CN1211922C - 声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法 - Google Patents

声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明揭示一种声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法。声表面波装置具备声表面波元件(1)、封装容器(20)、及封装电极(21)。声表面波元件(10)包括压电基板(1)、接地电极(4)、中间电极(7)、上部电极(8)和补片电极(9)。中间电极(7)由Cr浓度15～30重量%的NiCr组成。接地电极(4)等电极衬垫、及上部电极(8)由Al组成。对补片电极(9)在施加超声波或热的同时，将补片电极(9)按压在封装电极(21)上面接合。本发明提供在落下试验中不会产生从封装容器上剥离，并特性良好的声表面波装置。

Description

声表面波元件及其制造方法以及 使用该元件的声表面波装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及声表面波元件补片(Vamp)电极的安装部，特别涉及具有适合于在施加超声波的同时进行声表面波元件安装的补片电极的声表面波元件、使用该元件的声表面波装置、声表面波元件的制造方法、以及声表面波装置的制造方法。
背景技术
近年来，随着电子器件的小型化及高度降低，正在研发采用使声表面波元件的功能面与基板的安装面对向直接安装的面朝下方式安装声表面波元件。在采用这种面朝下方式安装声表面波元件中，声表面波元件的电极衬垫靠补片电极与封装容器的封装电极连接。
参照图8，以往的声表面波元件100包括压电基板110、输入电极120、输出电极130、接地电极140、梳形电极150、反射器电极160、衬底电极170、中间电极180、及补片电极190。
压电基板110由钽酸锂组成。输入电极120、输出电极130、接地电极140、梳形电极150、及反射器电极160由10～200nm左右主要成分为铝(Al)的金属薄膜组成。输入电极120、输出电极130、及接地电极140在和形成压电基板110的梳形电极150、及反射器电极160的面相同的面上，因为和梳形电极150及反射器电极160同时形成，所以由和梳形电极150及反射器电极160相同厚度的膜组成。另外，输入电极120、输出电极130、及接地电极140也兼作向梳形电极150供给高频电压用的电极衬垫。
衬底电极170、中间电极180及补片电极190在输入电极120、输出电极130、及接地电极140上形成。以下，对衬底电极170、中间电极180及补片电极190形成区域的断面构造进行说明。图9为图8的C-D线剖视图。参照图9，在输出电极130及接地电极140上依次形成衬底电极170、中间电极180、及补片电极190。衬底电极170由膜片厚度200nm左右的镍铬(NiCr)组成。中间电极180由膜片厚度1000nm左右的Al组成。补片电极190由金(Au)组成。
在压电基板110的一主面上形成梳形电极150等的声表面波元件100，将功能面置于下方，通过补片电极190与封装容器的封装电极连接。即如图10所示：通过将超声波外加在补片电极190上，补片电极190与由陶瓷组成的封装容器200内的封装电极210连接，安装声表面波元件100。
声表面波元件100安装入封装容器200时，也可考虑靠补片电极190将输入电极120、输出电极130、及接地电极140的电极衬垫直接与封装电极210连接，但若靠补片电极190将电极衬垫直接与封装电极210连接，则因为输入电极120、输出电极130、及接地电极140因为如上所述：膜片厚度为100～500nm左右强度较弱、输入电极120等电极衬垫会剥落，就无法得到充分的接合强度。
因此，以往的声表面波元件110如上所述：在输入电极120、输出电极130、及接地电极140的一部分上形成膜片厚度1000nm左右的中间电极180，在输入电极120等的电极衬垫和封装电极210之间得到充分的接合强度。
