CN217387123U - 用于晶圆吸附的真空吸盘 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体技术领域,特别是涉及一种用于晶圆吸附的真空吸盘。本实用新型的目的是提供一种在不降低支撑性能的前提下减小支撑面积,在同等真空度下增大吸附力的用于晶圆吸附的真空吸盘,具体包括吸盘本体、支撑单元、吸附单元,所述支撑单元为设置于吸盘本体表面的多个金字塔形状的凸块相邻两所述凸块之间的区域形成所述吸附单元,所述吸附单元连通抽真空装置。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别是涉及一种用于晶圆吸附的真空吸盘。
背景技术
在晶圆制造设备中,需要稳固地将晶圆固定,以保证晶圆在加工过程中无滑动,无翘曲。常见的方式是采用真空吸盘将晶圆吸附在吸盘上,吸盘的吸力大小决定了是否可以稳固吸附晶圆,吸盘的支撑结构决定了能否将晶圆平整支撑。
现有技术中,常见的真空吸盘为环形沟槽吸盘。具体是,在平面上加工出一个或多个同心圆沟槽并互相连接,设置真空抽气孔连接真空气源。剩余区域磨平,作为支撑晶圆区域。这种真空吸盘结构简单,加工难度低,但由于支撑区域较大,导致真空作用区域很小,即使将真空度调到最大,产生的真空吸力也很小,这类真空吸盘通常只用来静态吸附晶圆,而不涉及晶圆高速运动时的吸附。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种在不降低支撑性能的前提下减小支撑面积,在同等真空度下增大吸附力的用于晶圆吸附的真空吸盘。
为了解决上述技术问题,本申请提供了如下技术方案:
本实用新型一种用于晶圆吸附的真空吸盘,包括吸盘本体、支撑单元、吸附单元,所述支撑单元为设置于吸盘本体表面的多个金字塔形状的凸块,相邻两所述凸块之间的区域形成所述吸附单元,所述吸附单元连通抽真空装置。
本实用新型一种用于晶圆吸附的真空吸盘,其中所述多个凸块在所述吸盘本体表面首尾相接紧密排列。
本实用新型一种用于晶圆吸附的真空吸盘,其中相邻两所述凸块顶部之间的间距为2mm-4mm。
本实用新型一种用于晶圆吸附的真空吸盘,其中各所述凸块顶部经尖角倒钝处理。
本实用新型一种用于晶圆吸附的真空吸盘,其中各所述凸块顶部紧密贴合有接触层。
本实用新型一种用于晶圆吸附的真空吸盘,其中所述吸盘本体内开设有至少一个负压气道,所述负压气道相互连通,其中一个所述负压气道的一端连接抽真空装置,所述负压气道的其他端部均封堵,所述吸盘本体上开设有多个通孔,各所述通孔一端连通所述负压气道,各所述通孔另一端连通所述吸附单元。
本实用新型一种用于晶圆吸附的真空吸盘,其中各所述负压气道所在平面与所述吸盘本体所在平面相互平行,各所述通孔均垂直设置。
本实用新型一种用于晶圆吸附的真空吸盘,所述吸盘本体内开设有多个负压气道,各所述负压气道的一端均相互连通,各所述负压气道的另一端分别连接一抽真空装置,所述吸盘本体上开设有多个通孔,各所述通孔一端连通所述负压气道,各所述通孔另一端连通所述吸附单元。
本实用新型一种用于晶圆吸附的真空吸盘,其中各所述通孔在所述吸盘本体表面呈放射状分布。
本实用新型一种用于晶圆吸附的真空吸盘,其中各所述通孔的直径为1mm。
与现有技术相比,本实用新型用于晶圆吸附的真空吸盘至少具有以下有益效果:
本实用新型用于晶圆吸附的真空吸盘,由于支撑单元为多个金字塔形状的凸块,凸块的顶部用于支撑晶圆,两凸块之间的部分均用于真空吸附,因此在不降低支撑性能的前提下将支撑面积减小,从而获得最大的吸附单元面积,在同等真空度下增大吸附力,不仅可以用于静态承载晶圆、高速动态承载晶圆,更可以用于晶圆受到垂向提升力、侧向推力等外力时的承载,比如解键合状态时的承载。
下面结合附图对本实用新型用于晶圆吸附的真空吸盘作进一步说明。
附图说明
图1为本实用新型用于晶圆吸附的真空吸盘的截面结构示意图;
图2为本实用新型用于晶圆吸附的真空吸盘的吸盘本体的部分截面结构示意图;
图3为本实用新型用于晶圆吸附的真空吸盘的部分立体结构示意图;
图4为本实用新型用于晶圆吸附的真空吸盘的通孔分布结构示意图。
具体实施方式
如图1、图2、图3所示,本实用新型用于晶圆吸附的真空吸盘,包括吸盘本体10、支撑单元、吸附单元12,支撑单元为设置于吸盘本体10表面的多个金字塔形状的凸块11,相邻两凸块11之间的区域为吸附单元12,吸附单元12连通抽真空装置,晶圆13放置于凸块11表面,通过抽真空装置将吸附单元12抽真空,即可吸附晶圆13,在吸盘本体10的与晶圆13的外缘区域相对应位置设置密封环,以保证与大气隔离,密封环面与凸块11顶部在同一平面内。本实用新型用于晶圆吸附的真空吸盘,由于支撑单元为多个金字塔形状的凸块11,凸块11的顶部用于支撑晶圆,两凸块11之间的部分均用于真空吸附,因此在不降低支撑性能的前提下将支撑面积减小,从而获得最大的吸附单元面积,在同等真空度下增大吸附力,不仅可以用于静态承载晶圆、高速动态承载晶圆,更可以用于晶圆受到垂向提升力、侧向推力等外力时的承载,比如解键合、热滑移、撕膜等状态时的承载。
可选地,多个凸块11在吸盘本体10上首尾相接紧密排列,即在吸盘本体10的纵向上,一个凸块11的后侧边与相邻凸块的前侧边重合,在吸盘本体10的横向上,一个凸块11的左侧边与相邻凸块的右侧边重合。凸块11首尾相接紧密排列,进一步增大支撑力。
可选地,相邻两凸块11顶部之间的间距为2mm-4mm,进一步保证晶圆不会由于支撑间距过大而产生变形。
可选地,各凸块11顶部经尖角倒钝处理,避免划伤晶圆背面,且可以延长吸盘本体的使用寿命。
可选地,各凸块11顶部紧密贴合有接触层,接触层经表面处理得到,表面处理通常采用硬质阳极氧化或沉积陶瓷的方式,进一步避免划伤晶圆背面,并防止金属离子污染。
可选地,吸盘本体10内开设有一个或多个负压气道21,负压气道21设置多个时,各负压气道21相互连通,其中一个负压气道21的一端连接抽真空装置,各负压气道21的其他端部均封堵,吸盘上还开设有多个通孔22,各通孔22一端连通负压气道21,各通孔22另一端连通吸附单元12。抽真空装置通过负压气道21、各通孔22将吸附单元12抽真空。
具体地,各负压气道21所在平面与吸盘本体10所在平面相互平行,各通孔22垂直设置。
可选地,吸盘本体10内开设有多个负压气道21,各负压气道21的一端均相互连通,各负压气道21的另一端分别连接有一抽真空装置。具体地,负压气道21设置六组,六组负压气道21在吸盘本体10的中心处相互连通,六组负压气道21在吸盘本体10的外圆处分别连接一抽真空装置。通过多个抽真空装置连接多个负压气道21外口,抽真空速度更快、负压气道21的真空度更均匀,吸附单元12的真空度更均匀。
可选地,如图4所示,各通孔22在吸盘本体10表面呈放射状分布,使抽真空速度更快、负压气道21的真空度更均匀。具体地,各通孔22的直径为1mm。
以上所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述,并非对本实用新型的范围进行限定,在不脱离本实用新型设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进,均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。
Claims (10)
1.一种用于晶圆吸附的真空吸盘,其特征在于,包括吸盘本体(10)、支撑单元、吸附单元(12),所述支撑单元为设置于吸盘本体(10)表面的多个金字塔形状的凸块(11),相邻两所述凸块(11)之间的区域形成所述吸附单元(12),所述吸附单元(12)连通抽真空装置。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆吸附的真空吸盘,其特征在于,多个所述凸块(11)在所述吸盘本体(10)表面首尾相接紧密排列。
3.根据权利要求2所述的用于晶圆吸附的真空吸盘,其特征在于,相邻两所述凸块(11)顶部之间的间距为2mm-4mm。
4.根据权利要求3所述的用于晶圆吸附的真空吸盘,其特征在于,各所述凸块(11)顶部经尖角倒钝处理。
5.根据权利要求4所述的用于晶圆吸附的真空吸盘,其特征在于,各所述凸块(11)顶部紧密贴合有接触层。
6.根据权利要求5所述的用于晶圆吸附的真空吸盘,其特征在于,所述吸盘本体(10)内开设有至少一个负压气道(21),所述负压气道(21)相互连通,其中一个所述负压气道(21)的一端连接抽真空装置,所述负压气道(21)的其他端部均封堵,所述吸盘本体(10)上开设有多个通孔(22),各所述通孔(22)一端连通所述负压气道(21),各所述通孔(22)另一端连通所述吸附单元(12)。
7.根据权利要求6所述的用于晶圆吸附的真空吸盘,其特征在于,各所述负压气道(21)所在平面与所述吸盘本体(10)所在平面相互平行,各所述通孔(22)均垂直设置。
8.根据权利要求5所述的用于晶圆吸附的真空吸盘,其特征在于,所述吸盘本体(10)内开设有多个负压气道(21),各所述负压气道(21)的一端相互连通,各所述负压气道(21)的另一端分别连接一抽真空装置,所述吸盘本体(10)上开设有多个通孔(22),各所述通孔(22)一端连通所述负压气道(21),各所述通孔(22)另一端连通所述吸附单元(12)。
9.根据权利要求7或8所述的用于晶圆吸附的真空吸盘,其特征在于,各所述通孔(22)在所述吸盘本体(10)表面呈放射状分布。
10.根据权利要求9所述的用于晶圆吸附的真空吸盘,其特征在于,各所述通孔(22)的直径为1mm。
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CN202221165379.8U Active CN217387123U (zh) | 2022-05-16 | 2022-05-16 | 用于晶圆吸附的真空吸盘 |
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2022
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