CN1320943A - 具有碳纳米管的场致发射阵列和制造场致发射阵列的方法 - Google Patents
具有碳纳米管的场致发射阵列和制造场致发射阵列的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1320943A CN1320943A CN01111250A CN01111250A CN1320943A CN 1320943 A CN1320943 A CN 1320943A CN 01111250 A CN01111250 A CN 01111250A CN 01111250 A CN01111250 A CN 01111250A CN 1320943 A CN1320943 A CN 1320943A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grid
- nonconductive plate
- bar shaped
- anode
- forms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/05—Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
- H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/952—Display
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
用碳纳米管作为电子发射源的场致发射阵列和制造方法。包括形成背板组件,背板组件包括形成在背板上的条形阴极和碳纳米管。前板组件包括在前板上形成条形阳极,和在阳极上淀积荧光体;通过在非导电板中形成对应于阳极且彼此分开预定距离的多个开口,和在非导电板上形成条形栅极,所述栅极与阳极条垂直且具有对应于多个开口的多个发射开口;通过隔板支撑具有栅极的非导电板并按预定的距离使它和背板隔开。背板组件和前板组件,使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。
Description
本发明涉及具有碳纳米管作为代替现有微尖的电子发射源的场致发射阵列和制造场致发射阵列的方法。
近年来,因碳纳米管的低功函数,在其寿命和热稳定性方向极好,因而对采用碳纳米管代替金属微尖作为电子发射源的电子发射器件进行了许多探讨。对于这样的具有碳纳米管的三极管型电子发射器件,与形成薄膜有关的复杂制造工艺被认为是一种缺点,因此存在在工作期间在封装的器件内产生杂质气体的问题。
为了解决该问题,本发明的目的在于提供采用碳纳米管作为电子发射源的场致发射阵列,和制造场致发射阵列的方法,其中具有栅极的非导电板装在前板上,和把具有阴极和淀积于阴极上的碳纳米管的背板与具有非导电板的前板组件组合在一起,以使整个薄膜形成变得容易同时不会引起工作期间在场致发射阵列内杂质气体的产生。
按照本发明的一个方案,提供一种场致发射阵列,它包括:背板组件,背板组件包括背板;在背板上形成的条形阴极;和在阴极上按彼此间预定的距离形成的碳纳米管;和前板组件,前板组件包括前板;在前板上形成的条形阳极;在阳极上淀积的荧光体;和非导电板,非导电板具有对应于阳极且彼此分开预定距离的多个开口;在非导电板上形成的条形栅极,所述栅极与阳极条垂直且具有对应于多个开口的多个发射开口;和隔板,用于支撑具有栅极的非导电板并按预定的距离使它和背板隔开,其中,把背板组件和前板组件彼此组合在一起,以使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。
在另一个实施例中,提供一种场致发射阵列,包括:背板组件,背板组件包括背板;在背板上形成的条形阴极;和在阴极上按彼此间预定的距离形成的碳纳米管;和前板组件,前板组件包括前板;在前板上形成的条形阳极;在阳极上淀积的荧光体;上和下非导电板,分别具有彼此分开预定距离且对应于阳极的多个开口;在下非导电板上形成的条形栅极,所述栅极与阳极条垂直且具有对应于多个开口的多个发射开口,其中栅极与碳纳米管之间的距离相对较小;和隔板,用于支撑上非导电板并按预定的距离使它和背板隔开,其中,把背板组件和前板组件彼此组合在一起,以使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。
在又一个实施例中,提供一种场致发射阵列,包括:背板组件,背板组件包括背板;在背板上形成的条形阴极;和在阴极上按彼此间预定的距离形成的碳纳米管;和前板组件,前板组件包括前板;在前板上形成的条形阳极;在阳极上淀积的荧光体;非导电板,非导电板具有对应于阳极且彼此分开预定距离的多个开口;在非导电板上形成的条形栅极,所述栅极与阳极条垂直且在通过多个开口露出的非导电板的上侧壁上延伸;和隔板,用于支撑具有栅极的非导电板并按预定的距离使它和背板隔开,其中,把背板组件和前板组件彼此组合在一起,以使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。
按照本发明的另一个方面,提供一种制造场致发射阵列的方法,包括:形成背板组件,背板组件包括背板;在背板上形成的条形阴极;和在阴极上按彼此间预定的距离形成的碳纳米管;形成前板组件,前板组件包括前板;在前板上形成的条形阳极;在阳极上淀积的荧光体;非导电板,非导电板具有对应于阳极且彼此分开预定距离的多个开口;在非导电板上形成的条形栅极,所述栅极与阳极条垂直且具有对应于多个开口的多个发射开口;和隔板,用于支撑具有栅极的非导电板并按预定的距离使它和背板隔开,和把背板组件和前板组件彼此组合在一起,以使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。
最好形成前板组件包括:在前板上淀积金属层,和把该金属层构图为条形阳极;在阳极上淀积荧光体;在非导电板上形成条形栅极;和利用隔板把具有栅极的非导电板与具有阳极和荧光体的前板组合在一起,以使非导电板与前板彼此分开预定的距离。在这种情况下,在非导电板上形成条形栅极包括:在非导电板中形成彼此按预定距离分开的多个孔;和在具有多个孔的非导电板上淀积金属层,并把金属层构图为具有对应于多个孔的多个发射开口的条形栅极。
最好在非导电板上形成条形栅极包括:在下非导电板中形成彼此按预定距离分开的多个孔;在具有多个孔的下非导电板上淀积金属层,和把金属层构图为具有对应于所述孔的多个发射开口的条形栅极;和在具有栅极的下非导电板上安装具有多个孔的上非导电板,以使上非导电板的多个孔对应于发射开口。另外,在非导电板上形成条形栅极可以包括:在下非导电板中形成彼此按预定距离分开的多个孔;和通过倾斜淀积方法在通过多个孔露出的下非导电板的顶部和上侧壁上淀积金属层,和把金属层构图为具有对应于所述孔的多个发射开口的条形栅极。
通过下面参照附图对优选实施例的详细说明,本发明的上述目的和优点将更明了,其中:
图1-3是展示按照本发明的具有碳纳米管的场致发射阵列的第一、第二和第三实施例的剖面图;
图4是展示按照本发明的制造具有碳纳米管的场致发射阵列方法的优选实施例的剖面图;
图5和6展示在图4中所示的非导电板上形成栅极;
图7展示结合倾斜淀积方法,制造本发明碳纳米管场发射阵列的方法;
图8是展示按照本发明第一实施例的场致发射阵列的亮度在不同阳极电压电平下相对于栅电压变化的曲线图;
图9是场致发射阵列发射光的正面照片;和
图10是展示在按照本发明第三实施例的场致发射阵列上流动的阳极电流在不同的阳极电压电平下相对于栅极电压变化的曲线图,其中场致发射阵列具有通过倾斜淀积形成的栅极。
图1-3中展示按照本发明的用碳纳米管作为电子发射源的场致发射阵列的优选实施例。如图1-3所示,场致发射阵列包括背板组件100和前板组件200。在背板组件100中,在背板上形成一系列条形阴极11,和在阴极11上淀积碳纳米管11′。在作为前板20与非导电板23(23′,23″)的组合的前板组件200(200′,200″)中,在前板20上形成一系列条形阳极21,和在各阳极21上淀积荧光体22。通过隔板25,具有一系列形成为条形的栅极24(24a)的非导电板23与前板20组合。
三个实施例在非导电板23上形成的栅极24的结构上彼此不同。对于图1的第一实施例,在单个非导电板23上形成条形栅极24。对于图2的第二实施例,在比用于第一实施例的非导电板23相对薄的非导电板23′上形成条形栅极24。第三实施例与第一实施例类似,在非导电板23上形成条形栅极24,只是栅极24a在通过孔露出的非导电板23的上侧壁上延伸。第二和第三实施例的结构适于非导电板23的厚度相对较厚的情况,因它们提供使碳纳米管11′与栅极24(24a)之间的距离变小的作用。
另一方面,因碳纳米管11′具有低功函数、良好的寿命和热稳定性,因而它们可用作良好的电子发射源。通过在光敏玻璃或陶瓷衬底制备的非导电板23上淀积金属,然后构图金属层来形成栅极24。当背板组件100与前板组件200组合时,非导电板23用作隔板,在碳纳米管11′与栅极24之间提供适当的距离。这样,不需要分离形式的隔板。此外,因具有栅极24的前板组件200与背板组件100分开地形成,因而可以使薄膜形成简化,和防止在薄膜形成期间因热处理造成的碳纳米管的损伤。
在制造具有如上所述结构的具有碳纳米管的场致发射阵列中,如图4所示,单独制造背板组件100和前板组件200,然后彼此组合在一起。首先,为了形成背板组件100,在背板10上淀积金属层,然后构图成条形阴极11。然后,在阴极11上淀积恒定距离的碳纳米管11′。
为了形成前板组件200,在前板20上淀积金属,然后构图成为条形阳极21。接着,在阳极21上淀积荧光体22。然后利用隔板25组合具有阳极21的结构和具有栅极24的非导电板23,使它们之间具有预定的距离。如图5所示,在非导电板23中按预定距离形成相应于阳极21的多个孔23′,和如图6所示,在具有多个孔23′的非导电板23上形成条形栅极24。其中,栅极24的条与阳极21的条垂直。具体地说,在具有孔23′的非导电板23上淀积金属,然后构图成栅极24。具有栅极24的非导电板23具有对应于孔23′的多个发射开孔24′。
下面参照图1所示的按照本发明第一实施例的场致发射阵列结构,说明本发明的场致发射阵列的制造。背板组件100或前板组件200可在另一个组件之前先制造。
按照图2中所示第二实施例的场致发射阵列的制造与图1中所示的场致发射阵列的制造相同,只是非导电板23的制造不同。具体地说,在比第一实施例的非导电板23更薄的非导电板23′上形成条形栅极24,然后在具有栅极24的非导电板23′上安装另一个非导电板23″。
按照图3中所示本发明第三实施例的场致发射阵列的制造与第一实施例的不同之处在于形成于非导电板23上的栅极24的结构不同。具体地说,如图5所示,当在具有孔23′的非导电板23上形成条形栅极24时(这也用于制造按照第一实施例的场致发射阵列),采用倾斜淀积(spint)方法,如图7所示,以使用作栅极的金属淀积在通过孔23′露出的非导电板23的上侧壁上。然后,如图3所示,把该金属层构图为条形栅极24a。因栅极24a的条在非导电板23的上侧壁延伸,因而栅极24a和碳纳米管11′变得更接近。
图8是展示按照本发明第一实施例的场致发射阵列的亮度在不同阳极电压电平下相对于栅电压变化的曲线图。如图8所示,随着阳极电压和栅极电压电平变高,亮度逐渐增加,直到在200V栅极电压和900V阳极电压下的2000cd/m2。图9中示出在亮度电平下场致发射阵列发射光的正面照片。
图10是展示在按照本发明第三实施例的场致发射阵列上流动的阳极电流在不同的阳极电压电平下相对于栅电压变化的曲线图,其中该场致发射阵列具有通过倾斜淀积形成的栅极。如图10所示,随着栅极电压电平增加,流动的阳极电流增加。可在50-200V的栅极电压范围内调节阳极电压电平。
如前所述,在按照本发明的具有碳纳米管作为电子发射源的场致发射阵列和制造该场致发射阵列的方法中,通过在背板上形成条形阴极,然后在阴极上淀积碳纳米管,来制造背板组件。通过在前板上形成条形阳极,然后在阳极上淀积荧光体;以及在非导电板中形成多个孔,和形成具有对应于多个孔的发射开口的条形栅极;然后利用隔板按预定距离把前板与具有栅极的非导电板组合在一起,由此制造前板组件。然后,把背板组件与前板组件彼此组合在一起,以使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。按照本发明的场致发射阵列的这种结构确保对碳纳米管的容易的薄膜淀积,和防止阵列工作期间的除气。
尽管参照其优选实施例已特别展示和描述了本发明,但应该理解,本领域的技术人员可以在形式和细节上进行各种改变,而不会脱离如所附权利要求所限定的本发明精神和范围。
Claims (9)
1.一种场致发射阵列,包括:
背板组件,背板组件包括背板;在背板上形成的条形阴极;和在阴极上形成的彼此间有预定距离的碳纳米管;和
前板组件,前板组件包括前板;在前板上形成的条形阳极;在阳极上淀积的荧光体;和非导电板,非导电板具有对应于阳极且彼此分开预定距离的多个开口;在非导电板上形成的条形栅极,所述栅极与阳极条垂直且具有对应于多个开口的多个发射开口;和隔板,用于支撑具有栅极的非导电板并按预定的距离使它和背板隔开,
其中,背板组件和前板组件彼此组合在一起,以使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。
2.一种场致发射阵列,包括:
背板组件,背板组件包括背板;在背板上形成的条形阴极;和在阴极上形成的彼此间有预定距离的碳纳米管;和
前板组件,前板组件包括前板;在前板上形成的条形阳极;在阳极上淀积的荧光体;上和下非导电板,分别具有彼此分开预定距离且对应于阳极的多个开口;在下非导电板上形成的条形栅极,所述栅极与阳极条垂直且具有对应于多个开口的多个发射开口,其中栅极与碳纳米管之间的距离相对较小;和隔板,用于支撑上非导电板并按预定的距离使它和背板隔开,
其中,背板组件和前板组件彼此组合在一起,以使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。
3.一种场致发射阵列,包括:
背板组件,背板组件包括背板;在背板上形成的条形阴极;和在阴极上形成的彼此间有预定距离的碳纳米管;和
前板组件,前板组件包括前板;在前板上形成的条形阳极;在阳极上淀积的荧光体;非导电板,非导电板具有对应于阳极且彼此分开预定距离的多个开口;在非导电板上形成的条形栅极,所述栅极与阳极条垂直且在通过多个开口露出的非导电板的上侧壁上延伸;和隔板,用于支撑具有栅极的非导电板并按预定的距离使它和背板隔开,
其中,背板组件和前板组件彼此组合在一起,以使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。
4.一种制造场致发射阵列的方法,包括:
形成背板组件,背板组件包括背板;在背板上形成的条形阴极;和在阴极上形成的彼此间有预定距离的碳纳米管;
形成前板组件,前板组件包括前板;在前板上形成的条形阳极;在阳极上淀积的荧光体;非导电板,非导电板具有对应于阳极且彼此分开预定距离的多个开口;在非导电板上形成的条形栅极,所述栅极与阳极条垂直且具有对应于多个开口的多个发射开口;和隔板,用于支撑具有栅极的非导电板并按预定的距离使它和背板隔开,和
把背板组件和前板组件彼此组合在一起,以使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。
5.如权利要求4的方法,其中形成背板组件包括:
通过形成薄膜在背板上淀积金属层,和把该金属层构图为条形阴极;和
在阴极上按彼此间预定的距离淀积碳纳米管。
6.如权利要求4的方法,其中形成前板组件包括:
在前板上淀积金属层,和把该金属层构图为条形阳极;
在阳极上淀积荧光体;
在非导电板上形成栅极;和
利用隔板把具有栅极的非导电板与具有阳极和荧光体的前板组合在一起,以使非导电板与前板彼此分开预定的距离。
7.如权利要求6的方法,其中在非导电板上形成条形栅极包括:
在非导电板中形成彼此按预定距离分开的多个孔;和
在具有多个孔的非导电板上淀积金属层,和把金属层构图为具有对应于多个孔的多个发射开口的条形栅极。
8.如权利要求6的方法,其中在非导电板上形成条形栅极包括:
在下非导电板中形成彼此按预定距离分开的多个孔;
在具有多个孔的下非导电板上淀积金属层,和把金属层构图为具有对应于所述孔的多个发射开口的条形栅极;和
在具有栅极的下非导电板上安装具有多个孔的上非导电板,以使上非导电板的多个孔对应于发射开口。
9.如权利要求6的方法,其中在非导电板上形成条形栅极包括:
在下非导电板中形成彼此按预定距离分开的多个孔;和
通过倾斜淀积方法在通过多个孔露出的下非导电板的顶部和上侧壁上淀积金属层,和把金属层构图为具有对应于所述孔的多个发射开口的条形栅极。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR22164/2000 | 2000-04-26 | ||
KR1020000022164A KR100343205B1 (ko) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1320943A true CN1320943A (zh) | 2001-11-07 |
CN1185675C CN1185675C (zh) | 2005-01-19 |
Family
