CN113838494B - Dram dll时序温度自适应校准方法及系统 - Google Patents
Dram dll时序温度自适应校准方法及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113838494B CN113838494B CN202110913483.4A CN202110913483A CN113838494B CN 113838494 B CN113838494 B CN 113838494B CN 202110913483 A CN202110913483 A CN 202110913483A CN 113838494 B CN113838494 B CN 113838494B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- dram
- ssd
- calibration
- dll
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 27
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 67
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 claims description 36
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 20
- 238000012549 training Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B33/00—Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
- G11B33/14—Reducing influence of physical parameters, e.g. temperature change, moisture, dust
- G11B33/1406—Reducing the influence of the temperature
- G11B33/144—Reducing the influence of the temperature by detection, control, regulation of the temperature
Landscapes
- Dram (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
本发明提供了一种DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统，方法包括以下步骤：获取SSD上电工况；当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准；控制通过DQS读写DRAM数据。本发明提供的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，通过实时监测SSD的温度，并根据温度变化自适应地对DRAM进行相差训练，降低变温环境下相位差引发的数据出错风险。
Description
技术领域
本发明涉及数据传输技术领域，具体是涉及一种固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统。
背景技术
SSD是一种由SSD控制器加上NAND flash闪存阵列组成的存储设备。为了提高性能，SSD要DRAM芯片做数据缓存，以减少读取FTL映射表而产生的频繁访问NAND flash带来的性能开销。目前主流DRAM的数据总线频率一般在800-1600MHZ，在高速数据传输过程中，传输时序的正确性对于数据传输是至关重要的。从DRAM中读取数据时，一个重要的时序参数是DQS与DQ之间的相位关系。理想情况下，DQS的边缘应与DQ的中心对齐，即相位相差90度，但是实际上因为外界因素(温度、PCB走线)的影响，这一条件很难满足。目前已有的方案是，每次SSD上电的时候做一次DLL校准，它通过调整DQS对应的DLL来调整DQS边沿和DQ的时序关系，然后通过数据读写的结果，得到一个合适的相位窗口，选择窗口中间的值作为最终的DQS相位。
现有方案最大的问题是没有考虑到温度对于DLL校准的结果的影响，当SSD工作在工业环境中(-40℃-85℃)时，固定的DLL相差调整结果并不能适应环境温度的剧烈变化，此时可能会使数据在读取时出错，导致系统宕机。
为了更好的说明这一问题，通过模拟真实的应用场景，在高低温温箱环境中，分别采集-40℃，25℃和104℃(考虑到85℃时设备的温升接近20℃)情况下，SSD开机上电DRAM做DLL相差调整得出的最优相位结果，并反复做了26次，将每次的结果如图1所示，具体的参试设备参数如表1所示。
表1 DLL相差调整参数设备参数表
| 设备名称 | 参数 | 工作频率 | 其他说明 |
| Nanya DRAM | NT6CL128M32BQ-H1 | 800MHZ | LPDDR3 |
| SSD控制器 | MAVELL 88SS1093 | 533MHZ | N/A |
| 温箱 | 皓天SMC-22PF | N/A | -40℃-150℃可变 |
上图的试验结果可以看出，在不同温度下DLL相差调整出来的最优相位是不同的，-40℃时相位值较其他两种温度小，特别是在-40℃和104℃的时候，最大相位差接近8度，这样的相位差在高速数据传输时，会导致数据出错给系统带来极大的风险，反之如果DRAM高温上电，然后逐渐降低环境温度，那么也会有同样的风险。
其中，DRAM(Dynamic Random Access Memory)为动态随机存储介质，一般用来做数据缓存；
DLL(Delay Loop Lock)，延迟锁相环，用来对DQS线的数据进行相位调整；
NAND为一种非易失性存储介质，也称作NAND闪存芯片(NAND Flash)；
SSD(Solid State Drive)为固态硬盘，由若干个NAND Flash阵列组成的数据存储设备；
FTL(Flash Translation Layer)，NAND Flash管理算法；
NVMe：NVM(Non-Volatile Memory)Express，一种基于PCIe(PCI Express)数据传输的SSD命令层接口协议；
DQS：为Data Strobe，数据门，指用于DRAM读写总线上数据线信号的采样和判决信号；
DQ指DRAM的数据总线；
DLL校准为通过调整DLL相位值，使得DQS能够产生相位偏移，通过读写DRAM，找到最佳的相位区间，从而得到最优相位点；
Byte Lane，DRAM数据总线一般为8bit/16bit/32bit，对应编号为：bit0，bit1，…bit31，bit0-bit7称为byte lane 0，bit8-bit15称为byte lane1，以此类推；
LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3)第三代低功耗DDR DRAM。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中高低温环境中DLL相位校准不能自适应的问题，提供一种固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统。
第一方面，本发明提供了一种固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应校准方法，包括以下步骤：
获取SSD上电工况；
当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；
根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；
