CN118315325A - 一种晶圆吸附控制方法与系统 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种晶圆吸附控制方法与系统，对晶圆整体翘曲度的绝对值大于预设阈值的晶圆，依据实时获取的晶圆整体翘曲度，采用吸附模块以不同的按压速度和按压力按压翘曲晶圆，使晶圆整体翘曲度的绝对值小于或等于预设阈值后，依据晶圆的边缘区域翘曲度以不同的吸附力分区吸附晶圆，从而将晶圆吸起。通过该晶圆吸附系统与方法，实现了不同翘曲度晶圆的吸附，从晶圆正面吸取翘曲度较大的晶圆时，避免吸附力过大造成晶圆损伤，吸附力过小导致晶圆脱落，以确保晶圆的安稳搬运。此外，通过控制按压翘曲晶圆的按压速度和按压力，避免晶圆翘曲度较大时按压速度过大导致晶圆破裂的同时，提高了工作效率。

Description

一种晶圆吸附控制方法与系统

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种晶圆吸附控制方法与系统。

背景技术

晶圆在制造和运输过程中，翘曲是一个常见且需要重视的问题。目前，翘曲晶圆的传送方式主要依赖于从晶圆背面吸附和传送晶圆；然而，在某些特殊制造过程，如外延反应中，由于技术限制，背面传送方式无法适用，需要从晶圆正面传送晶圆。

当晶圆发生翘曲时，从正面吸附翘曲晶圆的吸附力过大，可能会导致晶圆损伤；吸附力较小时，可能会导致晶圆不能被完全吸附，在运输过程中存在脱落的风险。特别是晶圆翘曲度过大时，吸附难度会显著增加。现有技术中，可采用按压翘曲晶圆的方式以来减小晶圆翘曲度。然而，按压翘曲度过大的晶圆时，如果按压力度或速度控制不当，可能会产生瞬间的冲击力，导致晶圆表面或内部结构受损，甚至导致晶圆破裂。此外，晶圆翘曲会降低后续掩膜光刻等工艺的精度。如果按压力度或按压速度控制不好，可能会进一步加剧这种影响，导致工艺精度下降，影响晶圆的质量和性能。而晶圆受损、破裂或工艺精度下降都可能导致晶圆在使用过程中出现失效或性能下降的情况。

因此，现有的晶圆搬运中还存在以下问题：针对翘曲度较大的晶圆，如何控制按压翘曲晶圆的按压力和按压速度，从晶圆正面稳定地吸取翘曲晶圆，且能够避免翘曲晶圆的按压力和按压速度控制不当或晶圆吸附力控制不当造成晶圆损伤。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种晶圆吸附控制方法与系统，解决了现有技术中无法安稳地从晶圆正面吸附翘曲度较大晶圆的技术问题，实现了采用一种晶圆吸附系统吸附不同翘曲度晶圆，从晶圆正面吸取翘曲晶圆的同时，避免翘曲晶圆的按压力和按压速度控制不当或晶圆吸附力不当造成晶圆损伤，以确保晶圆的安稳搬运。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种晶圆吸附控制方法，所述晶圆吸附控制包括以下步骤：

步骤S1：实时获取所述晶圆的整体翘曲度；

步骤S2：当所述整体翘曲度的绝对值大于预设阈值时，基于所述整体翘曲度，控制吸附模块按压所述晶圆，实时调整所述吸附模块按压所述晶圆的速度和按压力；

步骤S3：实时判断所述整体翘曲度的绝对值是否小于或等于所述预设阈值；若是，则执行步骤S4；若否，则继续执行所述步骤S2；

步骤S4：控制所述吸附模块停止按压所述晶圆；

步骤S5：获取所述晶圆的多个边缘区域和所述边缘区域的翘曲度，根据所述边缘区域的翘曲度，分别计算吸附所述晶圆的所述多个边缘区域需要施加的吸附力；

步骤S6：所述吸附模块以不同的所述吸附力吸附所述晶圆的多个边缘区域。

进一步地，所述步骤S5中的所述多个边缘区域包括至少一个边缘翘曲区域。

进一步地，在所述步骤S2之前还包括以下步骤：

步骤S100：判断所述整体翘曲度是否为0；若所述整体翘曲度为0，则以均匀的吸附力吸附所述晶圆；若所述整体翘曲度不为0，则执行步骤S110；

步骤S110：判断所述整体翘曲度的绝对值是否大于0，且小于或等于所述预设阈值，若是，则执行步骤S5；若否，则执行步骤S2。

进一步地，所述步骤S2还包括：基于所述晶圆的整体翘曲度，实时调整所述吸附模块按压所述晶圆的速度和按压力。

进一步地，所述步骤S2还包括：随着所述晶圆的整体翘曲度的绝对值逐渐减小，实时调整所述按压力逐渐减小。

进一步地，所述步骤S2还包括：

当所述晶圆的整体翘曲度的绝对值大于所述预设阈值的200%时，所述吸附模块低速按压所述晶圆；

当所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值的200%，且大于所述预设阈值的105%时，所述吸附模块加速按压所述晶圆；

