CN1185756C

CN1185756C - 介质线变换器、介质线单元、定向耦合器、高频电路模块

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Publication number: CN1185756C
Application number: CN99123346.8A
Authority: CN
Inventors: 谷崎透; 高桑郁夫; 齐藤笃
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-10-22
Filing date: 1999-10-20
Publication date: 2005-01-19
Anticipated expiration: 2019-10-20
Also published as: EP0996189A2; CA2287036A1; US6384694B1; CN1257321A; JP3498597B2; JP2000134008A; CA2287036C; EP0996189A3

Abstract

槽形成在上下导体板的相对表面中，在槽中安排带状介质线。同时，使介质线变换部分的导体表面之间的间隔比第一种介质线部分的导体表面之间的间隔窄，并安排与第二种介质负载波导匹配的阻抗。另外，将介质线变换部分的线长度设置为λg/4的奇数倍。

Description

介质线变换器、介质线单元、定向耦合器、高频电路模块

本发明涉及一种不同种类的介质线之间的介质线变换器，以及定向耦合器、介质线单元、高频电路模块和发送-接收机，它们都使用这种介质线变换器。

在使用介质线的电路中，当例如波导等不同的介质线用于电路的输入-输出端口或电路的一部分时，需要波导和介质线之间的介质线变换器。例如，第8-70209号日本未审查专利公告中揭示了一种在由其中装有(填入)介质材料的波导制成的介质线(下面称为DWG)和其中将带状介质线安排在平行的导体表面之间的不辐射介质线(下面称为NRD波导)之间的介质线变换器。在这样的介质线变换器中，带状介质线的宽度和壁表面沿宽度方向的间隔(导体表面之间)从DWG到NRD波导逐渐变宽。

在上述DWG和NRD波导之间的介质线变换器中，虽然介质线变换器具有在宽频带上介质线变换损失低的优点，但有一个问题，即，介质线变换器整体尺寸大，这是因为介质线变换部分的线长度变长了。

例如，作为使用介质线的电路，一般使用平行双线型的定向耦合器，其中将两个带状介质线平行地安排在两个上下导体表面之间。可以将一个NRD波导用作介质线，但是其中将功率分布比等等的特性值保持在固定值的频带宽度很窄。当波导型定向耦合器由DWG构成时，虽然可以得到宽带特性，但上述DWG和NRD波导之间的介质线变换器需要DWG的定向耦合器，以使NRD波导成为一个输入-输出端。结果，整个系统成为大尺寸。

本发明的一个目的是提供一种介质线变换器，能够保持良好的介质线变换特性，并且整体的尺寸小。

另外，本发明的另一个目的是提供一种定向耦合器，具有宽带特性，并由小尺寸的介质线构成。

本发明的再一个目的是提供一种高频电路模块和发送-接收机，它使用上述介质线变换器的介质线单元或定向耦合器。

在本发明中，介质线变换器包含具有作为带状介质线导体表面的上下表面以及带状介质线旁边的间隔的第一种介质线、其上下表面和侧表面作为带状介质线的导体表面的第二种介质线、和连接到第一和第二种介质线的带状介质线或与第一和第二种介质线的带状介质线连续的带状介质线，其中带状介质线以外的区域中的上下导体表面之间的间隔比第一种介质线中的上下导体表面之间的间隔窄，并且使第二种介质线部分中导体表面之间的间隔几乎为零。

由于这样的结构，因为夹着带状介质线的上下导体表面之间的间隔从第一种介质线到第二种介质线(介质负载波导)上不突然地变化，则发生介质线变换而不破坏反射特性，而且由于介质线沿其宽度方向不会变宽，故容易使介质线变换器沿其宽度方向小型化。

在上述结构中，当位置从第一种介质线向第二种介质线移动得越多，则介质线区域外的导体表面之间的间隔越窄，从而间断部分处的反射被进一步抑制。

另外，当使第一种介质线和第二种介质线之间的线长度为线上四分之一波长的奇数倍时，在夹着带状介质线的上下导体表面之间的间隔变化的两个位置上的反射波相位相反地迭加，结果反射波被消除，相应地改进了反射特性。

另外，在本发明中，介质线变换器包含具有作为带状介质线导体表面的上下表面以及在带状介质线旁边的间隔的第一种介质线、其上下表面和侧表面作为带状介质线的导体表面的第二种介质线、以及连接到第一和第二种介质线，或与第一和第二种介质线的带状介质线连续的带状介质线，其中使从带状介质线到侧导体表面的距离为固定值，该值比从第一种介质线的带状介质线到侧导体表面的间隔更窄。

