CN118136086A - 芯片测试方法及相关设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种芯片测试方法及相关设备，所述方法包括：以预设步进，控制芯片的表面温度从第一温度升高至第二温度，记录升温过程中每个温度对应的芯片的第一性能数据；在达到第二温度以后，以预设步进，从第二温度降低至第一温度，记录降温过程中每个温度对应的第二性能数据；根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据，判断是否符合对芯片的温控点进行检测的条件；若符合对芯片的温控点进行检测的条件，对第一性能数据或第二性能数据进行分析，从第一性能数据或第二性能数据中确定连续数量的且性能数据波动在预设范围内的多个目标性能数据；基于多个目标性能数据对应的温度，确定芯片的温控点。本申请能够兼容测试不同型号的芯片。

Description

芯片测试方法及相关设备

技术领域

本申请涉及芯片领域，尤其涉及一种芯片测试方法及相关设备。

背景技术

UFS(Universal Flash Storage，通用闪存储存)芯片是一种嵌入式非易失性存储器，广泛应用于手机、平板等智能终端，其具有高性能的同时也带来了高功耗和高发热量，具备温控能力的UFS产品可以采用温控措施，通过降低性能来控制自身功耗以及降低发热。但对UFS产品的开发而言，由于不同的UFS会存在不同的参数，缺少一种通用的芯片性能的评估方案。

发明内容

本申请实施例公开了一种芯片测试方法及相关设备，解决了难以统一评估不同型号的芯片性能的技术问题。

本申请提供一种芯片测试方法，所述方法包括：以预设步进，控制所述芯片的表面温度从第一温度升高至第二温度，记录升温过程中每个温度对应的所述芯片的第一性能数据；在达到所述第二温度以后，以所述预设步进，从所述第二温度降低至所述第一温度，记录降温过程中每个温度对应的第二性能数据；根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据，判断是否符合对所述芯片的温控点进行检测的条件；若符合对所述芯片的温控点进行检测的条件，对所述第一性能数据或所述第二性能数据进行分析，从所述第一性能数据或所述第二性能数据中确定连续数量的且性能数据波动在预设范围内的多个目标性能数据；基于所述多个目标性能数据对应的温度，确定所述芯片的温控点。

在一些可选的实施方式中，所述基于所述多个目标性能数据对应的温度，确定所述芯片的温控点包括：从所述第一性能数据中确定多个目标性能数据，将所述多个目标性能数据中的第一个目标性能数据对应的温度作为所述温控点；或从所述第二性能数据中确定多个目标性能数据，将所述多个目标性能数据中的最后一个目标性能数据对应的温度作为所述温控点。

在一些可选的实施方式中，在所述控制所述芯片的表面温度从第一温度升高至第二温度之前，所述方法还包括：配置所述芯片的测试环境，包括初始化所述芯片的测试参数，所述测试参数包括顺序读写测试参数和随机读写测试参数，其中，所述顺序读写测试参数和所述随机读写测试参数分别包括测试次数、读写的分块大小、读写的文件大小、队列深度。

在一些可选的实施方式中，所述以预设步进，控制所述芯片的表面温度从第一温度升高至第二温度，包括：在所述第一温度时，基于所述顺序读写测试参数对所述芯片执行顺序读写测试，记录所述顺序读写测试过程中所述芯片对应的第一性能数据；基于所述随机读写参数，对所述芯片执行随机读写测试，记录所述随机读写测试过程中所述芯片对应的第一性能数据；完成所述顺序读写测试以及所述随机读写测试之后，以所述预设步进，调整所述第一温度，对调整后的温度执行所述顺序读写测试以及所述随机读写测试，并记录调整后的温度对应的第一性能数据，直至所述调整后的温度达到第二温度。

在一些可选的实施方式中，所述顺序读写测试包括顺序写测试，所述随机读写测试包括随机写测试，所述完成所述顺序读写测试以及所述随机读写测试之后，所述方法还包括：擦除所述顺序写测试和所述随机写测试对应的地址数据，令所述芯片在预设时长内处于空载状态；在所述预设时长之后，以所述预设步进对所述芯片的温度进行调整。

