CN111028881B - 一种Open Block测试装置、方法及系统 - Google Patents

一种Open Block测试装置、方法及系统 Download PDF

Info

Publication number
CN111028881B
CN111028881B CN201911018608.6A CN201911018608A CN111028881B CN 111028881 B CN111028881 B CN 111028881B CN 201911018608 A CN201911018608 A CN 201911018608A CN 111028881 B CN111028881 B CN 111028881B
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
data
ber
block
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911018608.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111028881A (zh
Inventor
李栋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd filed Critical Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd
Priority to CN201911018608.6A priority Critical patent/CN111028881B/zh
Publication of CN111028881A publication Critical patent/CN111028881A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111028881B publication Critical patent/CN111028881B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C29/56016Apparatus features
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

本发明公开一种Open Block测试装置、方法及系统,包括测试主机和至少一个测试板卡;测试板卡上设置有测试控制器、Nand Flash芯片、温控部件;所述Nand Flash芯片、温控部件分别与测试控制器电连接;测试控制器与测试主机通信。通过测试主机控制测试控制器对Nand Flash芯片进行读写,写入时,对Block的部分page进行读写,使Block处于Open状态,即Open Block。间隔一定时间再进行读取,计算Block的每个page的BER,最后分析出BER随时间的变化。提供Block在不同温度Open状态下BER随时间的变化趋势及规律,为Nand Flash控制器的实现及优化提供参考。

Description

一种Open Block测试装置、方法及系统
技术领域
本发明涉及Nand Flash芯片测试领域,具体涉及Nand Flash芯片的Open Block测试装置、方法及系统。
背景技术
Nand Flash具有容量大,读写速度快,价格相对低廉等优点,在一些嵌入式产品、U盘、特别是SSD中得到大量应用。但是Nand Flash由于自身原理、制作工艺等存在一些固有的特性,如位反转、读干扰、写干扰等,所以写入Nand Flash的数据,再读出来时会和写入的数据有一定差异,即BER(Bi t Error Rate,误码率)。BER在一定范围之内是可以接受的,实际使用中Nand控制程序会有一套完整的纠错校验机制,但是如果BER太高,超出了纠错模块的纠错能力,则保存的数据很有可能会失效,造成数据丢失。另外,在实际使用中一些使用场景会加速Nand一些特性的表现,造成BER升高,比如open block,block在open状态下在很短的时间内可能BER就会升到很高,以至于校验失败,所以为了数据的安全,很有必要对open block状态下BER的变化情况及规律进行测试。
目前,在Nand Flash应用中,对open block的测试比较少;为了避免open block的出现,大部分厂商会一次性写满一个block,当数据不足时会填充dummy data,但是这种使用不是很灵活,有时候会造成存储空间的浪费。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种Open Block测试装置、方法及系统,提供Block在Open状态下BER随时间的变化趋势及规律。
本发明的技术方案是:一种Open Block测试装置,包括测试主机和至少一个测试板卡;
测试板卡上设置有测试控制器、Nand Flash芯片、温控部件;所述Nand Flash芯片、温控部件分别与测试控制器电连接;
测试控制器与测试主机通信。
进一步地,所述温控部件包括温度控制器、测温探头、加热片、风扇和外壳,所述测温探头、加热片、风扇设置在外壳内,外壳扣合在Nand Flash芯片处;
测温探头、加热片、风扇分别与温度控制器电连接;温度控制器与测试控制器电连接。
进一步地,Nand Flash芯片通过插接座插接在测试板卡上。
进一步地,测试板卡上还设置有网口,测试控制器通过网线与测试主机通信。
本发明的技术方案还包括一种Open Block测试方法,包括以下步骤:
S0,测试主机控制测试控制器通过温控部件调节Nand Flash芯片所处环境温度,并等待温度稳定;
S1,测试主机控制测试控制器对Nand Flash芯片的测试Block进行部分写入数据;
S2,测试主机定时控制测试控制器对测试Block进行读取数据;
S3,测试控制器根据读取数据计算测试Block每个page的BER数据,并将所计算的BER数据和对应Block信息返回测试主机;
S4,测试主机根据返回BER数据、对应Block信息分析并显示测试结果。
进一步地,测试主机端具体执行以下步骤:
S101,与测试控制器建立连接;
S102,生成Random数据并下发至测试控制器;
S103,下发温控命令至测试控制器;
S104,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
S105,设置在该温度下的最大测试时间;
S106,下发待测样本Block编号至测试控制器;
S107,下发开始测试命令至测试控制器;
S108,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
S109,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
S110,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、此次测试的温度保存;
S111,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
S112,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
进一步地,测试控制器端具体执行以下步骤:
S201,接收Random数据并保存;
S202,接收温控命令;
S203,控制温度部件调节Nand Flash芯片所处环境的温度至所需测试的温度;
S204,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
S205,接收待测样本Block编号并保存;
S206,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
S207,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据;
S208,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
S209,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量发送至测试主机。
本发明的技术方案还包括一种Open Block测试系统,
测试主机端包括:
连接模块,与测试控制器建立连接;
Random数据生成模块,生成Random数据并下发至测试控制器;
温控命令下发模块,下发温控命令至测试控制器;
温度稳定信号接收模块,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
测试时间设置模块,设置在该温度下的最大测试时间;
样本编号下发模块,下发待测样本Block编号至测试控制器;
测试命令下发模块,下发开始测试命令至测试控制器;
获取BER命令下发模块,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
接收数据模块,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
数据保存模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、对应测试温度保存;
结果分析显示模块,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
Open时间查找模块,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
进一步地,测试控制器端包括:
Random数据接收模块,接收Random数据并保存;
温控命令接收模块,接收温控命令;
温度调节控制模块,控制温度部件调节Nand Flash芯片所处环境温度至所需测试的温度;
温度稳定信号发送模块,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
样本编号接收模块,接收待测样本Block编号并保存;
数据写入模块,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
数据读取模块,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据;
BER计算模块,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
数据发送模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量发送至测试主机。
本发明提供的Open Block测试装置、方法及系统,提供Block在Open状态下BER随时间的变化趋势及规律,为Nand Flash控制器的实现及优化提供参考;并且测试过程完全由程序控制,人力投入很小;并可具有自动调温系统,可在不同的温度下进行测试,测试Nand Flash芯片在不同温度下的性能变化;Nand Flash芯片的固定采用接插座的方式,方便不同批次及不同厂家Nand Flash芯片的更换测试。
附图说明
图1是实施例一结构示意图。
图2是实施例二方法流程示意图。
图3是实施例二测试主机端方法流程示意图。
图4是实施例二测试控制器端方法流程示意图。
图5是一具体实施方式测试主机端方法流程示意图。
图6是一具体实施方式测试控制端方法流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施例对本发明进行详细阐述,以下实施例是对本发明的解释,而本发明并不局限于以下实施方式。
本发明提供的Open Block测试方法,通过测试主机控制测试控制器对Nand Flash芯片进行读写,写入时,对Block(闪存芯片中存储数据的模块,闪存芯片擦除操作的基本单位)的部分page(闪存中读和写的最小单元)进行读写,使Block处于Open状态,即OpenBlock(只写入部分Page数据,未完全写入数据的Block)。间隔一定时间再进行读取,计算Block的每个page的BER,最后分析出BER随时间的变化。
实施例一
如图1所示,本实施例提供的一种Open Block测试装置,包括测试主机1和至少一个测试板卡3,需要说明的是,为了增加测试样本数量及测试效率,测试主机1可以同时连接多个测试板卡3同时测试。
测试板卡3上设置有测试控制器4和Nand Flash芯片7,Nand Flash芯片7与测试控制器3电连接。Nand Flash芯片7通过插接座socket插接在测试板卡3上,方便Nand Flash芯片7更换。
测试板卡3上还设置有网口,测试控制器4通过网线与测试主机1通信,网络上设置有交换机2,实现测试主机1与多个测试板卡3的连接。
本实施例测试板卡上还设置有温控部件,温控部件包括温度控制器5、测温探头、加热片、风扇和外壳6,测温探头、加热片、风扇设置在外壳6内,外壳6扣合在Nand Flash芯片7处;测温探头、加热片、风扇分别与温度控制器5电连接;温度控制器5与测试控制器4电连接。通过温控部件可设置Nand Flash芯片7所处环境的温度,测试不同温度下Block在Open状态下BER随时间的变化,找到不同温度下Block的Open时间。
另外,需要说明的是,本实施例的测试控制器4可以是MCU,且MCU连接有DDR,以保存相关数据。测试控制器4可通过485总线与温度控制器5电连接。
实施例二
本实施例提供的一种Open Block测试方法,可由实施例一所述装置实现,测试主机运行Host端程序,给测试板卡通电并与测试控制器通信,控制整个测试流程,完成运行Log的记录,测试数据的生成、下发,操作结果的记录以及对采集到的BER数据进行分析等。测试控制器执行测试主机命令,对Nand Flash芯片进行相关操作。测试最终可实现绘制不同温度下Block在Open状态下BER随时间的变化关系,并找到不同温度下Block的Open时间。
如图2所示,本方法执行以下步骤实现Block Open时间的确定:
S0,测试主机控制测试控制器通过温控部件调节Nand Flash芯片所处环境温度,并等待温度稳定;
S1,测试主机控制测试控制器对Nand Flash芯片的测试Block进行部分写入数据;
S2,测试主机定时控制测试控制器对测试Block进行读取数据;
S3,测试控制器根据读取数据计算测试Block每个page的BER数据,并将所计算的BER数据和对应Block信息返回测试主机;
S4,测试主机根据返回BER数据、对应Block信息分析并显示测试结果。
如图3所示,本实施例中,测试主机端具体执行以下步骤实现测试:
S101,与测试控制器建立连接;
测试主机给测试板卡通电,且通过网线与测试控制器连接,两端通过交互协议握手确认之后,测试主机与测试板卡建立socket连接。
S102,生成Random数据并下发至测试控制器;
生成的Random数据作为原始数据。
S103,下发温控命令至测试控制器;
需要说明的是,可预先设置多个需测试温度值,每次下发一个温度值指令,执行一次后续步骤,测试该温度值下的BER情况,循环测试最终将所有待测温度测试完。
S104,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
测试控制器接收到温控命令后,会控制温控部件将Nand Flash芯片所处环境设置到该命令中所需测试温度,待温度稳定后,将温度信号返回测试主机,测试主机在温度稳定后再下发开始测试命令,可提高测试准确度。
S105,设置在该温度下的最大测试时间;
设置最大测试时间,可限制测试中读取测试Block的次数。
S106,下发待测样本Block编号至测试控制器;
预先选定一些Block作为测试样本,待测样本Block为测试Block,对测试Block的page进行读写操作。
S107,下发开始测试命令至测试控制器;
准备程序完成之后,向测试控制器下发指令开始测试。
S108,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
需要说明的是预先设置有最大测试时间和获取BER时间间隔,每间隔所设时段,向测试控制器下发一次获取BER命令,测试控制器读取一次数据并计算BER,直到到达最大测试时间。这样可保证获取多个时间处的BER数据,从而分析出BER随时间的变化,进而获取Block的Open时间。
另外,每一温度下,均测试多个时间的BER,从而可获取不同温度下,BER随时间的变化。
S109,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
测试控制器会将相关数据发送至测试主机,供测试主机保存,并分析测试结果。
BER数据与page的对应关系是指每个page对应的BER数据。
S110,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、此次测试的温度保存;
各数据信息写到CSV文件中,为后续数据分析做准备。
S111,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
全部测完之后,对获取到的数据进行分析,按照时间为X轴,BER为Y轴,绘制不同测试温度下各Block在Open状态下BER随时间的变化关系,且可在曲线上显示对应Block的写入数据量。
S112,根据步骤S111测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出不同温度下对应测试Block的Open时间;
Open时间是指在此Open时间之内Block的数据是可靠的,当然不同的温度下有不同的Open时间。在写block时可以以此时间为参考,不用在刚开始写数据不足时,使用dummy数据一次性填充整个Block,造成空间的浪费;Block中可以只先填入部分Page数据,在Open时间允许范围内,可以随时填入需要写的数据。如果到了Open时间的最大限制时仍写不满block,此时再使用dummy数据填充剩余的Page。
另外,需要说明的是,测试Open时间相当于是为以后做产品做准备,实际做产品时,比如做SSD,里边会用到Nand控制器,它会有一个最大可纠错的BER,因此,本方法此步骤找最大Open时间即根据后续做产品时使用的控制器的实际纠错能力来找。
Open时间查找原理是:Block Open时间越长,BER就会越大,是随时间增长的一个函数关系;Nand控制器的最大纠错能力是一个定值,就相当于已知y值,找对应的x,即最大Open时间。
如图4所示,测试控制器接收测试主机的指令,根据指令具体执行以下步骤:
S201,接收Random数据并保存;
将Random数据保存在DDR作为原始数据,用于对Block的写入数据。
S202,接收温控命令;
即接收需设置的温度值。
S203,控制温度控制器调节Nand Flash芯片所处环境的温度至所需测试的温度;