当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准；
控制通过DQS读写DRAM数据。
根据第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述“当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准”步骤，具体包括以下步骤：
当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并控制DQS数据传输时序相位产生偏移；
当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间；
根据获取的数据传输时序的最佳相位区间，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准，并获取与SSD当前温度相适应的DQS最优相位。
根据第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述“当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间”步骤，具体包括以下步骤：
当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取DQS数据传输时序和DQ数据传输时序的相位区间；
将读写DRAM数据正确的连续的DQS相位点组成的区间，作为数据传输时序的最佳相位区间。
根据第一方面，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述“控制通过DQS读写DRAM数据”步骤之后，还包括以下步骤：
对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准。
根据第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述“对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准”步骤，具体包括以下步骤：
获取上次相差校准启动时SSD的实时温度；
将上次相差校准启动时SSD的实时温度作为下次相差校准启动的新的温度采集窗口开启基准；
控制预定时间周期获取SSD温度，将预定时间周期新获取的SSD温度纳入新的温度采集窗口内；
当SSD运行过程中在新的温度采集窗口内温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准；
控制通过DLL对DQS数据传输时序的相位进行调整，直至DQS数据传输时序的边缘与DQ数据传输时序的中心对齐。
根据第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述“对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准”步骤，持续运行直至SSD断电关机。
根据第一方面，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述“控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准”步骤，具体包括以下步骤：
控制通过DLL对DQS数据传输时序的相位进行调整，直至DQS数据传输时序的边缘与DQ数据传输时序的中心对齐。
第二方面，本发明还提供一种固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应校准系统，包括：
上电工况获取模块，用于获取SSD上电工况；
SSD温度获取模块，与所述上电工况获取模块通信连接，用于当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；
温度变化工况获取模块，与所述SSD温度获取模块通信连接，用于根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；
自适应初次校准模块，与所述温度变化工况获取模块通信连接，用于当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准。
DRAM读写模块，与所述自适应初次校准模块通信连接，用于控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准后，控制通过DQS读写DRAM数据。
根据第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述自适应初次校准模块，具体包括以下步骤：
相差偏移控制单元，与所述SSD温度获取模块通信连接，用于当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并控制DQS数据传输时序相位产生偏移；
最佳相位区间获取单元，与相差偏移控制模块通信连接，用于当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间；
自适应初次校准单元，与所述最佳相位区间获取单元通信连接，用于根据获取的数据传输时序的最佳相位区间，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准，并获取与SSD当前温度相适应的DQS最优相位。
根据第二方面，在第二方面的第二种可能的实现方式中，还包括自适应持续校准模块，与所述自适应初次校准模块通信连接，用于对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应持续校准。
与现有技术相比，本发明的优点如下：
本发明提供的固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应校准方法，提出温度自适应的相差校准方法，实时监测SSD的温度，并根据温度变化自适应的对DRAM进行相差训练，以降低DRAM在变温环境下由于相位差的出现，引发的高速数据传输时数据出错给系统带来的风险；
在高低温环境下，保证读DRAM时总线时序的准确性，从而保证信号的完整性，最终提高整个SSD系统的稳定性。
附图说明
图1是模拟试验结果图；
图2是本发明实施例的DRAM DLL时序温度自适应校准方法的方法流程图；
图3是本发明实施例的DRAM DLL时序温度自适应校准方法的方法流程图；
图4是本发明实施例的DRAM DLL时序温度自适应校准系统的功能模块框图；
图5是本发明实施例的DRAM DLL时序温度自适应校准系统的另一功能模块框图；
图6是本发明实施例的DRAM DLL时序温度自适应校准系统的另一功能模块框图。
图中，100、上电工况获取模块；200、SSD温度获取模块；300、温度变化工况获取模块；400、自适应初次校准模块；410、相差偏移控制单元；420、最佳相位区间获取单元；430、自适应初次校准单元；500、DRAM读写模块；600、自适应持续校准模块。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的具体实施例，在附图中例示了本发明的例子。尽管将结合具体实施例描述本发明，但将理解，不是想要将本发明限于所述的实施例。相反，想要覆盖由所附权利要求限定的在本发明的精神和范围内包括的变更、修改和等价物。应注意，这里描述的方法步骤都可以由任何功能块或功能布置来实现，且任何功能块或功能布置可被实现为物理实体或逻辑实体、或者两者的组合。
为了使本领域技术人员更好地理解本发明，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
注意：接下来要介绍的示例仅是一个具体的例子，而不作为限制本发明的实施例必须为如下具体的步骤、数值、条件、数据、顺序等等。本领域技术人员可以通过阅读本说明书来运用本发明的构思来构造本说明书中未提到的更多实施例。
参见图2所示，本发明实施例提供一种固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应校准方法，包括以下步骤：
S100、获取SSD上电工况；
S200、当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；
S300、根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；
S400、当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准。
S500、控制通过DQS读写DRAM数据。
本发明提供的固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应校准方法，提出温度自适应的相差校准方法，实时监测SSD的温度，并根据温度变化自适应的对DRAM进行相差训练，以降低DRAM在变温环境下由于相位差的出现，引发的高速数据传输时数据出错给系统带来的风险，在高低温环境下，保证读DRAM时，总线时序的准确性，从而保证信号的完整性，最终提高整个SSD系统的稳定性。
在一实施例中，在SSD上电运行时，每隔1分钟的时间间隔，去采集当前的SSD温度并做记录。如果SSD的温度在运行过程中发生了30度的变化，包括增加30°或降低30°两种情况，控制暂停对DRAM的访问，启动对DRAM的相差调整，根据当前温度得出最优的DQS相位。
在一实施例中，请参考图3，所述“当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准”步骤，具体包括以下步骤：
S410、当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并控制DQS数据传输时序相位产生偏移；
S420、当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间；
S430、根据获取的数据传输时序的最佳相位区间，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准，并获取与SSD当前温度相适应的DQS最优相位。
在一实施例中，所述“当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间”步骤，具体包括以下步骤：
当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取DQS数据传输时序和DQ数据传输时序的相位区间；
将读写DRAM数据正确的连续的DQS相位点组成的区间，作为数据传输时序的最佳相位区间。
在一实施例中，所述“控制通过DQS读写DRAM数据”步骤之后，还包括以下步骤：
对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准，从而在高低温环境下，可以保证读DRAM的时候，总线时序的持续准确性。
在一实施例中，所述“对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准”步骤，具体包括以下步骤：
获取上次相差校准启动时SSD的实时温度；
将上次相差校准启动时SSD的实时温度作为下次相差校准启动的新的温度采集窗口开启基准；
控制预定时间周期获取SSD温度，将预定时间周期新获取的SSD温度纳入新的温度采集窗口内；
当SSD运行过程中在新的温度采集窗口内温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对DQS数据传输时序的相位进行调整，直至DQS数据传输时序的边缘与DQ数据传输时序的中心对齐。
在一实施例中，所述“对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准”步骤，持续运行直至SSD断电关机。
在一较具体实施例中，SSD总是记录一段历史的温度数据，作为一个温度窗口，然后周期性的去采集温度，对这些温度进行处理，以决定是否启动training。当前training结束后，将当前温度作为下一次training开始的基准并开启新一个温度窗口，将后续采集的温度放入该窗口内，以此进行，直至SSD断电关机。
在一实施例中，所述“控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准”步骤，具体包括以下步骤：
控制通过DLL对DQS数据传输时序的相位进行调整，直至DQS数据传输时序的边缘与DQ数据传输时序的中心对齐。
基于同一发明构思，请参考图4，本发明还提供一种固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应校准系统，包括：
上电工况获取模块100，用于获取SSD上电工况；
SSD温度获取模块200，与所述上电工况获取模块100通信连接，用于当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；
温度变化工况获取模块300，与所述SSD温度获取模块200通信连接，用于根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；
自适应初次校准模块400，与温度变化工况获取模块300通信连接，用于当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准。
DRAM读写模块500，与所述自适应初次校准模块400通信连接，用于控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准后，控制通过DQS读写DRAM数据。
在一实施例中，通过SSD外壳或DRAM内部等位置集成设置的温度传感器获取SSD温度。
在一实施例中，请参考图5，所述自适应初次校准模块400，进一步包括以下步骤：
相差偏移控制单元410，与所述SSD温度获取模块通信连接，用于当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并控制DQS数据传输时序相位产生偏移；
最佳相位区间获取单元420，与相差偏移控制模块310通信连接，用于当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间；
自适应初次校准单元430，与所述最佳相位区间获取单元420通信连接，用于根据获取的数据传输时序的最佳相位区间，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准，并获取与SSD当前温度相适应的DQS最优相位。
在一实施例中，请参考图6，还包括自适应持续校准模块600，与所述自适应初次校准模块通信连接，用于对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应持续校准。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述方法的所有方法步骤或部分方法步骤。
本发明实现上述方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，计算机程序包括计算机程序代码，计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。计算机可读介质可以包括：能够携带计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Ra ndomAccess Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，存储器上储存有在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述方法中的所有方法步骤或部分方法步骤。
所称处理器可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CP U)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Pr ocessor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circ uit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，F PGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，处理器是计算机装置的控制中心，利用各种接口和线路连接整个计算机装置的各个部分。
存储器可用于存储计算机程序和/或模块，处理器通过运行或执行存储在存储器内的计算机程序和/或模块，以及调用存储在存储器内的数据，实现计算机装置的各种功能。存储器可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(例如声音播放功能、图像播放功能等)；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(例如音频数据、视频数据等)。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card，SMC)，安全数字(Secure Digital，SD)卡，闪存卡(Fl ash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、服务器或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、服务器和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取SSD上电工况；
当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；
根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；
当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准；
控制通过DQS读写DRAM数据；
所述“当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准”步骤，具体包括以下步骤：
当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并控制DQS数据传输时序相位产生偏移；
当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间；
根据获取的数据传输时序的最佳相位区间，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准，并获取与SSD当前温度相适应的DQS最优相位。
2.如权利要求1所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间”步骤，具体包括以下步骤：
当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取DQS数据传输时序和DQ数据传输时序的相位区间；
将读写DRAM数据正确的连续的DQS相位点组成的区间，作为数据传输时序的最佳相位区间。
3.如权利要求1所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“控制通过DQS读写DRAM数据”步骤之后，还包括以下步骤：
对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准。
4.如权利要求3所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准”步骤，具体包括以下步骤：
获取上次相差校准启动时SSD的实时温度；
将上次相差校准启动时SSD的实时温度作为下次相差校准启动的新的温度采集窗口开启基准；
控制预定时间周期获取SSD温度，将预定时间周期新获取的SSD温度纳入新的温度采集窗口内；
当SSD运行过程中在新的温度采集窗口内温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对DQS数据传输时序的相位进行调整，直至DQS数据传输时序的边缘与DQ数据传输时序的中心对齐。
5.如权利要求3所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准”步骤，持续运行直至SSD断电关机。
6.如权利要求1所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准”步骤，具体包括以下步骤：
控制通过DLL对DQS数据传输时序的相位进行调整，直至DQS数据传输时序的边缘与DQ数据传输时序的中心对齐。
7.一种DRAM DLL时序温度自适应校准系统，其特征在于，包括：
上电工况获取模块，用于获取SSD上电工况；
SSD温度获取模块，与所述上电工况获取模块通信连接，用于当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；
温度变化工况获取模块，与所述SSD温度获取模块通信连接，用于根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；
自适应初次校准模块，与所述温度变化工况获取模块通信连接，用于当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准；
DRAM读写模块，与所述自适应初次校准模块通信连接，用于控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准后，控制通过DQS读写DRAM数据；
所述自适应初次校准模块，具体包括：
相差偏移控制单元，与所述SSD温度获取模块通信连接，用于当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并控制DQS数据传输时序相位产生偏移；
最佳相位区间获取单元，与相差偏移控制模块通信连接，用于当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间；
自适应初次校准单元，与所述最佳相位区间获取单元通信连接，用于根据获取的数据传输时序的最佳相位区间，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准，并获取与SSD当前温度相适应的DQS最优相位。
8.如权利要求7所述的DRAM DLL时序温度自适应校准系统，其特征在于，还包括：
自适应持续校准模块，与所述自适应初次校准模块通信连接，用于对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应持续校准。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110913483.4A CN113838494B (zh) | 2021-08-10 | 2021-08-10 | Dram dll时序温度自适应校准方法及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110913483.4A CN113838494B (zh) | 2021-08-10 | 2021-08-10 | Dram dll时序温度自适应校准方法及系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113838494A CN113838494A (zh) | 2021-12-24 |
