CN1331068C - 一种驱动闪存的方法及其装置 - Google Patents
一种驱动闪存的方法及其装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1331068C CN1331068C CNB2005100079550A CN200510007955A CN1331068C CN 1331068 C CN1331068 C CN 1331068C CN B2005100079550 A CNB2005100079550 A CN B2005100079550A CN 200510007955 A CN200510007955 A CN 200510007955A CN 1331068 C CN1331068 C CN 1331068C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parameter
- flash memory
- read
- flash
- write
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
一种驱动闪存的方法及其闪存装置。闪存装置包括闪存控制器以及闪存。首先,利用闪存控制器在重置状况下,检测闪存控制器的参数定义脚位的电压电平,以获得闪存的基本读写参数。然后,以闪存控制器根据基本读写参数对闪存做基本读取操作。之后,至闪存的特定数据区块读取详细读写参数。最后,依据闪存的基本读写参数与详细读写参数来驱动闪存。
Description
技术领域
本发明涉及一种驱动存储器的方法及其装置,特别是涉及一种驱动闪存的方法及其装置。
背景技术
在许多电子产品中,其内部均装设闪存装置,使其于电源关闭后,储存在内的数据不会流失。如数字相机、个人数字助理(Personal DigitalAssistant,PDA)等等,均需藉闪存装置,如存储卡以储存图片或数据。
图1绘示为传统的闪存装置的示意图。闪存装置100包括闪存120及闪存控制器110。闪存120用以储存数据信号Da。闪存控制器110控制数据data及数据信号Da的传输,如根据数据data输出数据信号Da以储存于闪存120,或自闪存120读取数据信号Da,再转为数据data输出。闪存控制器110并藉控制讯号Sc0控制闪存120以完成数据信号Da的存取操作。闪存控制器110为了驱动闪存120,需事先将闪存120的全部读写参数写入闪存控制器110中,例如数据传输宽度(Data bus)、存储器页面大小(PageSize)、存储器实际容量及数据传输速度等等。然而,闪存120的读写参数定义于闪存控制器110的内部固件,当闪存装置100需置换不同的闪存时,需更新固件程序代码及硬件设定等等。不但使闪存控制器110所支持的闪存的种类有限,更改及重新验证的操作既耗时且相对增加研发成本。
图2示出了另一传统闪存装置的示意图。闪存装置200包括闪存控制器210、闪存220及储存装置230。闪存220用以储存数据信号Da1。闪存控制器210控制数据data1及数据信号Da1的传输,如根据数据data1输出数据信号Da1以储存于闪存220,或自闪存220读取数据信号Da1,再转为数据data1输出。闪存控制器210并藉控制讯号Sc1控制闪存220以完成数据信号Da1的存取操作。为解决前述的闪存装置100的问题,闪存装置200中增加储存装置230以储存闪存220的读写参数Pa。虽然解决了置换闪存220时,需更改闪存控制器210的固件及内部设定的问题,但再增加一个储存装置,相对增加制造成本。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提供一种闪存装置及其检测与设定闪存的读写参数的方法。其将闪存的基本读写参数以脚位的电压电平定义出后,再由所控制的闪存中得到详细读写参数,以完全驱动闪存。
根据本发明的目的,提供一种驱动闪存的方法,此方法用于闪存装置。闪存装置中包括闪存控制器及闪存,这个方法是在重置的状态下,以闪存控制器检测闪存控制器的参数定义脚位的电压电平。之后,闪存控制器根据参数定义脚位的电压电平来定义闪存的基本读写参数。再者,闪存控制器再根据基本读写参数对闪存进行基本读取操作。于是,闪存控制器便接收来自闪存的详细读写参数,闪存控制器则根据基本读写参数及详细读写参数来驱动闪存。
根据本发明的另一目的,提供一种闪存装置。闪存装置包括闪存与闪存控制器。闪存控制器用以控制闪存的存取操作。闪存控制器于重置状态时,根据本身的参数定义脚位的电压电平定义闪存的基本读写参数,闪存控制器便根据这些基本读写参数来对闪存进行基本读取操作,且自闪存中接收闪存的详细读写参数。然后,闪存控制器便根据基本读写参数及详细读写参数来驱动闪存。
为使本发明的上述目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举一较佳实施例,并结合附图详细说明如下。
附图说明
图1示出了第一种传统闪存装置的示意图。
图2示出了第二种传统闪存装置的示意图。
图3示出了依照本发明一较佳实施例的闪存装置的示意图。
图4示出了依照本发明一较佳实施例的检测闪存的读写参数的方法的流程图
附图符号说明
100、200:闪存装置
110、210、310:闪存控制器
120、220、320:闪存
230:储存装置
300:依本发明提出的闪存装置
