CN1224961C - 具有精确定位致动器的磁头常平架组件的特性测试方法 - Google Patents

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Abstract

一种测试HGA特性的方法包括通过驱动精确定位的致动器发生位移并对至少一个薄膜磁头元件进行磁道分布测量而获得此致动器位移特性的步骤。

Description

具有精确定位致动器的磁头常平架组件的特性测试方法
技术领域
本发明涉及一种测试具有精确定位致动器的磁头常平架组件(HGA)的特性的方法，此致动器应用于磁盘驱动单元中的薄膜磁头元件，更具体地，本发明涉及一种测试致动器位移特性的方法。
背景技术
在磁盘驱动装置中，用于从磁盘读磁信息和/或写磁信息到磁盘中的薄膜磁头元件一般在磁头浮动块上形成，在操作时此浮动块在旋转磁盘上飞行。浮动块分别在HGA悬架的顶端部分得到支撑。
近年来，为满足在现代磁盘驱动装置中增加数据存储容量和密度的要求，沿着磁盘径向或沿着磁道宽度方向的记录和复制密度(磁道密度)迅速增加。为提高磁道密度，仅用音圈电机(VCM)来控制磁头元件与磁盘中磁道的相对位置就从未达到过足够高的准确度。
为了解决这个问题，在比VCM更靠近磁头浮动块的位置上安装辅助致动器机构以便执行仅靠VCM不能实现的精微定位。用于实现磁头精确定位的技术例如在美国专利5745319和日本专利08180623A中有描述。
对于此种精确定位致动器，具有使用压电材料的背负结构式致动器。此背负结构式致动器用PZT压电材料元件以I字符形状形成，其中一个端部固定到悬架，另一端部固定到磁头浮动块并且在这些端部之间用柱状可移动臂连接。通过施加电压到夹住压电材料元件的电极层，致动器会移动而精确定位薄膜磁头元件。
为了测试此精确定位致动器的位移特性，一般用激光多普勒测振仪来测量移动量。即，当驱动此致动器时，激光束照射到致动器的移动部分，接着测量移动量。通过此位移特性测试方法，可精确测量致动器的移动量和响应所施加驱动信号的响应速度。
然而，在HGA的制造和测试过程中，此种使用激光多普勒测振仪的位移测量会引起以下各种问题：
(1)由于激光多普勒测振仪本身昂贵，因此HGA的制造成本增加；
(2)由于使用激光多普勒测振仪测量需要较长时间，检查时间变得很长，从而也导致制造成本增加；
(3)引入与用于磁头元件测量的普通检查仪器相异的激光多普勒测振仪会使检查程序复杂化并且也会增加检查程序的数量；以及
(4)引入激光多普勒测振仪增加检查仪器的占地面积。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种具有精确定位致动器的HGA的特性测试方法，由此可在短时间内轻易获得致动器的位移特性而不增加HGA的制造成本。
根据本发明，测试HGA特性的方法包括通过驱动精确定位的致动器发生位移并通过对至少一个薄膜磁头元件进行磁道分布测量而获得此致动器的位移特性的步骤。
由于致动器的位移特性是通过驱动致动器并进行磁道分布测量而获得的，并且此测量是薄膜磁头元件电磁转换特性测量中的一项，因此就不必引入新的测量仪器，从而避免HGA的制造成本增加。而且，由于位移特性测试可用动态特性测试仪(DP)或读/写(R/W)测试仪在HGA电磁转换特性常规测试的同时进行，因此尽管检查项目增加但检查程序的数量不会增加。所以，致动器的位移特性可在短时间内轻易得到。另外，由于不放大检查仪器的占用空间，可进一步防止HGA的制造成本增加。
在此说明书中，“驱动致动器移动”或“驱动致动器发生位移”并不等价于仅施加驱动信号到致动器，而是指控制致动器的驱动信号以便致动器从其初始位置移动。也就是说，根据施加到致动器的偏压，即使不施加驱动信号致动器也可移动，或者当中等大小的驱动信号施加到其上时致动器可以不定位在其初始位置上。
优选对致动器的驱动包括施加DC驱动信号或AC驱动信号到致动器。
还优选对致动器的驱动仅在至少一个薄膜磁头元件的读出操作或写操作过程中才进行。
另外，根据本发明，HGA设置具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使磁头浮动块相对支架移动以便精确定位至少一个薄膜磁头元件的致动器，测试此HGA特性的方法包括以下步骤：致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息的步骤；致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的参考磁道平均振幅分布(参考TAA(磁道平均振幅)分布)的步骤；通过驱动致动器移动而在每个位置上测量TAA的步骤；以及从参考TAA分布和被测TAA获得致动器的位移特性的步骤。
优选对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到致动器。在此情况下，DC驱动信号是具有可变电压的DC电压信号、或是具有能驱动致动器发生最大位移的电压的DC电压信号。
还优选对致动器的驱动仅在至少一个薄膜磁头元件的读出操作过程中才进行。
优选写步骤包括在磁介质上写一个或两个磁道的步骤。在后者情况下，被写的两个磁道的间距基本上对应致动器从一侧到另一侧的最大位移。
