CN1184700C - 半导体器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种适于检测中子、小型且可降低制造成本的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，在半导体衬底1上形成包含同位素10B的硼元素含有层4，使向硼元素含有层4照射的中子与同位素10B反应而放射出的α射线进入半导体衬底1，通过在半导体衬底中产生的电子-空穴对8来检测中子的量。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，特别是涉及进行辐射检测的半导体器件。
背景技术
从现有技术已知作为中子的检测方法的采用BF3计数管的检测方法和采用金属薄膜的放射活化的方法。
但是，在使用计数管的方法或采用金属薄膜放射活化的方法中，因为计数管体积大，因此器件自身难免大型化，存在不能实时测量中子场的问题。另一方面，作为辐射检测器，虽然已知半导体检测器，但其特性上中子的检测几乎不用。另外，现有的半导体型检测器还存在成本非常高的问题。
发明内容
为解决上述问题提出本发明，第一个目的是提供一种适于检测中子、小型且降低制造成本的半导体器件及其制造方法。
第二个目的是提供一种可瞬时监视分析检测出的中子的半导体器件及其制造方法。
本发明的半导体器件为用于检测中子的量的半导体器件，包括半导体衬底、和具有形成于所述半导体衬底上的同位素10B的硼元素含有层。
另外，具有在所述硼元素含有层的下层中的所述半导体衬底表面区域中形成的PN结部，通过所述中子和所述同位素10B的反应放射出的α射线在所述PN结部的耗尽层中产生电子-空穴对，根据所述电子-空穴对的电荷量来检测所述中子的量。
另外，在检测所述中子的区域和其它区域中的所述半导体器件上具有由规定的半导体元件构成的分析用电路部，通过所述分析用电路部来进行所述电子-空穴对的电荷分析。
另外，所述分析用电路部中的所述硼元素含有层的所述同位素10B浓度与检测所述中子的区域的所述硼元素含有层的所述同位素10B浓度相比，为低浓度。
另外，在所述分析用电路部中没有设置所述硼元素含有层。
另外，本发明的半导体器件制造方法为检测中子的半导体器件的制造方法，包括将规定杂质搀入半导体衬底上的第一区域中以在该半导体衬底的表面区域中形成PN结的第一步骤，在所述半导体衬底的第二区域中形成分析检测的所述中子用的分析用电路部的第二步骤，和至少在所述第一区域的所述半导体衬底上形成包含与所述中子反应而放射出α射线的同位素10B的硼元素含有层的第三步骤。
另外，在所述第三步骤中，形成所述硼元素含有层，所述第二区域中的所述同位素10B浓度与所述第一区域的所述同位素10B浓度相比，为低浓度。
另外，在所述第三步骤中，仅在所述第一区域的半导体衬底上形成所述硼元素含有层。
附图说明
图1是表示本发明实施例1的半导体器件的结构的示意剖面图。
图2是表示本发明实施例1的半导体器件的斜视图。
图3是表示本发明实施例2的半导体器件的结构的示意剖面图。
发明实施例
下面参照附图来说明本发明的几个实施例。
实施例1
图1是表示作为本发明实施例1的半导体器件的半导体型辐射检测器的示意剖面图。实施例1的半导体器件为将本发明应用于1芯片型的中子检测器中的器件。首先根据图1来说明实施例1的半导体器件的结构。如图1所示，实施例1的半导体器件具有辐射检测部1A和分析用内部电路部1B两个区域来构成。
辐射检测部1A为用作检测入射的中子检测器的区域。在辐射检测部1A中，在由元件分离氧化膜2划定的P型硅半导体衬底1的表面区域内形成N型杂质扩散层，在与P型硅半导体衬底1之间形成PN结。另外，相对于PN结的交界面3，在上下方向的规定范围内形成耗尽层。
另一方面，在分析用内部电路部1B中，通过栅极氧化膜6在P型硅半导体衬底1上形成栅极5，在栅极5的两侧的P型硅半导体衬底1的表面区域上形成作为源极/漏极的杂质扩散层7，同时构成MOS晶体管。在分析用内部电路部1B中，构成通过这种MOS晶体管和组合其它元件的电路来检测在辐射检测部1A中检测出的辐射的电路。在分析用内部电路部1B中构成的电路通过适当组合例如放大微小信号的放大电路、仅选择特定的波峰脉冲的单通道波峰分析电路、检查两系统的脉冲间一致的同步计数电路、计数脉冲数的定标器电路、自动分析脉冲波峰的频度分布的多路复用波峰分析电路等几个基本电路来构成。
在辐射检测部1A和分析用内部电路部1B中的P型硅半导体衬底1上形成硼元素(B)含有层4。在该硼元素含有层4中，包含规定比例的同位素10B，而不是稳定同位素的硼。
通常，同位素10B在天然存在的硼元素中约含20％。在本实施例的半导体器件中，使硼元素含有层4中含有一定浓度或该浓度以上的同位素10B。
下面说明这种实施例1的半导体器件的制造方法。首先，在P型硅半导体衬底1上通过所谓LOCOS法、STI法等形成元件分离氧化膜2，以划定元件活性区域，在辐射检测部1A的元件活性区域中通过例如离子注入来搀入N型杂质，在与P型硅半导体衬底1之间形成PN结。另一方面，在分析用内部电路部1B中，在P型硅半导体衬底1上形成栅极氧化膜6和栅极5，通过离子注入N型杂质，在栅极5两侧的P型硅半导体衬底1上形成杂质扩散层7。在分析用内部电路部1B中，通过包含这种栅极5、杂质扩散层7的MOS晶体管等元件来形成分析用电路。之后，在辐射检测部1A和分析用内部电路部1B的P型硅半导体衬底1上形成硼元素含有层4中，得到图1所示的结构。这里，硼元素含有层4的形成中存在在采用CVD法成膜的同时向膜中搀入硼元素的方法、在形成作为硼元素含有层4底部的膜(层间绝缘膜)之后通过离子注入来搀入硼元素的方法等。中子的放射活化依赖于硼元素含有层4中存在的同位素10B的个数，即使硼元素含有层4中的同位素10B的浓度稀，只要形成厚的硼元素含有层4即可，反之，在硼元素含有层4中的同位素10B的浓度浓的情况下，可使硼元素含有层4变薄。特别是，通过将硼元素含有层4中的同位素10B的浓度设定在1020个/cm3-1023个/cm3的范围内，最好将浓度的上限设定在1022个/cm3以下，能可靠地使中子与10B反应，而高效地放射出α射线。
图2是表示实施例1的半导体器件结构的斜视图。如图2所示，在实施例1的半导体器件中，将P型硅半导体衬底1上的区域分成多个区域，将辐射检测部1A和分析用内部电路部1B配置在彼此对角的位置上。通过分离辐射检测部1A和分析用内部电路部1B，可将例如中子的照射限定在辐射检测部1A的区域中，还可将因α射线放射到分析用内部电路部1B P型半导体基板1而导致的软错误的发生抑制到最小限度。
下面说明实施例1的半导体器件中的中子检测的原理和工作。首先，辐射检测部1A中受到作为被检测对象的中子的照射。于是，硼元素含有层4中的同位素10B与照射的中子反应，在硼元素含有层4中进行10B(n，α)7Li反应。因此，从硼元素含有层4向下层的P型硅半导体衬底1放射出α射线。
放射出的α射线进入到辐射检测部1A的P型硅半导体衬底中，如图1所示，在PN结的交界面3附近的耗尽层中或其附近发生电子-空穴对8。因为电子-空穴对8的发生对应于α射线的放射量来进行，所以通过收集PN结区域中发生的电子-空穴对8的电荷，就可检测α射线。因此，通过检测PN结中流过的电流，可求出α射线的放射量，从而可求出照射的中子的量。
具体来说，可通过从耗尽层中收集到的电荷量来放大PN结中流过的电流脉动，测量计数或波峰分布可求出α射线的能量谱。因此，通过分析流过PN结的电流，可详细地求出照射的中子的量、特性。
分析用内部电路部1B具有从收集到的电荷量来进行上述分析的功能。通过将分析用内部电路部1B与辐射检测部1A配置在同一衬底上、即同一芯片上，可在收集了电子-空穴对8的电荷后瞬时进行上述的分析，可瞬时监视入射的中子射线。另外，因为从作为对于中子的反应部的辐射检测部1A到分析收集电荷的分析用内部电路部1B形成于一个芯片上，所以可非常小地形成中子检测系统整体。
如上所述，根据本发明实施例1，通过硼元素含有层4中的同位素10B与照射的中子的反应，朝着P型硅半导体衬底1放射出α射线，通过α射线，在P型硅半导体衬底1的PN结附近产生电子-空穴对8，所以通过检测分析电子-空穴对8的电荷量，可求出照射的中子的量、能量谱等的特性。
另外，通过在半导体衬底1上设置辐射检测部1A和分析用内部电路部1B，可瞬时监视中子射线，可在对测定对象的中子场的干扰非常少的状态下进行高精度的中子的检测。另外，因为从辐射检测部1A到分析用内部电路部1B形成于一个芯片上，所以可提供大幅度小型化检测器、且大幅度降低成本的中子检测系统。
在实施例1中，作为放射出α射线的原子核，不限于10B，只要是与中子作用的结果放射出α射线性质的原子核即可，可用于替代10B。最好是，作为与中子进行(n，α)反应的原子核，期望对于中子而言，具有较大的反应截面的原子核，例如可使用Li等(6Li等)来替代10B。
实施例2
图3是表示作为本发明实施例2的半导体器件的半导体型辐射检测器的示意剖面图。实施例2的半导体器件与实施例1的不同之外在于，在分析用内部电路部1B中，形成比辐射检测部1A中的硼元素含有层410B浓度低的硼元素含有层4a。因为实施例2的半导体器件的其它结构与实施例1的相同，所以在图3的说明中，与图1相同的构成要素标记与图1相同的标号，并部分省略说明。
由此，在分析用内部电路部1B中，通过在P型硅半导体衬底1上形成10B浓度低的硼元素含有层4a，可抑制中子照射中分析用内部电路部1B附近的10B(n，α)7Li反应，该结果发生的α射线进入分析用内部电路部1B的P型硅半导体衬底1中的概率变小。
进入半导体衬底中的α射线对于电路是软错误的原因，但在分析用内部电路部1B中，通过降低10B浓度，可降低α射线的进入，可大大降低分析用内部电路部1B中构成的分析用电路的软错误引起的误操作。
实施例2的半导体器件的制造方法与实施例1相同，在辐射检测部1A的P型硅半导体衬底1上形成PN结，在分析用内部电路部1B中形成由栅极5和杂质扩散层7构成的MOS晶体管等元件，之后，虽然在P型硅半导体衬底1上形成硼元素含有层4、4b，但由于在形成硼元素含有层4、4b时，使得硼元素含有层4b的10B的浓度比硼元素含有层4的浓度低，所以分析用内部电路部1B中的硼元素添加量比辐射检测部1A小。在通过离子注入向硼元素含有层4中搀入10B时，离子注入通过原子质量来分别离子种类，所以可通过施加光刻胶来仅在必要的部位注入作为同位素的10B，部分地使10B浓度变为低浓度，形成硼元素含有层4b。另外，在不必施加光刻胶的情况下，也可不注入10B。在采用CVD法来成膜时，在使用搀入10B的方法的情况下，在采用CVD法来形成夹层绝缘膜的同时，高浓度地搀入10B，在形成硼元素含有层4后，通过光蚀刻法及之后的干蚀刻法来去除形成硼元素含有层4b的区域的硼元素含有层4，在之后采用CVD法的形成夹层绝缘膜的同时，也可低浓度地搀入10B，形成硼元素含有层4b。
如上所述，根据本发明实施例2，使搀入硼元素含有层4中的10B的浓度分布在同一芯片上，在分析用内部电路部1B中，通过在P型硅半导体衬底1上形成比辐射检测部1A的硼元素含有层410B浓度低的硼元素含有层4a，特别是在分析用内部电路部1B附近可抑制α射线进入P型硅半导体衬底1中，可提高耐软错误性。另外，在分析用内部电路部1B的P型硅半导体衬底1上也可形成不含有10B的层。因此，可大大抑制α射线的产生，可抑制软错误的发生。因此，通过提高分析用内部电路部1B中的耐软错误性，即使是在剂量高的中子场中，也可作为检测器来使用。
在上述的实施例中，虽然通过α射线而在PN结的交界面3附近发生电子-空穴对8，通过其电荷量来检测中子的量，但也可直接检测α射线的量。
另外，通过使用引起X(β、α)Y反应(这里，X、Y表示特定的原子核)的原子核来代替硼，即通过使用β射线与原子核产生核反应而生成α射线和新的原子核Y的反应，可将本发明适用于中子以外的辐射的测定中。同样地，通过使用引起X(γ、α)Y反应(这里，X、Y表示特定的原子核)的原子核X来代替硼，即通过使用γ射线与原子核X产生核反应而生成α射线和新的原子核Y的反应，也可适用于中子以外的辐射的测定中。
本发明因为如上所述构成，所以可达到如下所示的效果。
通过在半导体衬底上形成包含同位素10B的硼元素含有层，所以中子与同位素10B反应，放射出α射线，根据α射线剂量，可高精度地检测出中子量。
通过放射出的α射线，在PN结部的耗尽层中发生电子-空穴对，可从PN结部的电流求出电子-空穴对的电荷量，根据该电荷量来求出中子的量。
在检测中子的区域和其它区域中的半导体衬底上形成由规定半导体元件构成的分析用电路部，通过对发生的电子-空穴对进行电荷分析，可在同一芯片上配置检测中子的区域和分析用电路部，可在瞬时监视中子射线，可在对测定对象的中子场的干扰非常少的状态下进行高精度的中子的检测。另外，因为在一个芯片上配置检测中子的区域和分析用电路部，所以大幅度使检测器小型化，并可大幅度降低成本。
另外，通过分析用电路部中的硼元素含有层的同位素10B浓度与检测中子的区域的硼元素含有层的同位素10B浓度相比，为低浓度，所以可将分析用电路部中的α射线的放射抑制到最小限度，可大大降低软错误的发生。
另外，通过不在所述分析用电路部中设置所述硼元素含有层，可抑制分析用电路部中的α射线的放射，将软错误的发生抑制到最小限度。
Claims (4)
1.一种半导体器件，检测中子的量，其特征在于：包括
半导体衬底，
包含形成于所述半导体衬底上的同位素10B的硼元素含有层，
在所述硼元素含有层的下层中的所述半导体衬底表面区域中形成的PN结部，和
在与检测所述中子的区域不同的区域的所述半导体器件上具有由规定的半导体元件构成的分析用电路部，
通过所述中子和所述同位素10B的反应放射出的α射线在所述PN结部的耗尽层中产生电子-空穴对，
根据所述电子-空穴对的电荷量来检测所述中子的量，
通过所述分析用电路部来进行所述电子-空穴对的电荷分析，
所述分析用电路部中的所述硼元素含有层的所述同位素10B浓度与检测所述中子的区域的所述硼元素含有层的所述同位素10B浓度相比，为低浓度。
2.一种半导体器件，检测中子的量，其特征在于：包括
半导体衬底，
包含形成于所述半导体衬底上的同位素10B的硼元素含有层，
在所述硼元素含有层的下层中的所述半导体衬底表面区域中形成的PN结部，和
在与检测所述中子的区域不同的区域的所述半导体器件上具有由规定的半导体元件构成的分析用电路部，
通过所述中子和所述同位素10B的反应放射出的α射线在所述PN结部的耗尽层中产生电子-空穴对，
根据所述电子-空穴对的电荷量来检测所述中子的量，
通过所述分析用电路部来进行所述电子-空穴对的电荷分析，
在所述分析用电路部中没有设置所述述硼元素含有层。
3.一种检测中子的半导体器件制造方法，其特征在于：包括
将规定杂质搀入半导体衬底上的第一区域中以在该半导体衬底的表面区域中形成PN结的第一步骤，
在所述半导体衬底的第二区域中形成分析检测的所述中子用的分析用电路部的第二步骤，和
至少在所述第一区域的所述半导体衬底上形成包含与所述中子反应而放射出α射线的同位素10B的硼元素含有层的第三步骤，
在所述第三步骤中，在所述第一和所述第二区域的所述半导体衬底上形成所述硼元素含有层，
形成所述硼元素含有层，所述第二区域中的所述同位素10B浓度与所述第一区域的所述同位素10B浓度相比，为低浓度。
4.一种检测中子的半导体器件制造方法，其特征在于：包括
将规定杂质搀入半导体衬底上的第一区域中以在该半导体衬底的表面区域中形成PN结的第一步骤，
在所述半导体衬底的第二区域中形成分析检测的所述中子用的分析用电路部的第二步骤，和
至少在所述第一区域的所述半导体衬底上形成包含与所述中子反应而放射出α射线的同位素10B的硼元素含有层的第三步骤，
在所述第三步骤中，仅在所述第一区域的半导体衬底上形成所述硼元素含有层。
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| WO2010087844A1 (en) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | High sensitivity, solid state neutron detector |
| US8263940B2 (en) * | 2009-10-26 | 2012-09-11 | Finphys Oy | Neutron detector with neutron converter, method for manufacturing the neutron detector and neutron imaging apparatus |
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