321:特定数据区块
具体实施方式
请参照图3,其示出了依照本发明一较佳实施例的闪存装置的示意图。闪存装置300包括闪存控制器310及闪存320。闪存320用以储存数据信号Da2。闪存320包括特定数据区块321以储存闪存320的详细读写参数Pd。闪存控制器310控制数据data2及数据信号Da2的传输,如根据数据data2输出数据信号Da2以储存于闪存320,或自闪存320读取数据信号Da2,再转为数据data2输出。闪存控制器310并藉控制讯号Sc2以控制闪存320的存取操作。
闪存控制器310包括多个参数定义脚位,闪存控制器310在重置(RESET)的状态下,闪存控制器310检测参数定义脚位的电压电平,来定义闪存320的基本读写参数。基本读写参数例如包括数据传输宽度(Data bus)参数、存储器页面大小(Page Size)参数、逻辑门模式参数及存储器工作电压参数。数据传输宽度参数用来决定闪存320的数据传输宽度为8字节或16字节。存储器页门大小参数用以决定闪存320存取数据时的数据单位大小为512K字节或1024K字节。逻辑门模式参数用来决定闪存320的逻辑门模式,如与逻辑门(AND GATE)或与非逻辑门(NAND GATE)。存储器工作电压参数则用以决定闪存320的工作电压,如1.8伏特或3.3伏特。
闪存控制器310再根据基本读写参数对闪存320进行基本读取操作,以从闪存320中的特定数据区块321接收详细读写参数Pd。此时闪存控制器310仅以基本读写参数控制闪存320,因此并未使闪存320达到最快的工作速度。详细读写参数例如包括存储器实际容量参数、读取周期参数(Readcycle timing)及写入周期参数(Write cycle timing)。读取周期参数用以决定闪存320的读取工作周期。写入周期参数用以决定闪存320的写入工作周期。存储器实际容量参数则用以决定闪存320实际的容量大小。而后,闪存控制器310便根据基本读写参数及详细读写参数Pd以完全驱动闪存320,例如使闪存320以本身最高的存取速率工作。
请参照图4,其示出了依照本发明一较佳实施例的闪存的检测方法流程图。闪存检测方法流程图中包括五个步骤:首先如步骤41所示,闪存控制器310在重置的状态下检测参数定义脚位的电压电平。然后如步骤42所示,根据参数定义脚位的电压电平来定义基本读写参数,例如包括数据传输宽度参数、存储器页面大小参数、逻辑门模式参数及存储器工作电压参数。之后如步骤43所示,根据基本读写参数对闪存320进行基本读取操作。接着如步骤44所示,自闪存320中接受详细读写参数Pd,例如包括存储器实际容量参数、读取周期参数及写入周期参数。最后如步骤45所示,根据基本读写参数与详细读写参数来完全驱动闪存300,使闪存300以最高的工作速率进行存取。
在本实施例中,当闪存控制器310于Reset阶段,参数定义脚位的电平对闪存320而言,并无实际功效,相对于闪存控制器310而言,则可设定闪存320的基本读写参数,以基本存取闪存320。当闪存控制器310与闪存320有信号传输时,即非重置状态时,参数定义脚位用以传输数据,例如闪存控制器310以参数定义脚位输出控制讯号Sc2至闪存320。参数定义脚位利用于闪存装置300的电路板上,分别以上拉(pull-up)电阻或下拉(pull-down)电阻设定于重置时参数定义脚位的电压电平。参数定义脚位例如包括参数定义脚位A至脚位D,以分别定义数据传输宽度参数,存储器页面大小参数,逻辑门模式参数及存储器工作电压参数。
本发明上述实施例所披露的一种驱动闪存的方法及其装置,若要置换不同闪存时,不再需要更新闪存控制器的固件或是额外增加储存装置,可避免上述更改及重新验证的操作所耗费的时间与成本。
综上所述,虽然本发明已以一较佳实施例披露如上,然其并非用以限定本发明,本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围的前提下,可作各种的更动与润饰,因此本发明的保护范围以本发明的权利要求为准。
Claims (14)
1.一种驱动存储器的方法,该方法用于一存储器装置,该存储器装置包括一闪存控制器及一闪存,该方法包括:
当该存储器装置为重置的状态下,该闪存控制器检测该闪存控制器的一参数定义脚位的电压电平;
该闪存控制器根据该参数定义脚位的电压电平以定义该闪存的一基本读写参数;
该闪存控制器根据该基本读写参数对该闪存进行基本读取操作;以及
该闪存控制器自该闪存中接收一详细读写参数,该闪存控制器根据该基本读写参数及该详细读写参数以驱动该闪存。
2.如权利要求1所述的方法,其中该闪存包括一特定数据区块,用以储存该闪存的该详细读写参数。
3.如权利要求1所述的方法,其中该基本读写参数包括:
一数据传输宽度参数,用以定义该闪存的数据传输宽度;
一存储器页面大小参数,用以定义该闪存存取数据时的数据单位大小;
一逻辑门模式参数,用以定义该闪存的逻辑门型式为NAND形式或是AND形式;以及
闪存工作电压参数。
4.如权利要求4所述的方法,其中该基本读写参数还包括一闪存存储器工作电压参数,该闪存工作电压参数用以定义该闪存的工作电压。
5.如权利要求1所述的方法,其中该详细读写参数包括一读取周期参数、一写入周期参数以及一闪存实际容量参数。
6.如权利要求1所述的方法,其中该参数定义脚位为一初始化状态选择脚位。
7.如权利要求1所述的方法,其中该参数定义脚位符合一般用途输出输入通道的规格。