进一步根据本发明，HGA设置具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使磁头浮动块相对支架移动以便精确定位至少一个薄膜磁头元件的致动器，测试此HGA特性的方法包括以下步骤：致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息的步骤；致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的参考TAA分布的步骤；致动器发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的TAA特性的步骤；以及从参考TAA分布和TAA特性获得致动器的位移特性的步骤。
优选致动器发生位移时的执行步骤包括：当致动器被驱动到其一侧最大位移位置时，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件进行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的第一TAA特性；以及当致动器被驱动到其另一侧最大位移位置时，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件进行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的第二TAA特性；并且，优选获得步骤包括从参考TAA分布与所述第一和第二TAA特性获得致动器的位移特性。
优选对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到致动器。在此情况下，优选DC驱动信号是具有能驱动致动器发生最大位移的电压的DC电压信号。
还优选对致动器的驱动仅在至少一个薄膜磁头元件的读出操作过程中才进行。
优选写步骤包括在磁介质上写一个磁道的步骤。
根据本发明，HGA设置具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使磁头浮动块相对支架移动以便精确定位至少一个薄膜磁头元件的致动器，测试此HGA特性的方法包括以下步骤：致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息的步骤；致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的参考TAA分布的步骤；删除被写的至少一个磁道信息的步骤；在磁介质上写至少一个磁道信息，同时致动器发生位移的步骤；致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的TAA特性的步骤；以及从参考TAA分布和TAA特性获得致动器位移特性的步骤。
另外根据本发明，HGA设置具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使磁头浮动块相对支架移动以便精确定位至少一个薄膜磁头元件的致动器，测试此HGA特性的方法包括以下步骤：致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息的步骤；致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的参考TAA分布的步骤；删除被写的至少一个磁道信息的步骤；在磁介质上写至少一个磁道信息，同时驱动致动器移动到其一侧最大位移位置的步骤；致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的第一TAA特性的步骤；删除被写的至少一个磁道信息的步骤；在磁介质上写至少一个磁道信息，同时驱动致动器移动到其另一侧最大位移位置的步骤；致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的第二TAA特性的步骤；以及从参考TAA分布与第一和第二TAA特性获得致动器位移特性的步骤。
优选对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到致动器。在此情况下，优选DC驱动信号是具有能驱动致动器发生最大位移的电压的DC电压信号。
还优选对致动器的驱动仅在至少一个薄膜磁头元件的写操作过程中才进行。
优选写步骤包括在磁介质上写一个磁道的步骤。
进一步根据本发明，HGA设置具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使磁头浮动块相对支架移动以便精确定位至少一个薄膜磁头元件的致动器，测试此HGA特性的方法包括以下步骤：致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息的步骤；致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息从至少一个薄膜磁头元件测量TAA峰值位置的步骤；删除被写的至少一个磁道信息的步骤；在磁介质上写至少一个磁道信息，同时驱动致动器移动到其一侧最大位移位置的步骤；在磁介质上写至少一个磁道信息，同时驱动致动器移动到其另一侧最大位移位置的步骤；致动器不发生位移，利用被写磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的TAA特性的步骤；以及从峰值位置和TAA特性获得致动器位移特性的步骤。