另外，在输入电极120等的电极衬垫上直接形成中间电极180的结构中，构成电极衬垫的Al表面氧化后形成中间电极180，因为电极衬垫和中间电极180间无法得到充分的接合强度，所以在电极衬垫和中间电极180间形成与构成电极衬垫和中间电极180的Al粘接性能良好的衬底电极170。而且NiCr能作为衬底电极170使用。也可以用与Al粘接性能良好的Ti作为衬底电极170，但用Ti作为衬底电极170时，超声波加在补片电极上电极衬垫连接封装电极210时，压电基板110上会产生裂纹。因此，为了防止电极衬垫连接封装电极210时，压电基板110上产生裂纹，所以用NiCr作为衬底电极170。
然而，在使以往的声表面波元件100从1～1.5m的高度落下的落下试验中，存在看声表面波元件100以一定的概率从封装容器上剥落的问题。剥落处为输入电极120等的电极衬垫和衬底电极170之间。
另外，在输入电极120等电极衬垫上依次形成衬底电极170及中间电极180时，用保护膜覆盖形成衬底电极170及中间电极180区域以外的区域，将该保护膜作为掩膜在电极衬底上连续形成衬底电极170及中间电极180后，除去保护膜，即用所谓的搬去(lift-off)法。这时会产生以下的问题，即一旦将拉伸应力大的NiCr作为衬底电极170形成，则中间电极180用的材料Al不仅在电极衬垫上形成，在梳形电极150上也形成。
即参照图11，将NiCr作为衬底电极170在输入电极120等的电极衬垫上形成，在保护膜220上也形成NiCr171，靠NiCr171的拉伸应力保护膜220的周边部分向上翻卷，露出部分梳形电极150。其结果，在之后形成中间电极180时，不仅在输入电极120等的电极衬垫上，而且在部分梳形电极150上也形成Al230、对声表面波元件的特性产生不良的影响。
因此，本发明为解决上述问题而作，其目的为提供在落下试验中不会产生从封装容器上剥离，并特性良好的声表面波装置。
另外，本发明之另一目的为提供在落下试验中不会产生从封装容器上剥离，并用于特性良好的弹性表面装置的声表面波元件。
本发明还有一个目的为提供声表面波元件的制造方法及声表面波装置的制造方法。
发明内容
采用本发明，则声表面波元件包括压电基板、在压电基板的一主面上形成的梳形电极、在压电基板的前述一主面上形成的电极衬垫、电极衬垫上形成的中间电极、中间电极上形成的上部电极、及上部电极上形成的补片电极，中间电极由拉伸应力低于106Pa、和电极衬垫或上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜组成。
通过将由拉伸应力低于106Pa，并和电极衬垫或上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr膜组成的中间电极设置在电极衬垫和上部电极之间，用搬去法在电极衬垫上一并形成中间电极及上部电极，该形成过程中不在梳形电极上形成构成上部电极的材料，在声表面波元件的落下试验中，电极衬垫或上部电极和中间电极之间不发生剥离。
最好，中间电极由Cr浓度在15～30重量％范围的NiCr组成。
通过使用Cr浓度15重量％以上的NiCr作中间电极，能制作在电极衬垫或上部电极和中间电极之间不会产生剥离的声表面波元件。另外通过使用Cr浓度30重量％以下的NiCr作中间电极，在连续形成中间电极和上部电极的过程中，制作不会在梳形电极上形成构成上部电极的材料的声表面波元件。因此，通过使用Cr浓度在15～30重量％范围的NiCr作中间电极从而能制作声表面波元件，该元件在电极衬垫或上部电极和中间电极之间不会发生剥离，并在连续形成中间电极和上部电极的过程中，不会在梳形电极上行成构成上部电极的材料。
最好中间电极由Cr浓度在18～28重量％范围内的NiCr组成。
通过控制Cr浓度在18～28％重量％形成中间电极，能进一步防止在一并形成的中间电极及上部电极的梳形电极上，形成构成上部电极的材料，进一步防止在声表面波元件的落下试验中声表面波元件从封装容器上剥离。
最好NiCr由真空镀敷法成膜。
通过用真空镀敷形成作为中间电极的NiCr，从而在声表面波元件上，形成适于更进一步增强和电极衬垫或上部电极粘接力的NiCr。
最好上部电极由Al或含Al的合金组成。
声表面波元件中的中间电极和上部电极的粘接力会更加增强。
另外，采用本发明，则声表面波装置包括声表面波元件、形成封装电极的封装容器、及气密封闭封装容器的帽盖。声表面波元件包括压电基板、在压电基板的一主面上形成的梳形电极、在压电基板的一主面上形成的电极衬垫、在电极衬垫上形成的中间电极、在中间电极上形成的上部电极、和在上部电极上形成的补片电极，中间电极由拉伸应力低于106Pa、和电极衬垫或上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜组成，补片电极连接封装电极。