接收温控命令后,温度控制器控制加热片或风扇工作,将Nand Flash芯片所处环境调至所需测试温度。
S204,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
测温探头检测Nand Flash芯片所处环境温度,并经温度信号经温度控制器发送测试控制器,温度稳定后,测试控制器将温度稳定信号发送至测试主机。
S205,接收待测样本Block编号并保存;
同样将待测样本Block编号保存在DDR,在测试时,对对应Block进行读写和BER计算。
S206,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
需要说明的是,在对测试Block进行写入前,可对测试Block擦除一遍,以免影响后续测试结果。然后根据测试策略对不同的测试Block写入不同量的数据,比如一部分Block只写入该Block 1/4的wordl ine,一部分Block写入该block 2/4的wordl ine,一部分Block写入该block 3/4的wordl ine。
记录所写入数据信息以便后续进行数据比较计算BER。
S207,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据。
S208,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
原始写入对应page的数据及步骤S203中所记录的写入数据信息。
S209,将BER数据、BER数据与page的对应关系、测试Block写入数据量发送至测试主机,
将相关信息发送至测试主机,以便测试主机进行分析和显示结果。
需要说明的是,每间隔一段时间测试主机向测试控制器发送一次获取BER命令,测试控制器每接收一次该命令,重复一次上述步骤S207-S209。且每接收一次温控信号重复一次后续步骤,从而测试处不同温度下BER随时间的变化。本方法在所有测试完成后,可绘制出不同温度下测试Block在Open状态下BER随时间的变化关系,并根据测试控制器BER的最大纠错能力找到不同温度下对应Block的Open时间,即在此温度下此Open时间内,Block的数据是可靠的。
为更清楚地描述本方法测试过程,本实施例提供一具体实施方式,如图5所示,测试主机端具体执行以下步骤:
SZ1,测试开始;
SZ2,与测试板卡建立连接;
SZ3,生成Random数据并下发到测试控制器;
SZ4,判断是否所有待测温度全部测试完,若未测试完,进入步骤SZ5,若测试完,进入步骤SZ12;
SZ5,下发温控命令并等温度稳定;
SZ6,下发待测试样本Block编号;
SZ7,下发开始测试命令;
SZ8,等待N Minute(可预先设置N的数值);
SZ9,判断是否到达最大测试时间(可预先设置最大测试时间),若未到达,进入步骤SZ10,若到达,返回步骤SZ4;
SZ10,下发获取BER命令;
SZ11,获取测试控制器返回的BER数据及相关数据并记录文件(记录文件中包含BER数据、BER数据与page对应关系、对比Block写入数据量以及该次测试温度);
SZ12,对所记录文件内的内容进行分析,得到并显示测试结果;
SZ13,结束。
如图6所示,测试控制端具体执行以下步骤:
SK1,测试开始;
SK2,与测试主机建立连接;
SK3,接收测试主机发送的Random数据并保存至DDR中;
SK4,判断是否接收到测试主机下发的温控命令,若未接收到,则继续等待直到接收到温控命令,否则进入下一步;
SK5,设置温控部件温度;
SK6,判断温度是否温度,若未温度,则等待M Minute后重新判断,否则进入下一步;
SK7,返回温度稳定命令给测试主机;
SK8,接收测试主机下发的Block编号;
SK9,判断是否接收测试主机下发的开始测试命令,若未接收到,则继续等待直到接收到开始测试命令;否则进入下一步;
SK10,写部分数据到测试Block中,并记录每个Block数据写入量;
SK11,判断是否接收到测试主机下发的获取BER命令,若未接收到,则继续等待直到接收到获取BER命令;否则进入下一步;
SK12,读取测试Block内所有page,并计算每个page的BER,BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量返回给测试主机;
SK13,判断本次测试是否完成,若未完成,则返回步骤SK11,否则进入下一步;
SK14,判断是否收到测试主机所有待测温度都测试完成命令,若未接收到,则返回步骤SK4,否则结束测试。
实施例三
本实施例提供基于实施例二所述方法的一种Open Block测试系统。
该系统中测试主机端包括:
连接模块,与测试控制器建立连接;
Random数据生成模块,生成Random数据并下发至测试控制器;
温控命令下发模块,下发温控命令至测试控制器;
温度稳定信号接收模块,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
测试时间设置模块,设置在该温度下的最大测试时间;
样本编号下发模块,下发待测样本Block编号至测试控制器;
测试命令下发模块,下发开始测试命令至测试控制器;
获取BER命令下发模块,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
接收数据模块,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
数据保存模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、对应测试温度保存;
结果分析显示模块,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
Open时间查找模块,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器BER的最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
本系统中测试控制器端包括:
Random数据接收模块,接收Random数据并保存;
温控命令接收模块,接收温控命令;
温度调节控制模块,控制温度控制器调节Nand Flash芯片处的温度至所需测试的温度;