8.一种存储器装置,包括:
一闪存存储器,用以存取一数据;以及
一闪存存储器控制器,用以控制该闪存,该闪存控制器包括:
一参数定义脚位,该存储器装置于重置状态时,根据该参数定义脚位的电压电平以定义该闪存的一基本读写参数,该闪存控制器根据该基本读写参数以对该闪存进行基本读取操作;
其中该闪存控制器对该闪存进行基本读取操作时,自该闪存中接收该闪存的一详细读写参数,该闪存控制器根据该基本读写参数及该详细读写参数驱动该闪存。
9.如权利要求8所述的装置,其中该闪存包括一特殊数据区块,该特殊数据区块用以储存该闪存的该详细读写参数。
10.如权利要求8所述的装置,其中该闪存的该基本读写参数包括:
一数据传输宽度参数,用以定义该闪存的数据传输宽度;
一存储器页面大小参数,用以定义该闪存存取数据时的数据单位大小;及
一逻辑门模式参数,用以定义该闪存的逻辑门型式为NAND形式或是AND形式;以及
闪存工作电压参数。
11.如权利要求10所述的装置,其中该基本读写参数还包括一闪存工作电压参数,该存闪存工作电压参数用以定义该闪存的工作电压。
12.如权利要求8所述的装置,其中该详细读写参数包括一读取周期参数、一写入周期参数以及一闪存实际容量参数。
13.如权利要求8所述的装置,其中该参数定义脚位为一初始化状态选择脚位。
14.如权利要求8所述的装置,其中该参数定义脚位符合一般用途输出输入信道的规格。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005100079550A CN1331068C (zh) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | 一种驱动闪存的方法及其装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005100079550A CN1331068C (zh) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | 一种驱动闪存的方法及其装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1648883A CN1648883A (zh) | 2005-08-03 |
CN1331068C true CN1331068C (zh) | 2007-08-08 |
Family
ID=34875312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100079550A Active CN1331068C (zh) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | 一种驱动闪存的方法及其装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1331068C (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100746036B1 (ko) | 2006-02-23 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리를 제어하는 장치 및 방법 |
CN101639809B (zh) * | 2008-08-01 | 2012-08-29 | 北京同方微电子有限公司 | 一种以应用协议数据单元apdu访问与非门闪存存储器的方法 |
CN102402485B (zh) * | 2010-09-16 | 2014-05-28 | 安凯(广州)微电子技术有限公司 | Nandflash参数探测方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002005102A1 (en) * | 2000-07-06 | 2002-01-17 | Onspec Electronic, Inc. | Flashtoaster for reading several types of flash memory cards with or without a pc |
CN2526905Y (zh) * | 2002-01-30 | 2002-12-18 | 记忆科技(深圳)有限公司 | 兼容多种移动存储卡的存储驱动装置 |
CN1388445A (zh) * | 2001-05-29 | 2003-01-01 | 明碁电通股份有限公司 | 减少总存储器使用量的微电脑系统与方法 |
CN1540671A (zh) * | 2003-11-03 | 2004-10-27 | 中兴通讯股份有限公司 | 嵌入式系统闪存芯片驱动方法 |
-
2005
- 2005-02-04 CN CNB2005100079550A patent/CN1331068C/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002005102A1 (en) * | 2000-07-06 | 2002-01-17 | Onspec Electronic, Inc. | Flashtoaster for reading several types of flash memory cards with or without a pc |