通过利用由拉伸应力低于106Pa，并和电极衬垫或上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜组成的中间电极制作构成声表面波装置的声表面波元件，从而制作声表面波装置，不会产生特性不良、并在落下试验中，声表面波元件不会从封装容器上剥离。
最好中间电极由Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr组成。
通过使用Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr作中间电极，能制作在电极衬垫或上部电极和中间电极之间不会产生剥离，并在连续形成中间电极及上部电极过程中，不会在梳形电极上形成上部电极构成材料的声表面波元件。而且，若采用这种声表面波元件制作声表面波装置，则不会产生特性不良，并在落下试验中，声表面波元件不会从封装容器上剥离。
最好中间电极由Cr浓度在18～28重量％范围内的NiCr组成。
能稳定制作特性均一，并在落下试验中不会产生声表面波元件剥离的声表面波装置。
最好NiCr用真空镀敷法成膜。
通过用真空镀敷法形成作为中间电极的NiCr，能进一步防止在一并形成的中间电极及上部电极内的梳形电极上，形成构成上部电极的材料，并能形成适于进一步防止在声表面波元件落下试验中，声表面波元件从封装容器上剥离NiCr。
最好，上部电极由Al或含Al的合金组成。
在声表面波装置上，能进一步防止声表面波元件从封装容器上剥离。
另外，采用本发明，则声表面波元件的制造方法包括：第1步骤，在压电基板的一主面上形成规定图形的梳形电极及电极衬垫、第2步骤，在电极衬垫的一部分以外的区域和梳形电极的区域上形成保护膜、第3步骤，在将保护膜作掩膜的电极衬垫的一部分上，形成中间电极、第4步骤，在将保护膜作掩膜的中间电极上形成上部电极、第5步骤，除去保护膜、及第6步骤，在上部电极上形成补片电极，在第3步骤形成拉伸应力低于106Pa、和电极衬垫或上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜，作为中间电极。
通过利用由拉伸应力低于106Pa，和电极衬垫或上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜组成的中间电极，从而能防止用于中间电极及上部电极连续形成的保护膜的翻卷，防止在梳形电极上形成构成上部电极的金属。另外，在声表面波元件的落下试验中，不会在电极衬垫或上部电极和中间电极之间产生剥离。
最好在第3步骤中形成Cr浓度在15～30重量％范围内NiCr组成的中间电极。
通过使用Cr浓度在30重量％以下的NiCr作中间电极，从而中间电极的拉伸应力变得比规定值更弱。另外，通过使用Cr浓度在15重量％以上的NiCr作中间电极，电极衬垫或上部电极和中间电极的粘接力变得比规定值更强。因此，通过使用Cr浓度在15～30％重量范围内的NiCr作中间电极，从而能判成声表面波元件，该元件在电极衬垫或上部电极和中间电极之间不会产生剥离，并且，在中间电极及上部电极的连续形成中，不会在梳形电极上形成构成上部电极的材料。
最好在第3步骤上形成Cr浓度正在18～28重量％范围内的NiCr组成的中间电极。
在中间电极及上部电极的连续形成中，能更进一步防止在梳形电极上形成构成上部电极的金属。另外，能更增强电极衬垫或上部电极和中间电极的粘接力。
最好NiCr用真空镀敷成膜。
通过采用真空镀敷法形成作为中间电极的NiCr，从而在中间电极及上部电极的连续形成中，能进一步防止在梳形电极上形成构成上部电极的金属，并能形成适于更增强电极衬垫或上部电极和中间电极的粘接力的NiCr。
另外，采用本发明，则声表面波装置的制造方法包括：第1步骤，在压电基板的一主面上形成规定图形的梳形电极及电极衬垫、第2步骤，在电极衬垫的一部分以外的区域和梳形电极的区域上形成保护膜、第3步骤，将保护膜作掩膜在电极衬垫的一部分上，形成中间电极、第4步骤，将保护膜作掩膜在中间电极上形成上部电极、第5步骤，除去保护膜、第6步骤，在上部电极上形成补片电极、及第7步骤，边加超声波或加热边按压补片电极和封装容器的封装电极，使连接。在第3步骤上，形成拉伸应力低于106Pa、和电极衬垫或上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜，作为中间电极。