温度稳定信号发送模块,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
样本编号接收模块,接收待测样本Block编号并保存;
数据写入模块,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
数据读取模块,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据;
BER计算模块,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
数据发送模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量发送至测试主机。
以上公开的仅为本发明的优选实施方式,但本发明并非局限于此,任何本领域的技术人员能思之的没有创造性的变化,以及在不脱离本发明原理前提下所作的若干改进和润饰,都应落在本发明的保护范围内。

Claims (4)

1.一种Open Block测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
S0,测试主机控制测试控制器通过温控部件调节Nand Flash芯片所处环境温度,并等待温度稳定;
S1,测试主机控制测试控制器对Nand Flash芯片的测试Block进行部分写入数据;
S2,测试主机定时控制测试控制器对测试Block进行读取数据;
S3,测试控制器根据读取数据计算测试Block每个page的BER数据,并将所计算的BER数据和对应Block信息返回测试主机;
S4,测试主机根据返回BER数据、对应Block信息分析并显示测试结果;
测试主机端具体执行以下步骤:
S101,与测试控制器建立连接;
S102,生成Random数据并下发至测试控制器;
S103,下发温控命令至测试控制器;
S104,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
S105,设置在该温度下的最大测试时间;
S106,下发待测样本Block编号至测试控制器;
S107,下发开始测试命令至测试控制器;
S108,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
S109,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
S110,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、此次测试的温度保存;
S111,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
S112,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
2.根据权利要求1所述的Open Block测试方法,其特征在于,测试控制器端具体执行以下步骤:
S201,接收Random数据并保存;
S202,接收温控命令;
S203,控制温度部件调节Nand Flash芯片所处环境的温度至所需测试的温度;
S204,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
S205,接收待测样本Block编号并保存;
S206,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
S207,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据;
S208,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
S209,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量发送至测试主机。
3.一种Open Block测试系统,其特征在于,
测试主机端包括:
连接模块,与测试控制器建立连接;
Random数据生成模块,生成Random数据并下发至测试控制器;
温控命令下发模块,下发温控命令至测试控制器;
温度稳定信号接收模块,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
测试时间设置模块,设置在该温度下的最大测试时间;
样本编号下发模块,下发待测样本Block编号至测试控制器;
测试命令下发模块,下发开始测试命令至测试控制器;
获取BER命令下发模块,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
接收数据模块,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
数据保存模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、对应测试温度保存;
结果分析显示模块,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
Open时间查找模块,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
4.根据权利要求3所述的Open Block测试系统,其特征在于,测试控制器端包括:
Random数据接收模块,接收Random数据并保存;
温控命令接收模块,接收温控命令;
温度调节控制模块,控制温度部件调节Nand Flash芯片所处环境温度至所需测试的温度;
温度稳定信号发送模块,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
样本编号接收模块,接收待测样本Block编号并保存;
数据写入模块,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
数据读取模块,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据;
BER计算模块,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