| CN113838494B true CN113838494B (zh) | 2023-02-28 |
Family
ID=78963120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110913483.4A Active CN113838494B (zh) | 2021-08-10 | 2021-08-10 | Dram dll时序温度自适应校准方法及系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113838494B (zh) |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05217238A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Ricoh Co Ltd | 光磁気ディスク装置 |
| US6178146B1 (en) * | 1998-12-14 | 2001-01-23 | Hewlett-Packard Company | Optical storage device for writing data at a constant bit density during a CAV mode of operation |
| JP2001184816A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Toshiba Corp | ディスク記憶装置 |
| US6411576B1 (en) * | 1998-10-29 | 2002-06-25 | Pioneer Corporation | Aberration compensation device, and an optical pickup and an information reproducing/recording apparatus employing the same |
| JP2013065372A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Elpida Memory Inc | 半導体装置およびそれを利用した情報処理システム |
| US9088292B1 (en) * | 2014-09-08 | 2015-07-21 | Lockheed Martin Corporation | Clocking scheme for reconfigurable wideband analog-to-digital converter |
| CN107393577A (zh) * | 2017-08-21 | 2017-11-24 | 睿力集成电路有限公司 | 应用于半导体存储器的zq校准控制 |
| US10522204B1 (en) * | 2018-11-07 | 2019-12-31 | Realtek Semiconductor Corporation | Memory signal phase difference calibration circuit and method |
| CN111366837A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-07-03 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 自适应温度芯片量产校准方法及系统 |
| WO2020154352A1 (en) * | 2019-01-23 | 2020-07-30 | Thstyme Bermuda Limited | Solid state drive architectures |
| CN111625067A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-09-04 | 至誉科技（武汉）有限公司 | 一种基于ssd的自适应温控方法及装置 |
| CN111968684A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-11-20 | 深圳大普微电子科技有限公司 | 一种存储器的温控方法、装置、设备及存储介质 |
| US11017823B1 (en) * | 2020-03-20 | 2021-05-25 | Dell Products L.P. | System and method for dynamic adjustment of SSD critical temperature threshold based on memory size |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI236225B (en) * | 2004-04-28 | 2005-07-11 | Socle Technology Corp | Auto-calibration method for delay circuit |
| US7698589B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-04-13 | Mediatek Inc. | Memory controller and device with data strobe calibration |
| US7911724B2 (en) * | 2009-02-10 | 2011-03-22 | Seagate Technology Llc | Write synchronization phase calibration for storage media |
| CN108710475B (zh) * | 2018-06-01 | 2021-09-14 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备 |
| CN110111836B (zh) * | 2019-05-15 | 2021-06-08 | 东莞记忆存储科技有限公司 | 基于固态硬盘温升性能的标准化测试方法和系统 |
-
2021
- 2021-08-10 CN CN202110913483.4A patent/CN113838494B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05217238A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Ricoh Co Ltd | 光磁気ディスク装置 |
| US6411576B1 (en) * | 1998-10-29 | 2002-06-25 | Pioneer Corporation | Aberration compensation device, and an optical pickup and an information reproducing/recording apparatus employing the same |
| US6178146B1 (en) * | 1998-12-14 | 2001-01-23 | Hewlett-Packard Company | Optical storage device for writing data at a constant bit density during a CAV mode of operation |
