CN1291061C - 在一个基底上进行至少一种工艺作业的设备和组件 - Google Patents

Abstract

用于在一基底上进行至少一种工艺作业的设备，该设备设有至少一个工艺室(2)和一个真空栓(1)，用于将该基底从周围安置到一工艺室中而不会损失相应工艺室中的减低的压力，该真空栓包括一个由多个壁(5，6)界定并连接一真空泵(4)的真空室，而在一个壁中设置至少一个供给孔(7)，并为了每个工艺室在一个壁中设置一个属于一相应工艺室的工艺室孔，该至少一个供给孔在外部可以用一个外盖(10)封闭而从该真空室内可以用一个内盖(11)封闭。还公开了这样一种设备与一种用于将基底供给到该真空栓的一个供给孔中和将基底移走的输送装置的组件。

Description

在一个基底上进行 至少一种工艺作业的设备和组件

本发明涉及一种用于在一个基底上进行至少一种工艺作业的设备，该设备设有至少一个工艺室，其中在使用时在减压下进行工艺作业，并设有一个真空栓，用于将该基底从周围安置到所述工艺室中而不会损失在相应工艺室中的减小的压力。该真空栓包括一个由多个壁界定的真空室，真空室上连接一个真空泵，而在一个壁中设置至少一个供给孔，并且为了该工艺室或每个工艺室，在一个壁中设置一个属于一相应工艺室的工艺室孔，该至少一个供给孔在外部可以用一个外盖封闭而从该真空室内可以用一个内盖封闭，该内盖还用作基底支座并可以在该真空室内移动到一个所述工艺室孔，其中该内盖或每一内盖安装在处于真空室内的台中，该台借助于一驱动机构可移动。

这种设备由EP-A-0 448 782获得公知。在该公知的设备中，没有公开所述台受驱动装置驱动的方式。一种类似的设备由EP-A-0 905 275获得公知，其中该驱动装置安装在该真空室的外部，该驱动装置的轴穿过该真空室的底壁。

对基底进行如下一种工艺作业是公知的，例如利用溅射工艺、蒸发工艺如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来涂层，以及为获得特殊性能而对基底退火。

通常，一种所谓基底的批量工艺是已知的，其中大量的基底在一个工艺室内同时进行同一工艺作业。这种批量工艺的优点是工艺容量大。但是，一个问题是需要对该工艺室内存在的所有基底保证同样的处理条件。

为了解决这个问题，已知在每种情况下将一个单独的基底引入一工艺室并在其中进行一次处理的工艺作业，即所谓单独基底工艺作业。该工艺室中的条件因此可以精确地调整到适合于工艺室中存在的单独基底，这能够更好地控制工艺作业。所述EP-A-0 448 782涉及单独基底工艺步骤。

本发明也涉及用于单独基底工艺作业的一种设备和组件。

很清楚，在单独基底的工艺作业中，从各个工艺室来回输送基底所需的时间对于该设备的工艺容量是十分重要的。通常，对基底进行工艺作业需要相当大的负压。因此希望在打开该工艺室以便在其中放置一个基底时，该工艺室中占优势的负压不会丧失。事实是，在该工艺室中重新产生相当大的负压需要大量时间，单是这一条理由，单独基底的工艺作业就已经难以以经济上有利的方式进行。此外，有等避免工艺室的污染，因此只能在所谓洁净房中打开该工艺室。基底从一种工艺作业到下一种工艺作业的输送也应当在洁净房中进行。洁净房的费用是特别高的，因此已知的单独基底工艺作业是一种特别费钱的工艺基底的方式，在待制造的基底有非常高的要求时才使用。

这些问题已由EP-A-0 448 782解决。

在该已知设备中，当一个工艺室被打开时，减压继续在其中占优势，因为该工艺室孔被限定在其中保持真空的真空栓的真空室中。

按照本发明，在该真空锁的真空室内包含该驱动装置，其中该驱动装置包括一系列安装于该台上的磁体，而在该真空栓的壁上安装了至少一个电磁线圈，该线圈连接在一个可控电源上，以便形成一个用于移动该台的交替磁场。

因为该台的驱动机构被包括在该真空室内，所以在该真空室的壁中就不需要用于转动轴或可沿轴向移动的杆的通过导线的设施。这提供相当大的优点。此种真空密封的通过导线的设施通常很费钱，常常产生泄漏，易于磨损，产生相当大的摩擦，这需要相当重的电动机，而且相当大地限制该台运动的速度。这最后一点转过来对设备的工艺容量会产生有害的影响。

利用一种设置在真空室内部的这样构造的驱动机构，可以获得非常高的移动速度。高的移动速度导致更大的工艺容量，这转过来产生基底的较低的价格费用。

这些盖的真空密封封闭中涉及的一个问题是真空栓的变形，更确切地说是其壁的变形。由于占优势压力的差异，大的壁表面受到相当大的力，包括供给孔和工艺室孔的壁的一个微小的弯曲已经可能产生一个漏气的内盖或外盖。为了解决这些问题，按照本发明的详细说明，该设备的特征是，该真空栓有一个基本上圆筒形的周壁和两个基本上平面的端壁，而在一个端壁中设置了至少一个供给孔和至少一个工艺室孔，这两个端壁通过一个中心支座互相连接，该中心支座邻近或处在该圆筒形周壁的中央。

该圆柱形的端壁本身已经具有一个内在的强度，而且，其变形的危险性是较小的。由于该中心支座，这两个端壁具有相当大的刚性，因此其变形是极小的，而在该端壁中可以设置很多个供给孔和工艺室孔，用于安装不同的工艺室，或用于产生供给和移去基底用的不同的出入通道。这样一种环形的真空栓所具有的特别高的刚性在封闭问题方面是特别有利的。

在真空栓的这样一种设计中，特别有利的是，该台包括一个基本上圆形的盘，该盘可以转动地用轴承安装在该中心支座上并且在该圆筒形周壁上或邻近该周壁。按照本发明的详细说明，在该圆筒形周壁中在多个均匀分布的周边位置上补充地安装了一个电磁线圈，而邻近该台的圆形周壁配置上述一系列磁体，该台可以非常快地转动180度。在此后描述的示范实施例中，基底具有一张CD或DVD的尺寸，这样一种通过180度的转动可以在0.3秒内完成。显然，这样一种输送方式导致该设备的非常高的容量。

为了使该台能够做成可以移动的结构，重要的是，该内盖可以从该供给孔或工艺室孔的壁移开。为此，按照本发明的详细说明，这至少一个内盖与该台连接，从而可以沿垂直于该台的方向移动。该台与内盖之间的这样一种连接可以包括(例如)一个弹簧。按照本发明的详细说明，在该内盖或每个内盖与该台之间的这种弹簧连接可以通过一个有一中心孔的盘形板形成，该中心孔中安装该内盖，而该盘形板通过其外周缘安装在该台上，在盘形板中设置同心的圆周区段形的凹槽，这些凹槽相当于该中心孔沿垂直于该板的平面的方向相对于外周边产生一个位移，而中心孔的边缘与外周边保持精确的平行。

按照本发明的详细说明，一个工艺室可以有一个连接于其上的工艺室泵。利用这样一个独立的工艺室泵，可以在该工艺室中产生一个与真空室中占优势的压力不同的压力。而且，该工艺室泵可用于排除基底工艺期间释放的工艺气体。

本发明的设备可用于各种工艺；例如，按照本发明的详细说明，一个工艺室可以设置至少一个用于等离子体增强化学气相沉积的等离子体源，或设置至少一个物理气相沉积源，或设置用于进行化学气相沉积的机构，或设置用于基底退火的机构。

在该真空栓上，有选择地可连接几个工艺室，使得一个基底可以进行各种工艺作业而不必为此而离开真空室。特别是在多个工艺室中进行不同的工艺作业之间的输送期间，其中存在该基底的空间是洁净的这一点非常重要。因为在按照本发明所述的该设备中，这些基底或者是在该真空栓的真空室中，或者是在一个工艺室中，对本发明的设备所处空间的洁净度的要求比对目前已知的单独基底工艺作业的洁净度要求要低得多，后者只能在洁净房中进行。

因为该供给孔或每个供给孔设有一个内盖和一个外盖，所以当在该真空室中安置一个基底时，只需将内盖和外盖之间的空间重新调整到所需的减压。安置一个基底的程序如下：

关闭一个相应的供给孔的内盖，打开外盖，将待处理的基底安置在用作基底支座的内盖上，关闭外盖，打开内盖，由此一起取走基底。只有该内盖和外盖之间的容积需要重新抽真空。用作基底支座的内盖与其上存在的基底一起，随后可以被迅速输送到工艺室孔中。

为了在插入一个新的基底后将在真空室中获得所要真空的所需时间减到最小，按照本发明的详细说明，特别有利的是，由至少一个供给孔的边缘与内盖和外盖界定的空间当其处于封闭状态时所具有的尺寸密切符合有待该设备处理的基底的尺寸，使得在封闭外盖后有待重新调整到所要减压的该空间的容积成为最小。

该空间的尺寸越是符合待处理基底的尺寸，将真空室再次调整到所要减压的时间就越少。这样一个短时间转过来产生较大的工艺容量，从费用观点看这是有利的。

为了防止由于在该至少一个工艺室内进行的工艺作业而产生的真空室的污染，按照本发明的详细说明，一个工艺室孔能够用一个内盖从真空室内基本上封闭是有利的。

本发明还涉及一种设备与用于向真空栓的供给孔供给基底和移去基底的输送装置的组件。按照本发明，该组件的输送装置设有至少一个可以借助于一个输送机构而移动的运载头，用于接合该基底。利用这样一种组件，该设备不用人工操作就可装载基底，而已经工艺处理基底不用人工操作就可从该设备移走。

如果待工艺处理的基底包括一个例如用于制造一张CD或DVD的中心孔，那么，按照本发明的详细说明，特别有利的是，该输送装置包括可以卡紧在一个待工艺处理的基底的中心孔中的松的卡紧件，而该卡紧件可以由该至少一个运载头接合。然后该基底可以与该卡紧件一起引入真空室，在那里于该基底进行工艺作业期间保持与基底的连接。然后最好该卡紧件用磁性敏感材料制成，而在该至少一个运载头中配置一个电磁线圈，该线圈连接在一个可控电源上，该电源为了吸住该卡紧件并因此吸住该基底而在线圈中产生一个电磁场，该电磁场对该卡紧件产生一个吸引作用。因此，可以以非常简单的方式通过该运载头吸起和传送该基底。

按照本发明的详细说明，该卡紧件可以包括一个盘形部件，在工艺室中工艺基底期间该盘形部件用作屏蔽该基底的中心部分的内掩模。

可以选择地，当使用一个磁性敏感的松的卡紧件时，在该真空栓的该内盖或每个内盖中可以配置一个永久磁体，该永久磁体对该卡紧件产生一个吸引作用。从而可以使该基底可靠地安置在该内盖的中央。

为了限制一个供给孔的封闭中操作的次数，并因而尽可能减少将一个基底安置在该真空室中所需的时间，按照本发明的详细说明，特别有利的是，该输送装置的至少一个运载头还运载该外盖。

下面参照附图根据一个示范的实施例进一步阐述本发明。

图1表示一种有两个工艺室的真空栓的透视图，在该示范的实施例中，这两个工艺室设计用作溅射工艺室；

图2表示图1中所示的该示范的实施例的顶视平面图；

图3表示沿图2中线III-III截取的截面图；

图4表示图1-3中所示真空栓的顶视平面图，省去了溅射工艺室；

图5表示沿图4中线V-V截取的截面图；

图6表示沿真空栓中存在的台的图7中线VI-VI截取的截面图；

图7表示图6中所示的台的顶视平面图；

图8表示连接弹簧的顶视平面图，利用该弹簧使内盖与台连接；

图9表示一种用于与图1-3中示出的真空栓配合的输送装置的透视图；

图10表示一种卡紧件的透视图；

图11表示一个带有附接于其上的卡紧件的外盖的截面图；以及

图12表示图11中所示的盖的顶视平面图。

图1-3表示真空栓1的一个示范实施例，该真空栓1有两个安装在其上面的工艺室2、3，工艺室2的盖子示于打开位置，而工艺室3的盖子示于关闭位置。图示的工艺室预期在其中进行溅射工艺。这样一种工艺本身是已知的，不需在此进一步说明。其次，图1表示一个泵区4，利用该泵区可以在真空栓和工艺室2、3中产生真空。“真空”在这里应当理解为一种适合于进行溅射工艺的压力。该图还清楚地表明，真空栓1设有顶壁5和圆筒形周壁6。顶壁5中设置两个供给孔7，用于通过这些供给孔将一个基底安装在一个基底支座上。再次，顶壁5设有两个工艺室孔8，它们在图4和5中看得更清楚。

图3表示真空栓1的内部。可以清楚地看到顶壁5、圆筒形周壁6和设在顶壁中的供给孔7，供给孔7用于向真空栓1供给一个基底和将其移去。其次，在顶壁中可以看到一个工艺室孔8，其中安置一个所谓外掩模9。供给孔7可以用图9、11、12中示出的外盖10关闭。再次，供给孔7可以用内盖11关闭。内盖11安装在一个基本上盘形的台12中，该台更详细地示于图6和7中。真空栓1特别是其各个壁界定一个真空室13，其中充满所要的减压。盘形台12利用轴承14、15可以转动地用轴承安装在真空室13中。内轴承14安置在中心支座16上，中心支座16使真空栓1的顶壁5与真空栓1的底壁17连接。由于该中心支座16，预壁5具有相当大的刚性，这种刚性防止顶壁5在各种压力的影响下变形。

图5更清楚地表明台12被包括在真栓1中的方式以及内盖11与台12连接的方式。在图6中也清楚地表示这种连接。内盖11这样与台12连接，使得可以沿垂直于台12的平面的方向相对于该台12移动。在该示范的实施例中，这种连接是用在图8的顶视平面图中示出的弹簧连接件18形成的。在该示范的实施例中，弹簧连接件18设计成带中心孔19的盘形板18，孔19中安装内盖11。盘形板18通过其外周边20附接在台12上。在盘形板18中设有圆圈区段形凹槽21，这些凹槽21相当于中心孔19沿垂直于板18的平面的方向相对于外周边20产生一个位移，而中心孔19的边缘22和外周边20保持精确的平行。其次，图5清楚地表明，电磁线圈23、24围绕供给孔7和工艺室孔8配置在顶壁5中。再次，可以清楚地看到，在内盖11上安装了一个沿内盖11的周边伸出的封闭环25。该封闭环25用磁性敏感材料制成。电磁线圈23、24连接在一个可控电源上，为了关闭内盖11，该可控电源可以在线圈23、24中产生电磁场，该电磁场对封闭环25施加吸引作用。一当电磁线圈23、24受到激励，封闭环25就对着真空栓1的顶壁5被向上拉。当电磁线圈23、24的激励结束时，内盖11由于施加在其上面的外部空气压力而将自动打开。在图7中，盘形台12在顶视平面图中示出。可以清楚看到，该台设有一个中心孔26，其中安置内轴承14。其次，在顶视平面图中可以清楚地看到，该台12安置了四个内盖11。同样清楚地示出的是封闭环25和一系列永久磁体27。永久磁体27按照磁场方向相反的顺序交替安置。图5示出真空栓1中存在的三个电磁线圈28中的两个，这些线圈28与真空栓的底壁17连接。线圈28连接在一个可控电源上，以便为了移动台12(更明确地说是转动台12)而形成一个交替的磁场。因为台12的驱动(该驱动是由一系列永久磁体27和线圈28形成的)被包括在真空栓1的真空室13中，所以在真空栓的壁中不需包括用于移动部件的通过导线的设施。从维护和真空技术的观点看，这是有很大好处的。在例示的示范实施例中，台12可以在0.3秒内转动通过180度。图3、5和6还清楚地显示一个编码器环29。该编码器环与设置在真空栓1的中心支座16内的一个编码器传感器(未示出)配合。利用编码器环29和编码器传感器，可以知道在每种情况下台12在真空室13中的位置。

图9表示一个设有孔31的安装板30，孔31中可以安装真空栓1。一个输送装置32与安装板30连接。在该示范实施例中，该输送装置32设计成可以围绕一个中心轴33转动的多个臂34的星轮。外盖10悬挂在这些臂34的端部上，用于关闭真空栓1的供给孔7。当外盖10安置在真空栓1的供给孔7中而且各供给孔7的内盖11又处在关闭位置时，由供给孔7的边缘35与内盖11和外盖10界定的空间具有这样的尺寸，使得待工艺的基底可以刚巧装入其中，因此在关闭外盖后需要重调到所要减压的空间容积尽可能小。更详细地示于图11和12中的外盖10设有一个接合基底用的运载头36。在该示范实施例中，这些基底有一中心孔，而这些基底更特定地预期用于制造一张CD或DVD。输送装置32包括与运载头36可以拆卸地连接的松的卡紧件37，卡紧件37可以卡紧在待处理的基底的中心孔内。在该示范实施例中，更详细地示于图10中的卡紧件37是用磁性敏感材料制成的。每个运载头36设有一个连接在可控电源上的电磁线圈38，为了吸住该卡紧件从而保持住该基底，该电源在线圈中产生一电磁场，该电磁场对卡紧件37施加一吸引作用。卡紧件37还设有一个盘状部分40，用作在工艺室2、3中工艺基底期间屏蔽基底中心部分的内掩模。内盖11设有永久磁体39，用于吸住卡紧件37，以便将该基底定中心地保持在内盖11上。

设备的操作如下：

利用输送装置32将一个其中已安装了卡紧件37的基底取起并输送到真空栓1的供给孔7中。其次，利用输送装置32将外盖10降低到供给孔中。该基底位于由外盖10、内盖11和供给孔7的周边35界定的封闭的安装空间中。此时，电磁线圈23受到激励，因此相应的内盖11的封闭环25紧靠线圈23而内盖11处于关闭状态。其后，线圈23的激励结束，使得内盖11在上述空间中占优势的压力的影响下打开。现在该内盖在真空栓1的顶壁5下面的平面中。然后可以激励台12的驱动机构的电磁线圈28来转动台12，并将相应的内盖11带到工艺室孔8的下面。台12的位置由带有相关编码器传感器的编码器环29精确测量。当相应的内盖11位于工艺室孔8下面时，位于那里的封闭线圈24受到激励而内盖11被拉动紧靠真空栓的顶壁5。其次，安置在内盖11上的基底可以在工艺室2、3中接受处理。在工艺作业完成时，封闭线圈24的激励可以结束而台12可以转动，因此该相应的内盖可以被带到另一处理室孔去接受另一处理，或将该相应的内盖11带到供给孔7，以便从真空栓1移走该基底。为了移走该基底，围绕该相应的供给孔7延伸的封闭线圈23再次受到激励，其后位于外盖10和内盖11之间的空间受到充气，从而其中充满环境压力。当这样时，可以借助于输送装置32升高外盖10，由此取出该基底。通过结束运载头36中的电磁线圈38的激励。随后可由输送装置32将该基底传送到另一位置。

显然，本发明不限于该示范实施例，而可以在由权利要求书界定的本发明的架构内进行各种修改。比如，在工艺室内不是进行溅射工艺，而是进行不同的工艺作业，如不同形式的物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、退火等等。可以选择地，一个工艺室可以有一连接于其上的独立的工艺室泵，用于从该工艺室抽去供给的气体或在工艺作业期间生成的气体。可以选择地，也可以在一个工艺室和真空室13之间结合一个带有可控的或不可控的节流的旁路管线，以便在处理过程期间保持该工艺室和真空室13之间的压差。在这些条件下，可以任选地省去一个独立的工艺室泵。还可以明白，利用上述设备和上述组件，可以顺序进行不同的工艺。为此，显然需要将不同的工艺室与该真空栓连接。

Claims (22)

1.一种用于在一个基底上进行至少一种工艺作业的设备，该设备设有至少一个工艺室，其中在使用时在减压下进行工艺作业，并设有一个真空栓，用于将该基底从周围安置到所述工艺室中而不会损失在相应工艺室中的减小的压力，该真空栓包括一个由多个壁界定的真空室，真空室上连接一个真空泵，而在一个壁中设置至少一个供给孔，并且为了该工艺室或每个工艺室，在一个壁中设置一个属于一相应工艺室的工艺室孔，该至少一个供给孔在外部可以用一个外盖封闭而从该真空室内可以用一个内盖封闭，该内盖还用作基底支座并可以在该真空室内移动到一个所述工艺室孔，其中该内盖或每一内盖安装在处于真空室内的台中，该台借助于一驱动机构可移动，其特征在于，在该真空锁的真空室内包含该驱动装置，其中该驱动装置包括一系列安装于该台上的磁体，而在该真空栓的壁上安装了至少一个电磁线圈，该线圈连接在一个可控电源上，以便形成一个用于移动该台的交替磁场。

2.一种如权利要求1所述的设备，其特征在于，该真空栓有一个基本上圆筒形的周壁和两个基本上平的端壁，而在一个端壁中设置了至少一个供给孔和至少一个工艺室孔，这两个端壁通过一个中心支座互相连接，该中心支座邻近或处在该圆筒形周壁的中央。

3.一种如权利要求2所述的设备，其特征在于，该台包括一个基本上圆形的盘，该盘可以用轴承转动地安装在该中心支座上和该圆筒形周壁上。

4.一种如权利要求3所述的设备，其特征在于，在该圆筒形周壁上或邻近该周壁，在一些均匀分布的周边位置上安装一个电磁线圈，而邻近该台的圆形周边配置所述一系列磁体。

5.一种如权利要求3所述的设备，其特征在于，在该台上配置一个编码器环，利用该编码器环可以确定该台相对于真空室壁的相对位置。

6.一种如权利要求1所述的设备，其特征在于，该至少一个内盖与该台连接，因此可以沿一个垂直于该台的方向移动。

7.一种如权利要求6所述的设备，其特征在于，在该台和一个所述内盖之间的这种连接包括一个弹簧。

8.一种如权利要求7所述的设备，其特征在于，在该内盖或每个内盖与该台之间的这种弹簧连接是通过一个有一中心孔的盘形板形成的，该中心孔中安装该内盖，而该盘形板通过其外周缘连接在该台上，在盘形板中设置同心的圆周区段形的凹槽，这些凹槽能使该中心孔沿垂直于该板的平面的方向相对于外周边产生一个位移，而中心孔的边缘与外周边保持精确的平行。

9.一种如权利要求1所述的设备，其特征在于，该至少一个内盖设有一个用磁性敏感材料制成的沿内盖周边延伸的封闭环，而围绕和邻近该至少一个供给孔和该至少一个工艺室孔的边缘配置至少一个电磁线圈，该线圈连接在一个可控电源上，该电源为了封闭该内盖而在该线圈中产生一个电磁场，该电磁场在该封闭环上产生一个吸引作用。

10.一种如权利要求1所述的设备，其特征在于，一个所述工艺室有一个连接于其上的工艺室泵。

11.一种如权利要求1所述的设备，其特征在于，一个所述工艺室设有至少一个用于等离子体增强的化学气相沉积的等离子体源。

12.一种如权利要求1所述的设备，其特征在于，一个所述工艺室设有至少一个物理气相沉积源。

13.一种如权利要求1所述的设备，其特征在于，一个所述工艺室设有用于进行化学气相沉积的机构。

14.一种如权利要求1所述的设备，其特征在于，一个所述工艺室设有用于使该基底退火的机构。

15.一种如权利要求1所述的设备，其特征在于，当在封闭状态下，由该至少一个供给孔的一个孔的边缘与内盖和外盖所界定的空间的尺寸密切符合由该设备处理的基底的尺寸，使得在封闭该外盖后等待重新调整到所要减压的空间容积是最小的。

16.一种如权利要求1所述的设备，其特征在于，一个所述工艺室孔可以从该真空室内用一个所述内盖基本上封闭。

17.一种如上述权利要求中任何一项所述的设备和用于向该真空栓的供给孔供给基底及移去基底的输送装置的组件，该输送装置设有至少一个用于接合该基底的可以利用一输送机构移动的运载头。

18.一种如权利要求17所述的组件，其特征在于，该有待工艺处理的基底包括一个例如用于制造一张CD或DVD的中心孔，该输送装置包括可以卡紧在一个待工艺处理的基底的中心孔中的松的卡紧件，而该卡紧件可以由该至少一个运载头接合。

19.一种如权利要求18所述的组件，其特征在于，该卡紧件用磁性敏感材料制成，而在该至少一个运载头中配置一个电磁线圈，该线圈连接在一个可控电源上，该电源为了吸住该卡紧件并因此吸住该基底而在线圈中产生一个电磁场，该电磁场对该卡紧件产生一个吸引作用。

20.一种如权利要求18所述的组件，其特征在于，该卡紧件包括一个盘形部件，在工艺室中工艺基底期间该盘形部件用作屏蔽该基底的中心部分的内掩模。

21.一种如权利要求19或20所述的组件，其特征在于，在该真空栓的该基底支座或每个基底支座中配置一个永久磁体，该磁体对该卡紧件产生一个吸引作用。

22.一种如权利要求17所述的组件，其特征在于，该至少一个运载头还运载一个所述外盖。

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