由于这样的结构，当夹着带状介质线的上下导体表面之间的间隔从第一种介质线到第二种介质线(介质负载波导)呈阶梯状变化时，介质线变换器沿其长度方向的尺寸不必很长。结果，可以得到沿其长度方向短的介质线变换器。

在上述结构中，当使第一种介质线和第二种介质线之间的线长度为线上四分之一波长的奇数倍时，在夹着带状介质线的上下导体表面之间的间隔变化的两个位置处的反射波相位相反地迭加，结果反射波被取消。相应地，反射特性得到改进。

当介质线由通过使上述第一种介质线的导体表面之间的间隔比第一种介质线的带状介质线的高度窄而传播单一LSM模式的介质线(下面称为超NRD波导)构成时，可以容易地构成其介质线和介质负载波导在弯曲处几乎不引起任何伴随模式变换的损失的介质线电路。

另外，在本发明中，上述介质线变换器构成介质线单元。例如，通过将上述介质线变换器给予第二种介质线，使用第二种介质线的介质线单元可以如此构成，从而第一种介质线可以直接连接到介质线单元。

另外，在本发明中，上述介质线变换器构成定向耦合器。例如，两个连接在一起或结合为整体的第二种介质线构成定向耦合器。通过这种方法，可以得到一种能通过NRD波导给予输入，并且具有宽带特性的定向耦合器。

另外，在本发明中，上述用于发送信号或接收信号的传播部分的介质线单元或定向耦合器构成高频电路模块。

另外，在本发明中，上述高频电路模块、发送电路和接收电路构成发送-接收机。

图1是示出根据第一实施例的介质线变换器结构的透视图；

图2示出介质线变换器每一个部分的截面图；

图3是示出根据第二实施例的介质线变换器结构的透视图；

图4是示出根据第三实施例的介质线变换器结构的透视图；

图5示出介质线变换器每一个部分的截面图；

图6示出介质线的特性阻抗与导体表面之间间隔的关系；

图7示出固定频带中的反射特性；

图8是示出根据第四实施例的介质线变换器结构的透视图；

图9示出介质线变换器每一个部分的截面图；

图10示出了介质线的特性阻抗与从带状介质线离开导体侧表面间隔之间的关系；

图11示出了在固定的频带中的反射特性；

图12是示出一例根据第五实施例的定向耦合器结构的透视图；

图13是定向耦合器的俯视图，图中去掉了上导体板；

图14示出定向耦合器的分布特性；

图15示出根据第六实施例的定向耦合器结构的例子；

图16是定向耦合器每一个部分的截面图；

图17示出了实际测量中所使用的定向耦合器的结构；

图18示出了通过模拟得到的分布特性；

图19示出了通过实际测量得到的分布特性；

图20示出了根据第七实施例的毫米波雷达模块的结构；

图21是毫米波雷达模块的方框图；

图22示出根据第八实施例的毫米波雷达模块的结构；

图23是毫米波雷达模块的方框图；

图24是根据第九实施例的发射-接收机的方框图；

图25是一个分解透视图，示出根据第十实施例的介质线单元结构的例子；

图26是示出根据第十一实施例的介质线变换器结构的透视图和截面图；

图27是示出根据第十二实施例的定向耦合器结构的透视图。

图1和2中示出根据本发明第一实施例的介质线变换器的结构。图1A是整个主要部分的透视图，图1B是图1A在移掉了上导体板后的透视图。图2A是沿图1A的线A-A的截面图，图1B是沿线B-B的截面图。

在图1中，标号1和2表示导体板，该导体板分别由形成在模制绝缘板表面上的电极薄膜构成或由经处理的金属板构成。标号3表示带状介质线，它是通过注塑模制或切割作业而制成的，它由合成树脂、陶瓷或它们的复合材料制成。如图中所示，通过将带状介质线3安排在上下导体板1和2之间，构成了第一种介质线、第二种介质线和它们之间的介质线变换部分。

在第一种介质线、第二种介质线和介质线变换部分中的任何一个中，带状介质线3的高度和宽度方向的大小是常数。如图2所示，在第一种介质线部分中，上下导体板的相对表面(导体表面)之间的间隔h制得小于带状介质线3的高度。应用这种方法，构成了一个超NRD波导(图中由HNRD指出)，它传播单一的LSM01模式。在第二种介质线部分中，上下导体板1和2一个放在另一个上，即，相对表面之间的间隔接近于零。相应地，将第二种介质线部分的导体板中的槽的深度设置为带状介质线3的高度的一半。应用这种方法，将第二种介质线制成介质负载波导(图中由DWG指出)。

在介质线变换部分(图中由TR表示)中，槽的深度逐渐变化，从而上下导体板1和2相对表面之间的间隔从第一种介质线部分到第二种介质线部分逐渐减小。由于这样的结构，在输入-输出部分或中途，反射减小，并且作为介质线变换器保持良好的反射特性。

图3示出了根据第二实施例的介质线变换器的结构。与第一实施例不同的是，在图3所示的例子中，介质线变换部分的上下导体板1和2的相对表面之间的间隔从第一种介质线部分中的间隔阶梯地变化到第二种介质线部分中的间隔(接近于0)。在这样的结构中，由于上下导体板1和2的相对表面之间的间隔阶梯变化的部分中的间隔差很小，反射被抑制到很低，并且使总的反射特性保持良好。

下面，参照图4到7解释根据第三实施例的介质线变换器的结构。

图4A是整个主要部分的透视图，图4B是图4A中移掉上导体板后的透视图。标号1和2表示导体板，标号3表示带状介质线。该带状介质线是由合成树脂、陶瓷或它们的复合材料制成的，并且在显示特性的例子中使用介电常数εr＝2.04的PTFE，这将在下面描述。

图5中示出每一个部分的截面图。图5A是第一种介质线部分中的截面图，图5B是介质线变换部分中的截面图，而图5C是第二种介质线部分中的截面图。带状介质线3的高度和宽度分别是2.2mm和1.8mm，并且在第一种介质线、第二种介质线和介质线变换部分中的任何一个中都是常数。使第一种介质线部分的导体板中给出的槽深度为0.5mm，介质线变换部分的槽深度为0.65mm，第二种介质线中的槽深度为1.1mm。

这里，图6中示出介质线的特性阻抗与上下导体板1和2的导体表面之间的间隔的关系。Z1表示第一种介质线的特性阻抗，Z2表示第二种介质线的特性阻抗。当决定了导体表面之间的间隔，从而介质线变换部分的特性阻抗由

给出时，可以实现两种介质线之间的阻抗匹配。在这个例子中，导体表面之间的间隔是0.9mm。当假定介质线上的波长为λg时，将介质线变换部分的线长度L设置为λg/4或λg/4的奇数倍。在这个例子中，波长在60GHz的频带中，L是1.85mm。

图7示出如上所述构成的介质线变换器的反射特性，它是以三维有限元法为基础的。通过这种方法，可以在60GHz频带中得到-30dB的低反射特性。

下面，参照图8到11解释根据第四实施例的介质线变换器的结构。

图8是移掉了上导体板的介质线变换器的透视图。在这个例子中，第一种介质线部分的上下导体板之间的间隔保持不变，第二种介质线的上下导体板之间的间隔接近于零。但是，在介质线变换部分中，槽朝带状介质线3的一侧扩展，并使那一部分的槽深度与第一种介质线中导体板的槽的深度一样。

图9中示出上述介质线变换器的每一个部分的截面图。图9A是第一种介质线部分的截面图，图9B是介质线变换部分的截面图，图9C是第二种介质线部分的截面图。带状介质线3的高度和宽度分别是2.2mm和1.8mm，并且在第一种介质线、第二种介质线和介质线变换部分中的任何一个中都是常数。使第一种介质线部分的导体板中给出的槽深度为0.5mm。介质线变换部分中的槽深度也是0.5mm，但到介质线变换部分中的侧导体表面的间隔是0.16。第二种介质线的槽深度是1.1mm。

这里，介质线的特性阻抗与从带状介质线到侧导体表面的距离的关系示于图10中。Z1表示第一种介质线的特性阻抗，Z2表示第二种介质线的特性阻抗。当决定了从带状介质线到侧导体表面的距离，从而介质线变换部分的特性阻抗由

给出时，可以实现两种介质线之间的阻抗匹配。在这个例子中，间隔是0.16mm。当假设介质线的波长为λg时，将介质线变换部分的线长度L设置为λg/4或λg/4的奇数倍。在这个例子中，波长在60GHz频带中，L为1.83mm。

