CN1328371A - 热缩管、热缩板及其热缩方法 - Google Patents

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龟井浩二
小野典彦
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Abstract

在这样一种热缩管中,即它包括一个响应于热地收缩的并且具有圆柱形表面的管件和一个成型于至少该圆柱形表面局部上的且由具有搞磁损特性的磁损材料构成的薄膜,所述薄膜具有包含Fe、Co、Ni中的第一种的第一相和除Fe、Co、Ni外地含有至少一种元素的绝缘体的第二相。

Description

热缩管、热缩板及其热缩方法
本发明涉及都可被用于绝缘和/或保护缆线连接部的热缩管和热缩板以及分别热缩所述板、管的方法。
通常，电缆分别具有导线和涂覆在导线上以便保护和绝缘导线的绝缘套。为了使电缆相连，必须从电缆连接部上部分地除去绝缘套以便在导线之间形成电连接。因此，导线被认为是连接部中的暴露部分。
为了保证暴露部分与外界的电绝缘，有时利用了热缩管。热缩管是通过包括以下几个步骤的工艺制成的，即把一种热塑聚合物如聚乙烯制成成管形的管件，适当地使管件的聚合物材料交联，在一个不低于其软化点的温度下膨胀或拉伸管件以便形成具有膨胀形状的胀管，保持膨胀形状地把胀管冷却到室温。当如此获得的热缩管被再次加热到不低于软化点的温度时，热缩管试图恢复其位膨胀前的原始形状。换句话说，热缩管在受热时收缩。因此，如果热缩管被用在电缆与目标之间的互连接头部中，则可以形成一个牢牢套装在接头部外周面上的保护/绝缘层。
通过相似工艺，也生产出了热缩板，并且除了热缩管外，也使用这种热缩板。热缩管或热缩板不仅被用在电缆与目标之间的互连接头部中，而且被用于各种领域。
在为了在使用中使热缩管或热缩板收缩而进行加热时，可以专门设计用于此的电热器。有时候，可以使用普通电热器如吹风机或燃气喷灯。在使用燃气喷灯的情况下，加热的结果主要取决于操作工人的技术。如果均匀加热不成功，则可能产生变形或局部“焦痕”。更糟糕的是，管子将破裂。
同时，连接延伸于多用电线杆之间的电话线的连接工作需要操作人员在高处工作。在这种情况下，除了上述热缩操作本身的麻烦外，另一种危险与这样的高空作业相伴而生。根据工作场地，可能很难在加热工作中使用上述类型的加热器。
因此，本发明的一个目的是提供一种热缩管和热缩板，无论操作人员的技术水平高低，它们都能够可靠有效地进行热缩诱发工作。
本发明的另一个目的是提供一种有助于加热操作的热缩管和热缩板。
本发明的又一个目的是提供一种用于上述热缩管和热缩板的热缩方法。
随着说明的继续，本发明的其它目的将变得一清二楚。
根据本发明的一个方面，提供了一种热缩管，它包括：一个响应于热地收缩的并且具有圆柱形表面的管件；一个成型于至少该圆柱形表面局部上的且由具有搞磁损特性的磁损材料构成的薄膜，所述薄膜具有包含Fe、Co、Ni中的第一种的第一相和包含除Fe、Co、Ni的至少一种元素的绝缘体的第二相。
根据本发明的另一个方面，提供了一种热缩板，它包括一个可响应于热地收缩的且具有一个平表面的板件和一个成型于至少该平面局部上的且由具有高磁损特性的磁损材料构成的薄膜，所述薄膜具有包含Fe、Co和Ni中的第一种的第一相以及包含除Fe、Co和Ni外的至少一种元素的绝缘体的第二相。
根据本发明的又一个方面，提供了一种热缩管的热缩方法，它包括以下步骤：将一个振荡体防止在该薄膜的附近；使该振荡体向该薄膜产生电磁辐射，从而所述薄膜产生所述热。
根据本发明的又一个方面，提供了一种热缩管的热缩方法，它包括以下步骤：将一根导线放在该薄膜附近；给该导线通入交流电以使该导线向该薄膜发射出电磁辐射，从而所述薄膜产生所述热。
根据本发明的再一个方面，提供了一种热缩板的热缩方法，它包括以下步骤：将一个振荡体防止在该薄膜的附近；使该振荡体向该薄膜产生电磁辐射，从而所述薄膜产生所述热。
根据本发明的另一个方面，提供了一种热缩板的热缩方法，它包括以下步骤：将一根导线放在该薄膜的附近；给该导线通入交流电以使该导线向该薄膜发射出电磁辐射，从而所述薄膜产生所述热。
图1是使用时的本发明第一实施例的热缩管的透视图。
图2是本发明第二实施例的热缩板的平面图。
图3是图2所示热缩板的截面图。
图4是轧制时的图2所示热缩板的截面图。
图5是表示M-X-Y磁力成分的颗粒结构的示意图。
图6A是表示例子所用溅射装置的结构的示意截面图。
图6B是表示例子所用蒸镀装置的示意截面图。
图7是表示例1的1号膜样的磁导率频率特性的曲线图。
图8是表示例2的2号膜样的磁导率频率特性的曲线图。
图9是表示对比例1的1号对比样品的磁导率频率特性的曲线图。
图10是检验磁性部件降噪效果的实验装置的示意透视图。
图11A是表示1号膜样的传输特性的曲线图。
图11B是由复合磁板构成的对比样品的传输特性的曲线图。
图12A是表示磁性材料为抑噪件的长度为1的分布常数电路。
图12B是单位长度Δ1的图12A所示分布常数电路的等效电路。
图12C是长度为1的图12A所示分布常数电路的等效电路。
图13A是表示例1的1号膜样的等效电阻R的频率特性的曲线图。
图13B是表示由复合磁板构成的对比例的等效电阻R的频率特性的曲线图。
参见图1来说明根据第一实施例的热缩管。
在图1中，由参考数字1表示的热缩管被用于通信电缆2之间的互连接头部上。热缩管1是通过不久要描述的方法制成的。
首先，一个由磁损材料构成的薄膜通过利用盘形铁标靶和片状氧化铝标靶的溅射技术被镀覆了5微米厚。在这里要注意的是，磁损材料是具有高磁损特性的磁屏蔽材料。表1列出了薄膜的镀覆条件。
                                 表1
    在镀覆前的真空度     不大于10-6乇
    镀覆过程中的气氛     Ar
    电源     RF
    标靶     Fe     Φ100mm
    Al2O3     5mm×5mm×2mm
薄膜接受荧光X射线分析以便检查其成分。结果，观察到了Fe72Al11O17化合物。我们还发现，薄膜包含铁的第一相和氧化铝的第二相，第二相是连续相，而第一相分散在第二相中。测量薄膜阻抗以检查复磁导率(μ＝μ’＋jμ”)虚部μ”的频率相关性。结果，人们发现共振频率约为700MHz。在这里，复磁导率的虚部是有助于磁损性的系数并且可以被称为损耗项。
随后，制备包含低密聚乙烯和过氧化二异丙苯的材料并将其制成1毫米厚且外径为10毫米的管件。通过交联反应和扩胀步骤，获得了厚0.85毫米且外径为30毫米的扩胀管件。上述薄膜被转印贴附在管件圆柱面的外表面上，从而获得了热缩管1。
当频率约为薄膜共振频率的电磁辐射照射热缩管1时，薄膜产生热。因此，在热缩管1被安装到通信电缆2互连接头部的外周面上时，可以不使用任何专用加热器件地很容易使热缩管1收缩。例如，一个用于产生电磁辐射的振荡体(未示出)被安放在热缩管1薄膜的附近。通过驱动振荡体地对薄膜辐射电磁辐射，薄膜产生热。或者，可以利用来自设置在薄膜附近的传输线或与传输线相连的电源的电磁辐射。在任何情况下，由于可以遥控激发热缩管1的收缩，所以可以在在多用电线杆上工作或对地下通信电缆作业时明显提高安全性。
当薄膜产生热时，热缩管1收缩。结果，环绕通信电缆2互连接头部地形成了一个保护/绝缘层。这一层包含磁损材料，从而显示出高频率噪音屏蔽功能。例如，外径为30毫米的热缩管可以被用于外径约为20毫米的数据通信电缆的互连接头部。
磁损材料薄膜可以成型于管件的整个圆柱面区域内或者局部如按照格子形式形成所述薄膜。另外，薄膜可以只至少成型于管件圆柱面的内和/或外面的局部上。
以下参见图2、3来说明根据本发明第二实施例的热缩板。
在图2、3中用参考数字3表示的热缩板是通过不久要说明的方法制成的。
制备含有低密聚乙烯和过氧化二异丙苯的材料并将其制成具有一对突肋4的板件。通过交联反应和扩胀步骤，获得了扩展板件5。在扩展板件5的其中一个平面上，作为薄膜段且成条状地转印上由与图1的热缩管生产所用相似的磁损材料构成的薄膜6。与图1所示热缩管的薄膜一样地，薄膜6包含由铁构成的第一相和由氧化铝构成的第二相，第二相是连续的，而第一相分散于第二相中。例如，热缩板3的尺寸为150mm×170mm。薄膜6被制成膜段形状，每段膜的宽度为10毫米并且彼此间隔10毫米。
热缩板3的突肋成型于其板的相反端部上。当采用热缩板3时，热缩板3如此接受轧制，即突肋相互面对。突肋4通过夹状卡具(未画出)被相互固定住以便将热缩板3制成圆柱形。由于通信电缆的互连接头部在通信电缆2已经相互连接起来后被热缩板3盖住，所以热缩板3是有利的。
在热缩板3被轧制成圆柱形地覆盖住通信电缆2互连接头部以后，可以不使用任何专用加热器地轻松收缩热缩板3。例如，一个用于产生电磁辐射的振荡器(未示出)被安放在热缩板3的薄膜附近。通过驱动振荡体地对薄膜辐射电磁辐射，薄膜产生热。或者，可以利用来自设置在薄膜附近的传输线或与传输线相连的电源的电磁辐射。在任何情况下，由于可以遥控触发热缩板3的收缩，所以可以在在多用电线杆上工作或对地下通信电缆作业时明显提高安全性。
在薄膜内产生热造成热缩板3收缩。结果，环绕通信电缆2互连接头部地形成一个保护/绝缘层。这一层包含有磁损材料，从而显示出了高频噪音屏蔽效果。
磁损材料薄膜可以成型于板件的整个平面区域内或者在局部上如按照格子形式形成所述薄膜。另外，薄膜可以只至少成型于板件平面的正和/或反面的局部上。
在上述实施例中，薄膜通过溅射被镀覆上。要注意的是，可以利用不同技术如气体镀覆、CVD、蒸镀。在上文中，薄膜在单独镀覆后被转印上去。或者，薄膜可以在粉末化后被镀覆上去。
在上文中，第一相含铁。或者，可以利用Co、Ni或从Fe、Co、Ni中选出的多个元素的混合物。第二相是含有至少一种除第一相互所含元素外的元素的绝缘体。
以下，具体描述磁损材料的各例子。
磁损材料在小于几十MHz的频率范围内显示出传导性。作为磁损材料地，可以利用作为成分M(M是至少Fe、Co、Ni之一)、Y(Y是至少F、N、O之一)、X(除M、Y所含元素外的至少一种元素)的混合物地具有M-X-Y化合物的窄带磁损材料，所述磁损材料具有这样的磁导性，即所述磁导性是作为频率与相对比磁导率真部μ’的虚部μ”之间关系给出的，即虚部μ”的最大值μ”max。(可被称为磁损条件)位于100MHz-10GHz之间，相对带宽bwr不大于200％，其中相对带宽bwr是通过在这两个频率之间抽出频带宽并在其中心频率下使频带宽归一化而得到的，即μ”的值在所述两个频率下等于μ”max的50％。在这里假定，窄带磁损材料具有只含M成分的金属磁性材料的80％-60％的饱和磁化强度，而且其ad.c.电阻为100μΩ·cm-700μΩ·cm。
作为磁损材料地可以利用作为成分M(M是至少Fe、Co、Ni之一)、Y(Y是至少F、N、O之一)、X(除M、Y所含元素外的至少一种元素)的混合物地具有M-X-Y化合物的宽带磁损材料，所述宽带磁损材料具有这样的磁导性，所述磁导性是作为频率与相对比磁导率真部μ’的虚部μ”之间关系给出的，即虚部μ”的最大值μ”max(可被称为磁损条件)位于100MHz-10GHz之间，相对带宽bwr不大于150％，其中相对带宽bwr是通过在这两个频率之间抽出频带宽并在其中心频率下使频带宽归一化而得到的，即μ”的值在所述两个频率下等于μ”max的50％。在这里假定，宽带磁损材料具有只含M成分的金属磁性材料的60％-35％的饱和磁化强度，而且其ad.c.电阻大于500μΩ·cm。
在窄带磁损材料与宽带磁损材料中，成分X是C、B、Si、Al、Mg、Ti、Zn、Hf、Sr、Nb、Ta、稀土元素中的至少一种。成分M以粒状结构存在，其中成分M的颗粒或晶粒分散在成分X、Y化合物的基体中。颗粒的平均粒径为1nm-40nm。窄带或宽带磁损材料具有不超过47400A/m的各向异性磁场。窄带或宽带磁损材料的M-X-Y成分最好是Fe-Al-O或Fe-Si-O成分。
在上文中描述了其中半导体集成电路器件被用作电子元件的情况。但是，如果电子元件是包括半导体大型集成电路器件、逻辑电路器件如微处理器、中心处理器、图象处理器、算术逻辑器等的不同半导体激活器件，则也可以采用本发明。
辐射器件可以被固定在电路板上或安装电子元件的外壳上。
在任何情况下，可以作为高频电流镇流器2、3地采用体积小的薄膜磁性物质，它是具有大的磁导率虚部μ”(即磁损条件)的磁损材料。作为可以在磁损项中增大的磁性物质，知道了一种粒状磁性材料。确切地说，当在粒状磁性材料中的磁性金属颗粒浓度在特定范围内时，可以在高频区获得出色的磁损特性。
接着，描述M-X-Y磁性成分的粒状结构及M-X-Y磁性成分的生产。
参见图5，其中示意地画出了M-X-Y磁性成分粒状结构，金属磁性材料M的颗粒11被均匀或平均地分散在由X、Y构成的基体12中。
参见图6A，所示溅射装置被用于制造在后述例子和对比例中的样品。溅射装置具有传统结构并包括一个真空容器20、一个活门21、一个气体供应源22、一个基板或玻璃板23、芯片24(X或X-Y)、标靶25(M)、一个RF电源26、一个真空泵27。气体供应源22和真空泵27与真空容器20相连。基板23面对其上搁置芯片24的标靶。活门21设置在基板21的前面。RF电源26与标靶25相连。
参见图6B，所示蒸镀装置也被用作制造后述例子和对比例的样品。蒸镀装置具有传统结构并且与溅射装置相似地具有真空容器20、气体供应源22、真空泵27，但是它代替芯片25、标靶25、RF电源26地具有一个包含材料(X-Y)的坩埚28。
例1
在玻璃板上，利用图6A所示的溅射装置并在表2所列的溅射条件下制造出由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。
                               表2
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar
    电源     RF
标靶 铁(直径为100毫米)和氧化铝芯片(120件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
所形成的1号膜样通过荧光X射线光谱学进行分析并确认存在Fe72Al11O17化合物膜。1号膜样的厚度为2.0微米并且DC电阻率为530μΩ·cm，在各向异性磁场(Hk)内的18奥斯特以及饱和磁化强度(Ms)为16800高斯。
1号膜样的饱和磁化强度与磁性材料M本身的饱和磁化强度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100为72.2％。
为了测量磁导率频率响应特性，1号膜样被制成带状并插入一个线圈中。在施加偏磁场的情况下，响应于线圈所受交流电频率变化地测量线圈阻抗波动。对于偏磁场的不同值，进行几次测量，根据响应于频率变化地测量的阻抗波动算出磁导率频率响应特性(μ”-f频率特性)并且在图7中画了出来。要从图7中注意看比磁导率虚部具有峰值或最大值(μ”max)并且在峰值两侧陡降。表示最大值(μ”max)的自然共振频率(f(μ”max))约为700MHz。根据μ”-f频率特性，作为这两个频率点之间的带宽占该带宽中心频率的百分比地确定相对带宽bwr，即这两个频率点显示出了约等于最大值μ”max的一半μ”50的比磁导率虚部。相对带宽bwr为148％。
例2
在与例1相似的条件下，但采用了150氧化铝芯片地在玻璃板上形成了2号膜样。
通过荧光X射线光谱技术分析所产生的2号膜样并确认存在Fe44Al22O34化合物膜。2号膜样的厚度为1.2微米并且DC电阻率为2400μΩ·cm，在各向异性磁场(Hk)内的120奥斯特以及饱和磁化强度(Ms)为9600高斯。要注意的是，2号膜样在电阻率方面要高于1号膜样。
2号膜样的饱和磁化强度与磁性材料M本身的饱和磁化强度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100为44.5％。
与例1中相似地获得了μ”-f频率特性并且在图8中示出了。要注意的是，峰值也具有与1号膜样相似的最大值。但是，峰值的频率点或者自然共振频率约为1GHz，在峰值的任何一侧上，比磁导率虚部逐渐降低，从而μ”-f频率特性具有宽带特性。
2号膜样的相对带宽也通过与例1相似的方式被确认为181％。
对比例1
在与例1相似的条件下但采用了90氧化铝芯片地在玻璃板上形成了1号对比样品。
通过荧光X射线光谱技术分析所产生的1号对比样品并且确认存在Fe88Al6O8化合物膜。1号对比样品的厚度为1.2微米并且DC电阻率为7400μΩ·cm，在各向异性磁场(Hk)内的22奥斯特以及饱和磁化强度(Ms)为18800高斯，1号对比样品的饱和磁化强度85.7％与磁性材料M本身的饱和磁化强度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100为44.5％。
按照与例1相似的方式获得了1号对比样品的μ”-f频率特性并且在图9中示出了。要从图9中注意的是，1号对比样品的比磁导率虚部μ”在10MHz左右具有最大值，但是在超过10MHz的频率范围内急剧降低。可以假设，这种降低是由于因电阻率较低而产生涡旋电流而引起的。
对比例2
按照与例1相似的条件但采用了200氧化铝芯片地在玻璃板上形成了2号对比样品。
通过荧光X射线光谱技术分析所产生的2号对比样品并且确认存在Fe19Al34O47化合物膜。2号对比样品的厚度为1.3微米并且DC电阻率为10500μΩ·cm。
2号对比样品的磁性能显示出超顺磁性。
例4
通过反应溅射方法并利用图6A所示的溅射装置，在表3所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。氮气的分压比为20％。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了4号膜样。
      表3
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar＋氮气
    电源     RF
    标靶 铁(直径为100毫米)和氧化铝芯片(150件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
表4列出了4号膜样的性能。
         表4
    膜厚度     1.5μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     51.9％
    μ”max     520
    f(μ”max)     830MHz
    bwr     175％
 例5
通过反应溅射方法并利用图6A所示的溅射装置，在表5所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了5号膜样。
        表5
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar
    电源     RF
    标靶 钴(直径为100毫米)和氧化铝芯片(130件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
表6列出了5号膜样的性能。
      表6
    膜厚度     1.1μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     64.7％
    μ”max     850
    f(μ”max)     800MHz
    bwr     157％
例6
通过反应溅射方法并利用图6A所示的溅射装置，在表7所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。氮气的分压比为10％。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了6号膜样。