当所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值的105%时，所述吸附模块开始减速按压所述晶圆。

进一步地，所述步骤S2中的所述预设阈值为5mm。

进一步地，所述方法还包括：在所述吸附模块按压所述晶圆的过程中，当所述整体翘曲度的绝对值为5.25mm时，所述吸附模块开始减速按压所述晶圆，直到所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值时停止按压所述晶圆。

进一步地，所述步骤S2还包括：实时获取所述吸附模块与晶圆承载模块之间的距离，基于所述晶圆整体翘曲度和所述吸附模块与所述晶圆承载模块的距离，实时调整所述吸附模块按压所述晶圆的速度和按压力。

第二方面，本发明实施例还提供了一种晶圆吸附系统，用于实现所述晶圆吸附控制方法，所述系统包括晶圆承载模块、采集模块、计算模块、吸附模块、判断模块和控制模块；其中：

所述晶圆承载模块，用于承载待吸附的晶圆；

所述采集模块，用于实时获取所述晶圆的整体翘曲度；用于获取晶圆的边缘区域和所述边缘区域的翘曲度；用于获取所述吸附模块与所述晶圆承载模块之间的距离；

所述计算模块，用于根据所述晶圆的多个边缘区域和所述边缘区域的翘曲度，分别计算吸附所述晶圆的所述多个边缘区域需要施加的吸附力；

所述吸附模块，用于按压所述晶圆，使所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于预设阈值后，以不同的所述吸附力吸附所述晶圆的多个所述边缘区域；

所述判断模块，用于判断所述晶圆的整体翘曲度是否为0；用于判断所述晶圆的整体翘曲度的绝对值是否小于或等于所述预设阈值；

所述控制模块，用于根据实时所述晶圆的整体翘曲度和所述吸附模块与所述晶圆承载模块的距离，实时调整所述吸附模块按压所述晶圆的速度和按压力，直到所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值时停止按压所述晶圆。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

1、针对晶圆整体翘曲度的绝对值大于预设阈值的晶圆，采用吸附模块按压翘曲晶圆，使晶圆整体翘曲度的绝对值小于或等于预设阈值后从晶圆正面吸附晶圆。通过减小晶圆翘曲度，有效解决了现有技术中晶圆翘曲度过大难以吸附的技术问题，进而实现了从正面吸附翘曲度较大的晶圆，且不会损伤晶圆，以确保晶圆在制造和运输过程中的稳定性和安全性。

2、根据实时过去的晶圆翘曲度控制按压翘曲晶圆的按压速度和按压力，避免晶圆翘曲度较大时，按压速度过大或按压力过大导致晶圆破裂、工艺精度下降，影响晶圆的质量和性能。在保证晶圆质量的同时，减少了按压时间，提高了工作效率。

3、根据不同的翘曲程度采取相应的晶圆吸附方法，实现了采用一种晶圆吸附系统吸附不同翘曲度晶圆，能够适应不同翘曲度的晶圆，无需更换吸附装置或调整机构，适应性强。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的一种晶圆吸附控制方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的一种晶圆吸附控制系统的结构示意图。

附图标记：10-晶圆承载模块；20-采集模块；30-计算模块；40-吸附模块；50-判断模块；60-控制模块。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

本申请的第一方面：

图1为本发明实施例提供的一种晶圆吸附控制方法的流程示意图，该晶圆吸附控制方法包括以下步骤：

步骤S1：实时获取所述晶圆的整体翘曲度。

其中，晶圆的整体翘曲度根据晶圆最低点与最高点的高度差来确定。

当翘曲晶圆的边缘区域高于翘曲晶圆的中心区域时，晶圆的整体翘曲度大于0，即晶圆为“下凹”碗状翘曲；当翘曲晶圆的边缘区域低于翘曲晶圆的中心区域时，晶圆的整体翘曲度小于0，即晶圆为“上凸”碗状翘曲。