图11示出了如上所述构成的介质线变换器的反射特性，它是以三维有限元法为基础的。通过这种方法，可以在60GHz频带中得到-30dB的较低的反射特性。

下面，将参照图12到图14，解释根据第五实施例的定向耦合器的结构。

图12是移掉了上导体板的定向耦合器的透视图，图13是其俯视图。由31、32、33和34指出的部分是带状介质线，在这个例子中它们被整体地模制成大致上为H形状。在导体板1中形成槽，其中安装了有一定深度的带状介质线31到34。上导体板还也具有相同的结构。

按照这种方法构成，在带状介质线32到带状介质线34上，按照第一种介质线、介质线变换部分、第二种介质线、介质线变换部分和第一种介质线的顺序，发生介质线变换。以相同的方式，在带状介质线31到33上，按照第一种介质线、介质线变换部分、第二种介质线、介质线变换部分和第一种介质线的顺序，发生介质线变换。

上述的带状介质线综合在构成第二种介质线的部分的一部分中。由于这个原因，把第二种介质线部分作为起DWG的定向耦合器的作用。DWG的定向耦合器显示有宽频带特性，即如同使用腔波导的定向耦合器那样。另外，由于这四个部分可以用作超NRD，故当在使用超NRD波导的介质线电路中给出定向耦合器时，可以使它们整体都极大地小型化。

在上述定向耦合器中，第一和第二种介质线部分的上下导体板之间的间隔以及介质线变换部分的上下导体板之间的间隔与图5中的第三实施例所示的例子相同。带状介质线的尺寸和材料与第三实施例中的相同。图13中所示的每一个部分的尺寸为60GHz的定向耦合器所设计的值，它们用mm单位表示。

图14示出以三维有限元法为基础的分布特性。由此，在如所设计频带S31和34的60GHz频带中，特性在-3dB的范围内，以导致相同的分布特性，并且，另外，特性在宽频带上保持。

下面，参照图15到19描述根据第六实施例的定向耦合器的例子。

图15是移掉了上导体板的定向耦合器的俯视图。定向耦合器基本上与图13中所示的相同，但是，这里示出的是用于76GHz频带中的定向耦合器。当将定向耦合器用于更高的频带时，TR变换部分的线长度制成1.3mm，在第二种介质线部分中，要耦合平行双线的部分的尺寸小于图13所示的尺寸。

图16示出了在上述定向耦合器中的三种介质线部分的截面图。图16A是第一种介质线部分的截面图，图16B是介质线变换部分的截面图，图16C是第二种介质线部分的截面图。当将定向耦合器用于更高的频带时，每一个部分的尺寸都小于图5中所示的尺寸。

图17示出了要实际研究其特性的定向耦合器的结构，并且它只是带状介质线部分的俯视图。在这个定向耦合器中，从端口No.1输入的信号的功率分送到No.2和No.3。由于超NRD波导全部在变换部分TR的外面构成，故即使形成了任意弧度的弯曲，也极少发生伴随模式变换的损失。在这个例子中，形成曲率半径为5mm(R5)的弯曲，以沿与连接端口No.1和端口No.3的直线成直角的方向引出端口No.4。

图18示出了图15所示的定向耦合器的结果，这是作为无损失系统使用三维有限元法模拟的结果。图19是图17所示的定向耦合器的实际测量结果。在这样宽的频带中，可以使功率分布比接近于常数。

下面，根据图20和21，解释根据第七实施例的毫米波雷达模块的结构的例子。图20是移掉了上导体板的模块的俯视图，图21是关于毫米波雷达模块的方框图。

毫米波雷达模块主要由各个振荡器、隔离器、定向耦合器、循环器和混频器单元形成。在振荡器中，毫米波信号由Gunn二极管产生。隔离器由终端负载构成，其中终端负载连接到循环器的一个具有三个带状介质线的端口，如图所示。即，在隔离器中，来自振荡器的毫米波信号传播到定向耦合器的侧面，并且如此安排，从而将来自定向耦合器的反射信号导入终端负载。定向耦合器的结构与图12所示的相同，并且给出了四个超NRD波导端口，以将输入信号从端口No.1以固定的功率分布比例分送到端口3和端口4。来自端口No.3的信号作为TX信号从连接到RF端口的天线通过循环器朝目标辐射。天线所接收到的从目标反射的信号作为RX信号，通过循环器输入到混频器。另一方面，将来自定向耦合器的端口4的信号输入到混频器作为LO信号，并且混频器混合RF信号和LO信号。当来自振荡器的信号经过一定时间具有双值频率f1和f2时，可以得到IF信号，它根据由两个路径之间的路径差引起的时间差，具有f1-f2的频率分量。通过处理这个IF信号，测量出到目标的距离。

下面，图22和23示出根据第八实施例的毫米波雷达模块的结构。图22是移掉了上导体板的俯视图，图23是上述毫米波雷达模块的方框图。

毫米波雷达模块主要由各个振荡器、隔离器、定向耦合器、循环器、上变频器和下变频换器单元构成。在振荡器中，由Gunn二极管产生毫米波信号。隔离器由终端负载构成，该终端负载连接到具有三个带状介质线的循环器的一个端口，如图所示，并且在隔离器中，使来自振荡器的毫米波信号传播到定向耦合器侧，并且如此安排，从而来自定向耦合器的反射信号引入终端负载。将从定向耦合器的端口No.1输入的信号分别从端口No.3和端口No.4输出，并输入到上变频器和下变频器。上变频器混合来自定向耦合器的LO信号和来自IF电路的IF信号，并将含有LO和IF频率信号的信号输出到循环器。该信号通过循环器作为TX信号辐射到外面。在这个例子中，将信号通过WG变换器输出到波导，以将超NRD波导变换为波导模式。从目标反射的信号作为RX信号通过循环器输入到下变频器。下变频器混合振荡器中振荡的LO信号和RX信号，并得到含有RX-LO分量的IF信号。通过处理给予上述上变频器的IF信号的频率变化和从下变频器得到的IF信号的频率分量，测量到目标的距离。

图24是示出根据第九实施例的整个发射-接收机结构的方框图，其中使用了上述的毫米波雷达模块。在图24中，RF电路相应于上述毫米波雷达模块，IF电路由滤波器电路以及AD变换器(用于从毫米波雷达模块得到的IF信号)构成。信号处理电路测量从毫米波雷达模块的天线到目标的距离，并通过对IF信号的数字数据进行信号处理或计算，算出相对速度，并在需要时控制移动引擎控制单元等装置的外部电路。

下面，图25示出根据第十实施例的介质线单元的构成。在图25中，标号1和2表示上下导体板，3a和3b表示分开的上下带状介质线。另外，4表示一块板，其中形成有微带线5等等，并且这块夹在上下导体板1和2之间的板构成了介质线单元。这个介质线单元相应于具有图4所示结构的单元，该结构在中间部分被上下分开，并将板夹在其间。

通过沿与DWG介质线成直角的方向插入DWG部分的微带线5，形成DWG和微带线之间的介质线变换。和在NRD波导和微带线之间的直接介质线变换相比，通过这种DWG和微带线之间的介质线变换，减小了不想要的波的发生。另外，在导体板2与微带线5相对的部分中形成空心部分，从而使微带线5不直接和上导体板2接触。

另外，在上面所示的每一个实施例中，示出了一个例子，其中实现了在超NRD波导和介质负载波导之间的介质线变换。但是，当进行正常的NRD波导和介质负载波导之间的介质线变换(其中LSM01模式和LSE01模式都被传播)时，本发明可以等效地应用。这个例子示于图26中。

在图26A中，是一个整个主要部分的透视图，图26B是沿图26A的线B-B的截面图；图26C是沿图26A的线C-C的截面图。和图1所示的结构不同，在这个例子中，正常NRD波导的上下导体板1和2中没有给出槽。

在介质线变换部分(TR)中，槽的深度渐渐改变，从而上下导体板1和2的相对表面之间的间隔从正常的NRD波导部分向DWG部分逐渐变小。

另外，在上面所示的每一个实施例中，介质线的导体表面由导体板的表面形成。但是，导体表面可以通过对带状介质线的固定部分金属化而形成。对于定向耦合器，图27中示出了例子。

图27A是带状介质线的透视图，图27B是上导体板移掉后的定向耦合器的透视图。由31、32、33和34指出的部分是介质线，但和图12所示的例子不同，在构成DWG的带状介质线部分上形成电极薄膜。其它的结构和图12所示的相同。

因为这样的结构，在DWG部分中，金属化电极用作导体表面，并且相应地，即使在DWG部分中的带状介质线和导体板之间产生了或多或少的间隔，仍总可以实现稳定的特性。

根据本发明的第一方面，由于从第一种介质线到第二种介质线上的断续部分减少，不需要破坏反射特性就可以实现介质线变换。另外，由于介质线在其宽度方向不会变宽，故可以得到一个在其宽度方向上小型化的介质线变换器。

根据本发明的第二方面，在介质线从第一种介质线到第二种介质线上的突变部分的反射被进一步抑制。

根据本发明的第三和第五方面，在两个断续部分的反射波相位相反地迭加，结果反射波被消除。因此，反射特性得到改进。

根据本发明的第四方面，由于夹着带状介质线的的上下导体表面之间的间隔从第一种介质线到第二种介质线是阶梯状变化的，故短的介质线变换器长度方向的尺寸足够了。因此，可以得到其长度方向短的介质线变换器。

根据本发明第六方面，可以容易地构成具有NRD波导和DWG(实际上不产生任何伴随模式变换的损失)的介质线电路。

根据本发明的第七方面，当例如将DWG的某个元件给予介质线电路时，该元件可能直接连接到NRD波导中的介质线电路，结果，可能使整个尺寸小型化。

根据本发明的第八方面，由于可以在NRD波导处输入和输出，并且可以构成DWG的定向耦合器，故可以实现具有宽频带特性和小尺寸的定向耦合器。

根据本发明的第九方面，可以容易地构成一种小尺寸的高频电路模块，它具有宽频带特性，其中将定向耦合器或介质线单元用于发送信号或接收信号的传播部分。

根据本发明的第十方面，可以构成具有宽频带特性的小尺寸的发送-接收机，其中给出了高频电路模块、发送电路和接收电路。

虽然已经参照较佳实施例，具体示出和描述了本发明，但是熟悉本领域的人将知道，在不背离本发明的主旨和范围的情况下，可以有上述和其它形式和细节上的改变。

Claims

1.一种介质线变换器，其特征在于，包含由第一种介质线部分、第二种介质线部分以及介质线变换部分所构成的介质线变换器；所述第一种介质线部分具有上下表面，作为第一带状介质线的导体表面，以及在所述第一带状介质线旁边的间隔；所述第二种介质线部分具有上下表面和侧表面，作为第二带状介质线的导体表面；所述介质线变换部分包括第三带状介质线，

所述第三带状介质线连接到所述第一和第二带状介质线；或与所述第一和第二带状介质线相连续，

其中，除在介质线变换部分中的所述第三带状介质线以外的区域中的上下导体表面之间的间隔比第一种介质线部分中的上下导体表面之间的间隔要窄，并且使第二种介质线部分中的导体表面之间的间隔为零。

2.如权利要求1所述的介质线变换器，其特征在于当进一步将位置从第一种介质线部分移到第二种介质线部分时，间隔更窄。

3.如权利要求1所述的介质线变换器，其特征在于第一种介质线部分和第二种介质线部分之间的线长度为介质线上四分之一波长的奇数倍，其中在第一种介质线部分和第二种介质线部分之间的介质线中，上下导体表面之间的间隔是固定的间隔，该间隔比第一种介质线部分中的上下导体表面之间的间隔更窄。

4.一种介质线变换器，其特征在于，包含由第一种介质线部分、第二种介质线部分以及介质线变换部分所构成的介质线变换器；所述第一种介质线部分具有上下表面，作为第一带状介质线的导体表面，以及在第一带状介质线旁边的间隔；所述第二种介质线部分具有上下表面和侧表面，作为第二带状介质线的导体表面；而所述介质线变换部分包括第三带状介质线，

其中，从所述介质线变换部分中的第三带状介质线到侧导体表面的间隔为固定值，该固定值比从所述第一种介质线部分中的第一带状介质线到侧导体表面的间隔更窄。

5.如权利要求4所述的介质线变换器，其特征在于第一种介质线部分和第二种介质线部分之间的线长度是介质线上四分之一波长的奇数倍。

6.如权利要求1到5中任一条所述的介质线变换器，其特征在于第一种介质线部分的导体表面之间的间隔比第一种介质线部分的第一带状介质线的高度更窄，从而LSM01模式的截止频率比LSE01模式的截止频率更低，结果使第一种介质线部分成为传播单个LSM01模式信号模式的介质线。

7.一种介质线单元，其特征在于包含如权利要求1到5任一条所述的介质线变换器。

8.一种定向耦合器，其特征在于包含如权利要求1到5任一条所述的介质线变换器。

9.一种高频电路模块，其特征在于如权利要求7所述的介质线单元或如权利要求8所述的定向耦合器用于发送信号或接收信号的传播部分。

10.一种发送-接收机，其特征在于包含如权利要求9所述的高频电路模块和发送电路以及接收电路。