        表7
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar＋氮气
    电源     RF
    标靶 钴(直径为100毫米)和铝芯片(170件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
表8列出了6号膜样的性能。
        表8
    膜厚度     1.2μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     32.7％
    μ”max     350
    f(μ”max)     1GHz
    bwr     191％
例7
通过反应溅射方法并利用图6A所示的溅射装置，在表9所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了7号膜样。
        表9
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar
    电源     RF
    标靶 镍(直径为100毫米)和氧化铝芯片(140件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
表10列出了7号膜样的性能。
         表10
    膜厚度     1.7μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     58.2％
    μ”max     280
    f(μ”max)     240MHz
    bwr     169％
例8
通过反应溅射方法并利用图6A所示的溅射装置，在表11所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。氮气的分压比为10％。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了8号膜样。
       表11
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar＋氮气
    电源     RF
    标靶 镍(直径为100毫米)和铝芯片(100件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
表12列出了8号膜样的性能。
         表12
    膜厚度     1.3μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     76.2％
    μ”max     410
    f(μ”max)     170MHz
    bwr     158％
例9
通过反应溅射方法并利用图6A所示的溅射装置，在表13所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了9号膜样。
        表13
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar
    电源     RF
    标靶 铁(直径为100毫米)和二氧化钛芯片(150件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
表14列出了9号膜样的性能。
         表14
    膜厚度     1.4μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     43.6％
    μ”max     920
    f(μ”max)     1.5GHz
    bwr     188％
例10
通过反应溅射方法并利用图6A所示的溅射装置，在表15所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。氧气的分压比为15％。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了10号膜样。
           表15
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar＋氧气
    电源     RF
    标靶 铁(直径为100毫米)和硅芯片(130件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
表16列出了10号膜样的性能。
           表16
    膜厚度     1.5μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     55.2％
    μ”max     920