通过将拉伸应力低于106Pa，并和电极衬垫或上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜组成中间电极用于声表面波元件，能防止中间电极及上部电极连续形成用的保护膜翻卷，防止在梳形电极上形成构成上部电极的金属。另外在制成的声表面波装置落下式样中，能防止声表面波元件从封装容器上剥离。
最好在第3工程上形成由Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr组成的中间电极。
通过使用Cr浓度30重量％以下的NiCr作中间电极，中间电极的拉伸应力变得比规定值更弱。另外，通过使用Cr浓度15重量％以上的NiCr作中间电极，电极衬垫或上部电极和中间电极的粘接力变得比规定值更强。因此，通过将由Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr组成的中间电极用在声表面波元件上，就能判成声表面波元件不会从封装容器上剥离，并不会产生特性不良的声表面波装置。
最好在第3步骤上形成由Cr浓度在18～28重量范围内的NiCr组成的中间电极。
在中间电极及上部电极的连续形成中，能更进一步防止在梳形电极上形成构成上部电极的金属。另外，在制成的声表面波装置的落下试验中，能更进一步防止声表面波元件从封装容器上剥离。
最好NiCr用真空镀敷成膜。
通过用真空镀敷形成作为中间电极的NiCr，从而在中间电极及上部电极连续形成中，能进一步防止在梳形电极上形成构成上部电极的金属，并在声表面波装置的落下试验中，形成适于进一步防止声表面波元件从封装容器上剥离的NiCr。
采用本发明，因为声表面波元件将由Cr浓度为15～35重量％范围的NiCr组成的中间电极设置在输入电极等电极衬垫和上部电极之间，所以能制造不会产生特性不良，并且，在落下试验中，声表面波元件不会从封装容器上剥离的声表面波元件。
附图说明
图1表示本发明的声表面波元件的平面图。
图2表示图1所示A-B线处的剖视图。
图3表示本发明的声表面波元件的剖视图。
图4表示图3所示补片电极部分的放大剖视图。
图5表示用于说明图3示出的声表面波元件及声表面波装置制造方法的第1步骤图。
图6表示用于说明图3所示的声表面波元件及声表面波装置制造方法的第2步骤图。
图7表示NiCr膜中Cr浓度和NiCr锭中Cr浓度间关系的示意图。
图8表示以往的声表面波元件的平面图。
图9表示图8所示的C-D线处的剖视图。
图10表示图9所示的补片电极部分的放大剖视图。
图11表示用于说明在以往的声表面波元件的制作过程中存在问题的声表面波元件的部分剖视图。
标号说明
1、110压电基板、2、120输入电极、3、130输出电极、4、140接地电极、5、150梳形电极、6、160反射器电极、7、180中间电极、8上部电极、9、190补片电极、10声表面波元件、11金属薄膜、12、121～123保护膜、20、200封装容器、21、22、210封装电极、30帽盖、31、32外部电极、131～133、171、NiCr、141～143、230 Al、170衬底电极。
具体实施方式
参照附图详细说明本发明的实施形态，还有，图中相同或相当的部分赋上同一标号，对其不再描述。
参照图1，采用本发明实施形态的声表面波元件10包括：压电基板1、输入电极2、输出电极3、接地电极4、梳形电极5、反射器电极6、中间电极7、上部电极8、补片电极9。
压电基板由钽酸锂组成。输入电极2、输出电极3、接地电极4、梳形电极5及反射器电极6由膜片厚度100～400nm的铝(Al)的薄膜组成。梳形电极5及反射器电极6为起着声表面波元件10功能用的元件电极。另外，输入电极2、输出电极3及接地电极4，在将高频电压供给梳形电极5之同时，兼作和封装容器电气及物理连接用的电极衬垫。而且，输入电极2、输出电极3、接地电极4、梳形电极5及反射器电极6能用真空镀敷法或阴极真空喷镀法在压电基板1的主面上同时形成，用光刻法或蚀刻法形成图1所示平面构造的图形。因此，输入电极2、输出电极3、及接地电极4具有和梳形电极5及反射器电极6相同的膜片厚度。
在输入电极2、输出电极3及接地电极4的一部分上形成上部电极8及补片电极9。图2为表示图1A-B线的剖视图。参照图2，输出电极3及接地电极4，在压电基板1的一主面上形成，中间电极7，在输出电极3及接地电极4的一部分上形成。而且，上部电极8，在中间电极7上形成，补片电极9在上部电极8上形成。
中间电极7由膜片厚度200nm、铬(Cr)浓度为15～35重量％的镍铬NiCr组成。上部电极8由膜片厚度1000nm的Al组成。补片电极9由金(Au)组成。中间电极7由真空镀敷形成，上部电极8由真空镀敷或阴极真空喷镀形成。补片电极9由边加上超声波、边将Au丝的端部形成的小球压接在上部电极8上，之后，从小球的部分开始切断Au丝而形成。
再者，在图2，输入电极2及另一支接地电极4被省略未示出，但在输入电极及另一支接地电极4上也和输出电极3及接地电极4一样，形成中间电极7、上部电极8及补片电极9。
参照图3，本发明的表面弹性波装置50具备声表面波元件10、封装容器20、封装电极21、22、帽盖30、外部电极31、32。封装容器由陶瓷组成。封装电极21、22形成规定的图形，在封装容器20的内侧上形成。声表面波元件10将梳形电极5等形成的功能面置于下侧，通过让补片电极8、9与封装电极21、22连接而安装。还有，将功能面置于下侧的安装方法称为面朝下安法。借助该面朝下安装，输出电极3由补片电极9与封装电极22连接，接地电极4由补片电极9与封装电极21连接。另外，外部电极31与封装电极21连接，外部电极32与封装电极22连接。帽盖30将声表面波元件气密封闭。
还有，在图3，输入电极2及另一支接地电极4图中未予示出，但输入电极2及另一支接地电极4也通过补片电极9与封装电极连接。
参照图4详细说明由声表面波元件10的补片电极9向封装电极21的连接。将声表面波元件10的功能面置于下侧，使补片电极9与封装电极21接触，然后，加上超声波或热，按压补片电极9，使接地电极4等电极衬垫与封装电极21连接。
参照图5及图6，说明声表面波元件10及声表面波装置50的制造方法。参照图5，洗净钽酸锂组成的压电基板1(图5的(a))，压电基板1的一主面上形成膜片厚度300nm左右的Al为主成分的金属薄膜11(图5的(b))。然后，用光刻法及蚀刻法将金属薄膜11做成规定的图形，形成输入电极2、输出电极3、接地电极4、梳形电极5及反射器电极6(图5的(c))。然后，在图5的(c)以下，输入电极2、另一支接地电极4及反射器电极6被省略。
之后，通过旋涂涂敷保护膜12，使得覆盖输入电极2、输出电极3、接地电极4、梳形电极5及接地电极6，实施预焙，使保护膜12干燥(图5的(d))。然后，用光刻法及蚀刻法，在输入电极2、输出电极3、及接地电极4的一部分上做成保护膜12的图形，从而能形成中间电极7及上部电极8，形成保护膜121～123(图5的(e))。
这样做，将保护膜121～123作为掩膜，通过真空镀敷，从而形成膜片厚度为200nm、Cr浓度为25重量％的NiCr组成的中间电极7，接着，用连续真空度敷法在中间电极7上形成由膜片厚度1000nm的Al组成的上部电极8(图5的(f))。更具体的为：分别将Ni、Cr、Al放入坩埚，加热放入Ni的坩埚和放入Cr的坩埚，镀敷NiCr，然后，加热放入Al的坩埚，将Al镀敷在NiCr组成的中间电极7上。另外，通过将Cr的重量对于放入坩埚的Ni的重量之比取25％从而控制作为中间电极7的NiCr中的Cr浓度在25重量％。这时，在保护膜121～123上，分别形成NiCr131～133及Al141～143。
参照图6，连续形成中间电极7及上部电极8后，除去保护膜121～123，只在输入电极2、输出电极3、及接地电极4的一部分上形成中间电极7及上部电极8(图6的(g))。而且，将保护膜121～123作为掩膜连续形成中间电极7及上部电极，之后，通过除去保护膜121～123，将在输入电极2、输出电极3、及接地电极4上一并形成中间电极7及上部电极8的方法称为搬去法。
中间电极7及上部电极8连续形成后，边施加超声波边将Au丝的端部形成的小球压接在上部电极8上，然后，通过从小球的部分开始切断Au丝，形成补片电极9、9(图6的(h))。由此，声表面波元件10做成。
声表面波元件10一做成，将功能面朝下，使补片电极9、9与封装电极21、22接触，在施加超声波的同时，按压补片电极9、9使输出电极3及接地电极4等的电极衬垫和封装电极21、22连接(图6的(I))。然后，通过帽盖将声表面波元件气密封闭，形成外部电极31、32，制造出声表面波装置50(图6的(j))。
在上述中，对将Ni和Cr分别放入坩埚，通过真空镀敷形成构成中间电极7的NiCr进行了说明，但在本发明中，也可以将NiCr合金组成的NiCr锭放入一只坩埚中，通过真空镀敷形成构成中间电极7的NiCr。
这时，NiCr锭中Cr的浓度和由真空镀敷形成的NiCr膜中的Cr浓度不同。这是由于因放入NiCr锭的坩埚温度、NiCr锭和基板(意即压电基板1)的距离、及成膜速率，Ni和Cr的蒸气压此也不同之故。
通过NiCr锭放入一只坩埚真空镀敷形成NiCr膜时，NiCr膜中的Cr浓度和NiCr锭中的Cr浓度间关系示于图7。在图7，纵轴表示NiCr膜中Cr浓度(重量％)，横轴表示NiCr锭中的Cr浓度(重量％)。NiCr膜中的Cr浓度和NiCr锭中的Cr浓度成比例地增加。但NiCr膜中的Cr浓度和NiCr锭中的Cr浓度不同，例如：NiCr锭中的Cr浓度为20重量％时，用真空镀敷形成的NiCr膜中的Cr浓度变成34重量％。而且，从NiCr锭用真空镀敷形成NiCr膜时，让NiCr锭中的Cr浓度在3重量％～30重量％的范围内变化，NiCr膜中的Cr浓度在5重量％～50重量％的范围内变化。
在图7中，NiCr膜中Cr浓度和NiCr锭中的Cr浓度满足下式的关系。
Y＝1.7117x+0.1276                               ……(1)
其中，x是NiCr锭中的Cr浓度、y是NiCr膜中的Cr浓度。
因此，在本发明中，最好用通过NiCr膜中的Cr浓度和NiCr锭中的Cr浓度满足式(1)关系的真空镀敷形成的NiCr作为中间电极7。
用NiCr锭靠真空镀敷作为中间电极形成NiCr时，图5及图6所示的制造步骤中的(f)步骤变成如下所述。即用光刻和蚀刻，将保护膜12做成图形，形成保护膜121～123后(图5的(d))，将保护膜121～123作为掩膜，从Cr浓度为7.2重量％的NiCr锭用真空镀敷，形成膜片厚度200nm、Cr浓度为25重量％的NiCr膜作为中间电极7，接着用连续真空镀敷在中间电极7上形成膜片厚度1000nm的Al组成的上部电极8。其它的步骤，则如上所述。
在上述的制造方法中，让构成中间电极7的NiCr中Cr浓度在5～50重量％的范围内变化；而制作声表面波元件，在调查由此制作成的声表面波元件的梳形电极5的区域上是否形成Al的同时，进行将声表面波元件安装在封装容器上的声表面波装置落下试验。调查声表面波元件从封装容器上剥离此例。这时，通过改变利用真空镀敷的Ni的重量和Cr的重量之此例，或通过改变NiCr锭中的Cr浓度，使构成中间电极7的NiCr中的Cr浓度在5～50重量％的范围内变化。其结果示于表1。而且，落下试验从1～1.5m的高处开始进行。
                                             表1
  Cr浓度(重量％)  5  15   15   20   25   30   35   40   45   50
落下试验NG发生率(％)  31.5  5.26   无   无   无   无   无   无   无   无
保护膜不良发生率(％)  无  无   无   无   无   无   无   1.30   16.3   56.3
用作为中间电极的NiCr中Cr浓度5重量％作试验，在31.5％的声表面波装置中能观测到声表面波元件从封装容器上剥离，用Cr浓度为10重量％作试验，在5.26％的声表面波装置上能观测到声表面波元件从封装容器上剥离。然后，用15重量％以上的Cr浓度作试验，则就观测不到声表面波元件从封装容器上剥离。这样，声表面波元件从封装容器上的剥离，依附于作为中间电极7的NiCr所含的Cr浓度，Cr浓度大于15重量％，就可以发现声表面波元件不会从封装容器剥离。
可以认为这是由于NiCr中Cr浓度提高，加强了和构成输入电极2等的电极衬垫及上部电极8的Al的粘接力之故。
另一方面，使中间电极7的Cr浓度变化，调查在制成的声表面波元件的梳形电极5上有无Al形成的结果表明：Cr浓度在5～35重量％范围内梳形电极5上观测不到Al的形成。而且，Cr浓度为40重量％，则在1.30％的声表面波元件上能观测到梳形电极5上有Al形成。Cr浓度为45重量％在16.3％的声表面波元件上能观测到梳形电极5上有Al形成，Cr浓度为50重量％，则在56.3％的声表面波元件上能观测到梳形电极5上有Al形成。
这样，可以认为：在Cr浓度为5～35重量％范围，作为中间电极7的NiCr拉伸应力比规定值更小，连续形成中间电极7及上部电极8时的掩膜即保护膜121～123不向上方翻卷，所以，在梳形电极5上无法形成Al。
如上所述，通过将构成在输入电极2等的电极衬垫和上部电极8之间形成的中间电极7的NiCr中Cr浓度控制在15～35重量％范围，从而在声表面波元件中，能防止Al在梳形电极5上形成，并且，在声表面波元件落下试验中，也能防止声表面波元件从封装容器上剥离。
这样，从在声表面波元件中，能防止Al在梳形电极5上形成，在声表面波装置落下试验中，能防止声表面波元件从封装容器上剥离的观点来看，可以将作为中间电极7的NiCr中的Cr浓度控制在15～35重量％的范围，但在本发明中最好将作为中间电极7的NiCr中的Cr浓度控制在15～30重量的范围。对于控制NiCr膜中的Cr浓度在15～30重量％的范围，可以用Cr浓度为8～18重量％范围的NiCr锭。
因此，在本发明中其特征在于，构成中间电极7的NiCr中的Cr浓度控制在15～30重量％的范围，制作声表面波元件及使用该元件的声表面波装置。
另外，在本发明中其特征在于，为了确保留有制作不会产生不良声表面波元件及声表面波装置时的余地，最好将构成中间电极7的NiCr中的Cr浓度控制在18～28重量％范围，制作声表面波元件及使用该元件的声表面波装置，对于将NiCr膜中的Cr浓度控制在18～28重量％范围内，可使用Cr浓度为10～17重量％的NiCr锭。
使用Cr浓度控制在15～30重量％的范围的NiCr作中间电极7相当于把与输入电极2等的电极衬垫及上部电极8的粘接力大于规定值、拉伸应力小于规定值的金属层用作中间电极7。即，Cr浓度大于15重量％的NiCr构成的金属薄膜，比和构成电极衬垫或上部电极的Al的粘接力107Pa还强。另外，Cr浓度30重量％以下的NiCr构成拉伸应力比106Pa还弱的金属薄膜。因此，在本发明中，并不限于由Cr浓度为15～30重量％的NiCr组成中间电极，只要是拉伸应力低于规定值，并且，与电极衬垫或上部电极的粘接力大于规定值的金属薄膜组成的中间电极，则什么都可以。
再有，在图5及图6的说明中，曾对假设用真空镀敷形成作为中间电极7的NiCr作了说明，但，作为中间电极7的NiCr也可用阴极真空喷镀法形成。即作为中间电极7的NiCr膜中的Cr浓度如能形成15～30重量％、最好为18～28％重量％的NiCr膜，则用阴极真空喷镀法也可形成作为中间电极7的NiCr。这时，分别把Ni和Cr作为靶极设置在小室中，RF能量独立地加在Ni和Cr上。然后用氩(Ar)作为喷镀气体。NiCr中的Cr浓度可以通过改变加在两个靶极即Ni及Cr上的RF能量，从而控制在5～50重量％的范围。即要增加Cr浓度时，可加大加在Cr靶极上的RF能量，要降低Cr浓度时，可减小加在Cr靶极上的RF能量。
另外，在上述中，压电基板1曾作为由胆酸锂组成进行说明，但在本发明中，压电基板1也可以由铌酸锂或设置氧化锌的绝缘基板、水晶、及一水化碱性二价硫酸铜(langite)的任一种构成。
再有，输入电极2、输出电极3、接地电极4、梳形电极5、反射器电极6及上部电极8曾作为用Al组成说明过，但在本发明中，并不限于此，输入电极2、输出电极3、接地电极4、梳形电极5、反射器电极6及上部电极8也可以由在Al中添加5％铜(Cu)的合金，或金Au构成。
另外，还对由Au补片构成补片电极9进行了说明，但本发明并不限于此，补片电极9也可以用由电镀或镀敷形成的焊锡补片构成。
应该认为本次揭示的实施形态在各方面作了例举，但并不限于此。本发明的范围并不只是上述的实施形态，而是根据专利申请的范围所示，意在包括在和专利申请的范围等同的意义上及范围内的所有的变更。

Claims (18)

1.一种声表面波元件，其特征在于，包括
压电基板、
在所述压电基板的一主面上形成的梳形电极、
在所述压电基板的所述一主面上形成的电极衬垫，
在所述电极衬垫上形成的中间电极、
在所述中间电极上形成的上部电极、及
在所述上部电极上形成的补片电极，
所述中间电极由拉伸应力低于106Pa、与所述电极衬垫或所述上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜组成。
2.如权利要求1所述的声表面波元件，其特征在于，
所述中间电极由Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr组成。
3.如权利要求1所述的声表面波元件，其特征在于，
所述中间电极由Cr浓度在18～28重量％范围内的NiCr组成。
4.如权利要求2所述的声表面波元件，其特征在于，
所述NiCr用真空镀敷法形成。
5.如权利要求1至4中任一项所述的声表面波元件，其特征在于，
所述上部电极由Al或含Al的合金组成。
6.一种声表面波装置，其特征在于，包括
声表面波元件、
形成封装电极的封装容器、及
气密封闭所述封装容器的帽盖，
所述声表面波元件，包括
压电基板、
在所述压电基板的一主面上形成的梳形电极、
在所述压电基板的所述一主面上形成的电极衬垫、
在所述电极衬垫上形成的中间电极、
在所述中间电极上形成的上部电极、及
在所述上部电极上行成的补片电极，
所述中间电极由拉伸应力低于106Pa，与所述电极衬垫或所述上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜组成，
所述补片电极与所述封装电极连接。
7.如权利要求6所述的声表面波装置，其特征在于，
所述中间电极由Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr组成。
8.如权利要求6所述的声表面波装置，其特征在于，
所述中间电极由Cr浓度在18～28重量％范围内的NiCr组成。
9.如权利要求7所述的声表面波装置，其特征在于，
所述NiCr由真空镀敷法形成。
10.如权利要求6至9中任一项所述的声表面波装置，其特征在于，
所述上部电极由Al或含Al的合金组成。
11.一种声表面波元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤
第1步骤，在压电基板的一主面上形成规定图形的梳形电极及电极衬垫、
第2步骤，在所述电极衬垫的一部分以外的区域和所述梳形电极的区域上形成保护膜、
第3步骤，将所述保护膜作为掩膜，在所述电极衬垫一部分上形成中间电极、
第4步骤，将所述保护膜作为掩膜，在所述中间电极上形成上部电极、
第5步骤，除去所述保护膜、及
第6步骤，在所述上部电极上形成补片电极，
在所述第3步骤，形成拉伸应力低于106Pa、与所述电极衬垫或所述上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜，作为中间电极。
12.如权利要求11所述的声表面波元件的制造方法，其特征在于，
在所述第3步骤，形成由Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr组成的中间电极。
13.如权利要求11所述的声表面波元件的制造方法，其特征在于，
在所述第3步骤，形成由Cr浓度在18～28重量％范围内的NiCr组成的中间电极。
14.如权利要求12或13所述的声表面波元件的制造方法，其特征在于，
所述NiCr由真空镀敷法成膜。
15.一种声表面波装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤
第1步骤，在压电基板的一主面上形成规定图形的梳形电极及电极衬垫、
第2步骤，在所述电极衬垫的一部分以外的区域和所述梳形电极的区域上形成保护膜、
第3步骤，将所述保护膜作为掩膜，在所述电极衬垫的一部分上，形成中间电极、
第4步骤，将所述保护膜作为掩膜，在所述中间电极上形成上部电极、
第5步骤，除去保护膜、
第6步骤，在所述上部电极上形成补片电极、及
第7步骤，在施加超声波或热的同时，按压连接所述补片电极及封装容器的封装电极，
在所述第3步骤中，形成拉伸应力低于106Pa、与所述电极衬垫或所述上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜，作为所述中间电极。
16.如权利要求15所述的声表面波装置的制造方法，其特征在于，
在所述第3步骤中，形成由Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr组成的中间电极。
17.如权利要求15所述的声表面波装置的制造方法，其特征在于，
在所述第3步骤中，形成由Cr浓度在18～28重量％范围内的NiCr组成的中间电极。
18.如权利要求16或17所述的声表面波装置的制造方法，其特征在于，
所述NiCr由真空镀敷法成膜。
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