CN1278989C - 一种改进的钇部分稳定二氧化锆生产方法 - Google Patents

一种改进的钇部分稳定二氧化锆生产方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1278989C
CN1278989C CN 200510040219 CN200510040219A CN1278989C CN 1278989 C CN1278989 C CN 1278989C CN 200510040219 CN200510040219 CN 200510040219 CN 200510040219 A CN200510040219 A CN 200510040219A CN 1278989 C CN1278989 C CN 1278989C
Authority
CN
China
Prior art keywords
yttrium
zirconium oxychloride
mixed water
production method
zirconium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 200510040219
Other languages
English (en)
Other versions
CN1699279A (zh
Inventor
杨新民
李福平
宗俊峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
YIXING XINXING ZIRCONIUM INDUSTRY Co Ltd
Original Assignee
YIXING XINXING ZIRCONIUM INDUSTRY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by YIXING XINXING ZIRCONIUM INDUSTRY Co Ltd filed Critical YIXING XINXING ZIRCONIUM INDUSTRY Co Ltd
Priority to CN 200510040219 priority Critical patent/CN1278989C/zh
Publication of CN1699279A publication Critical patent/CN1699279A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1278989C publication Critical patent/CN1278989C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

一种改进的钇部份稳定氧化锆生产方法,氧氯化锆与氯化钇的混和水溶料与氨水共沉淀反应,共沉淀反应是将氧氯化锆与氯化钇的混和水溶液通入4-6N的氨水中共沉淀至溶液PH值达9-10时终止反应,混和水溶液中的氧氯化锆浓度折合氧化锆计为280-350g/L,氧化锆∶氧化钇为95.2-94∶4.8-6,沉淀物再用去离子水洗涤、离心脱水、烘干、灼烧、粉碎得产品,本发明方法大幅度降低了部份稳定氧化锆的生产成本,使所得的钇部份稳定氧化锆陶瓷原料或制品品质好,烧结密度更高,强度更大。

Description

一种改进的钇部分稳定二氧化锆生产方法
技术领域
本发明是关于对氧化钇部份稳定氧化锆生产方法的改进,生产的钇部份稳定氧化锆可以制作出烧结密度更大、强度更大的氧化锆陶瓷。
背景技术
钇部份稳定氧化锆在制作陶瓷过程中,稳定剂氧化钇能预防氧化锆在晶形转变中因体积发生变化而产生开裂,且使陶瓷的烧结温度较低,只需1400℃,制作成的陶瓷产品强度较大。目前,钇部份稳定氧化锆的生产工艺为将氧氯化锆与氯化钇的混和水溶料与氨水共沉淀反应后经水洗、离心脱水、烘干、灼烧制得,工艺中存在的不足是:1)生产时将氨水通入氧氯化锆与氯化钇的混和水溶料中,沉淀过程中会形成凝胶现象,后序的除氯洗涤时用水量大且氯根无法清洗干净;2)因氧氯化锆常温下的饱和溶解度为330-350g/L,生产时通常将氧氯化锆配成250g/L,形成的沉淀为坚硬的块状物,不易离心脱水,经后序湿磨的粉末粒度及流动性均不理想;3)共沉淀反应后的料浆用去离子水洗涤,去离子水的PH值在7左右,用水量大,另外,由于钇需在PH>6以上水中才能完全沉淀,直接加去离子水,在制水过程中如去离子水PH控制稍有不当,会造成钇微量溶入水中而流失,影响产品质量。
发明内容
本发明正是为了克服上述不足,提供一种改进的钇部份稳定氧化锆生产方法,降低了部份稳定氧化锆的生产成本,制得的部份稳定氧化锆流动性好,粒度极限更细,以其为原料制作的氧化锆陶瓷烧结密度大,强度大,具体是这样来实施的:一种改进的钇部份稳定氧化锆生产方法,氧氯化锆与氯化钇的混和水溶料与氨水共沉淀反应,沉淀物再用去离子水洗涤、离心脱水、烘干、灼烧、粉碎得产品,其特征在于共沉淀反应是将氧氯化锆与氯化钇的混和水溶液通入4-6N的氨水中共沉淀至溶液PH值达9-10时终止反应,混和水溶液中的氧氯化锆浓度为280-350g/L,氧化锆∶氧化钇为95.2-94∶4.8-6。本发明烘干时,是于450℃下逐步升温直至物料中氧化锆含量达40-50%为止,烘干物于900-1100℃下煅烧1.5-2.5小时。本方法通过提高氧氯化锆浓度,生产出的产品松软,易于脱水和粉碎,最佳的氧氯化锆浓度为300-330g/L,生成的部份稳定氧化锆不但流动性好,更主要的是粉碎粒度极限更细,在制作氧化锆陶瓷时,烧结密度由原先的5.95g/cm3提高到6.05g/cm3,陶瓷产品强度也大幅度提高。
本发明为了保证产品质量,对配制好的氧氯化锆与氯化钇的混和水溶液在反应前还进行抽滤除杂处理,除机械杂质外还去除不溶性的二氧化硅,以免影响陶瓷产品的烧制。
本发明洗涤用去离子水的PH值为8-9,是用氨水调节得到的,将去离子水的PH值调至8以上,可以提高Cl-溶解度,原先1吨钇部份稳定锆需用去离子水70吨,改进后只需去离子水55吨,节省了生产成本,缩短了生产周期,并且确保钇离子不会溶入洗涤水中而损失,保证产品质量。
本发明的粉碎采用的是先湿法粗磨再气流粉碎,获得的钇部分稳定二氧化锆品质高,粒度细。
本发明通过对钇部分稳定二氧化锆生产方法的改进,大幅度降低了部份稳定氧化锆的生产成本,使所得的钇部份稳定氧化锆陶瓷原料或制品品质好,烧结密度更高,强度更大。
具体实施方式
实施例1,一种改进的钇部份稳定氧化锆生产方法,用去离子水配制氧氯化锆与氯化钇的混和水溶料,氧氯化锆浓度为280g/L,氧化锆∶氧化钇为95.2∶4.8,混和水溶液抽滤除杂后通入4N的氨水溶液中共沉淀至溶液PH值达10时终止反应,沉淀物用去离子水洗涤后离心脱水,于450℃下逐步升温烘干直至物料中氧化锆含量达40%左右,再于900℃下煅烧2.5小时,最后经湿法粗磨后再经气流粉碎得成品。
实施例2,参考实施例1,混合水溶液中氧氯化锆的浓度为350g/L,氧化锆∶氧化钇为94∶6,氨水浓度为6N,共沉淀反应至PH值达9时终止,洗涤用去离子水用氨水调PH值至8,当物料中氧化锆含量达50%时烘干终止,煅烧于1100℃下灼烧1.5小时。
实施例3,参考实施例1,混合水溶液中氧氯化锆的浓度为300g/L,氧化锆∶氧化钇为95∶5,氨水浓度为5N,共沉淀反应至PH值达9.5时终止,洗涤用去离子水用氨水调PH值至9,当物料中氧化锆含量达45%时烘干终止,煅烧于1000℃下灼烧2小时。
实施例4,参考实施例1,混合水溶液中氧氯化锆的浓度为330g/L,氧化锆∶氧化钇为94.6∶5.4,氨水浓度为4.5N,共沉淀反应至PH值达9.5时终止,洗涤用去离子水用氨水调PH值至8.5,当物料中氧化锆含量达40%时烘干终止,煅烧于1050℃下灼烧2小时。

Claims (5)

1.一种改进的钇部份稳定氧化锆生产方法,氧氯化锆与氯化钇的混和水溶料与氨水共沉淀反应,沉淀物再用去离子水洗涤、离心脱水、烘干、灼烧、粉碎得产品,其特征在于共沉淀反应是将氧氯化锆与氯化钇的混和水溶液通入4-6N的氨水中共沉淀至溶液PH值达9-10时终止反应,混和水溶液中的氧氯化锆浓度折合氧化锆计为280-350g/L,氧化锆∶氧化钇为95.2-94∶4.8-6,烘干是于450℃下逐步升温直至物料中氧化锆含量达40-50%为止,灼烧是于900-1100℃下煅烧1.5-2.5小时。
2.根据权利要求1所述的钇部份稳定氧化锆生产方法,其特征在于氧氯化锆与氯化钇的混和水溶液配制后进行抽滤除杂处理。
3.根据权利要求1所述的钇部份稳定氧化锆生产方法,其特征在于洗涤用去离子水的PH值为8-9。
4.根据权利要求3所述的钇部份稳定氧化锆生产方法,其特征在于去离子水的PH值是用氨水调节得到的。
5.根据权利要求1所述的钇部份稳定氧化锆生产方法,其特征在于粉碎是先湿法粗磨再气流粉碎。
CN 200510040219 2005-05-25 2005-05-25 一种改进的钇部分稳定二氧化锆生产方法 Expired - Fee Related CN1278989C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200510040219 CN1278989C (zh) 2005-05-25 2005-05-25 一种改进的钇部分稳定二氧化锆生产方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200510040219 CN1278989C (zh) 2005-05-25 2005-05-25 一种改进的钇部分稳定二氧化锆生产方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1699279A CN1699279A (zh) 2005-11-23
CN1278989C true CN1278989C (zh) 2006-10-11

Family

ID=35475562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200510040219 Expired - Fee Related CN1278989C (zh) 2005-05-25 2005-05-25 一种改进的钇部分稳定二氧化锆生产方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1278989C (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080264564A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Applied Materials, Inc. Method of reducing the erosion rate of semiconductor processing apparatus exposed to halogen-containing plasmas
TWI483291B (zh) * 2007-04-27 2015-05-01 Applied Materials Inc 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備
US10242888B2 (en) 2007-04-27 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance
US10622194B2 (en) 2007-04-27 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance
CN103030392B (zh) * 2012-12-28 2015-12-23 青岛天尧实业有限公司 一种氧化钪稳定的氧化锆固溶体及其制备工艺
CN105084417B (zh) * 2015-09-30 2017-08-29 山西晶科光电材料有限公司 一种蓝宝石炉保温层用高纯度立方体氧化锆细颗粒的制备方法
US11014853B2 (en) 2018-03-07 2021-05-25 Applied Materials, Inc. Y2O3—ZrO2 erosion resistant material for chamber components in plasma environments
CN108314451A (zh) * 2018-05-09 2018-07-24 陕西科技大学 一种蓝色氧化锆陶瓷的制备方法
CN108395246B (zh) * 2018-05-15 2020-10-13 登腾(上海)医疗器械有限公司 一种高韧性口腔用纳米瓷粉材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1699279A (zh) 2005-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1278989C (zh) 一种改进的钇部分稳定二氧化锆生产方法
CN101284668B (zh) 一种从高铝粉煤灰中提取二氧化硅、氧化铝及氧化镓的方法
CN101254935B (zh) 一种高纯度和高活性氢氧化钙的制备方法
CN107043254B (zh) 一种黑色氧化锆陶瓷及其制备方法
CN107935007A (zh) 二次焙烧制备高温低钠氧化铝的方法
CN100384738C (zh) 超细α-Al2O3粉末的制备方法
CN101823723B (zh) 一种用叶蜡石制备超细高白度绢云母粉的工艺方法
CN108046620B (zh) 一种由菱镁矿轻烧粉制备含铬镁砂的方法
CN106882843B (zh) 一种致密晶型四氧化三钴的制备方法
CN102627454A (zh) Ito粉末的制备方法和制备ito烧结体的方法
CN109206024A (zh) 一种以低品位菱镁矿为原料生产高纯镁砂的制备方法
CN111233468B (zh) 结构件用钇稳定锆粉的制备方法
CN107902925A (zh) 利用菱镁矿冶炼轻质氧化镁的方法
CN101139468A (zh) 丁基胶塞用煅烧高岭土的制备工艺
CN105110784B (zh) 一种利用人造金红石母液制备锰锌铁氧体的方法
CN109264685A (zh) 磷矿煅烧渣湿法球磨方法和磷矿混合料浆
CN101962209A (zh) 一种高性能锰锌软磁铁氧体用氧化铁红的后处理工艺
CN105036712A (zh) 一种微晶刚玉磨料的制备方法
CN101746791A (zh) 一种干法烧结氧化铝熟料的方法
JPH0832554B2 (ja) 希土類酸化物粉末の製造方法
CN104894364A (zh) 用钛磁铁矿煤基还原磁选生产钛酸镁和直接还原铁的方法
CN101913892B (zh) 一种生产均质矾土的方法
CN102115813B (zh) 一种低品位菱镁矿的综合利用方法
CN105692666B (zh) 一种高铝粉煤灰提取氧化铝的方法
CN106006701B (zh) 一种微米-亚微米级稀土氧化物粉体的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20061011

Termination date: 20170525