CN118147615A - 分气转接环、托盘旋转机构及半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种分气转接环、托盘旋转机构及半导体处理设备，半导体处理设备的反应腔内设置托盘旋转机构，所述托盘旋转机构包含支撑套筒、设置在所述支撑套筒内的拉杆组件，以及位于所述支撑套筒顶部的分气转接环，用于承托晶圆的晶圆托盘组件设置在分气转接环中的环主体上，晶圆托盘组件的下方设置加热装置，环主体内设置多条第一吹扫气体通道，用于向晶圆托盘组件的底部与加热装置的顶部之间的区域吹扫气体。本发明防止颗粒物沉积在加热装置上，有效保护加热装置，确保对晶圆的均匀加热，延长了加热装置的使用寿命。

Description

分气转接环、托盘旋转机构及半导体处理设备

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种分气转接环、托盘旋转机构及半导体处理设备。

背景技术

目前的薄膜沉积设备中，反应腔内设置可承载一片或多片晶圆的晶圆托盘，晶圆托盘的底部与托盘旋转机构连接，托盘旋转机构在驱动器的驱动下带动晶圆托盘旋转，反应腔内通入反应气体，对晶圆进行沉积操作。在晶圆托盘的下方设置有加热装置，用于在半导体制程中加热晶圆托盘，以控制晶圆的制程温度。在制程中会产生反应副产物，这些杂质颗粒附着在加热装置的表面，无法被及时清理，会影响加热效率并导致加热不均匀，降低了晶圆加工良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体处理设备及其托盘旋转装置和分气转接环，防止颗粒物沉积在加热装置上，有效保护加热装置，确保对晶圆的均匀加热，延长器件使用寿命。

为了达到上述目的，本发明提供一种用于托盘旋转机构的分气转接环，所述托盘旋转机构设置在半导体处理设备的反应腔内，所述托盘旋转机构的顶部设置晶圆托盘组件，所述托盘旋转机构用于驱动所述晶圆托盘组件旋转，所述晶圆托盘组件用于承载晶圆，所述晶圆托盘组件的下方设置加热装置，所述分气转接环包含：

环主体，所述晶圆托盘组件设置在所述环主体上；

第一吹扫气体通道，其设于所述环主体内，其包含吹扫出气端，所述吹扫出气端用于向所述晶圆托盘组件的底部与所述加热装置的顶部之间的区域吹扫气体。

所述吹扫出气端设置在所述分气转接环的外侧壁。

所述第一吹扫气体通道还包含吹扫进气端，所述吹扫进气端设置在所述分气转接环的顶部或者所述分气转接环的内侧壁。

可选地，所述第一吹扫气体通道的数量至少为3个。

可选地，多个所述第一吹扫气体通道沿环主体的圆周方向均匀分布。

所述环主体内还包含：多条第一驱动气体通道，所述第一驱动气体通道用于驱动所述晶圆转动。

所述第一吹扫气体通道和所述第一驱动气体通道相互分立设置。

所述环主体上具有多个定位凹槽，所述晶圆托盘组件上具有多个定位凸起；或者，所述环主体上具有多个定位凸起，所述晶圆托盘组件上具有多个定位凹槽；通过定位凸起和定位凹槽的相互配合实现所述分气转接环与晶圆托盘组件的连接。

所述托盘旋转机构还包含：支撑套筒和设置在所述支撑套筒内的拉杆组件，所述分气转接环设置于所述支撑套筒的顶部，所述拉杆组件用于拉紧分气转接环和晶圆托盘组件；所述环主体上具有多个卡槽，所述卡槽设置在所述环主体与所述拉杆组件接触的位置。

相应地，本发明还提供一种托盘旋转机构，其设置在半导体处理设备的反应腔内，与设置在所述反应腔底部的驱动器连接，用于承托晶圆的晶圆托盘组件设置在所述托盘旋转机构的顶部，所述托盘旋转机构包含：