CN1388445A (zh) * | 2001-05-29 | 2003-01-01 | 明碁电通股份有限公司 | 减少总存储器使用量的微电脑系统与方法 |
CN2526905Y (zh) * | 2002-01-30 | 2002-12-18 | 记忆科技(深圳)有限公司 | 兼容多种移动存储卡的存储驱动装置 |
CN1540671A (zh) * | 2003-11-03 | 2004-10-27 | 中兴通讯股份有限公司 | 嵌入式系统闪存芯片驱动方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1648883A (zh) | 2005-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10586597B2 (en) | Programming of memory devices responsive to a stored representation of a programming voltage indicative of a programming efficiency | |
US8429334B2 (en) | Method for preventing data loss during solder reflow process and memory device using the same | |
CN101681300B (zh) | 存储器系统 | |
CN110335635B (zh) | 用来管理一记忆装置的方法以及记忆装置与控制器 | |
CN102411480B (zh) | 具有嵌入有控制模块的固态存储器的混合存储系统 | |
EP2003569A9 (en) | Flash memory controller | |
CN105593942A (zh) | 非易失性存储器装置中的易失性存储器架构及相关控制器 | |
CN108595345B (zh) | 管理闪存中所储存的数据的方法及相关记忆装置与控制器 | |
US9552287B2 (en) | Data management method, memory controller and embedded memory storage apparatus using the same | |
US8151039B2 (en) | System and method for controlling flash memory without using ready/busy signal | |
JP2003076615A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
CN101202106A (zh) | 非易失性存储系统及其相应的编程方法 | |
US9496041B2 (en) | Memory programming method, memory control circuit unit and memory storage device | |
US20200073591A1 (en) | Flash memory controller and associated accessing method and electronic device | |
US9778880B2 (en) | Memory control circuit unit, data transmitting method and memory storage device | |
US20120185740A1 (en) | Data writing method for non-volatile memory module and memory controller and memory storage apparatus using the same | |
JP2002230984A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
CN103035282A (zh) | 存储器储存装置、存储器控制器与温度管理方法 | |
CN1331068C (zh) | 一种驱动闪存的方法及其装置 | |
US20130067142A1 (en) | Flash memory storage device and method of judging problem storage regions thereof | |
CN110955387A (zh) | 自适应识别闪存类型方法及计算机可读取存储介质及装置 | |
CN103019969A (zh) | 闪存储存装置及其不良储存区域的判定方法 | |
CN115732023A (zh) | 泄漏检测电路、非易失性存储器装置以及存储器系统 | |
CN101211658B (zh) | 在开启电源时序下调整读取参考电位的方法及其装置 | |
US20080159006A1 (en) | Non-volatile memory device and method of programming the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |