粒12的磁性膜11。

希望采用在这样的非磁性基体中设置的细微磁性颗粒的磁记录媒体可实现高密度记录，但是，当粒径为3nm以下时，具有容易产生超常磁性，对热波动的抵抗性较弱的问题。然而，通过采用本发明，与以M₂O_y为主成分的膜以磁性离子交换方式接合，可使其热稳定性明显地提高。另外，由于以M₂O_y为主成分的膜为氧化膜，故其表面或界面的稳定性比金属膜好，同样在设置于磁性颗粒下的场合，由于可形成连续膜，故容易形成磁记录媒体。

另外，作为制作分散于非磁性基体中的细微磁性颗粒的方法，也可采用下述方法，该方法指制备磁性颗粒用的磁性靶(タ一グット)与非磁性基体用的非磁性靶，在真空腔内同时对其进行溅射处理的方法，在磁性颗粒的表面上设置单分子吸附膜，将它们通过化学键连接的方法(比如，JP特开平1—309902号文献)，对包含磁性元素的有机金属进行热处理，形成本身排列的磁性颗粒的方法(比如，Science Vol.287(2000)p1989)等。

作为第2～第4磁性膜2，3，4，最好采用以Co为主成分的膜，但是也可采用与第1磁性膜相同的膜。

虽然在图中省略，但是对于本发明的记录媒体，也可形成在上面描述的基本结构上，再形成添加层。作为添加层，比如可采用设置于媒体的表面上的保护膜或形成于基板上的底膜等。

图7表示采用上面描述的磁记录媒体21的磁记录装置，在媒体21中，设置有记录信号的磁头24，伺服部23和信号处理部22。如果采用该装置，则可进行对于过去的HDD来说是困难的超高密度。

实施例

(实施例1)

作为靶，采用Co合金，经烧结的ABO₃(A＝La，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Y；B＝Fe)和经烧结的α—Fe₂O₃，通过溅射法，制作磁记录媒体。在对真空腔内部，进行排气至1×10^-8Torr以下后，使Ar气体压力为0.8mTorr，在基板温度为300℃的硅盘基板上，通过RF溅射法形成各种ABO₃膜或α—Fe₂O₃膜。接着，使基板温度为室温，通过DC溅射法，形成Co磁性膜，制作图1所示的结构的记录媒体。

为了进行比较，采用PtMn靶与Co靶，使基板温度为室温，也通过溅射法形成Co单层膜和PtMn膜/Co膜。

对于各膜的膜厚度，ABO₃膜和α—Fe₂O₃膜的厚度为50nm，PtMn膜的厚度为30nm，Co磁性膜为5nm。在所制作的各媒体的表面上，形成作为保护膜的，厚度为5nm的Ta膜。

在于真空中对所制作的记录媒体施加约5kOe磁场的同时，在280℃的温度下保持2个小时。然后，在室温下测定记录媒体的磁化曲线，测定顽磁力Hc和移动磁场s。其结果如下所示。

(表1)No       媒体      顽磁力(Oe)     移动磁场(Oe)A         Co         80               ～0B       PtMn/Co     120               ～5001-1    LaFeO₃/Co   680               ＜201-2    PrFeO₃/Co   450               ＜101-3    NdFeO₃/Co   420               ＜101-4    SmFeO₃/Co   420               ＜101-5    GdFeO₃/Co   410               ＜101-6    TbFeO₃/Co   410               ＜101-7    YFeO₃/Co    560               ＜201-8    α-FeO₃/Co  820               ＜20

如表1所示，媒体1—1～1—8中，在抑制移动磁场的同时，可使顽磁力增加。

(实施例2)

作为靶，采用CoNiCrPtTa合金，经烧结的ABO₃(A＝La，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Y，Ca，Bi；B＝Fe)，通过溅射法，制作磁记录媒体。在对真空腔内部，进行排气至1×10^-8Torr以下后，使Ar气体压力为0.8mTorr，在基板温度为600℃的硅盘基板上，通过RF溅射法形成各种ABO₃膜。接着，使基板温度为室温，通过DC溅射法，形成CoNiCrPtTa磁性膜，制作图1所示的结构的记录媒体。

为了进行比较，还采用CoNiCrPtTa靶，形成CoNiCrPtTa单层膜。

对于各膜的膜厚度，ABO₃膜的厚度为50nm，CoNiCrPtTa膜的厚度为15nm。在所制作的各媒体的表面上，形成作为保护膜的，厚度为5nm的碳膜。

在于真空中对所制作的记录媒体施加约5kOe磁场的同时，在300℃的温度下保持1个小时。然后，在室温下，通过振动试样型磁强计测定顽磁力Hc。另外，采用由Fe_0.5Ni_0.5形成的具有记录球的磁头，按照400kFCI，在这些媒体上记录信号，马上通过GMR头，进行复制，在100小时后，进行同样的测定，调查复制输出的变化。其结果如下所示。

(表2)No         媒体           顽磁力(Oe)     读取输出的变化(％)C       CoNiCrPtTa          2400                -15％2-1  LaFeO₃/CoNiCrPtTa     3800                -1％2-2  PrFeO₃/CoNiCrPtTa     3300                -2％2-3  NdFeO₃/CoNiCrPtTa     3000                -3％2-4  SmFeO₃/CoNiCrPtTa     3000                -3％2-5  GdFeO₃/CoNiCrPtTa     2900                -3％2-6  TbFeO₃/CoNiCrPtTa     2900                -3％2-7  YFeO₃/CoNiCrPtTa      3500                -2％2-8  CaFeO₃/CoNiCrPtTa     2900                -3％2-9  BiFeO₃/CoNiCrPtTa     2700                -4％

如表2所示，媒体2—1～2—9中，由于进行高密度记录的场合的热波动受到抑制，故复制输出的变化量也大幅度减小。

(实施例3)

作为靶，采用CoCrPtB合金，经烧结的α—Fe₂O₃和La_0.9Sr_0.1Fe_0.9Ni_0.1O₃，通过溅射法，制作磁记录媒体。在对真空腔内部，进行排气至1×10^-8Torr以下后，使Ar气体压力为0.8mTorr，对于α—Fe₂O₃，使基板温度为300℃，对于La_0.9Sr_0.1Fe_0.9Ni_0.1O₃，使基板温度为600℃，在硅盘基板上，通过RF溅射法形成α—Fe₂O₃膜或La_0.9Sr_0.1Fe_0.9Ni_0.1O₃膜。接着，使基板温度为室温，通过DC溅射法，形成CoCrPtB磁性膜，制作图1所示的结构的记录媒体。

为了进行比较，还采用CoCrPtB靶，使基板温度为室温，形成CoNiCrPtB单层膜。

对于各膜的膜厚度，α—Fe₂O₃膜和La_0.9Sr_0.1Fe_0.9Ni_0.1O₃膜的厚度为50nm，CoCrPtB磁性膜的厚度为15nm。在所制作的各媒体的表面上，形成作为保护膜的，厚度为5nm的碳膜。

在于真空中对所制作的记录媒体施加约5kOe磁场的同时，在250℃的温度下保持1个小时。然后，在室温下，通过振动试样型磁强计测定顽磁力Hc。另外，采用由Fe_0.5Ni_0.5形成的具有记录球的磁头，按照400kFCI，在这些媒体上记录信号，马上通过GMR头，进行复制，在100小时后，进行同样的测定，调查复制输出的变化。其结果如下所示。

(表3)No       媒体                            顽磁力(Oe)  读取输出的变化(％)D      CoCrPtB                            2700        -13％3-1  α-Fe₂O₃/CoCrPtB                  3900        -1％3-2 La_0.9Sr_0.1Fe_0.9Ni_0.1O₃/CoCrPtB    3800        -1％同样对于媒体3—1～3—2，可抑制进行高密度记录的场合的热波动。(实施例4)作为靶，采用CoCrPtTa合金，经烧结的α—Fe₂O₃和LaFeO₃，以及Co，Ru，通过溅射法，制作磁记录媒体。在对真空腔内部，进行排气至1×10^-8Torr以下后，使Ar气体压力为0.8mTorr，对于α—Fe₂O₃，使基板温度为300℃，对于LaFeO₃，使基板温度为600℃，在硅盘基板上，通过RF溅射法形成α—Fe₂O₃膜和LaFeO₃膜。尚且，α—Fe₂O₃膜和LaFeO₃膜的膜厚都是50nm。接着，使基板温度为室温，通过DC溅射法，形成Co(3nm)/Ru(0.7nm)/CoCrPtTa(15nm)或Co(3nm)/Ru(0.7nm)/Co(3nm)/Ru(0.7nm)/CoCrPtTa(15nm)的离子交换结合膜(括弧内为膜厚)，制作图4和图5所示的结构的记录媒体。

为了进行比较，通过使基板温度为室温的DC溅射法，形成膜厚为15nm的CoCrPtTa单层膜。在所制作的各媒体的表面上，形成作为保护膜的，厚度为5nm的碳膜。

在于真空中对所制作的记录媒体施加约5kOe磁场的同时，在250℃的温度下保持1个小时。然后，采用由Co_0.67Fe_0.23Ni_0.1形成的具有记录球的磁头，按照400kFCI，在这些媒体上记录信号，在65℃的温度下，通过GMR头，进行复制，接着将其保持在65℃的温度下，在20小时后，进行同样的测定，调查复制输出的变化。为了进行比较，对于按照第3实例制作的No.3—1的媒体，进行同样的测定。其结果如下所示。

(表4)No             媒体              读取输出的变化(％)E             CoCrPtTa                 -17％3-1       α-Fe₂O₃/CoCrPtTa          -2％4-1    α-Fe₂O₃/Co/Ru/CoCrPtTa       -2％4-2     LaFeO₃/Co/Ru/CoCrPtTa         -2％4-3 α-Fe₂O₃/Co/Ru/Co/Ru/CoCrPtTa    -1％4-4   LaFeO₃/Co/Ru/Co/Ru/CoCrPtTa     -1％如图4所示，如果插入Co/Ru/Co/Ru，则热稳定性进一步改善。

(实施例5)

作为靶，采用CoPt合金，经烧结的LaFeO₃和SiO₂通过溅射法，制作磁记录媒体。在对真空腔内部，进行排气至1×10^-8Torr以下后，使Ar气体压力约为0.8mTorr，使基板温度为600℃，通过RF溅射法在硅盘基板上，形成膜厚为50nm的LaFeO₃膜。接着，使基板温度为室温，通过RF溅射法，对CoPt和SiO₂同时进行放电处理，形成膜厚为10nm的CoPt—SiO₂膜，制作图6所示的结构的记录媒体。

为了进行比较，通过使基板温度为室温的RF溅射法，对CoPt与SiO₂同时进行放电处理，形成膜厚为10nm的CoPt—SiO₂单层膜。在所制作的各媒体的表面上，形成作为保护膜的，厚度为5nm的碳膜。

在采用透过电子显微镜(TEM)进行观察时，CoPt—SiO₂膜为在SiO₂非磁性基体中，分散有粒径约为10nm的CoPt的膜。

在于真空中对所制作的记录媒体施加约10kOe磁场的同时，在350℃的温度下保持30分钟。然后，在室温下，通过振动试样型磁强计测定顽磁力Hc。另外，采用由Co_0.67Fe_0.23Ni_0.1形成的具有记录球的磁头，按照400kFCI，在这些媒体上记录信号，马上于室温下通过GMR头，进行复制，在室温下保持100小时后，进行同样的测定，调查复制输出的变化。其结果如下所示。

(表5)No        媒体          顽磁力(Oe)       读取输出的变化(％)F       CoPt-SiO₂        4200                -8％5-1  LaFeO₃/CoPt-SiO₂   5100                -1％

如表5所示，同样对于使用在非磁性基体中，分散有磁性颗粒的磁性膜的媒体，仍可抑制热波动。

(实施例6)

作为靶，采用FePt合金，经烧结的SrTiO₃，YFeO₃和SiO₂通过溅射法，制作磁记录媒体。在对真空腔内部，进行排气至1×10^-8Torr以下后，使Ar气体压力约为0.8mTorr，使基板温度为600℃，在硅盘基板上，通过RF溅射法形成作为底膜的SrTiO₃膜。接着，使基板温度为700℃，通过RF溅射法，形成膜厚为50nm的YFeO₃的膜。然后，使基板温度为室温，通过RF溅射法，对FePt和SiO₂同时进行放电处理，形成膜厚为10nm的FePt—SiO₂膜。

为了进行比较，通过使基板温度为室温的RF溅射法，在形成有Cr底膜的硅盘基板上，对FePt和SiO₂同时进行放电处理，形成膜厚为10nm的FePt—SiO₂膜。在所制作的各媒体的表面上，形成作为保护膜的，厚度为5nm的碳膜。

在采用TEM进行观察时，FePt—SiO₂膜为在SiO₂膜非磁性基体中，分散有粒径约为8nm的FePt的膜。

在于真空中对所制作的记录媒体在500℃的温度下保持30分钟。然后，在室温下，通过振动试样型磁强计测定媒体的顽磁力Hc。另外，采用由Co_0.67Fe_0.23Ni_0.1形成的具有记录球的磁头，按照400kFCI，在这些媒体上记录信号，马上于室温下通过GMR头，进行复制，在室温下保持100小时后，进行同样的测定，调查复制输出的变化。其结果如下所示。

(表6)No            媒体           顽磁力(Oe)     读取输出的变化(％)G         Cr/FePt-SiO₂         3900              -8％6-1  SrTiO₃/YFeO₃/FePt-SiO₂ 4200              -1％

同样在这里，即使在顽磁力Hc为与过去的媒体相同的情况下，仍可确认可大幅度地改善高密度记录的场合的热波动。

另外，对于非磁性基体主要为碳，磁性颗粒为FePt的膜，已确认即使在下述情况下，仍可同样减小热波动，该下述情况指制作分散于非磁性基体中的微细的磁性颗粒的方法采用在磁性颗粒的表面上设置单分子吸附膜，将它们以化学键连接的方法，或对包含磁性元素的有机金属进行热处理，形成本身排列的磁性颗粒的方法。

(实施例7)

采用按照上述实施例制作的媒体2—1，媒体3—1，媒体4—1～4—4，媒体5—1或媒体6—1，以及下述薄膜磁头，该薄膜磁头包括记录球使用CoFeNi系的合金膜的记录磁道宽度为0.25μm的记录磁头部和使用PtMn系的GMR膜的复制磁道宽度为0.19μm的复制头部，制作图7所示的记录装置。另外，为了进行比较，采用C～G记录媒体，同样地制作记录装置。采用该记录装置，尝试约64Gbp/in²(680kbpi×94ktpi)的记录复制。其结果是，当采用媒体C～E时，热波动造成的信号的衰减剧烈，仅仅获得不耐用的特性。于是，针对剩余的媒体，对以采用媒体F的场合为基准的记录后的S/N比，以及室温100小时后的复制输出的变化进行比较。其结果如下所述。

(表7)

No       媒体                        S/N(dB)    读取输出的变化(％)
	F        CoPt-SiO2                     0       -18％G       Cr/FePt-SiO2                   0       -17％2-1    LaFe2O3/CoNiCrPtTa             5       -5％3-1    α-Fe2O3/CoCrPtTa              6       -5％4-3    α-Fe2O3/Co/Ru/Co/Ru/CoCYPtTa  4       -3％4-4    LaFeO3/Co/Ru/Co/Ru/CoCrPtTa     4       -3％5-1    LaFeO3/CoPt-SiO2               2       -2％6-1    SrTiO3/YFeO3/FePt-SiO2        2       -2％

如上所述，按照本发明，可提供即使在进行细微信号记录的情况下仍可相对热波动保持稳定的磁记录媒体，以及采用该媒体的高密度磁记录装置。

Claims (14)

1.一种磁记录媒体，其特征在于，其包括记录信号的磁性膜，以及以磁性离子交换方式与该磁性膜结合的，以M₂O_y为主成分的膜，其中M表示是从Fe，Co，Ni，碱土类元素，Y，镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素，而且从Fe，Co和Ni中选择出的至少1种是作为必须的元素，y为满足2.8＜y＜3.2的数值。

2.根据权利要求1所述的磁记录媒体，其特征在于，在表示磁场(H)与磁化性(M)之间的关系的磁化性一磁场曲线(M—H曲线)中，当由H₁，H₂表示磁化性为0(M＝0)的2个磁场时，通过下述式确定的移动磁场s的绝对值是200Oe以下，该式为：s＝(H₁＋H₂)/2

3.根据权利要求2所述的磁记录媒体，其特征在于，移动磁场s的绝对值是100Oe以下。

4.根据权利要求1～3中的任何一项所述的磁记录媒体，其特征在于，元素M包含从碱土类元素，Y，镧系元素和Bi中选择出的至少1种的元素A，和从Fe，Co和Ni中选择出的至少1种的元素B，当以Ra表示元素A的离子半径，以Rb表示元素B的离子半径，以Ro表示氧离子的离子半径时，则由下述式确定的t满足0.8＜t＜0.97，该式为： $t=(\mathrm{Ra}+\mathrm{Ro})/(\sqrt{2}\&CenterDot;(\mathrm{Rb}+\mathrm{Ro}))$ 。

5.根据权利要求4所述的磁记录媒体，其特征在于，M₂O_y具有钙钛矿结构。

6.根据权利要求4或5所述的磁记录媒体，其特征在于，元素A为从Y和镧系元素中选择的至少1种。

7.根据权利要求4或5所述的磁记录媒体，其特征在于，元素A为碱土类元素。

8.根据权利要求1～3中的任何一项所述的磁记录媒体，其特征在于，元素M为Fe。

9.根据权利要求8所述的磁记录媒体，其特征在于，M₂O_y为α—Fe₂O₃。

10.根据权利要求1～9中的任何一项所述的磁记录媒体，其特征在于，记录信号的磁性膜的顽磁力是100Oe以上。

11.根据权利要求1～10中的任何一项所述的磁记录媒体，其特征在于，将记录信号的磁性膜作为第1磁性膜，在上述第1磁性膜与以M₂O_y为主成分的膜之间，具有第1非磁性膜和第2磁性膜，上述第1磁性膜和上述第2磁性膜通过上述第1非磁性膜，以反铁磁性离子交换的方式结合。

12.根据权利要求11所述的磁记录媒体，其特征在于，第2磁性膜为依次将第3磁性膜，第2非磁性膜和第4磁性膜叠置而形成的叠层体，上述第3磁性膜和上述第4磁性膜以反铁磁性离子交换方式结合。

13.根据权利要求1～12中的任何一项所述的磁记录媒体，其特征在于，记录信号的磁性膜包含非磁性基体，以及设置于上述基体中的，直径10nm以下的多个磁性颗粒。

14.一种磁记录装置，其特征在于，其具有权利要求1～13中的任何一项所述的磁记录媒体，以及用于在上述媒体中记录信息的磁头。

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