    f(μ”max)     1.2GHz
    bwr     182％
例11
通过反应溅射方法并利用图6A所示的溅射装置，在表17所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了11号膜样。
         表17
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar
    电源     RF
    标靶 铁(直径为100毫米)和Hf03芯片(100件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
表18列出了11号膜样的性能。
            表18
    膜厚度     1.8μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     77.4％
    μ”max     1800
    f(μ”max)     450MHz
    bwr     171％
例12
通过反应溅射方法并利用图6A所示的溅射装置，在表19所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了12号膜样。
            表19
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar
    电源     RF
    标靶 铁(直径为100毫米)和BN芯片(130件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
表20列出了12号膜样的性能。
           表20
    膜厚度     1.9μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     59.3％
    μ”max     950
    f(μ”max)     680MHz
    Bwr     185％
例13
通过反应溅射方法并利用图6A所示的溅射装置，在表21所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了13号膜样。
            表21
溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气氛     Ar
    电源     RF
    标靶 Fe50Co50(直径为100毫米)和氧化铝芯片(130件)(芯片尺寸为5mm×5mm×2mm)
表22列出了13号膜样的性能。
        表22
    膜厚度     1.6μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     59.3％
    μ”max     720
    f(μ”max)     1.1GHz
    bwr     180％
例14
通过反应溅射方法并利用图6B所示的蒸镀装置，在表23所列的溅射条件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分构成的薄膜。薄膜在300℃并在磁场中被真空热处理两个小时并由此获得了14号膜样。
            表23
    溅射前的真空度     ＜1×10-6乇
    气体流速     氧气，3.0sccm
    坩埚29、28中的元素     Fe、Al
表24列出了14号膜样的性能。
          表24
    膜厚度     1.1μm
    {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100     41.8％
    μ”max     590
    f(μ”max)     520MHz
    bwr     190％
现在，说明与膜样和对比例的降噪效果有关的实验，其中利用了图10所示的实验装置。
实验样品是尺寸为20mm×20mm×2.0μm的1号膜样，为了对比，制成了一由已知复合磁性材料构成的且尺寸为20mm×20mm×1.0mm的片材。复合磁性材料含聚合物以及分散于聚合物中的扁平金属磁粉。金属磁粉含铁、铝、硅。复合磁性材料在准微波范围内具有磁导率分散特性并且在约700MHz频率下具有比磁导率虚部的最大值。表25列出了实验样品与对比实验样品的磁性。
         表25
    1号膜样 对比实验样品
    μ”/700MHz     约1800     约3.0
    bwr     148     196
如表25所示，在比磁导率虚部最大值方面，1号膜样约是对比例实验样品的600倍。由于降噪效果通常是根据比磁导率虚部最大值μ”max与样品厚度δ的乘积(δ×μ”max)算出的，所以复合磁性片材的对比实验样品的厚度选为1毫米，从而这两种实验样品具有相似的δ×μ”max值。