分气座，其连接所述驱动器，所述分气座在所述驱动器输出的驱动力的驱动下，带动整个托盘旋转机构旋转，所述分气座中具有多条第二吹扫气体通道，所述第二吹扫气体通道与吹扫气体源连通；

支撑套筒，其设置在所述分气座上，所述支撑套筒具有内腔区域，所述旋转机构内腔区域与所述第二吹扫气体通道连通；

所述的分气转接环，所述分气转接环中具有第一吹扫气体通道，所述第一吹扫气体通道与内腔区域连通，使来自第二吹扫气体通道的吹扫气体能够到达所述晶圆托盘组件的底部与所述加热装置的顶部之间的区域；

拉杆组件，其一端与所述分气座固定连接，另一端分别连接所述分气转接环和所述晶圆托盘组件，用于拉紧所述分气转接环以及所述晶圆托盘组件。

所述拉杆组件的顶端具有多根连接杆，所述连接杆的端部嵌设在所述分气转接环上，用于提供向下的拉力压紧所述分气转接环。

所述支撑套筒的筒壁内设置多条第二驱动气体通道，所述第二驱动气体通道的出气端与所述第一驱动气体通道的进气端连通；所述分气座内设置多条第三驱动气体通道，所述第三驱动气体通道的进气端与驱动气体源连通，所述第三驱动气体通道的出气端与所述第二驱动气体通道的进气端连通。

相应地，本发明还提供一种半导体处理设备，包含：

反应腔；

所述的托盘旋转机构，其设置在所述反应腔内；

驱动器，其设置在所述反应腔底部，与所述托盘旋转机构的底部连接，用于驱动所述托盘旋转机构旋转；

晶圆托盘组件，其设置在所述托盘旋转机构顶部，可随所述托盘旋转机构旋转，所述晶圆托盘组件用于承载一片或多片晶圆；

加热装置，其设置在所述晶圆托盘组件的下方，用于加热所述晶圆托盘组件。

所述晶圆托盘组件包含：

托盘，其设置在所述分气转接环的顶部，所述托盘具有第一中心孔；

多个晶圆基座，所述晶圆基座均匀分布在所述托盘上；

托盘盖板，其设置在所述托盘上方，所述托盘盖板具有第二中心孔，用于容纳压紧盖板，所述托盘盖板上均匀分布多个晶圆通孔，用于容纳晶圆基座；

压紧盖板，其设置在所述托盘上，位于所述托盘的第一中心孔上方，所述压紧盖板与所述拉杆组件固定连接，用于将所述晶圆托盘组件固定在所述托盘旋转机构上。

所述托盘底部具有一环状斜面，所述环状斜面向远离所述分气转接环的外侧壁的方向倾斜，所述环状斜面与水平面之间的角度为135°～170°。

所述压紧盖板与所述分气转接环的顶部之间预留一间隙，使所述支撑套筒内的吹扫气体能够进入所述分气转接环顶部的吹扫进气端。

所述托盘包含：多个定位凸起，所述定位凸起与所述分气转接环上的定位凹槽相匹配，所述定位凸起嵌设在所述定位凹槽内，实现所述晶圆托盘组件和所述托盘旋转机构之间的定位连接。

所述托盘包含：多条第四驱动气体通道，所述第四驱动气体通道与所述分气转接环中的第一驱动气体通道连通。

所述半导体处理设备还包含气体源，所述气体泵包含吹扫气体源和驱动气体源；

所述吹扫气体源通过管路连接至所述分气座上的第二吹扫气体通道，用于提供吹扫气体；

所述驱动气体源通过管路连接至所述分气座中的第三驱动气体通道，用于提供驱动气体。

所述半导体处理设备还包含：

进气装置，其设置在所述反应腔的顶部；

抽气装置，其设置在所述反应腔的底部。

与现有技术相比，本发明的技术方案至少具有如下有益效果：

本发明提供的托盘旋转机构中，通过在托盘旋转机构中的分气转接环上增设第一吹扫气体通道，将吹扫气体吹向晶圆托盘组件的底部与加热装置的顶部之间的区域，使得该区域得到有效的吹扫清洁，防止颗粒物沉积在加热装置上，有效地保护了加热装置，并保证了对晶圆基座的均匀加热，确保了产品良率。同时也通过吹扫气流的流动有效降低了托盘旋转机构内部的温度，延长了加热装置的使用寿命。

附图说明

图1是本发明提供的一种半导体处理设备的结构示意图。

图2是图1中半导体处理设备的驱动气道和吹扫气道的结构示意图。

图3是图1中半导体处理设备的吹扫气道的结构示意图。

图4是本发明提供的一种分气转接环的结构示意图。

具体实施方式

以下根据图1～图4，具体说明本发明的较佳实施例。

如图1所示，本发明提供一种半导体处理设备，包含反应腔1，所述反应腔1内设置托盘旋转机构2，所述反应腔1的底部设置驱动器3，所述驱动器3与所述托盘旋转机构2的底部连接，用于驱动所述托盘旋转机构2旋转，在所述托盘旋转机构2的顶部设置晶圆托盘组件4，所述晶圆托盘组件4上承载一片或多片晶圆，所述晶圆托盘组件4可随所述托盘旋转机构2旋转。在所述晶圆托盘组件4的下方设置有加热装置5，用于加热所述晶圆托盘组件4。所述反应腔1的顶部还设置进气装置6，用于提供反应气体，相应地，所述反应腔1的底部设置抽气装置7，用于排出制程结束后的剩余气体。

如图1和图2所示，所述托盘旋转机构2包含：分气座201、支撑套筒202、分气转接环203和拉杆组件204；所述分气座201连接所述驱动器3，所述分气座201在所述驱动器3输出的驱动力的驱动下，带动支撑套筒202和分气转接环203以及拉杆组件204旋转，从而带动所述晶圆托盘组件4旋转；所述支撑套筒202设置在所述分气座201上，所述支撑套筒202具有内腔区域207(见图2)；所述分气转接环203设置在所述支撑套筒202上；所述拉杆组件204的底端与所述分气座201固定连接，所述拉杆组件204的顶端具有连接件205，所述连接件205用于连接并拉紧所述晶圆托盘组件4，所述拉杆组件204的顶端还具有多根连接杆206，所述连接杆206用于连接并拉紧所述分气转接环203。

如图1和图2所示，所述晶圆托盘组件4包含：设置在所述分气转接环203顶部的托盘401，所述托盘401具有第一中心孔41，所述第一中心孔41的直径小于所述分气转接环203的外径，且所述第一中心孔41的直径大于所述分气转接环203的内径，从而保证所述托盘401可以放置在所述分气转接环203的顶部而不脱落；在所述托盘401上沿圆周方向均匀分布多个晶圆基座402，每个晶圆基座402用于承载晶圆；在所述托盘401上方设置有托盘盖板403，所述托盘盖板403具有第二中心孔42，所述第二中心孔42的位置与所述第一中心孔41的位置相匹配，即所述第二中心孔42和第一中心孔41同心设置，以容纳压紧盖板404，所述托盘盖板403上均匀分布多个晶圆通孔43，所述晶圆通孔43的位置与所述晶圆基座402的位置相匹配，即所述晶圆通孔43和所述晶圆基座402同心设置，且所述晶圆通孔43的直径大于所述晶圆基座402的直径，以避免所述晶圆基座402与所述托盘盖板403发生干涉；在所述托盘401的第一中心孔41内和所述托盘盖板403的第二中心孔42内的位置处还设置压紧盖板404，所述压紧盖板404位于所述托盘401的第一中心孔41的上方，且所述压紧盖板404延伸至所述托盘401的第一中心孔41内，从而保证所述压紧盖板404可以放置在所述托盘401的顶部而不脱落，且所述拉杆组件204施加给所述压紧盖板404的拉紧力也可以传导至所述托盘401，所述压紧盖板404与所述托盘401和所述托盘盖板403之间都具有间隙；所述压紧盖板404上具有连接通孔44，所述拉杆组件204顶端的连接件205穿过所述连接通孔44后，固定并拉紧所述压紧盖板404。