在一些可选的实施方式中，所述根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据，判断是否符合对所述芯片的温控点进行检测的条件，包括：计算每个温度对应的第一性能数据和第二性能数据之间的第一差值；若所述第一差值在预设的误差范围内，确定符合对所述芯片的温控点进行检测的条件；若所述第一差值不在预设的误差范围内，更新所述第一温度和所述第二温度。

在一些可选的实施方式中，所述根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据，判断是否符合对所述芯片的温控点进行检测的条件，包括：对所述每个温度对应的第一性能数据进行分析，得到升温过程的升速比例；对所述每个温度对应的第二性能数据进行分析，得到降温过程的降速比例；若所述升速比例与所述降速比例相等，确定符合对所述芯片的温控点进行检测的条件；若所述升速比例与所述降速比例不相等，更新所述第一温度和所述第二温度。

在一些可选的实施方式中，对所述升速比例的计算包括：计算所述第一温度对应的第一性能数据与所述第二温度对应的第一性能数据之间的第二差值；根据所述第二差值与所述第一温度对应的第一性能数据的比值，得到所述升速比例；对所述降速比例的计算包括：计算所述第二温度对应的第二性能数据与所述第一温度对应的第二性能数据之间的第三差值；根据所述第三差值与所述第一温度对应的第二性能数据的比值，得到所述降速比例。

本申请还提供一种电子设备，所述电子设备包括处理器和存储器，所述处理器用于执行所述存储器中存储的计算机程序时实现所述的芯片测试方法。

本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述的芯片测试方法。

本申请提供的芯片测试方法及相关设备，通过记录升温过程中每个温度对应的第一性能数据，以及降温过程中每个温度对应的第二性能数据，确定芯片进入温控模式以后的温控点，为开发芯片产品的人员提供数据支持，使得在对芯片测试的过程中能够准确地利用温控点进入温控模式和退出温控模式，提高芯片开发的效率。

附图说明

图1是本申请实施例提供的芯片测试方法的应用场景示意图。

图2是本申请实施例提供的芯片测试方法的流程图。

图3是本申请一实施例提供的芯片测试方法的流程图。

具体实施方式

为了便于理解，示例性的给出了部分与本申请实施例相关概念的说明以供参考。

需要说明的是，本申请中“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或多于两个。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。本申请的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不是用于描述特定的顺序或先后次序。

UFS(Universal Flash Storage，通用闪存储存)芯片是一种嵌入式非易失性存储器，广泛应用于手机、平板等智能终端，其具有高性能的同时也带来了高功耗和高发热量，具备温控能力的UFS产品可以采用温控措施，通过降低性能来控制自身功耗以及降低发热。但对UFS产品的开发而言，由于不同的UFS会存在不同的参数，缺少一种通用的芯片性能的评估方案。

为了解决难以统一评估不同型号的芯片性能的技术问题，本申请实施例提供了一种芯片测试方法及相关设备，能够兼容对不同型号的芯片的检测。为了更好地理解本申请实施例提供的芯片测试方法及相关设备，下面首先对本申请芯片测试方法的应用场景进行描述。

图1是本申请实施例提供的芯片测试方法的应用场景示意图。本申请实施例提供的芯片测试方法应用于电子设备1中，所述电子设备1包括，但不限于：通过通信总线11连接的存储器12、至少一个处理器13、温度检测单元14以及数据监测单元15。利用温度检测单元14采集温度(例如，第一温度、第二温度)，利用数据监测单元15采集每个温度对应的性能数据(例如，第一性能数据、第二性能数据)，并将采集的温度以及性能数据存储至存储器12，使得处理器13可调用相关数据进行相关的分析与处理。所述温度检测单元14可以是具备温度监测功能的设备，例如，红外高温计，所述数据监测单元15可以是具备数据采集功能的设备，例如，数据采集仪。

所述示意图1仅仅是电子设备1的示例，并不构成对电子设备1的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如电子设备1还可以包括输入输出设备、网络接入设备等。

为了解决上述问题，请参阅图2所示，图2是本申请实施例提供的芯片测试方法的流程图，应用在电子设备(例如图1的电子设备1)中。根据不同的需求，该流程图中步骤的顺序可以改变，某些步骤可以省略。

步骤21，以预设步进，控制芯片的表面温度从第一温度升高至第二温度，记录升温过程中每个温度对应的芯片的第一性能数据。

为了对芯片(例如，UFS芯片)进行测试，需要配置相应的测试环境。在本申请一实施例中，对UFS芯片进行测试，需要对UFS芯片配置相应的测试环境，包括初始化芯片的测试参数，测试参数可以是UFS芯片的性能参数，可以包括顺序读写测试参数和随机读写测试参数。例如，顺序读写测试参数和随机读写测试参数具体可以包括但不限于：测试次数、读写的分块大小(chunk size)、读写的文件大小(file size)、队列深度(queue depth)。其中，顺序读写测试参数还可以包括顺序读测试参数以及顺序写测试参数，使得UFS芯片在进行顺序读测试或顺序写测试时运行相应的参数；随机读写测试参数包括随机读测试参数以及随机写测试参数，使得UFS芯片在进行随机读测试或随机写测试时运行相应的参数。除了上述提及的测试参数以外，在配置测试环境时，还可以对芯片配置一个普通逻辑单元，以及写增强功能模块和主机增强功能模块，以增强芯片的读写性能，同时，使得测试芯片的效率更高。

在完成对测试参数的配置以后，通过芯片的表面温度可以获取芯片相应的性能数据，在本申请一实施例中，可以设置一个温度区间，所述温度区间包括第一温度和第二温度，其中，第一温度可以是测试芯片的初始温度，第二温度可以是测试芯片的结束温度。

在一具体实施例中，测试参数完成配置以后，可以在芯片内预先存储1G文件作为测试数据，设置测试芯片的初始温度为第一温度，例如，55度。为了使芯片的内外温度一致，检测芯片的表面温度，直至表面温度达到55度以后，等待一预设时间(如，3分钟)再进行芯片测试。

在芯片的表面温度为第一温度(如55度)时，对芯片进行顺序读测试以及顺序写测试，可以设置测试次数为3次、读写的分块大小为512KB、读写的文件大小为1G、队列深度为32。具体地，每次访问芯片时读写的分块大小为512KB大小，每次访问芯片时读写的文件大小为1G，每次读写时可以传输的命令的数量为32。上述仅作为示例，不对具体测试参数值作限定。

在芯片的表面温度为第一温度(如55度)时，对芯片进行随机读测试以及随机写测试时，可以设置测试次数为3次、读写的分块大小为4KB、读写的文件大小为256MB、队列深度为32。具体的，每次访问芯片时读写的分块大小为4KB大小，每次访问芯片时读写的文件大小为256MB，每次读写时可以传输的命令的数量为32。上述仅作为示例，不对具体测试参数值作限定。

在对芯片测试的过程中，周期性地记录芯片的第一性能数据，第一性能数据可以是芯片的表面温度、性能限制通知(Performance Throttling Notification，PTN)的次数和数据输入/输出(Input/Output，I/O)的速率。

在第一温度(如55度)时对芯片进行了顺序读写测试以及随机读写测试以后，发送unmap命令擦除顺序写测试以及随机写测试对应的地址数据，令芯片在预设时长内处于空载状态，预设时长可以是90秒，在预设时长以后，以预设步进，对芯片的表面温度进行升温处理，例如，假设预设步进为2度，则将第一温度(如55度)调整为57度，每次芯片的表面温度升高2度，直至芯片的表面温度达到第二温度(如105度)。在升温过程中，记录每个温度对应的第一性能数据，例如，以第一性能数据为表征读写性能的数据为例，例如在温度为55度时，利用数据监测单元获取芯片的温度在55度时对应的读写性能的数据，可以采用具体的数值表示读写性能数据，例如，1000。因此，在升温过程中，记录每个温度对应的第一性能数据，具体为：记录55度对应的第一性能数据为1000，57度对应的第一性能数据为800，59度对应的第一性能数据为600，…，105度对应的第一性能数据为600。

在本申请的实施例中，预设步进可以呈线性递增，例如，在控制芯片的表面温度从第一温度升高至第二温度的过程中，每次递增2度，具体地，假设第一温度为55度，以预设步进为2度进行递增，则将55度调整为57度，进一步以预设步进为2度进行递增，则将57度调整为59度，以此类推，直至芯片的表面温度升高至第二温度。

在另一实施例中，预设步进还可以呈非线性递增，例如，在控制芯片的表面温度从第一温度升高至第二温度的过程中，为了提高测试的速度，可以设置多个不同的预设步进，具体地，假设第一温度为55度，以预设步进为2度进行递增，则将55度调整为57度，在调整为57度以后，以预设步进为4度进行递增，将57度调整为61度，在调整为61度以后，以预设步进为5度进行递增，将61度调整为66度，依次类推，每次调整温度对应的预设步进可以不同，直至芯片的表面温度升高至第二温度。

以上展示的预设步进只是示例性地，不构成对本申请的限定，可以根据实际的应用场景相应设置。

步骤22，在达到第二温度以后，以预设步进从第二温度降低至第一温度，记录降温过程中每个温度对应的第二性能数据。

在本申请的一个实施例中，在对芯片进行升温处理以后，即芯片此时的表面温度为第二温度，控制芯片进行降温处理，即控制芯片的表面温度逐步下降至第一温度，每次下降预设步进的温度，降温过程是升温过程的逆过程，并且，在降温过程中记录每个温度对应的第二性能数据。

在本申请的实施例中，在芯片的表面温度达到第二温度以后，预设步进可以呈线性递减，例如，在控制芯片的表面温度从第二温度降低至第一温度的过程中，每次递减2度，具体地，假设第二温度为105度，以预设步进为2度进行递减，则将105度调整为103度，进一步以预设步进为2度进行递减，则将103度调整为101度，以此类推，直至芯片的表面温度降低至第一温度。

例如，在一些示例中，以第一性能数据是测试芯片读写性能时检测到的数据为例进行说明，由于降温过程是升温过程的逆过程，假设在升温的过程中以预设步进为2度的方式线性递增，则，相应地，在降温过程中以预设步进为2度进行线性递减，并且记录在降温过程中，每个温度对应的第二性能数据。具体为：在升温过程中，55度测试的第一性能数据为1000，57度测试的第一性能数据为800，59度对应的第一性能数据为600，…，105度对应的第一性能数据为600；在降温过程中，105度对应的第二性能数据为600，…，59度对应的第二性能数据为600，57度测试的第二性能数据为800，55度测试的第二性能数据为1000。

在另一实施例中，预设步进还可以呈非线性递减，例如，在控制芯片的表面温度从第二温度降低至第一温度的过程中，可以设置多个不同的预设步进，具体地，假设第二温度为105度，以预设步进为2度进行递减，则将105调整为103度，在调整为103度以后，以预设步进为3度进行递减，将103度调整为100度，依次类推，每次调整温度对应的预设步进可以不同，直至芯片的表面温度降低至第一温度。

由于降温过程是升温过程的逆过程，假设在升温的过程中，预设步进是以非线性递增的方式对温度进行调整，则，在降温的过程中，采用与升温过程中同样的预设步进调整温度。

例如，在一些示例中，在升温过程中，以预设步进为2度将55度调整为57度，以预设步进为3度将57度调整为60度，以预设步进为1度将60度调整为61度。相应地，在降温过程中，以预设步进为1度将61度调整为60度，以预设步进为3度将60度调整为57度，以预设步进为2度将57度调整为55度。

以上展示的预设步进只是示例性地，不构成对本申请的限定，可以根据实际的应用场景相应设置。

由于降温过程是升温过程的逆过程，即升温过程的结束温度为降温过程的初始温度，测试过程与升温过程相同，在此不再重复阐述，可参考步骤21的逆过程。在升温与降温过程中对性能数据的采集过程可以参考下文针对图3所示的流程图。

图3是本申请一实施例提供的芯片测试方法的流程图，如图3所示，包括以下步骤：

步骤31，在开始测试时，设置测试芯片的测试参数，且在芯片预先存储1G文件，设置升温过程的初始温度(如第一温度)。

步骤32，执行顺序读测试。

在顺序读测试中，实时记录芯片的第一性能数据，假设顺序读测试预先设置训练次数为3次，在进行3次测试以后，再执行步骤33。

步骤33，执行顺序写测试。

在顺序写测试中，实时记录芯片的第一性能数据，假设顺序写测试预先设置训练次数为3次，在进行3次测试以后，再执行步骤34。

步骤34，执行随机读测试。

在随机读测试中，实时记录芯片的第一性能数据，假设随机读测试预先设置训练次数为3次，在进行3次测试以后，再执行步骤35。

步骤35，执行随机写测试。

在随机写测试中，实时记录芯片的第一性能数据，假设随机写测试预先设置训练次数为3次，在进行3次测试以后，再执行步骤36。

步骤36，擦除顺序写测试和随机写测试对应的地址数据，令芯片在预设时长内处于空载状态。

步骤37，判断是否达到结束温度，如果没有达到结束温度，继续执行步骤32～步骤36。

在升温的过程中，如果检测到芯片的表明温度还没有达到结束温度，则继续升温，即，继续执行步骤32～步骤36。

步骤38，如果达到结束温度，则以预设步进，执行降温过程。

在表明温度达到结束温度以后，以预设步进执行降温过程，例如，在升温过程的结束温度为105度，则在降温过程中，以105为初始温度进行降温，以预设步进为2度进行降温，例如，从105度降温至103度。对降温过程中，每个温度的第二性能数据的采集可以参考升温过程中第一性能数据的采集，并且，降温过程中的预设步进与升温过程的预设步进一致，即，如果在升温过程中以线性递增的方式进行温度调整，相应地，在降温过程中以线性递减的方式进行温度调整，如果在升温过程中以非线性递增的方式进行温度调整，相应地，在降温过程中以非线性递减的方式进行温度调整。

本申请实施例能够利用升温以及升温的逆过程(即降温)确定采集性能数据，使得采集到的性能数据更准确，并且，在温度调整的过程中，可以设置不同的预设步进，以提高检测的效率以及准确度。

步骤23，根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据，判断是否符合对芯片的温控点进行检测的条件。

芯片的温控点的检测，能够在进行芯片测试时准确地进入温控模式以及退出温控模式，提高测试的效率以及准确度。为了能准确地对芯片进行检测，根据每个温度对应的第一性能数据以及第二性能数据，确定符合对芯片的温控点进行检测的条件。

在本申请的一个实施例中，根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据，判断是否符合对芯片的温控点进行检测的条件，可以包括：计算每个温度对应的第一性能数据和第二性能数据之间的差值，若第一差值在预设的误差范围内，则表明预先设置的温度区间以及预设步进符合对芯片检测的条件，若第一差值不在预设的误差范围内，则表明预先设置的温度区间以及预设步进不符合对芯片检测的条件，更新温度区间以及预设步进，重新进行检测。

例如，在一些示例中，以第一性能数据是测试芯片读写性能时检测到的数据为例进行说明，升温过程：55度检测到的第一性能数据为1000，57度检测到的第一性能数据为800，…，105度检测到的第一性能数据为600，降温过程：105度检测到的第二性能数据为598，…，57度检测到的第二性能数据为800，55度检测到的第二性能数据为1000，对每个温度对应的第一性能数据和第二性能数据进行分析，可以看出，在温度为105度时，第一性能数据与第二性能数据的第一差值为2，假设预设的误差范围为0～2.5，则第一差值为2在预设的误差范围内，确定符合对芯片的温控点进行检测的条件。

在本申请的另一个实施例中，根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据，判断是否符合对芯片的温控点进行检测的条件，还可以包括：对每个温度对应的第一性能数据进行分析，得到升温过程的升速比例。对升速比例的计算包括：计算第一温度对应的第一性能数据与第二温度对应的第一性能数据之间的第二差值，根据第二差值与第一温度对应的第一性能数据的比值，得到升速比例。

例如，在一些示例中，55度对应的第一性能数据为1000，57度对应的第一性能数据为800，则芯片在57度时相对于55度的升速比例为20％，59度的第一性能数据为600，则芯片在59度时相对于55度的升速比例为40％。

进一步计算降速比例，通过对每个温度对应的第二性能数据进行计算，对降速比例的计算包括：计算第二温度对应的第二性能数据与第一温度对应的第二性能数据之间的第三差值，根据第三差值与第一温度对应的第二性能数据的比值，得到降速比例。

例如，在一些示例中，59度的第二性能数据为600，57度对应的第二性能数据为800，则降速比例为20％，55度对应的第二性能数据为1000，则降速比例为40％。

将升速比例与降速比例进行对比，若升速比例与降速比例相等，表明符合对芯片的温控点的检测条件，例如，从55度升高至57度的升速比例为20％，从57度降低至55度的降速比例为20％，即升速比例与降速比例相等。若升速比例与降速比例不相等，表明不符合对芯片的温控点的检测条件，更新第一温度以及第二温度。

步骤24，若符合对芯片的温控点进行检测的条件，对第一性能数据或第二性能数据进行分析，从第一性能数据或第二性能数据中确定连续数量的且性能数据波动在预设范围内的多个目标性能数据。

在本申请的一个实施例中，若根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据确定符合对芯片的温控点进行检测的条件，对第一性能数据进行分析，从第一性能数据中确定连续数量的且性能数据波动在预设范围内的多个目标性能数据。

具体地，假设升温过程中，55度对应的第一性能数据为1000，57度对应的第一性能数据为800，59度对应的第一性能数据为600，61度对应的第一性能数据为600，63度对应的第一性能数据为599，65度对应的第一性能数据为600，…，105度对应的第一性能数据为600，连续数量设置为3，波动的预设范围为0～2。对升温过程的第一性能数据分析可知，从59度开始，第一性能数据稳定在600左右，均在波动的预设范围为0～2以内，将59度至63度对应的第一性能数据作为目标性能数据。其中，连续数量也可以是稳定波动在预设范围内对应的数量，在此不作限定。

或者，还可以对第二性能数据进行分析，从第二性能数据中确定连续数量的且性能数据波动在预设范围内的多个目标性能数据。

具体地，假设降温过程中，105度对应的第二性能数据为600，103度对应的第二性能数据为599，101度对应的第二性能数据为600，…，55度对应的第二性能数据为1000，连续数量设置为3，波动的预设范围为0～2。对降温过程的第二性能数据分析可知，从105度开始，第二性能数据稳定在600左右，均在波动的预设范围为0～2以内，将101度和105度对应的第二性能数据作为目标性能数据。连续数量也可以是稳定波动在预设范围内对应的数量，在此不作限定。

步骤25，基于多个目标性能数据对应的温度，确定芯片的温控点。

在本申请的一个实施例中，确定多个目标性能数据以后，从多个目标性能数据对应的温度中，确定芯片的温控点，包括：从第一性能数据中确定多个目标性能数据，将多个目标性能数据中的第一个目标性能数据对应的温度作为温控点，或从第二性能数据中确定多个目标性能数据，将多个目标性能数据中的最后一个目标性能数据对应的温度作为温控点。

例如，在一些示例中，假设在升温过程中，55度对应的第一性能数据为1000，57度对应的第一性能数据为800，59度对应的第一性能数据为600，61度对应的第一性能数据为600，63度对应的第一性能数据为599，…，则将59度作为芯片的温控点。

假设在降温过程中，确定的多个目标性能数据以及对应的温度为：105度对应的第二性能数据为600，103度对应的第二性能数据为599，101度对应的第二性能数据为600，…，59度对应的第二性能数据为600，57度对应的第二性能数据为800，55度对应的第二性能数据为1000，则将59度作为芯片的温控点。

本申请通过设置不同的温度，测试温度对应的性能数据，并且，利用升温和降温的过程进行验证，使得温度对应的性能数据测试的更准确，进一步，确定进入温控模式的温控点更准确。本申请能够针对不同型号的芯片设置不同的温控策略，即第一温度、第二温度以及预设步进，能够兼容对不同的芯片产品的测试，以提供研发的数据支持。

请继续参阅图1，本实施例中，所述存储器12可以是电子设备1的内部存储器，即内置于所述电子设备1的存储器。在其他实施例中，所述存储器12也可以是电子设备1的外部存储器，即外接于所述电子设备1的存储器。

在一些实施例中，所述存储器12用于存储程序代码和各种数据，并在电子设备1的运行过程中实现高速、自动地完成程序或数据的存取。

所述存储器12可以包括随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘、智能存储卡(Smart Media Card，SMC)、安全数字(Secure Digital，SD)卡、闪存卡(Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。

在一实施例中，所述处理器13可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者所述处理器也可以是其它任何常规的处理器等。

所述存储器12中的程序代码和各种数据如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程，例如芯片测试方法，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于计算机可读存储介质中，所述计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)等。

可以理解的是，以上所描述的模块划分，为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在相同处理单元中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在相同单元中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能模块的形式实现。

最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本申请技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：

以预设步进，控制所述芯片的表面温度从第一温度升高至第二温度，记录升温过程中每个温度对应的所述芯片的第一性能数据；

在达到所述第二温度以后，以所述预设步进，从所述第二温度降低至所述第一温度，记录降温过程中每个温度对应的第二性能数据；

根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据，判断是否符合对所述芯片的温控点进行检测的条件；

若符合对所述芯片的温控点进行检测的条件，对所述第一性能数据或所述第二性能数据进行分析，从所述第一性能数据或所述第二性能数据中确定连续数量的且性能数据波动在预设范围内的多个目标性能数据；

基于所述多个目标性能数据对应的温度，确定所述芯片的温控点。

2.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述基于所述多个目标性能数据对应的温度，确定所述芯片的温控点包括：

从所述第一性能数据中确定多个目标性能数据，将所述多个目标性能数据中的第一个目标性能数据对应的温度作为所述温控点；或

从所述第二性能数据中确定多个目标性能数据，将所述多个目标性能数据中的最后一个目标性能数据对应的温度作为所述温控点。

3.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，在所述控制所述芯片的表面温度从第一温度升高至第二温度之前，所述方法还包括：

配置所述芯片的测试环境，包括初始化所述芯片的测试参数，所述测试参数包括顺序读写测试参数和随机读写测试参数，其中，所述顺序读写测试参数和所述随机读写测试参数分别包括测试次数、读写的分块大小、读写的文件大小、队列深度。

4.根据权利要求3所述的芯片测试方法，其特征在于，所述以预设步进，控制所述芯片的表面温度从第一温度升高至第二温度，包括：

在所述第一温度时，基于所述顺序读写测试参数对所述芯片执行顺序读写测试，记录所述顺序读写测试过程中所述芯片对应的第一性能数据；

基于所述随机读写参数，对所述芯片执行随机读写测试，记录所述随机读写测试过程中所述芯片对应的第一性能数据；

完成所述顺序读写测试以及所述随机读写测试之后，以所述预设步进，调整所述第一温度，对调整后的温度执行所述顺序读写测试以及所述随机读写测试，并记录调整后的温度对应的第一性能数据，直至所述调整后的温度达到第二温度。

5.根据权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于，所述顺序读写测试包括顺序写测试，所述随机读写测试包括随机写测试，所述完成所述顺序读写测试以及所述随机读写测试之后，所述方法还包括：

擦除所述顺序写测试和所述随机写测试对应的地址数据，令所述芯片在预设时长内处于空载状态；

在所述预设时长之后，以所述预设步进对所述芯片的温度进行调整。

6.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据，判断是否符合对所述芯片的温控点进行检测的条件，包括：

计算每个温度对应的第一性能数据和第二性能数据之间的第一差值；

若所述第一差值在预设的误差范围内，确定符合对所述芯片的温控点进行检测的条件；

若所述第一差值不在预设的误差范围内，更新所述第一温度和所述第二温度。

7.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述根据每个温度对应的第一性能数据与第二性能数据，判断是否符合对所述芯片的温控点进行检测的条件，包括：

对所述每个温度对应的第一性能数据进行分析，得到升温过程的升速比例；

对所述每个温度对应的第二性能数据进行分析，得到降温过程的降速比例；

若所述升速比例与所述降速比例相等，确定符合对所述芯片的温控点进行检测的条件；

若所述升速比例与所述降速比例不相等，更新所述第一温度和所述第二温度。

8.根据权利要求7所述的芯片测试方法，其特征在于：

对所述升速比例的计算包括：计算所述第一温度对应的第一性能数据与所述第二温度对应的第一性能数据之间的第二差值；根据所述第二差值与所述第一温度对应的第一性能数据的比值，得到所述升速比例；

对所述降速比例的计算包括：计算所述第二温度对应的第二性能数据与所述第一温度对应的第二性能数据之间的第三差值；根据所述第三差值与所述第一温度对应的第二性能数据的比值，得到所述降速比例。

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括处理器和存储器，所述处理器用于执行存储器中存储的计算机程序以实现如权利要求1至8中任意一项所述的芯片测试方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有至少一个指令，所述至少一个指令被处理器执行时实现如权利要求1至8中任意一项所述的芯片测试方法。