参见图10，实验装置包括一个具有两个出口的微波带状线路61、与两个出口相连的同轴电缆62和连接两个出口的网络分析装置(未画出)。微波带状线路61的线路长度为75毫米并且具有50欧姆的特性阻抗。实验样品63设置在微波带状线路61的区域64内并且测量出传输特性曲线S21。在图11A、11B中，分别针对1号膜样核对比例地画出了S21的频率响应。
至于使用1号膜样1，从图11A中看到，S21降低到100MHz上并在2GHz频率下变为-10dB最小值，随后增大到2GHz频率以上。另一方面，至于采用对比样品，从图11B中看到，S21逐渐降低并在3GHz频率下变为-10dB最小值。
结果显示，S21依赖于磁导率频率分布，降噪效果依赖于δ×μ”max乘积。
现在，假定磁性样品形成了如图12A所示的长1的分布常数电路，根据传输特性曲线S11、S21为单位长度Δ1算出等效电路，如图12B所示。因此，如图12C所示地，长1的等效电路是从根据用于单位长度Δ1的等效电路获得的。磁性样品的等效电路如图12C所示地包括串联电感L和电阻R以及并联电容C和电导G，从中可以了解到，有磁性物质被镀覆在微波带状线路上引起的微波带状线路传输特性曲线的变化主要是通过串联加入的等效电阻R决定的。
综上所述，测量等效电阻R的频率响应特性。在图13A、13B中，分别针对1号膜样和对比样品地示出了测量数据。要从这些图中注意的是，等效电阻R在准微波范围内逐渐降低并且在约3GHz时约为60欧姆。可以看到，等效电阻R的频率相关性不同于具有在约1GHz有最大值的比磁导率虚部的频率相关性。我们可以假设，这种差别建立于产品样品长度与波长比的递增情况。

Claims (14)

1.一种热缩管，它包括：一个响应于热地收缩的并且具有圆柱形表面的管件；和一个成型于至少该圆柱形表面局部上的且由具有高磁损特性的磁损材料构成的薄膜，所述薄膜具有包含Fe、Co、Ni中的第一种的第一相和含有除Fe、Co、Ni外的至少一种元素的绝缘体的第二相。
2.如权利要求1所述的热缩管，其特征在于，第一相还包括Fe、Co、Ni中的第二种，这第二种与第一种混合。
3.如权利要求2所述的热缩管，其特征在于，第一相还包括Fe、Co、Ni中的第三种，这第三种与第一种和第二种混合。
4.如权利要求1所述的热缩管，其特征在于，第二相是连续的，第一相分散在第二相中。
5.如权利要求1所述的热缩管，其特征在于，所述薄膜由包括M、X、Y磁性成分的磁性物质构成，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除去M和Y外的元素，Y是F、N和/或O，M-X-Y磁性成分在化合物中具有这样的M的百分比，即M-X-Y磁性成分具有只含M的磁性材料金属体积的饱和磁化强度的35％-80％的饱和磁化强度，该磁性成分在0.1GHz-10GHz的频率范围内具有相对磁导率虚部μ”的最大值μ”max。
6.一种热缩板，它包括一个可响应于热地收缩的且具有一个平表面的板件；和一个成型于至少该平面局部上的且由具有高磁损特性的磁损材料构成的薄膜，所述薄膜具有包含Fe、Co和Ni中的第一种的第一相以及含有除Fe、Co和Ni外的至少一种元素的绝缘体的第二相。
7.如权利要求6所述的热缩板，其特征在于，第一相还包括Fe、Co、Ni中的第二种，这第二种与第一种混合。
8.如权利要求7所述的热缩板，其特征在于，第一相还包括Fe、Co、Ni中的第三种，这第三种与第一种和第二种混合。
9.如权利要求6所述的热缩板，其特征在于，第二相是连续的，第一相分散在第二相中。
10.如权利要求6所述的热缩板，其特征在于，所述薄膜由包括M、X、Y磁性成分的磁性物质构成，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除去M和Y外的元素，Y是F、N和/或O，M-X-Y磁性成分在化合物中具有这样的M的百分比，即M-X-Y磁性成分具有只含M的磁性材料金属体积的饱和磁化强度的35％-80％的饱和磁化强度，该磁性成分在0.1GHz-10GHz的频率范围内具有相对磁导率虚部μ”的最大值μ”max。
11.一种热缩权利要求1所述热缩管的方法，它包括以下步骤：将一个振荡器防止在该薄膜的附近；使该振荡体向该薄膜产生电磁辐射，从而所述薄膜产生所述热。
12.一种热缩如权利要求1所述热缩管的方法，它包括以下步骤：将一根导线放在该薄膜附近；给该导线通入交流电以使该导线向该薄膜发射出电磁辐射，从而所述薄膜产生所述热。
13.一种热缩如权利要求6所述热缩板的方法，它包括以下步骤：将一个振荡体防止在该薄膜的附近；使该振荡体向该薄膜产生电磁辐射，从而所述薄膜产生所述热。
14.一种热缩权利要求6所述热缩板的方法，它包括以下步骤：将一根导线放在该薄膜的附近；给该导线通入交流电以使该导线向该薄膜发射出电磁辐射，从而所述薄膜产生所述热。
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