| JP2001184816A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Toshiba Corp | ディスク記憶装置 |
| JP2013065372A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Elpida Memory Inc | 半導体装置およびそれを利用した情報処理システム |
| US9088292B1 (en) * | 2014-09-08 | 2015-07-21 | Lockheed Martin Corporation | Clocking scheme for reconfigurable wideband analog-to-digital converter |
| CN107393577A (zh) * | 2017-08-21 | 2017-11-24 | 睿力集成电路有限公司 | 应用于半导体存储器的zq校准控制 |
| US10522204B1 (en) * | 2018-11-07 | 2019-12-31 | Realtek Semiconductor Corporation | Memory signal phase difference calibration circuit and method |
| WO2020154352A1 (en) * | 2019-01-23 | 2020-07-30 | Thstyme Bermuda Limited | Solid state drive architectures |
| CN111366837A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-07-03 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 自适应温度芯片量产校准方法及系统 |
| US11017823B1 (en) * | 2020-03-20 | 2021-05-25 | Dell Products L.P. | System and method for dynamic adjustment of SSD critical temperature threshold based on memory size |
| CN111625067A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-09-04 | 至誉科技（武汉）有限公司 | 一种基于ssd的自适应温控方法及装置 |
| CN111968684A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-11-20 | 深圳大普微电子科技有限公司 | 一种存储器的温控方法、装置、设备及存储介质 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 基于ESPI的半导体器件封装热特性测试系统研究;王天永;《中国优秀硕士学位论文全文数据库》;20160504;全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113838494A (zh) | 2021-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11550648B2 (en) | Program verify adaptation for non-volatile memory | |
| WO2020086213A1 (en) | Dynamic temperature compensation in a memory component | |
| US9620227B1 (en) | Characterizing and operating a non-volatile memory device | |
| CN114118439B (zh) | 判决电平预测模型的训练数据生成方法、系统及存储介质 | |
| CN111816240A (zh) | 闪存Nand Flash的动态测试方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| CN113178223A (zh) | 存储器的数据训练方法、计算机装置及计算机可读存储介质 | |
| CN110941395A (zh) | 动态随机存取存储器、内存管理方法、系统及存储介质 | |
| WO2019100463A1 (zh) | 一种提升闪存性能的方法、装置、设备及存储介质 | |
| US20170261952A1 (en) | System, method and apparatuses for determining parameter settings for a power generation system and a tangible computer readable medium | |
| US7984326B2 (en) | Memory downsizing in a computer memory subsystem | |
| CN106708167A (zh) | 一种调整时钟的方法及控制器 | |
| CN110347620A (zh) | 一种fpga电路和系统 | |
| CN113838494B (zh) | Dram dll时序温度自适应校准方法及系统 | |
| CN111459413B (zh) | 提升ssd性能的方法、装置、计算机设备及存储介质 | |
| CN116524968A (zh) | 存储器存取速度调整方法、控制装置以及存储器模块 | |
| CN116863980B (zh) | 一种门控信号的动态调节电路和方法 | |
| CN112786080B (zh) | 一种降低闪存误码率的方法、装置及固态硬盘 | |
| CN108182169B (zh) | 一种mtd滤波器中高效fft实现方法 | |
| CN111370051B (zh) | 一种非易失存储器验证系统及方法 | |
| CN114416446A (zh) | 内存参数适配方法、装置、终端设备及存储介质 | |
| CN109359067B (zh) | 获取存储模块内部延时阶梯时间的方法及系统 | |
| CN112433682A (zh) | 固态硬盘中控制参数的获取方法、存储介质和电子装置 | |
| CN112328269A (zh) | ubifs镜像的软件挂载方法、智能设备、电子设备及存储介质 | |
| CN112185455A (zh) | Sram通用测速电路 | |
| CN118447129A (zh) | 数据总线训练过程中的多眼图生成方法和装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 430000 west of 2-3 / F, No.2 factory building, Guannan Industrial Park, No.1 Gaoxin 2nd Road, Wuhan Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee after: Zhiyu Technology Co.,Ltd. Address before: 430000 west of 2-3 / F, No.2 factory building, Guannan Industrial Park, special No.1, Gaoxin 2nd Road, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee before: EXASCEND TECHNOLOGY (WUHAN) CO.,LTD. |