数据发送模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量发送至测试主机。
CN201911018608.6A 2019-10-24 2019-10-24 一种Open Block测试装置、方法及系统 Active CN111028881B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911018608.6A CN111028881B (zh) 2019-10-24 2019-10-24 一种Open Block测试装置、方法及系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911018608.6A CN111028881B (zh) 2019-10-24 2019-10-24 一种Open Block测试装置、方法及系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111028881A CN111028881A (zh) 2020-04-17
CN111028881B true CN111028881B (zh) 2021-08-31

Family

ID=70200381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911018608.6A Active CN111028881B (zh) 2019-10-24 2019-10-24 一种Open Block测试装置、方法及系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111028881B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112863591B (zh) * 2021-03-22 2024-03-22 山东华芯半导体有限公司 一种针对Open Block的测试及处理方法
CN114220472A (zh) * 2021-12-15 2022-03-22 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101901589A (zh) * 2009-06-01 2010-12-01 奇景光电股份有限公司 影像处理系统与内存装置的取样相位校正方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102608993B (zh) * 2012-03-09 2014-07-16 北京经纬恒润科技有限公司 网络自动化测试的方法、机柜及测试主机
CN106782670A (zh) * 2016-11-24 2017-05-31 华中科技大学 一种mram环境适应性的测试方法
CN109390031A (zh) * 2018-10-23 2019-02-26 江苏华存电子科技有限公司 一种半导体存储产品高温老化测试方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101901589A (zh) * 2009-06-01 2010-12-01 奇景光电股份有限公司 影像处理系统与内存装置的取样相位校正方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111028881A (zh) 2020-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8086919B2 (en) Controller having flash memory testing functions, and storage system and testing method thereof
KR101903834B1 (ko) 트림 명령의 실행을 평가하기 위한 방법 및 호스트 장치
CN110718264A (zh) 测试固态硬盘信息的方法、装置、计算机设备及存储介质
CN112331253A (zh) 一种芯片的测试方法、终端和存储介质
CN111028881B (zh) 一种Open Block测试装置、方法及系统
CN110956997B (zh) 一种固态硬盘ber的测试方法、测试装置及测试设备
CN111145826B (zh) 一种存储器内建自测试方法、电路及计算机存储介质
CN106951297B (zh) 嵌入式多媒体卡的生产方法及其系统
CN111816240A (zh) 闪存Nand Flash的动态测试方法、装置、电子设备及存储介质
CN117435416A (zh) 一种存储器的测试系统及测试方法
CN116302743A (zh) 一种usb接口测试方法、系统、计算机设备和存储介质
US20170103797A1 (en) Calibration method and device for dynamic random access memory
CN110727399B (zh) 存储阵列管理方法及装置
CN112133357B (zh) 一种eMMC的测试方法及装置
CN112417802B (zh) 一种模拟存储芯片的方法、系统、设备及存储介质
CN112802529A (zh) 一种军工级Nand闪存的检测方法、装置、电子设备及存储介质
CN109634826B (zh) 控制器极限性能分析方法、装置、计算机设备及存储介质
CN110874333B (zh) 存储设备及存储方法
CN114356218A (zh) Flash存储器的数据纠错方法、设备以及介质
CN100517253C (zh) 参数数据测试方法
CN117637012B (zh) 一种存储芯片的检测系统及检测方法
CN110544503A (zh) 一种评估ssd总写入量的测试方法及计算机设备
CN115061860B (zh) 单路系统内存调试方法、装置及介质
CN116597887B (zh) Lpddr芯片的降容测试方法、系统、设备以及存储介质
CN113806149B (zh) 内存读写测试方法、装置以及存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant