JP5986607B2 - データ記憶装置、および、データメンテナンス方法 - Google Patents
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Description
計時装置166は、データ記憶装置180がオンになる時間、および、工程間の時間等を計時する。
注意すべきことは、周辺の環境温度が高くなることは、エラービット数が高くなり、更新されたブロック数が多くなり、データ記憶装置140がオンになる時間が長くなることを意味し、ブロックが消去される回数が大きくなることは、現在のメンテナンス工程と次のメンテナンス工程間の期間が短くなることに対応する。エラービット数が高くなること、および、更新されたブロック数が多くなることは、エラービット数のスレショルドが低くなることに対応する。
本実施形態において、第一所定条件は第一温度パラメータを含むが、これに限定されない。別の実施形態において、第一所定条件は、さらに、データ記憶装置140が最後にホスト120によりアクセスされた時間、データ記憶装置140がオンにされた時間、および/または、ブロックが消去された回数を含む。
注意すべきことは、第二所定条件中のパラメータは現在の検出されたパラメータであると共に、第三メンテナンス工程と第二メンテナンス工程の処理は同じであることである。
さらに、第四メンテナンス工程と第二メンテナンス工程の処理は同じである。注意すべきことは、コントローラー160はさらに、ブロックの第二エラービット数が第一エラービット数のスレショルドより大きいとき、ブロックを更新することである。
ブロックスキャンにおいて、コントローラー160はフラッシュメモリ180の各ブロックをスキャンして、それぞれのブロックに対応するエラービット数を獲得する。さらに特に、コントローラー160は、フラッシュメモリ180の各ブロックを読み取り、各ブロックのエラー修正(ECC)のエラービット数を獲得する。
そして、プロセスはステップS204に戻る。
プロセスはステップS300から開始される。図3のデータメンテナンス方法は、ステップS300を除いて、図2のデータメンテナンス方法と同じである。よって、ステップS302−S306の詳細は、ステップS202−S206の説明を参照するものとし、説明は省略する。
120 ホスト
140 データ記憶装置
160 コントローラー
162 演算器
164 不揮発性メモリ(ROM)
165 ランダムアクセスメモリ
166 計時装置
180 フラッシュメモリ
190 温度センサー
Claims (14)
- データ記憶装置であって、
複数のブロックを有し、各ブロックが複数のページを有するフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリについてのメンテナンス工程を実行するコントローラー
と、
を備え、
前記メンテナンス工程は、前記コントローラーが、当該メンテナンス工程を終了してから次のメンテナンス工程を開始するまでの期間を決定し、複数のブロックについてブロックスキャンを実行して、それぞれの前記ブロックに対応する複数のエラービット数を獲得すると共に、前記ブロックに対応するエラービット数がエラービット数のスレショルドより大きい時、前記ブロックを更新する工程であり、
前記コントローラーは、
前記データ記憶装置がオンになった後所定時間の経過後、第一メンテナンス工程を実行し、前記第一メンテナンス工程において、現在の所定条件を獲得し、獲得した当該現在の所定条件にしたがって、前記第一メンテナンス工程を終了してから第二メンテナンス工程を開始するまでの期間を決定し、前記ブロックに第一ブロックスキャンを実行して、それぞれの前記ブロックに対応する複数の第一エラービット数を獲得すると共に、前記ブロックに対応する第一エラービット数が所定のエラービット数のスレショルドより大きい時、前記ブロックを更新し、
前記第一メンテナンス工程を終了して、前記第一メンテナンス工程で決定した前記期間の経過後、前記第二メンテナンス工程を実行し、前記第二メンテナンス工程において、前記現在の所定条件を獲得し、獲得した当該現在の所定条件、前記第一エラービット数、および前記第一メンテナンス工程で更新された前記ブロックの数にしたがって、前記第二メンテナンス工程を終了してから第三メンテナンス工程の開始するまでの期間を決定し、
前記第三メンテナンス工程以降の各メンテナンス工程において、前記現在の所定条件を獲得し、獲得した当該現在の所定条件、1つ前のメンテナンス工程で獲得されたエラービット数、および前記1つ前のメンテナンス工程で更新された前記ブロックの数にしたがって、当該メンテナンス工程を終了してから次のメンテナンス工程を開始するまでの期間を決定することを特徴とするデータ記憶装置。 - 周辺の環境温度を検出して、環境温度変化に伴った温度パラメータを生成する温度センサーをさらに有し、
前記コントローラーは、各メンテナンス工程において、前記温度センサーを読み取り、現在の温度パラメータを獲得し、
前記現在の所定条件は、前記現在の温度パラメータを含む
ことを特徴とする請求項1に記載のデータ記憶装置。 - 前記データ記憶装置がオンになった後の所定時間において、前記コントローラーは、所定の時間間隔で前記温度センサーを読み取り現在の温度パラメータを獲得すると共に、前記現在の温度パラメータにしたがって、前記第一メンテナンス工程の開始の時間を調整することを特徴とする請求項2に記載のデータ記憶装置。
- 前記コントローラーはさらに、前記第二メンテナンス工程において前記第一エラービット数および前記第一メンテナンス工程で更新された前記ブロックの数にしたがって第一エラービット数のスレショルドを決定し、前記ブロックに第二ブロックスキャンを実行し、前記ブロックに対応する複数の第二エラービット数を獲得すると共に、前記対応する第二エラービット数が前記第一エラービット数のスレショルドより大きい時、前記ブロックを更新することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のデータ記憶装置。
- 前記現在の所定条件は、前記データ記憶装置がホストに最後にアクセスされる時間を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のデータ記憶装置。
- 前記現在の所定条件は、前記データ記憶装置がオンになった時間を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のデータ記憶装置。
- 前記現在の所定条件は、前記ブロックが消去される回数を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のデータ記憶装置。
- フラッシュメモリを有するデータ記憶装置に適用されるデータメンテナンス方法であって、
前記フラッシュメモリは複数のブロックを有し、各ブロックは複数のページを有し、
前記データメンテナンス方法は、前記フラッシュメモリについてのメンテナンス工程を実行する方法であり、
前記メンテナンス工程は、当該メンテナンス工程を終了してから次のメンテナンス工程を開始するまでの期間を決定し、複数のブロックについてブロックスキャンを実行して、それぞれの前記ブロックに対応する複数のエラービット数を獲得すると共に、前記ブロックに対応するエラービット数がエラービット数のスレショルドより大きい時、前記ブロックを更新する工程であり、
前記データメンテナンス方法は、
前記データ記憶装置がオンになった後所定時間の経過後、第一メンテナンス工程を実行し、前記第一メンテナンス工程において、現在の所定条件を獲得し、獲得した当該現在の所定条件にしたがって、前記第一メンテナンス工程を終了してから第二メンテナンス工程を開始するまでの期間を決定し、前記ブロックに第一ブロックスキャンを実行して、それぞれの前記ブロックに対応する複数の第一エラービット数を獲得すると共に、前記ブロックに対応する第一エラービット数が所定のエラービット数のスレショルドより大きい時、前記ブロックを更新する段階と、
前記第一メンテナンス工程を終了して、前記第一メンテナンス工程で決定した前記期間の経過後、前記第二メンテナンス工程を実行し、前記第二メンテナンス工程において、前記現在の所定条件を獲得し、獲得した当該現在の所定条件、前記第一エラービット数、および前記第一メンテナンス工程で更新された前記ブロックの数にしたがって、前記第二メンテナンス工程を終了してから第三メンテナンス工程の開始するまでの期間を決定する段階と、
前記第三メンテナンス工程以降の各メンテナンス工程において、前記現在の所定条件を獲得し、獲得した当該現在の所定条件、1つ前のメンテナンス工程で獲得されたエラービット数、および前記1つ前のメンテナンス工程で更新された前記ブロックの数にしたがって、当該メンテナンス工程を終了してから次のメンテナンス工程を開始するまでの期間を決定する段階と
を含むことを特徴とするデータメンテナンス方法。 - 各メンテナンス工程は、温度センサーを読み取り、現在の温度パラメータを獲得する段階を有し、
前記現在の所定条件は、前記現在の温度パラメータを含む
ことを特徴とする請求項8に記載のデータメンテナンス方法。 - さらに、
前記データ記憶装置がオンになった後の所定時間中、所定の時間間隔で、前記温度センサーを読み取り、現在の温度パラメータを獲得し、前記現在の温度パラメータにしたがって、前記第一メンテナンス工程の開始の時間を調整する段階
を含むことを特徴とする請求項9に記載のデータメンテナンス方法。 - 前記第二メンテナンス工程は、
前記第一エラービット数および前記第一メンテナンス工程で更新された前記ブロックの数にしたがって第一エラービット数のスレショルドを決定する段階と、
前記ブロックに、第二ブロックスキャンを実行して、前記ブロックに対応する複数の第二エラービット数を獲得する段階と、
前記ブロックに対応する第二エラービット数が前記第一エラービット数のスレショルドより大きい時、前記ブロックを更新する段階と
を含むことを特徴とする請求項8に記載のデータメンテナンス方法。 - 前記現在の所定条件は、前記データ記憶装置が最後にホストにアクセスされる時間を含むことを特徴とする請求項8に記載のデータメンテナンス方法。
- 前記現在の所定条件は、前記データ記憶装置がオンになった時間を含むことを特徴とする請求項8に記載のデータメンテナンス方法。
- 前記現在の所定条件は、前記ブロックが消去される回数を含むことを特徴とする請求項8に記載のデータメンテナンス方法。
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Family Cites Families (26)
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US6426893B1 (en) * | 2000-02-17 | 2002-07-30 | Sandisk Corporation | Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
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JP2009251627A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Panasonic Corp | メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、及び不揮発性記憶システム |
KR100967003B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2010-07-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 |
US8745314B1 (en) * | 2008-06-24 | 2014-06-03 | Virident Systems, Inc. | Methods for a random read and read/write block accessible memory |
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WO2010054670A1 (en) | 2008-11-11 | 2010-05-20 | Nokia Corporation | Method and device for temperature-based data refresh in non-volatile memories |
US7859932B2 (en) | 2008-12-18 | 2010-12-28 | Sandisk Corporation | Data refresh for non-volatile storage |
US8572333B2 (en) | 2008-12-30 | 2013-10-29 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory with extended operating temperature range |
DE112008004246B4 (de) | 2008-12-30 | 2018-11-15 | Micron Technology, Inc. | Temperaturalarm und Niedrig-Raten-Auffrischen für einen nichtflüchtigen Speicher |
US8261136B2 (en) | 2009-06-29 | 2012-09-04 | Sandisk Technologies Inc. | Method and device for selectively refreshing a region of a memory of a data storage device |
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JP2010160816A (ja) | 2010-03-29 | 2010-07-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の制御方法 |
US8656086B2 (en) | 2010-12-08 | 2014-02-18 | Avocent Corporation | System and method for autonomous NAND refresh |
US8472274B2 (en) | 2011-03-02 | 2013-06-25 | Apple Inc. | Using temperature sensors with a memory device |
US8542537B2 (en) * | 2011-04-29 | 2013-09-24 | Spansion Llc | Method and apparatus for temperature compensation for programming and erase distributions in a flash memory |
KR20120125791A (ko) * | 2011-05-09 | 2012-11-19 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US8650353B2 (en) | 2011-07-01 | 2014-02-11 | Intel Corporation | Apparatus, system, and method for refreshing non-volatile memory |
US9176800B2 (en) | 2011-08-31 | 2015-11-03 | Micron Technology, Inc. | Memory refresh methods and apparatuses |
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