步骤S2：当所述整体翘曲度的绝对值大于预设阈值时，基于所述整体翘曲度，控制吸附模块按压所述晶圆，实时调整所述吸附模块按压所述晶圆的速度和按压力。

对于翘曲程度较大的翘曲晶圆，需要将翘曲晶圆的翘曲程度减小后才能更好地吸附晶圆，避免吸附晶圆时导致晶圆的损伤或脱落。当翘曲晶圆的整体翘曲度的绝对值大于预设阈值时，根据所述整体翘曲度，控制吸附模块按压翘曲晶圆，使翘曲晶圆的整体翘曲度的绝对值小于预设阈值，从而减小晶圆翘曲度。

具体实施例中，预设阈值根据晶圆的尺寸、制造工艺、应用场景而不同。例如：8英寸或12英寸晶圆的翘曲度规格是晶圆整体翘曲度的绝对值小于或等于5mm，即预设阈值为5mm。当晶圆整体翘曲度的绝对值小于或等于5mm时，停止按压所述8英寸或12英寸的翘曲晶圆。

具体实施例中，翘曲晶圆在吸附模块的按压下，随着晶圆整体翘曲度的绝对值逐渐减小，实时调整所述按压力逐渐减小。在翘曲晶圆的翘曲程度较大时，需要较大的按压力来减小翘曲程度；但随着晶圆翘曲程度的减小，根据晶圆整体翘曲度的绝对值的大小，实时调整按压力的大小，避免过大的按压力带来过度应力，导致晶圆损伤或不必要的形变。

进一步地，在按压翘曲晶圆的过程中，翘曲晶圆的翘曲程度较大时，需要施加的按压力较大，对应的按压速度较小，避免按压速度过快，导致晶圆受到过大的冲击力，增加晶圆破裂或损坏的风险。随着晶圆整体翘曲度的绝对值逐渐减小，按压速度也随之变化。

在某些实施方式中，所述步骤S2还包括：

当所述晶圆的整体翘曲度的绝对值大于所述预设阈值的200%时，所述吸附模块低速按压所述晶圆。

在该阶段，翘曲晶圆的翘曲程度较大，需要施加的按压力较大，对应的按压速度较小；避免按压速度过快，导致晶圆破裂或损坏。

当所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值的200%，且大于所述预设阈值的105%时，所述吸附模块加速按压所述晶圆。

在该阶段，随着翘曲晶圆的翘曲程度减小，需要施加的按压力逐渐减小，对应的按压速度逐渐增加。一方面，通过提高按压速度减少按压时间，提高工作效率；另一方面，随着按压力逐渐减小，避免按压速度过小，导致按压效果较差，而不能有效地减小晶圆整体翘曲度的绝对值至预设阈值之下。

当所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值的105%时，所述吸附模块开始减速按压所述晶圆。

在该阶段，随着翘曲晶圆的翘曲程度减小，晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值的105%，接近所述预设阈值时，吸附模块开始减速按压所述晶圆，为晶圆整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值时停止按压作为准备；以保证系统安稳运行，避免按压速度突变而引起的一系列失控运动，比如装置倾倒。

进一步地，所述方法还包括：在所述吸附模块按压所述晶圆的过程中，当所述整体翘曲度的绝对值为5.25mm时，所述吸附模块开始减速按压所述晶圆，直到所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值时停止按压所述晶圆。

进一步地，所述步骤S2还包括：实时获取所述吸附模块与晶圆承载模块之间的距离，基于所述晶圆整体翘曲度和所述吸附模块与所述晶圆承载模块的距离，实时调整所述吸附模块按压所述晶圆的速度和按压力。

具体的，初始状态时，吸附模块与晶圆承载模块之间的距离较大，吸附模块接触翘曲晶圆之前，吸附模块向下按压的速度大于吸附模块开始接触翘曲晶圆时的速度，以减少吸附模块接触翘曲晶圆的时间，提高工作效率。

步骤S3：实时判断所述整体翘曲度的绝对值是否小于或等于所述预设阈值；若是，则执行步骤S4；若否，则继续执行所述步骤S2。

步骤S4：控制所述吸附模块停止按压所述晶圆。

在具体实施例中，对于翘曲程度较大的晶圆，通过按压模块按压翘曲晶圆，直至翘曲晶圆整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值时，停止按压翘曲晶圆，将翘曲晶圆的翘曲程度减小，以便提供翘曲程度较小的晶圆供吸附模块吸附；避免在吸附翘曲程度较大的晶圆时，吸附力难以控制导致晶圆破裂或晶圆脱落。