ID=19667003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB011112506A Expired - Fee Related CN1185675C (zh) | 2000-04-26 | 2001-03-12 | 具有碳纳米管的场致发射阵列和制造场致发射阵列的方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6642639B2 (zh) |
JP (1) | JP2001357773A (zh) |
KR (1) | KR100343205B1 (zh) |
CN (1) | CN1185675C (zh) |
GB (1) | GB2361805B (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100342472C (zh) * | 2004-02-26 | 2007-10-10 | 三星Sdi株式会社 | 电子发射装置 |
CN100463094C (zh) * | 2003-03-26 | 2009-02-18 | 清华大学 | 一种场发射显示器的制作方法 |
CN100490047C (zh) * | 2002-12-27 | 2009-05-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 场致发射器件及其制造方法 |
CN101097823B (zh) * | 2006-06-30 | 2011-01-05 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 微型场发射电子器件 |
CN1652283B (zh) * | 2005-01-01 | 2011-01-12 | 中国海洋大学 | 一种场发射电子源器件及其制备方法 |
CN101635239B (zh) * | 2008-07-25 | 2011-03-30 | 清华大学 | 场发射阴极装置及场发射显示器 |
CN101636810B (zh) * | 2006-12-29 | 2011-11-23 | 塞莱斯系统集成公司 | 高频冷阴极三极型场发射真空管及其制造过程 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100343205B1 (ko) * | 2000-04-26 | 2002-07-10 | 김순택 | 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작방법 |
JP2002063864A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Ise Electronics Corp | 蛍光表示管 |
JP4830217B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2011-12-07 | 日本電気株式会社 | 電界放出型冷陰極およびその製造方法 |
US7259410B2 (en) * | 2001-07-25 | 2007-08-21 | Nantero, Inc. | Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same |
US6706402B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-03-16 | Nantero, Inc. | Nanotube films and articles |
US6924538B2 (en) * | 2001-07-25 | 2005-08-02 | Nantero, Inc. | Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same |
US6919592B2 (en) * | 2001-07-25 | 2005-07-19 | Nantero, Inc. | Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same |
WO2003054901A2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Vacuum electronic device |
JP3954002B2 (ja) | 2002-12-24 | 2007-08-08 | 韓國電子通信研究院 | 電界放出ディスプレイ |
CN100419943C (zh) * | 2003-04-03 | 2008-09-17 | 清华大学 | 一种场发射显示装置 |
US7201627B2 (en) * | 2003-07-31 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Method for manufacturing ultrafine carbon fiber and field emission element |
KR100523840B1 (ko) | 2003-08-27 | 2005-10-27 | 한국전자통신연구원 | 전계 방출 소자 |
US7239076B2 (en) * | 2003-09-25 | 2007-07-03 | General Electric Company | Self-aligned gated rod field emission device and associated method of fabrication |
WO2005045872A1 (ja) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
KR20050049842A (ko) * | 2003-11-24 | 2005-05-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시장치 |
KR20050087106A (ko) * | 2004-02-24 | 2005-08-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | Bsd 에미터, 이를 채용한 전계 방출 표시장치 및전계방출형 백라이트 소자 |
US7220159B2 (en) * | 2004-09-03 | 2007-05-22 | Teco Nanotech Co., Ltd. | Method and structure of converging electron-emission source of field-emission display |
CN1770352A (zh) * | 2004-11-05 | 2006-05-10 | 清华大学 | 场发射装置及具有该装置的场发射显示器 |
CN102593466A (zh) * | 2004-12-09 | 2012-07-18 | 奈米系统股份有限公司 | 用于燃料电池的基于纳米线的膜电极组件 |
US7939218B2 (en) * | 2004-12-09 | 2011-05-10 | Nanosys, Inc. | Nanowire structures comprising carbon |
US7842432B2 (en) * | 2004-12-09 | 2010-11-30 | Nanosys, Inc. | Nanowire structures comprising carbon |
US8278011B2 (en) | 2004-12-09 | 2012-10-02 | Nanosys, Inc. | Nanostructured catalyst supports |
EP2364959A1 (en) * | 2005-03-22 | 2011-09-14 | Nova Chemicals Inc. | Lightweight concrete compositions |
TWI271865B (en) * | 2005-04-06 | 2007-01-21 | Au Optronics Corp | Thin film transistor |
US7799196B2 (en) * | 2005-09-01 | 2010-09-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for sorting and/or depositing nanotubes |
ATE528811T1 (de) | 2005-11-21 | 2011-10-15 | Nanosys Inc | Nanodraht-strukturen mit kohlenstoff |
KR100784997B1 (ko) * | 2006-01-14 | 2007-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자의 제조방법, 이에 의하여 제조된 전자 방출소자, 이를 적용한 백라이트 장치 및 전자 방출디스플레이 장치 |
CN101093771A (zh) * | 2006-06-23 | 2007-12-26 | 清华大学 | 碳纳米管场发射体及其制造方法 |
JP5882200B2 (ja) | 2009-05-19 | 2016-03-09 | ワンディー マテリアル エルエルシー | 電池に応用するためのナノ構造材料 |
JP5434432B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-03-05 | 凸版印刷株式会社 | ナノ炭素材料複合基板および電子放出素子 |
CN103854935B (zh) * | 2012-12-06 | 2016-09-07 | 清华大学 | 场发射阴极装置及场发射器件 |
EP2854204B1 (en) | 2013-09-30 | 2017-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd | Composite, carbon composite including the composite, electrode, lithium battery, electroluminescent device, biosensor, semiconductor device, and thermoelectric device including the composite and/or the carbon composite |
JP7133914B2 (ja) | 2016-09-19 | 2022-09-09 | 三星電子株式会社 | 多孔性シリコン複合体クラスタ、それを利用した炭素複合体、並びにそれを含んだ、電極、リチウム電池、電界放出素子、バイオセンサ、半導体素子及び熱電素子 |
EP3324419B1 (en) | 2016-11-18 | 2020-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Porous silicon composite cluster structure, method of preparing the same, carbon composite using the same, and electrode, lithium battery, and device each including the same |
EP3509136A1 (en) | 2018-01-03 | 2019-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silicon composite cluster and carbon composite thereof, and electrode, lithium battery, and electronic device each including the same |
US10974965B2 (en) | 2018-01-26 | 2021-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silicon-containing structure, method of preparing the same, carbon composite using the same, and electrode, lithium battery, and device each including the same |
KR20200047879A (ko) | 2018-10-25 | 2020-05-08 | 삼성전자주식회사 | 다공성 실리콘 함유 복합체, 이를 이용한 탄소 복합체, 이를 포함한 전극, 리튬 전지 및 전자소자 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2602584B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1997-04-23 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 電界放出陰極構造を製造する方法 |
JP3054205B2 (ja) * | 1991-02-20 | 2000-06-19 | 株式会社リコー | 電子放出素子集積基板 |
US5763997A (en) * | 1992-03-16 | 1998-06-09 | Si Diamond Technology, Inc. | Field emission display device |
FR2724041B1 (fr) * | 1994-08-24 | 1997-04-11 | Pixel Int Sa | Ecran plat de visualisation a haute tension inter-electrodes |
US5872422A (en) * | 1995-12-20 | 1999-02-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon fiber-based field emission devices |
GB9603197D0 (en) * | 1996-02-15 | 1996-04-17 | Gen Electric | Electrodeless discharge lamp |
JP3421549B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2003-06-30 | 株式会社東芝 | 真空マイクロ装置 |
KR100365444B1 (ko) * | 1996-09-18 | 2004-01-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치 |
US6091190A (en) * | 1997-07-28 | 2000-07-18 | Motorola, Inc. | Field emission device |
EP0905737B1 (en) * | 1997-09-30 | 2004-04-28 | Noritake Co., Ltd. | Electron-emitting source |
JPH11185671A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Matsushita Electron Corp | 画像表示装置 |
JP3049019B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2000-06-05 | 双葉電子工業株式会社 | 単層カーボンナノチューブの皮膜を形成する方法及びその方法により皮膜を形成された単層カーボンナノチューブ |
US6250984B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-06-26 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article |
JP2000306492A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Hitachi Powdered Metals Co Ltd | 電界放出型カソード、電子放出装置、および電子放出装置の製造方法 |
KR20000074609A (ko) * | 1999-05-24 | 2000-12-15 | 김순택 | 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제조방법 |
EP1073090A3 (en) * | 1999-07-27 | 2003-04-16 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Field emission display device using carbon nanotubes and manufacturing method thereof |
TW430857B (en) * | 1999-08-10 | 2001-04-21 | Delta Optoelectronics Inc | Luminescent device |
US6448709B1 (en) * | 1999-09-15 | 2002-09-10 | Industrial Technology Research Institute | Field emission display panel having diode structure and method for fabricating |
US6333598B1 (en) * | 2000-01-07 | 2001-12-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low gate current field emitter cell and array with vertical thin-film-edge emitter |
US6307327B1 (en) * | 2000-01-26 | 2001-10-23 | Motorola, Inc. | Method for controlling spacer visibility |
KR100316780B1 (ko) * | 2000-02-15 | 2001-12-12 | 김순택 | 격벽 리브를 이용한 3극관 탄소나노튜브 전계 방출 소자및 그 제작 방법 |
GB0006762D0 (en) * | 2000-03-22 | 2000-05-10 | Smiths Industries Plc | Displays |
KR100343205B1 (ko) * | 2000-04-26 | 2002-07-10 | 김순택 | 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작방법 |
TW511108B (en) * | 2001-08-13 | 2002-11-21 | Delta Optoelectronics Inc | Carbon nanotube field emission display technology |
US6733355B2 (en) * | 2001-10-25 | 2004-05-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Manufacturing method for triode field emission display |
AU2003304297A1 (en) * | 2002-08-23 | 2005-01-21 | Sungho Jin | Article comprising gated field emission structures with centralized nanowires and method for making the same |
US6809465B2 (en) * | 2002-08-23 | 2004-10-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Article comprising MEMS-based two-dimensional e-beam sources and method for making the same |
-
2000
- 2000-04-26 KR KR1020000022164A patent/KR100343205B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-03-12 GB GB0106005A patent/GB2361805B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-12 CN CNB011112506A patent/CN1185675C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-19 US US09/837,225 patent/US6642639B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-23 JP JP2001124604A patent/JP2001357773A/ja active Pending
-
2003
- 2003-09-10 US US10/658,526 patent/US6976897B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100490047C (zh) * | 2002-12-27 | 2009-05-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 场致发射器件及其制造方法 |
CN100463094C (zh) * | 2003-03-26 | 2009-02-18 | 清华大学 | 一种场发射显示器的制作方法 |
CN100342472C (zh) * | 2004-02-26 | 2007-10-10 | 三星Sdi株式会社 | 电子发射装置 |
CN1652283B (zh) * | 2005-01-01 | 2011-01-12 | 中国海洋大学 | 一种场发射电子源器件及其制备方法 |
CN101097823B (zh) * | 2006-06-30 | 2011-01-05 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 微型场发射电子器件 |
CN101636810B (zh) * | 2006-12-29 | 2011-11-23 | 塞莱斯系统集成公司 | 高频冷阴极三极型场发射真空管及其制造过程 |
CN101635239B (zh) * | 2008-07-25 | 2011-03-30 | 清华大学 | 场发射阴极装置及场发射显示器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040045817A1 (en) | 2004-03-11 |
GB2361805B (en) | 2004-09-29 |
KR100343205B1 (ko) | 2002-07-10 |
US20020011769A1 (en) | 2002-01-31 |
US6976897B2 (en) | 2005-12-20 |
CN1185675C (zh) | 2005-01-19 |
JP2001357773A (ja) | 2001-12-26 |
US6642639B2 (en) | 2003-11-04 |
GB2361805A (en) | 2001-10-31 |
KR20010097787A (ko) | 2001-11-08 |
GB0106005D0 (en) | 2001-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1185675C (zh) | 具有碳纳米管的场致发射阵列和制造场致发射阵列的方法 | |
TW511108B (en) | Carbon nanotube field emission display technology | |
EP1146541B1 (en) | Triode carbon nanotube field emission display and manufacturing method thereof | |
US7239074B2 (en) | Field emission device and method for making the same | |
CN1286500A (zh) | 利用碳纳米管的场发射显示装置及其制造方法 | |
US20030117065A1 (en) | Flat panel displays and their fabrication methods | |
CN100501905C (zh) | 能增强电子发射特性的发射器配置结构的场致发射显示器 | |
CN1210755C (zh) | 碳纳米管场发射显示器 | |
JP4482459B2 (ja) | 一体型3極構造の電界放出ディスプレイの製造方法 | |
TWI281183B (en) | Field emission cathode and field emission device using same | |
US20080278062A1 (en) | Method of fabricating electron emission source, electron emission device, and electron emission display device including the electron emission device | |
US7629737B2 (en) | Fluorescent display device | |
KR20060042145A (ko) | 카바이드 및 나이트라이드 나노 전자 에미터를 구비한 소자의 제조방법 | |
JP2000243247A (ja) | 電子放出素子の製造方法 | |
CN100428396C (zh) | 基于多孔氧化铝结构的薄膜阴极场发射显示器件 | |
KR20020027956A (ko) | 수평 성장된 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 디스플레이 | |
CN2832836Y (zh) | 一种用于电泳沉积的阳极金属板结构 | |
US20090310333A1 (en) | Electron emission device, electron emission type backlight unit including the same, and method of manufacturing the electron emission device | |
CN1481200A (zh) | 一种场致发射显示板及其驱动方法 | |
CN101009186A (zh) | 点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的方法 | |
CN1885475A (zh) | 场发射装置的电泳沉积方法 | |
CN1876898A (zh) | 一种批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源制作方法 | |
JPH06243778A (ja) | 電界放出型電子源及びその駆動方法 | |
JP5293352B2 (ja) | 三極構造型の電界電子放出型ランプの製造方法 | |
JP2009059680A (ja) | 電子エミッタ構造製造方法、電子エミッタ構造製造方法により製造される電子エミッタ構造、電子エミッタ構造を内蔵する電界電子放出表示装置および電界電子放出バックライト |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20050119 Termination date: 20140312 |