优选对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到致动器。在此情况下，优选DC驱动信号是具有能驱动致动器发生最大位移的电压的DC电压信号。
还优选对致动器的驱动仅在至少一个薄膜磁头元件的写操作过程中才进行。
优选写步骤包括在磁介质上写一个或两个磁道的步骤。在后者情况下，优选被写的两个磁道的间距基本上对应致动器从一侧到另一侧的最大位移。
而且，根据本发明HGA设置具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使磁头浮动块相对于所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器，测试此HGA特性的方法包括以下步骤：在磁介质上写至少一个磁道信息，同时致动器发生AC驱动位移的步骤；致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的TAA特性的步骤；以及从TAA特性获得致动器位移特性的步骤。
优选对致动器的驱动仅在至少一个薄膜磁头元件的写操作过程中才进行。
还优选写步骤包括在磁介质上写一个磁道的步骤。
进一步优选使致动器发生位移的AC驱动频率是可变的。
从以下结合附图对本发明优选实施例所进行的描述中，本发明的其它目的和好处是显而易见的。
附图说明
图1为示出用于本发明特性测试的HGA的整个结构的平面图；
图2为示出图1中所示挠性构件顶端部分、致动器以及HGA的磁头浮动块的斜视立体解析图；
图3示出在根据本发明的优选实施例中的HGA特性测试程序流程图；
图4示出图3实施例中在磁盘上被写的磁道；
图5示出图3实施例中磁道分布测量所获得的参考TAA特性曲线；
图6示出在根据本发明的另一实施例中的HGA特性测试程序流程图；
图7示出图6实施例中在磁盘上被写的磁道；
图8示出图6实施例中磁道分布测量所获得的参考TAA特性曲线；
图9为在根据本发明的又一实施例中的HGA特性测试程序流程图；
图10示出图9实施例中在磁盘上被写的磁道；
图11示出图9实施例中磁道分布测量所获得的参考TAA特性曲线；
图12示出图9实施例中磁道分布测量所获得的第一TAA特性曲线；
图13示出图9实施例中磁道分布测量所获得的第二TAA特性曲线；
图14为在根据本发明的再一实施例中的HGA特性测试程序流程图；
图15示出图14实施例中磁道分布测量所获得的TAA特性曲线；
图16为在根据本发明的另一实施例中的HGA特性测试程序流程图；
图17示出图16实施例中磁道分布测量所获得的TAA特性曲线；
图18为在根据本发明的又一实施例中的HGA特性测试程序流程图；
图19示出图18实施例中在磁盘上被写的磁道和通过磁道分布测量所获得的TAA特性曲线；
图20a示出图18实施例中当致动器发生较大位移时在磁盘上被写的磁道；
图20b示出图18实施例中当致动器发生较小位移时在磁盘上被写的磁道；以及
图21示出图18实施例中当致动器发生非对称位移时在磁盘上被写的磁道。
具体实施方式
图1示出用于本发明特性测试的HGA的整个结构，图2图解示出致动器和磁头浮动块与HGA挠性构件的顶端部分的连接结构。
如这些附图所示，通过把用于对薄膜磁头元件精确定位的微寻道致动器11固定到悬架10的顶端部分而组装HGA。致动器11固定具有薄膜磁头元件的磁头浮动块12。
悬架10基本上由弹性挠件13构成，在弹性挠件13的顶端部分形成有挠性榫舌13a，悬架10通过致动器11、固定到挠性构件13的弹性载荷梁14以及固定到载荷梁14后端部分的基板15来运载浮动块12。
在挠件13上形成或布置挠性导体元件16，挠性导体元件16包括多个具有薄膜多层图案的微小导体(trace conductor)。
VCM的主致动器或行程致动器用于旋转地移动每个连接有此种HGA的驱动臂，以便使整个组件移动。致动器11用于HGA的微定位，而这微定位是不能由主致动器或行程致动器来调节的。
在此实施例中，致动器11是背负结构式致动器。如图2所示，背负结构式致动器11通过结合一个端部11a、另一端部11b、以及用于偶合端部11a和11b的两个棒形可移动梁11c和11d而以I字符形状形成。梁11c和11d每一个都由至少一个夹在电极层之间的压电或电致伸缩材料层形成。通过施加电压到电极层，压电或电致伸缩材料层膨胀和收缩。压电或电致伸缩材料层由因反压电效应或电致伸缩效应而膨胀和收缩的材料制成。在端部11a上，形成有连接到电极层的共用电极端11e、A道信号电极端11f和B道信号电极端11g。
可移动梁11c和11d的一端与端部11a结合，而此端部11a固定到挠性构件13。可移动梁11c和11d的另一端与端部11b结合，而此端部11b固定到浮动块12。因而，可移动梁11c和11d因其膨胀和收缩而引起的弯曲运动使端部11b产生如图中箭头17所示的位移，并因此使浮动块12产生位移。浮动块12的此种位移导致磁头元件12a沿弧线的摇摆，从而越过磁盘表面的记录磁道。
尽管常规上使用激光多普勒测振仪，但是，根据本发明，具有此种致动器的HGA的位移特性可通过使用设置在DP测试仪或R/W测试仪内的磁道分布测量功能元件而轻易得到，DP测试仪或R/W测试仪通常用于测试HGA的电磁转换特性。以下，详细描述根据本发明的位移特性测试方法。
应该指出，待测试HGA可具有精确定位致动器，此致动器具有与上述背负式结构不同的结构。
图3为在根据本发明的优选实施例中的HGA特性测试程序流程图。
首先，把待测试HGA安装在R/W测试仪上，接着，不驱动致动器进行位移，在磁盘上写一个磁道信息(步骤S1)。更具体地，在写一磁道的同时，DC 7.5V(偏压)驱动信号施加到致动器的A和B道信号电极端而把致动器定位在中心上，此中心为致动器的初始位置。图4示出在磁盘上这样被写的磁道。
然后，这个使用此被写磁道的HGA的磁道分布由R/W测试仪测量，同时也不驱动致动器进行位移(步骤S2)。
一般而言，R/W测试仪具有磁道分布测量功能，通过沿着磁盘的径向逐渐移动安装在R/W测试仪上的HGA，测量从薄膜磁头元件在不同位置上的读出信号的磁道平均振幅(TAA)。因而，通过进行磁道分布测量，可获得如图5所示的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线。
在步骤S2通过磁道分布测量所获得的TAA-偏离磁道距离特性被存储作为参考TAA特性或参考TAA分布。
随后，驱动致动器移动，用R/W测试仪在每个移动位置测量TAA值(步骤S3)。更具体地，在DC 0V(对应于一侧最大位移)到DC 15V(对应于另一侧最大位移)之间的除了DC 7.5V以外的任意DC驱动电压施加到致动器的信号电极，以使致动器从初始位置移动到对应于所施加驱动电压的位置，并在此状态下测量TAA。当施加不同的驱动电压时，用R/W测试仪分别测量TAA值。例如，通过在DC 0V到DC 15V之间逐步改变驱动电压，测量在每一步的TAA值。因而获得TAA-驱动电压特性曲线。
应该指出，与DC 7.5V之差的绝对值相同但符号相反的电压分别施加到致动器的A和B道信号电极端。
然后，根据所存储的参考TAA特性，计算对应于每个TAA测量值的致动器的偏离磁道距离或位移量。因而，可获得对应于施加到致动器上的驱动电压的致动器位移量(步骤S4)。亦即，可获得致动器的诸如位移量(行程)-驱动电压特性和最大位移量-驱动电压特性的位移特性。
如上所述，由于通过利用R/W测试仪的磁道分布测量功能得到致动器的位移特性，就不必引入新的检查仪器，从而避免HGA制造成本增加。而且，由于位移特性测试可用R/W测试仪在HGA电磁转换特性常规测试的同时进行，因此尽管检查项目增加但检查程序的数量不会增加。所以，致动器的位移特性可在短时间内轻易得到。另外，由于不放大检查仪器的占用空间，可进一步防止HGA的制造成本增加。
图6为在根据本发明的另一实施例中的HGA特性测试程序流程图。
首先，把待测试HGA安装在R/W测试仪上，接着，不驱动致动器进行位移，在磁盘上写两个磁道信息(步骤S11)。更具体地，在写两个磁道的同时，DC 7.5V(偏压)驱动信号施加到致动器的A和B道信号电极端而把致动器定位在中心上，此中心为致动器的初始位置。确定两磁道的间距，以便使此间距基本对应致动器从一侧到另一侧的最大位移。图7示出在磁盘上这样被写的两个磁道。
然后，这个使用被写磁道的HGA的磁道分布由R/W测试仪测量，同时也不驱动致动器进行位移(步骤S12)。因而，可获得如图8所示的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线。
在步骤S12通过磁道分布测量所获得的TAA-偏离磁道距离特性被存储作为参考TAA特性。
随后，驱动致动器移动，用R/W测试仪在每个移动位置上测量TAA值(步骤S13)。更具体地，在DC 0V(对应于一侧最大位移)到DC 15V(对应于另一侧最大位移)之间的除了DC 7.5V以外的任意DC驱动电压施加到致动器的信号电极，以使致动器从初始位置移动到对应于所施加驱动电压的位置，并在此状态下测量TAA。当施加不同的驱动电压时，用R/W测试仪分别测量TAA值。例如，通过在DC 0V到DC 15V之间逐步改变驱动电压，测量在每一步的TAA值。因而获得TAA-驱动电压特性曲线。
应该指出，与DC 7.5V之差的绝对值相同但符号相反的电压分别施加到致动器的A和B道信号电极端。
然后，根据所存储的参考TAA特性，计算对应于每个TAA测量值的致动器的偏离磁道距离或位移量。因而，可获得对应于施加到致动器上的驱动电压的致动器位移量(步骤S14)。亦即，可获得致动器的诸如位移量(行程)-驱动电压特性和最大位移量-驱动电压特性的位移特性。
如上所述，由于通过利用R/W测试仪的磁道分布测量功能元件得到致动器的位移特性，就不必引入新的检查仪器，从而避免HGA制造成本增加。而且，由于位移特性测试可用R/W测试仪在HGA电磁转换特性常规测试的同时进行，因此尽管检查项目增加但检查程序的数量不会增加。所以，致动器的位移特性可在短时间内轻易得到。另外，由于不放大检查仪器的占用空间，可进一步防止HGA的制造成本增加。
具体地，根据此实施例，基于两磁道的读出信号来测量致动器的位移量，两磁道的间距基本上对应致动器从一侧到另一侧的最大位移。因而，如图8所示，在大的偏离磁道距离范围或大的位移量范围，参考TAA特性不会减小。因此，位移量的计算变得容易，并且对位移量的更精确计算是有可能的。
图9为在根据本发明的又一实施例中的HGA特性测试程序流程图。
首先，把待测试HGA安装在R/W测试仪上，接着，不驱动致动器进行位移，在磁盘上写一个磁道信息(步骤S21)。更具体地，在写一个磁道的同时，DC 7.5V(偏压)驱动信号施加到致动器的A和B道信号电极端而把致动器定位在中心上，此中心为致动器的初始位置。图10示出在磁盘上这样被写的磁道。
然后，这个使用被写磁道的HGA的磁道分布由R/W测试仪测量，同时也不驱动致动器进行位移(步骤S22)。因而，可获得如图11所示的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线。
在步骤S22通过磁道分布测量所获得的TAA-偏离磁道距离特性被存储作为参考TAA特性。
随后，驱动致动器到一侧最大位移位置，用R/W测试仪的磁道分布测量功能在此位移位置测量TAA值(步骤S23)。更具体地，DC 15V驱动电压施加到A道信号电极端而DC 0V驱动电压施加到B道信号电极端，以便使致动器移动到一侧最大位移位置，在此状态下测量TAA值。因而，可获得如图12所示的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线。
在步骤S23通过磁道分布测量所获得的TAA-偏离磁道距离特性被存储作为第一TAA特性。
接着，驱动致动器到另一侧最大位移位置，用R/W测试仪的磁道分布测量功能在此位移位置测量TAA值(步骤S24)。更具体地，DC 0V驱动电压施加到A道信号电极端而DC 15V驱动电压施加到B道信号电极端，以便使致动器移动到另一侧最大位移位置，在此状态下测量TAA值。因而，可获得如图13所示的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线。
在步骤S24通过磁道分布测量所获得的TAA-偏离磁道距离特性被存储作为第二TAA特性。
随后，通过把由此获得的第一和第二TAA特性与所存储的参考TAA特性进行比较，计算如图12和13所示的峰值偏移量以得到致动器的一侧最大位移和另一侧最大位移(步骤S25)。结果，可获得致动器的诸如最大位移量-驱动电压特性的位移特性。
如上所述，由于通过利用R/W测试仪的磁道分布测量功能元件得到致动器的位移特性，就不必引入新的检查仪器，从而避免HGA制造成本增加。而且，由于位移特性测试可用R/W测试仪在HGA电磁转换特性常规测试的同时进行，因此尽管检查项目增加但检查程序的数量不会增加。所以，致动器的位移特性可在短时间内轻易得到。另外，由于不放大检查仪器的占用空间，可进一步防止HGA的制造成本增加。
图14为在根据本发明的再一实施例中的HGA特性测试程序流程图。
首先，把待测试HGA安装在R/W测试仪上，接着，不驱动致动器进行位移，在磁盘上写一个磁道信息(步骤S31)。更具体地，在写一个磁道的同时，DC 7.5V(偏压)驱动信号施加到致动器的A和B道信号电极端而把致动器定位在中心上，此中心为致动器的初始位置。
然后，这个使用被写磁道的HGA的磁道分布由R/W测试仪测量，同时也不驱动致动器进行位移(步骤S32)。因而，可获得如图15中Prof.1所示的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线。
在步骤S32通过磁道分布测量所获得的TAA-偏离磁道距离特性被存储作为参考TAA特性。
接着，删除写在磁盘上的一个磁道信息(步骤S33)。
然后，驱动致动器到一侧最大位移位置，并且在此位移位置，在磁盘上写一个磁道信息(步骤S34)。更具体地，DC 15V驱动电压施加到A道信号电极端而DC 0V驱动电压施加到B道信号电极端，以便使致动器移动到一侧最大位移位置，在此状态下写一个磁道。
随后，不驱动致动器进行位移，由R/W测试仪测量使用此被写磁道的HGA的磁道分布(步骤S35)。因而，可获得如图15中Prof.2所示的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线。
在步骤S35通过磁道分布测量所获得的TAA-偏离磁道距离特性被存储作为第一TAA特性。
接着，删除写在磁盘上的一个磁道信息(步骤S36)。
然后，驱动致动器到另一侧最大位移位置，并且在此位移位置，在磁盘上写一个磁道信息(步骤S37)。更具体地，DC 0V驱动电压施加到A道信号电极端而DC 15V驱动电压施加到B道信号电极端，以便使致动器移动到另一侧最大位移位置，在此状态下写一个磁道。
随后，不驱动致动器进行位移，由R/W测试仪测量使用此被写磁道的HGA的磁道分布(步骤S38)。因而，可获得如图15中Prof.3所示的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线。
在步骤S38通过磁道分布测量所获得的TAA-偏离磁道距离特性被存储作为第二TAA特性。
随后，通过把由此获得的第一和第二TAA特性与所存储的参考TAA特性进行比较，计算如图15所示的峰值偏移量以得到致动器的一侧最大位移和另一侧最大位移(步骤S39)。结果，可获得致动器的诸如最大位移量-驱动电压特性的位移特性。
如上所述，由于通过利用R/W测试仪的磁道分布测量功能得到致动器的位移特性，就不必引入新的检查仪器，从而避免HGA制造成本增加。而且，由于位移特性测试可用R/W测试仪在HGA电磁转换特性常规测试的同时进行，因此尽管检查项目增加但检查程序的数量不会增加。所以，致动器的位移特性可在短时间内轻易得到。另外，由于不放大检查仪器的占用空间，可进一步防止HGA的制造成本增加。
图16为在根据本发明的另一实施例中的HGA特性测试程序流程图。
首先，把待测试HGA安装在R/W测试仪上，接着，不驱动致动器进行位移，在磁盘上写一个磁道信息(步骤S41)。更具体地，在写一个磁道的同时，DC 7.5V(偏压)驱动信号施加到致动器的A和B道信号电极端而把致动器定位在中心上，此中心为致动器的初始位置。
然后，不驱动致动器进行位移，由R/W测试仪测量这个使用被写磁道的HGA的峰值位置(步骤S42)。因而，可检测到如图17所示的零偏离磁道距离或磁道中心位置。在步骤S42中所获得的TAA峰值位置被存储。
接着，删除写在磁盘上的一个磁道信息(步骤S43)。
然后，驱动致动器到一侧最大位移位置，并且在此位移位置，在磁盘上写一个磁道信息(步骤S44)。更具体地，DC 15V驱动电压施加到A道信号电极端而DC 0V驱动电压施加到B道信号电极端，以便使致动器移动到一侧最大位移位置，在此状态下写一个磁道。
然后，驱动致动器到另一侧最大位移位置，并且在此位移位置，在磁盘上写一个磁道信息(步骤S45)。更具体地，DC 0V驱动电压施加到A道信号电极端而DC 15V驱动电压施加到B道信号电极端，以便使致动器移动到另一侧最大位移位置，在此状态下写一个磁道。
随后，不驱动致动器进行位移，由R/W测试仪测量使用这些被写磁道的HGA的磁道分布(步骤S46)。因而，可获得如图17所示的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线。
在步骤S46通过磁道分布测量所获得的TAA-偏离磁道距离特性被存储作为TAA特性。
随后，通过比较由此获得的TAA特性和所存储的TAA峰值位置，计算如图17所示的致动器峰值偏移量以得到致动器的一侧最大位移和另一侧最大位移(步骤S47)。结果，可获得致动器的诸如最大位移量-驱动电压特性的位移特性。
如上所述，由于通过利用R/W测试仪的磁道分布测量功能得到致动器的位移特性，就不必引入新的检查仪器，从而避免HGA制造成本增加。而且，由于位移特性测试可用R/W测试仪在HGA电磁转换特性常规测试的同时进行，因此尽管检查项目增加但检查程序的数量不会增加。所以，致动器的位移特性可在短时间内轻易得到。另外，由于不放大检查仪器的占用空间，可进一步防止HGA的制造成本增加。
图18为在根据本发明的又一实施例中的HGA特性测试程序流程图。
首先，把待测试HGA安装在R/W测试仪上，接着，在施加AC驱动信号到致动器以进行位移的情况下在磁盘上写一个磁道信息(步骤S51)。更具体地，在写一磁道的同时，7.5V振幅、7.5V偏压以及频率为大约1-10kHz的AC驱动信号以相反相位施加到致动器的公用电极端和A和B道信号电极端，以使致动器在一侧和另一侧最大位移位置之间移动。图19示出磁盘上这样被写的磁道。AC驱动信号的频率是变化的。
然后，不驱动致动器进行位移，由R/W测试仪测量这个使用被写磁道的HGA的磁道分布(步骤S52)。更具体地，在测量磁道分布的同时，DC 7.5V(偏压)驱动信号施加到致动器的A和B道信号电极端，以把致动器定位在中心上，此中心为致动器的初始位置。因而，可获得如图19所示的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线。
从由磁道分布测量所获得的相对于偏离磁道距离或到磁道中心的距离的TAA特性曲线，计算致动器的一侧最大位移和另一侧最大位移(步骤S53)。结果，可获得致动器的诸如最大位移量-驱动电压特性的位移特性。
根据此实施例，有可能容易检测到致动器后述位移特性，如在图20a中所示其位移量(行程)较大或如在图20b中所示其位移量(行程)较小；并且还有可能容易检测到致动器这样的位移特性，如在图21中所示，其位移量(行程)对于磁道中心是不对称的。
如上所述，由于通过利用R/W测试仪的磁道分布测量功能元件得到致动器的位移特性，就不必引入新的检查仪器，从而避免HGA制造成本增加。而且，由于位移特性测试可用R/W测试仪在HGA电磁转换特性常规测试的同时进行，因此尽管检查项目增加但检查程序的数量不会增加。所以，致动器的位移特性可在短时间内轻易得到。另外，由于不放大检查仪器的占用空间，可进一步防止HGA的制造成本增加。
具体地，根据此实施例，通过施加AC驱动信号到致动器而进行测量致动器的位移特性。因而，位移特性测试可在与致动器实际操作相似的条件下进行。因此，可望得到更精确的位移特性测试。
如果通过改变施加到致动器的驱动信号的频率来进行相似的测试，可获得致动器在各种频率下的位移特性。
只要不偏离本发明的精神和范围，可构造本发明的许多很不相同的实施例。应该理解，除了附加的权利要求以外，本发明并不局限于上述特定实施例。

Claims (31)

1.一种测试磁头常平架组件特性的方法，该组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使所述磁头浮动块相对所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器，所述方法包括以下步骤：
所述致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息；
所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的参考磁道平均振幅分布；
通过驱动所述致动器移动而在每个位置上测量磁道平均振幅；以及
从所述参考磁道平均振幅分布和所述被测的磁道平均振幅获得所述致动器的位移特性。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到所述致动器。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述DC驱动信号是具有可变电压的DC电压信号。
4.如权利要求2所述的方法，其中，所述DC驱动信号是具有能驱动所述致动器发生最大位移的电压的DC电压信号。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述对致动器的驱动仅在所述至少一个薄膜磁头元件的读出操作过程中才进行。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述写步骤包括在磁介质上写一个磁道的步骤。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述写步骤包括在磁介质上写两个磁道的步骤。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述被写的两个磁道的间距基本上对应所述致动器从一侧到另一侧的最大位移。
9.一种测试磁头常平架组件特性的方法，该组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使所述磁头浮动块相对所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器，所述方法包括以下步骤：
所述致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息；
所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的参考磁道平均振幅分布；
所述致动器发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的磁道平均振幅特性；以及
从所述参考磁道平均振幅分布和所述磁道平均振幅特性获得所述致动器的位移特性。
10.如权利要求9所述的方法，其中，致动器发生位移时的所述执行步骤包括：当所述致动器被驱动到其一侧最大位移位置时，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件进行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的第一磁道平均振幅特性；当所述致动器被驱动到其另一侧最大位移位置时，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件进行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的第二磁道平均振幅特性；以及，其中从所述参考磁道平均振幅分布和所述磁道平均振幅特性获得所述致动器的位移特性的所述获得步骤包括从所述参考磁道平均振幅分布与所述第一和第二磁道平均振幅特性获得所述致动器的位移特性。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到所述致动器。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述DC驱动信号是具有能驱动所述致动器发生最大位移的电压的DC电压信号。
13.如权利要求10所述的方法，其中，所述对致动器的驱动仅在所述至少一个薄膜磁头元件的读出操作过程中才进行。
14.如权利要求10所述的方法，其中，所述写步骤包括在磁介质上写一个磁道的步骤。
15.一种测试磁头常平架组件特性的方法，该组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使所述磁头浮动块相对所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器，所述方法包括以下步骤：
所述致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息；
所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的参考磁道平均振幅分布；
删除所述被写的至少一个磁道信息；
在磁介质上写至少一个磁道信息，同时所述致动器发生位移；
所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的磁道平均振幅特性；以及
从所述参考磁道平均振幅分布和所述磁道平均振幅特性获得所述致动器的位移特性。
16.一种测试磁头常平架组件特性的方法，该组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使所述磁头浮动块相对所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器，所述方法包括以下步骤：
所述致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息；
所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的参考磁道平均振幅分布；
删除所述被写的至少一个磁道信息；
在磁介质上写至少一个磁道信息，同时驱动所述致动器移动到其一侧最大位移位置；
所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的第一磁道平均振幅特性；
删除所述被写的至少一个磁道信息；
在磁介质上写至少一个磁道信息，同时驱动所述致动器移动到其另一侧最大位移位置；
所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的第二磁道平均振幅特性；以及
从所述参考磁道平均振幅分布与所述第一和第二磁道平均振幅特性获得所述致动器的位移特性。
17.如权利要求16所述的方法，其中，所述对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到所述致动器。
18.如权利要求17所述的方法，其中，所述DC驱动信号是具有能驱动所述致动器发生最大位移的电压的DC电压信号。
19.如权利要求16所述的方法，其中，所述对致动器的驱动仅在所述至少一个薄膜磁头元件的写操作过程中才进行。
20.如权利要求16所述的方法，其中，所述写步骤包括在磁介质上写一个磁道的步骤。
21.一种测试磁头常平架组件特性的方法，该组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使所述磁头浮动块相对所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器，所述方法包括以下步骤：
所述致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息；
所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息从所述至少一个薄膜磁头元件测量磁道平均振幅的峰值位置；
删除所述被写的至少一个磁道信息；
在磁介质上写至少一个磁道信息，同时驱动所述致动器移动到其一侧最大位移位置；
在磁介质上写至少一个磁道信息，同时驱动所述致动器移动到其另一侧最大位移位置；
所述致动器不发生位移，利用被写磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的磁道平均振幅特性；以及
从所述峰值位置和所述磁道平均振幅特性获得所述致动器的位移特性。
22.如权利要求21所述的方法，其中，所述对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到所述致动器。
23.如权利要求22所述的方法，其中，所述DC驱动信号是具有能驱动所述致动器发生最大位移的电压的DC电压信号。
24.如权利要求21所述的方法，其中，所述对致动器的驱动仅在所述至少一个薄膜磁头元件的写操作过程中才进行。
25.如权利要求21所述的方法，其中，所述写步骤包括在磁介质上写一个磁道的步骤。
26.如权利要求21所述的方法，其中，所述写步骤包括在磁介质上写两个磁道的步骤。
27.如权利要求26所述的方法，其中，所述被写的两个磁道的间距基本上对应所述致动器从一侧到另一侧的最大位移。
28.一种测试磁头常平架组件特性的方法，该组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使所述磁头浮动块相对所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器，所述方法包括以下步骤：
在磁介质上写至少一个磁道信息，同时所述致动器发生AC驱动位移；
所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的磁道平均振幅特性；以及
从所述磁道平均振幅特性获得所述致动器的位移特性。
29.如权利要求28所述的方法，其中，所述对致动器的驱动仅在所述至少一个薄膜磁头元件的写操作过程中才进行。
30.如权利要求28所述的方法，其中，所述写步骤包括在磁介质上写一个磁道的步骤。
31.如权利要求28所述的方法，其中，使所述致动器发生位移的AC驱动频率是可变的。
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