如图1～图3所示，所述晶圆托盘组件4中的托盘401设置在所述托盘旋转机构2中的分气转接环203上，如图4所示，所述分气转接环203包含一环主体208，所述环主体208设置在所述支撑套筒202的顶部，用于支撑所述托盘401，为了更好地承托并安装所述托盘401，所述环主体208上设置多个定位凹槽213，所述定位凹槽213设置在所述环主体208与所述托盘401接触的位置，相应地，所述托盘401上也设置多个定位凸起(图中未显示)，所述定位凸起与所述分气转接环203上的定位凹槽213的位置和尺寸皆相匹配，且所述定位凹槽213和所述定位凸起是非均匀分布的，只有当所述定位凹槽213和所述定位凸起之间的位置完全达到一一对应，才能令所述托盘401上的所有定位凸起一一对应地嵌设在所述分气转接环203上的定位凹槽213内，从而实现所述晶圆托盘组件4和所述托盘旋转机构2之间的定位连接。同理，也可以在所述环主体208上设置多个定位凸起，而在所述托盘401上设置多个定位凹槽，通过定位凸起和定位凹槽的相互配合实现所述分气转接环与晶圆托盘组件的定位连接。

进一步，为了与所述拉杆组件204更好地连接，所述环主体208上设置有多个卡槽214，所述卡槽214设置在与所述拉杆组件204上的多根连接杆206接触的位置，所述连接杆206嵌设在所述卡槽214内，对所述环主体208施加向下的拉力，从而拉紧所述分气转接环203。

如图2所示，所述分气座201内设置多条第三驱动气体通道21，所述第三驱动气体通道21的进气端与驱动气体源连接(图中未显示)，所述驱动气体源通过管路连接至所述分气座201中的第三驱动气体通道21，用于提供驱动气体；所述支撑套筒202的筒壁内设置多条第二驱动气体通道22，所述第二驱动气体通道22的进气端与所述第三驱动气体通道21的出气端连通；所述分气转接环203的环主体208内设置多条第一驱动气体通道23，所述第一驱动气体通道23的进气端(图4中未显示)与所述第二驱动气体通道22的出气端连通；所述托盘401中设置多条第四驱动气体通道24，所述第四驱动气体通道24的进气端与所述第一驱动气体通道23的出气端209(如图4所示)连通，所述第四驱动气体通道24的出气端位于所述晶圆基座402的下方；所述第三驱动气体通道21、第二驱动气体通道22、第一驱动气体通道23和第四驱动气体通道24组成完整的驱动气体通道，将来自驱动气体源的驱动气体输送至所述晶圆基座402的下方，从而驱动所述晶圆基座402旋转。

进一步，如图3和图4所示，所述分气座201中设置多条第二吹扫气体通道25，所述第二吹扫气体通道25的进气端与吹扫气体源连接(图中未显示)，所述吹扫气体源通过管路连接至所述分气座201中的第二吹扫气体通道25，用于提供吹扫气体，所述第二吹扫气体通道25的出气端与所述旋转机构内腔区域207连通，用于将吹扫气体充满所述旋转机构内腔区域207；所述分气转接环203的环主体208内设置多条第一吹扫气体通道26，所述第一吹扫气体通道26与环主体208内设置的所述第一驱动气体通道23相互分立设置，相互之间不能发生连通或交叉的现象，以保证吹扫气道和驱动气道是相互独立工作，互相不干扰；所述第一吹扫气体通道26具有吹扫进气端211和吹扫出气端212，所述吹扫进气端211与所述旋转机构内腔区域207连通，所述吹扫出气端211设置在所述分气转接环的环主体308的外侧壁；所述第二吹扫气体通道25、旋转机构内腔区域207和第一吹扫气体通道26组成吹扫气体通道，来自吹扫气体源的吹扫气体通过所述第二吹扫气体通道25进入所述旋转机构内腔区域207，吹扫气体在所述旋转机构内腔区域207中扩散并从下至上吹扫，进入所述第一吹扫气体通道26的吹扫进气端211，最终通过所述第一吹扫气体通道26的吹扫出气端212吹向所述托盘401底部与所述加热装置5的顶部之间的区域，使得所述托盘401的底部与所述加热装置5的顶部之间的区域得到有效的吹扫清洁，防止颗粒物沉积在加热装置5上，有效地保护了加热装置5，并保证了对晶圆基座的均匀加热，确保了产品良率。与此同时，由于将吹扫气流引入了所述旋转机构内腔区域207，通过吹扫气流的流动也带走了部分热量，有效降低了所述托盘旋转机构2内部的温度，延长了器件使用寿命。

在本发明的一个实施例中，所述第一吹扫气体通道26的数量至少为3个，所述第一吹扫气体通道26沿所述环主体208的圆周方向均匀分布，可以令整个圆周方向上的加热装置5都得到均匀的吹扫气流，避免出现清洁死角。所述第一吹扫气体通道26的吹扫进气端211设置在所述环主体208的内侧壁，即，所述第一吹扫气体通道26呈直线型设置，这样令来自所述旋转机构内腔区域207中的吹扫气体更容易进入所述第一吹扫气体通道26，且直线传播更利于吹扫气体的尽快传播，有利于提高吹扫效率。实际上，所述第一吹扫气体通道的个数不做限定，可以为其它个数。

如图4所示，在本发明的另一个实施例中，所述第一吹扫气体通道26的吹扫进气端211设置在所述环主体208的顶面，即，所述第一吹扫气体通道26呈L型设置，L型的气道更易于加工，降低了加工成本。如图3所示，为了配合L型的第一吹扫气体通道26，在所述压紧盖板404与所述分气转接环203的顶部之间保持一安装间隙27(请见图3)，所述安装间隙27能够令来自所述旋转机构内腔区域207中的吹扫气体更容易地进入设置在所述环主体208的顶面的吹扫进气端211，提高吹扫效率。

更进一步，如图3所示，在本发明的另一个实施例中，所述托盘401的底部设置一环状斜面405，所述环状斜面405向远离所述分气转接环203外侧壁的方向倾斜，所述环状斜面405与水平面之间的角度α为135°～170°，所述环状斜面405形成一引流缓冲面，可以令来自所述第一吹扫气体通道26的吹扫出气端212的吹扫气体更容易地吹扫至所述托盘401底部与所述加热装置5的顶部之间的区域，提高了吹扫效率，提升了对加热装置5的清洁效果。

本发明通过在托盘旋转机构上增设吹扫气体通道，将吹扫气体吹向晶圆托盘组件的底部与加热装置的顶部之间的区域，使得该区域得到有效的吹扫清洁，防止颗粒物沉积在加热装置上，有效地保护了加热装置，并保证了对晶圆基座的均匀加热，确保了产品良率。同时也通过吹扫气流的流动有效降低了托盘旋转机构内部的温度，延长了器件使用寿命。

所述第二吹扫气体通道25、旋转机构内腔区域207和第一吹扫气体通道26组成吹扫气体通道，来自吹扫气体源的吹扫气体通过所述第二吹扫气体通道25进入所述旋转机构内腔区域207，吹扫气体在所述旋转机构内腔区域207中扩散并从下至上吹扫，进入所述第一吹扫气体通道26的吹扫进气端211，最终通过所述第一吹扫气体通道26的吹扫出气端212。

本发明提供的托盘旋转机构中，通过在托盘旋转机构中的分气转接环上增设第一吹扫气体通道，将吹扫气体吹向晶圆托盘组件的底部与加热装置的顶部之间的区域，使得该区域得到有效的吹扫清洁，防止颗粒物沉积在加热装置上，有效地保护了加热装置，并保证了对晶圆基座的均匀加热，确保了产品良率。同时也通过吹扫气流的流动有效降低了托盘旋转机构内部的温度，延长了加热装置的使用寿命。

需要说明的是，在本发明的实施例中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述实施例，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

尽管本发明的内容已经通过上述可选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (20)

1.一种用于托盘旋转机构的分气转接环，所述托盘旋转机构设置在半导体处理设备的反应腔内，所述托盘旋转机构的顶部设置晶圆托盘组件，所述托盘旋转机构用于驱动所述晶圆托盘组件旋转，所述晶圆托盘组件用于承载晶圆，所述晶圆托盘组件的下方设置加热装置，其特征在于，所述分气转接环包含：

环主体，所述晶圆托盘组件设置在所述环主体上；

第一吹扫气体通道，其设于所述环主体内，其包含吹扫出气端，所述吹扫出气端用于向所述晶圆托盘组件的底部与所述加热装置的顶部之间的区域吹扫气体。

2.如权利要求1所述的分气转接环，其特征在于，所述吹扫出气端设置在所述分气转接环的外侧壁。

3.如权利要求2所述的分气转接环，其特征在于，所述第一吹扫气体通道还包含吹扫进气端，所述吹扫进气端设置在所述分气转接环的顶部或者所述分气转接环的内侧壁。

4.如权利要求3所述的分气转接环，其特征在于，所述第一吹扫气体通道的数量至少为3个。

5.如权利要求4所述的分气转接环，其特征在于，多个所述第一吹扫气体通道沿环主体的圆周方向均匀分布。

6.如权利要求1所述的分气转接环，其特征在于，所述环主体内还包含：多条第一驱动气体通道，所述第一驱动气体通道用于驱动所述晶圆转动。

7.如权利要求6所述的分气转接环，其特征在于，所述第一吹扫气体通道和所述第一驱动气体通道相互分立设置。

8.如权利要求1所述的分气转接环，其特征在于，所述环主体上具有多个定位凹槽，所述晶圆托盘组件上具有多个定位凸起；或者，所述环主体上具有多个定位凸起，所述晶圆托盘组件上具有多个定位凹槽；通过定位凸起和定位凹槽的相互配合实现所述分气转接环与晶圆托盘组件的连接。

9.如权利要求1所述的分气转接环，其特征在于，所述托盘旋转机构还包含：支撑套筒和设置在所述支撑套筒内的拉杆组件，所述分气转接环设置于所述支撑套筒的顶部，所述拉杆组件用于拉紧分气转接环和晶圆托盘组件；所述环主体上还具有多个卡槽，所述卡槽设置在所述环主体与所述拉杆组件接触的位置。

10.一种托盘旋转机构，其设置在半导体处理设备的反应腔内，与设置在所述反应腔底部的驱动器连接，用于承托晶圆的晶圆托盘组件设置在所述托盘旋转机构的顶部，其特征在于，所述托盘旋转机构包含：

分气座，其连接所述驱动器，所述分气座在所述驱动器输出的驱动力的驱动下，带动整个托盘旋转机构旋转，所述分气座中具有多条第二吹扫气体通道，所述第二吹扫气体通道与吹扫气体源连通；

支撑套筒，其设置在所述分气座上，所述支撑套筒具有内腔区域，所述旋转机构内腔区域与所述第二吹扫气体通道连通；

如权利要求1-9中任意一项所述的分气转接环，所述分气转接环中具有第一吹扫气体通道，所述第一吹扫气体通道与内腔区域连通，使来自第二吹扫气体通道的吹扫气体能够到达所述晶圆托盘组件的底部与所述加热装置的顶部之间的区域；

拉杆组件，其一端与所述分气座固定连接，另一端分别连接所述分气转接环和所述晶圆托盘组件，用于拉紧所述分气转接环以及所述晶圆托盘组件。

11.如权利要求10所述的托盘旋转机构，其特征在于，所述拉杆组件的顶端具有多根连接杆，所述连接杆的端部嵌设在所述分气转接环上，用于提供向下的拉力压紧所述分气转接环。

12.如权利要求10所述的托盘旋转机构，其特征在于，所述环主体内还包含：多条第一驱动气体通道；所述支撑套筒的筒壁内设置多条第二驱动气体通道，所述第二驱动气体通道的出气端与所述第一驱动气体通道的进气端连通；所述分气座内设置多条第三驱动气体通道，所述第三驱动气体通道的进气端与驱动气体源连通，所述第三驱动气体通道的出气端与所述第二驱动气体通道的进气端连通。

13.一种半导体处理设备，其特征在于，包含：

反应腔；

如权利要求10-12中任意一项所述的托盘旋转机构，其设置在所述反应腔内；

驱动器，其设置在所述反应腔底部，与所述托盘旋转机构的底部连接，用于驱动所述托盘旋转机构旋转；

晶圆托盘组件，其设置在所述托盘旋转机构顶部，可随所述托盘旋转机构旋转，所述晶圆托盘组件用于承载一片或多片晶圆；

加热装置，其设置在所述晶圆托盘组件的下方，用于加热所述晶圆托盘组件。

14.如权利要求13所述的半导体处理设备，其特征在于，所述晶圆托盘组件包含：

托盘，其设置在所述分气转接环的顶部，所述托盘具有第一中心孔；

多个晶圆基座，所述晶圆基座均匀分布在所述托盘上；

托盘盖板，其设置在所述托盘上方，所述托盘盖板具有第二中心孔，用于容纳压紧盖板，所述托盘盖板上均匀分布多个晶圆通孔，用于容纳晶圆基座；压紧盖板，其设置在所述托盘上，位于所述托盘的第一中心孔上方，所述压紧盖板与所述拉杆组件固定连接，用于将所述晶圆托盘组件固定在所述托盘旋转机构上。

15.如权利要求14所述的半导体处理设备，其特征在于，所述托盘底部具有一环状斜面，所述环状斜面向远离所述分气转接环的外侧壁的方向倾斜，所述环状斜面与水平面之间的角度为135°～170°。

16.如权利要求14所述的半导体处理设备，其特征在于，所述分气转接环顶部设有吹扫进气端；所述压紧盖板与所述分气转接环的顶部之间预留一间隙，使所述支撑套筒内的吹扫气体能够进入所述分气转接环顶部的吹扫进气端。

17.如权利要求14所述的半导体处理设备，其特征在于，所述托盘包含：多个定位凸起，所述定位凸起与所述分气转接环上的定位凹槽相匹配，所述定位凸起嵌设在所述定位凹槽内，实现所述晶圆托盘组件和所述托盘旋转机构之间的定位连接。

18.如权利要求14所述的半导体处理设备，其特征在于，所述分气转接环内还设有第一驱动气体通道；所述托盘包含：多条第四驱动气体通道，所述第四驱动气体通道与所述分气转接环中的第一驱动气体通道连通。

19.如权利要求13所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包含气体源，所述气体泵包含吹扫气体源和驱动气体源；

所述吹扫气体源通过管路连接至所述分气座上的第二吹扫气体通道，用于提供吹扫气体；

所述分气座中设有第三驱动气体通道；所述驱动气体源通过管路连接至所述分气座中的第三驱动气体通道，用于提供驱动气体。

20.如权利要求13所述半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包含：

进气装置，其设置在所述反应腔的顶部；

抽气装置，其设置在所述反应腔的底部。