步骤S5：获取所述晶圆的多个边缘区域和所述边缘区域的翘曲度，根据所述边缘区域的翘曲度，分别计算吸附所述晶圆的所述多个边缘区域需要施加的吸附力。

进一步地，所述步骤S5中的所述多个边缘区域包括至少一个边缘翘曲区域。

在某些实施例中，步骤S5中的所述晶圆的多个边缘区域中至少一个边缘区域发生了翘曲，即边缘翘曲区域。

步骤S6：所述吸附模块以不同的所述吸附力吸附所述晶圆的多个边缘区域，从晶圆正面将晶圆吸附起来。

其中，晶圆正面是指晶圆上加工制作成各种电路元件结构的一面，是实现特定电性功能的关键部分。

当晶圆整体翘曲度的绝对值小于或等于预设阈值时，吸附模块吸附晶圆的边缘区域时，从晶圆正面将晶圆吸附起来，并减少对晶圆的污染。

具体的，将晶圆边缘分为多个边缘区域，分别获取各个边缘区域的位置和对应边缘区域的翘曲度，据此分别计算吸附所述晶圆的所述多个边缘区域需要施加的吸附力。吸附模块以不同的所述吸附力吸附所述晶圆的多个边缘区域，吸附并搬运晶圆。根据晶圆的边缘区域翘曲度以不同的吸附力分区吸附晶圆，通过分区吸附晶圆，进一步避免晶圆被吸附时出现晶圆破裂或脱落的情况。

其中，晶圆边缘区域的翘曲度，根据晶圆最低点与所在晶圆边缘区域范围内最高点的高度差来确定。

在具体实施例中，在所述步骤S2之前还包括以下步骤：

步骤S100：判断所述晶圆的整体翘曲度是否为0；若所述整体翘曲度为0，则以均匀的吸附力吸附所述晶圆；若所述整体翘曲度不为0，则执行步骤S110；

步骤S110：判断所述整体翘曲度的绝对值是否大于0，且小于或等于所述预设阈值，若是，则执行步骤S5；若否，则执行步骤S2。

通过步骤S100和步骤S110，对晶圆的翘曲程度进一步细分，对于平坦的晶圆，即晶圆的整体翘曲度为0的晶圆，以均匀的吸附力吸附晶圆；对于翘曲程度比较小的晶圆，即晶圆整体翘曲度的绝对值大于0，且小于或等于所述预设阈值的晶圆，根据晶圆的边缘翘曲区域的翘曲度，以不同的吸附力吸附对应的边缘区域。

在该实施例中，所述晶圆吸附控制方法，通过判断晶圆的翘曲程度，根据不同的翘曲程度采取相应的晶圆吸附方法，实现了采用一种晶圆吸附系统吸附不同翘曲度晶圆，能够适应不同翘曲度的晶圆，无需更换吸附装置或调整机构，适应性强。

本申请的第二方面：

图2为本申请实施例提供的一种晶圆吸附控制系统，用于实现上述晶圆吸附控制方法。如图2所示，该晶圆吸附控制系统包括：晶圆承载模块10、采集模块20、计算模块30、吸附模块40、判断模块50和控制模块60；其中：

所述晶圆承载模块10，用于承载待吸附的晶圆。

所述采集模块20，用于实时获取所述晶圆的整体翘曲度；用于获取晶圆的边缘区域和所述边缘区域的翘曲度；用于获取所述吸附模块40与所述晶圆承载模块10之间的距离。

进一步地，所述采集模块20为三维形貌仪或探测器。

所述计算模块30，用于根据所述晶圆的多个边缘区域和所述边缘区域的翘曲度，分别计算吸附所述晶圆的所述多个边缘区域需要施加的吸附力。

所述吸附模块40，用于按压所述晶圆，使所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于预设阈值后，以不同的所述吸附力吸附所述晶圆的多个所述边缘区域。

进一步地，所述吸附模块40为机械手。

所述判断模块50，用于判断所述晶圆的整体翘曲度是否为0；用于判断所述晶圆的整体翘曲度的绝对值是否小于或等于所述预设阈值。

所述控制模块60，用于根据实时所述晶圆的整体翘曲度和所述吸附模块40与所述晶圆承载模块10的距离，实时调整所述吸附模块40按压所述晶圆的速度，直到所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值时停止按压所述晶圆。

基于本发明实施例提供的一种晶圆吸附控制系统，通过吸附模块40按压整体翘曲度较大的晶圆，使晶圆整体翘曲度减小后吸附晶圆，从而实现从晶圆正面吸取翘曲度较大的翘曲晶圆，同时避免吸附力过大造成晶圆损伤，吸附力过小导致晶圆脱落。通过实时获取的晶圆整体翘曲度和吸附模块40与晶圆承载模块10之间的距离，实时调整吸附模块40按压翘曲晶圆的速度，避免以较大的速度按压整体翘曲度较大的晶圆时，导致晶圆破裂，同时提高了工作效率。

本申请的第三方面：

基于同一发明构思，本申请还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，在一个实施例中，程序被处理器执行时可实现上述实施例中任一项的晶圆吸附控制方法。

本申请的第四方面：

基于同一发明构思，本申请还提供一种计算机设备，包括：处理器、存储介质，以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述晶圆吸附控制方法的步骤。具体实现方式和技术效果类似，这里不再赘述。

本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：只读存储器（ROM，Read Only Memory）、随机存取存储器（RAM，RandomAccess Memory）、磁盘或光盘等。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种晶圆吸附控制方法，用于吸附待搬运的翘曲晶圆，其特征在于，包括：

步骤S1：实时获取所述晶圆的整体翘曲度；

步骤S2：当所述整体翘曲度的绝对值大于预设阈值时，基于所述整体翘曲度，控制吸附模块按压所述晶圆，实时调整所述吸附模块按压所述晶圆的速度和按压力；

步骤S3：实时判断所述整体翘曲度的绝对值是否小于或等于所述预设阈值；若是，则执行步骤S4；若否，则继续执行所述步骤S2；

步骤S4：控制所述吸附模块停止按压所述晶圆；

步骤S5：获取所述晶圆的多个边缘区域和所述边缘区域的翘曲度，根据所述边缘区域的翘曲度，分别计算吸附所述晶圆的所述多个边缘区域需要施加的吸附力；

步骤S6：所述吸附模块以不同的所述吸附力吸附所述晶圆的多个边缘区域。

2.根据权利要求1所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤S5中的所述多个边缘区域包括至少一个边缘翘曲区域。

3.根据权利要求2所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，在所述步骤S2之前还包括：

步骤S100：判断所述整体翘曲度是否为0；若所述整体翘曲度为0，则以均匀的吸附力吸附所述晶圆；若所述整体翘曲度不为0，则执行步骤S110；

步骤S110：判断所述整体翘曲度的绝对值是否大于0，且小于或等于所述预设阈值，若是，则执行步骤S5；若否，则执行步骤S2。

4.根据权利要求3所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：随着所述晶圆的整体翘曲度的绝对值逐渐减小，实时调整所述按压力逐渐减小。

5.根据权利要求4所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：

当所述晶圆的整体翘曲度的绝对值大于所述预设阈值的200%时，所述吸附模块低速按压所述晶圆；

当所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值的200%，且大于所述预设阈值的105%时，所述吸附模块加速按压所述晶圆；

当所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值的105%时，所述吸附模块开始减速按压所述晶圆。

6.根据权利要求5所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述预设阈值为5mm。

7.根据权利要求6所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述吸附模块按压所述晶圆的过程中，当所述整体翘曲度的绝对值为5.25mm时，所述吸附模块开始减速按压所述晶圆，直到所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值时停止按压所述晶圆。

8.根据权利要求1所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：实时获取所述吸附模块与晶圆承载模块之间的距离，基于所述晶圆的整体翘曲度和所述吸附模块与所述晶圆承载模块的距离，实时调整所述吸附模块按压所述晶圆的速度和按压力。

9.一种晶圆吸附控制系统，用于实现权利要求1-8中任一项所述晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述系统包括晶圆承载模块、采集模块、计算模块、吸附模块、判断模块和控制模块；其中：

所述晶圆承载模块，用于承载待吸附的晶圆；

所述采集模块，用于实时获取所述晶圆的整体翘曲度；用于获取晶圆的边缘区域和所述边缘区域的翘曲度；用于获取所述吸附模块与所述晶圆承载模块之间的距离；

所述计算模块，用于根据所述晶圆的多个边缘区域和所述边缘区域的翘曲度，分别计算吸附所述晶圆的所述多个边缘区域需要施加的吸附力；

所述吸附模块，用于按压所述晶圆，使所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于预设阈值后，以不同的所述吸附力吸附所述晶圆的多个所述边缘区域；

所述判断模块，用于判断所述晶圆的整体翘曲度是否为0；用于判断所述晶圆的整体翘曲度的绝对值是否小于或等于所述预设阈值；

所述控制模块，用于根据实时所述晶圆的整体翘曲度和所述吸附模块与所述晶圆承载模块的距离，实时调整所述吸附模块按压所述晶圆的速度和按压力，直到所述晶圆的整体翘曲度的绝对值小于或等于所述预设阈值时停止按压所述晶圆。