CN114356218A

CN114356218A - Flash存储器的数据纠错方法、设备以及介质

Info

Publication number: CN114356218A
Application number: CN202111494986.9A
Authority: CN
Inventors: 林寅; 吴大畏; 李晓强
Original assignee: Guangzhou Zhicun Technology Co ltd
Current assignee: Guangzhou Zhicun Technology Co ltd
Priority date: 2021-12-07
Filing date: 2021-12-07
Publication date: 2022-04-15
Anticipated expiration: 2041-12-07
Also published as: CN114356218B

Abstract

本发明公开了一种Flash存储器的数据纠错方法、终端设备以及计算机存储介质，该方法包括：在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，数据页参数包括：擦除次数和读次数，数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；将数据页参数和数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，数据纠错模型基于Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；获取数据纠错模型基于数据页参数和数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；根据实时最优重读参数针对数据页进行数据重读，以实现数据纠错。本发明能够减少重读次数，提升数据纠错效率。

Description

Flash存储器的数据纠错方法、设备以及介质

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种Flash存储器的数据纠错方法、终端设备以及计算机存储介质。

背景技术

近年来，随着闪存技术的飞速发展，闪速存储器如nand flash(一种flash闪存存储器)，凭借其高性能、非易失性、能耗低等优点，迅速在嵌入式系统中得到大量应用，成为主流的高性能存储技术。然而，由于nand flash自身存在的ReadDistrub读干扰、ProgramDistrub写干扰、高低温以及擦写次数等因素的影响，flash存储器面临严峻的可靠性退化问题。

尽管现有存在诸如FTL等主流纠错方案来进行针对flash存储器进行数据纠错，但是，现有的FTL算法中针对flash存储器的数据纠错机制所配置的重读电压通常是固定的几组，从而当物理块上某数据页的数据出错时，就需要通过遍历固定的重读电压，直到找到某一组能够将数据读正确的阈值电压为止，如此，由于flash存储器中数据出错的表现大都不相同，固定的几组重读电压往往难以覆盖所有数据出错情况，从而容易出现无法找到正确电压来正确读回数据的情况。

综上，如何针对flash存储器在数据页存储的数据出错时，准确的找出能将数据读正确的阈值电压来进行数据纠错，从而提升数据纠错的效率，俨然已经成为了行业内亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种Flash存储器的数据纠错方法、终端设备以及计算机存储介质，旨在实现针对flash存储器在数据页存储的数据出错时，准确的找出能将数据读正确的阈值电压来进行数据纠错，从而提升数据纠错的效率。

为实现上述目的，本发明提供一种Flash存储器的数据纠错方法，所述Flash存储器的数据纠错方法包括以下步骤：

在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；

将所述数据页参数和所述数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；

获取所述数据纠错模型基于所述数据页参数和所述数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；

根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错。

进一步地，所述Flash存储器的数据纠错方法还包括以下步骤：

获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数，并基于所述状态参数进行离线训练得到所述数据纠错模型。

进一步地，所述获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数的步骤，包括：

模拟所述Flash存储器的各使用场景；

分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数。

进一步地，所述模拟所述Flash存储器的各使用场景，和所述分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数的步骤，包括：

模拟所述Flash存储器中一个目标数据页的各使用场景，并分析和采集所述目标数据页在各所述使用场景下的状态参数。

进一步地，所述状态参数包括：所述Flash存储器在各所述使用场景中的最优重读参数，和，所述Flash存储器的数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间。

进一步地，所述基于所述状态参数进行离线训练得到所述数据纠错模型的步骤，包括：

以所述擦除次数、所述读次数、所述数据存储温度和所述数据存储时间为影响因子，针对各所述最优重读参数进行拟合形成所述数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型以曲线为模型的表现形式。

进一步地，所述根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错的步骤，包括：

根据所述实时最优重读参数确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。

在所述Flash存储器的预设存储空间当中，记录所述Flash存储器在使用过程中数据页的数据页参数和数据存储状态参数；

所述获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数的步骤，包括：

从所述预设存储空间当中提取所述数据页的所述数据页参数和所述数据存储状态参数。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种Flash存储器的数据纠错装置，其特征在于，所述Flash存储器的数据纠错装置包括：

获取模块，用于在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；

模型输入模块，用于将所述数据页参数和所述数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；

模型输出模块，用于获取所述数据纠错模型基于所述数据页参数和所述数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；

数据纠错模型，用于根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错。

本发明Flash存储器的数据纠错装置的各功能模块在运行时实现如上述的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种终端设备，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的Flash存储器的数据纠错程序，所述Flash存储器的数据纠错程序被所述处理器执行时实现如上述中的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。

本发明提出的Flash存储器的数据纠错方法、装置、终端设备以及计算机存储介质，通过在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；将所述数据页参数和所述数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；获取所述数据纠错模型基于所述数据页参数和所述数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错。

本发明通过在检测到主控从Flash存储器的数据页上读取数据出现报错时，先获取该数据页的数据页参数：擦除次数和读次数，和，获取该数据页上所存储数据的数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间；之后，将该数据存储温度和数据存储时间擦除次数和读次数，和该数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间作为模型输入，输入到预先基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到的数据纠错模型当中，从而获取该数据纠错模型基于该模型输入进行计算后输出的实时最优重读参数，最后，根据该实时最优重读参数来针对该数据页进行数据重读操作以正确读取到该数据页上存储的数据。

相比于传统纠错方案，本发明基于针对flash存储器进行离线训练以得到可针对不同场景下数据页出现错误计算出实时最优重读参数的数据纠错模型，从而通过在读取数据页上存储的数据出错时，获取该数据页的擦除次数、读次数、数据存储温度和数据存储时间等参数输入到该模型当中，由模型进行计算以输出实时最优重读参数来进行数据重读，从而，实现了基于训练模型动态的形成数据页在出错时准确的阈值电压进行数据纠错，不仅能够有效的减少重读次数，从而缩短由于重读导致的额外处理时间，进而提升了整体数据纠错的效率。

此外，本发明基于训练模型动态的形成数据页在出错时准确的阈值电压进行数据纠错，还能够避免传统纠错方案基于遍历固定重读电压导致的针对flash存储器数据页的磨损，从而可以有效地提升flash存储器的整体使用寿命，并且，本发明还无需存储该固定的重读电压，进一步节省了flash存储器中固定重读电压占用的存储空间。

附图说明

图1是本发明实施例方案涉及终端设备的硬件运行的结构示意图；

图2是本发明一种Flash存储器的数据纠错方法一实施例的流程示意图；

图3是本发明一种Flash存储器的数据纠错系统的结构关系示意图。

本发明目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，图1是本发明实施例方案涉及终端设备的硬件运行环境的结构示意图。

需要说明的是，图1即可为终端设备的硬件运行环境的结构示意图。本发明实施例终端设备可以是针对基于nand flash为存储介质的存储器，执行本发明提供的Flash存储器的数据纠错方法的设备，该终端设备具体可以是移动终端、数据存储控制终端、PC或者便携计算机等终端。

如图1所示，该终端设备可以包括：处理器1001，例如CPU，网络接口1004，用户接口1003，存储器1005，通信总线1002。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如WI-FI接口)。存储器1005可以是非易失性存储器(如，Flash存储器)、高速RAM存储器，也可以是稳定的存储器(non-volatile memory)，例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。

本领域技术人员可以理解，图1中示出的终端设备结构并不构成对终端设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

如图1所示，作为一种计算机存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及Flash存储器的数据纠错程序。其中，操作系统是管理和控制样本终端设备硬件和软件资源的程序，支持Flash存储器的数据纠错程序以及其它软件或程序的运行。

在图1所示的终端设备中，用户接口1003主要用于与各个终端进行数据通信；网络接口1004主要用于连接后台服务器，与后台服务器进行数据通信；而处理器1001可以用于调用存储器1005中存储的Flash存储器的数据纠错程序，并执行以下操作：

进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的Flash存储器的数据纠错程序，还执行以下操作：

模拟所述Flash存储器的各使用场景；

基于上述的结构，提出本发明Flash存储器的数据纠错方法的各个实施例。

需要说明的是，在本实施例中，由于近年来随着闪存技术的飞速发展，闪速存储器如nand flash(一种flash闪存存储器)，凭借其高性能、非易失性、能耗低等优点，迅速在嵌入式系统中得到大量应用，成为主流的高性能存储技术。然而，由于nand flash自身存在的ReadDistrub读干扰、ProgramDistrub写干扰、高低温以及擦写次数等因素的影响，flash存储器面临严峻的可靠性退化问题。

针对上述现象，本申请提供一种Flash存储器的数据纠错方法，通过在检测到主控从Flash存储器的数据页上读取数据出现报错时，先获取该数据页的数据页参数：擦除次数和读次数，和，获取该数据页上所存储数据的数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间；之后，将该数据存储温度和数据存储时间擦除次数和读次数，和该数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间作为模型输入，输入到预先基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到的数据纠错模型当中，从而获取该数据纠错模型基于该模型输入进行计算后输出的实时最优重读参数，最后，根据该实时最优重读参数来针对该数据页进行数据重读操作以正确读取到该数据页上存储的数据。

请参照图2，图2为本发明Flash存储器的数据纠错方法第一实施例的流程示意图。

本发明实施例提供了Flash存储器的数据纠错方法的实施例，本发明实施例Flash存储器的数据纠错方法应用于上述终端设备中来针对基于nand flash为存储介质的存储器进行数据纠错。需要说明的是，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

本实施例中，本发明Flash存储器的数据纠错方法包括：

步骤S100，在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；

终端设备在通过Flash存储器的主控从Flash存储器的数据页上读取数据的过程中，持续监测该数据读取的操作是否出现报错现象，并在检测到该报错现象时，确定该报错现象指向的主控所读取的数据页，以及获取该数据页的数据页参数：擦除次数和读次数，和，获取该数据页上所存储数据的数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间。

需要说明的是，在本实施例中，终端设备持续监测主控在数据页上进行数据读取的操作是否出现的报错现象为：Flash存储器自身封装的数据纠错机制在针对错误数据无法纠错成功时所触发的报错。

具体地，例如，终端设备使用nand flash作为存储介质的Flash存储器进行数据的存写和读取，从而，终端设备自控制该Flash存储器的主控，从该数据页上读取数据时，就开始监控该Flash存储器自身封装的数据纠错机制—ecc(Error Correcting Code，错误检查和纠正)，是否在主控读取的数据出错且ecc无法成功纠正错误数据的情况下所触发的报错提示，然后，终端设备在监测到该ecc触发的报错提示时，随即确定该报错提示所指向的主控执行数据读取操作的数据页—Page1，并同步获取该数据页—Page1的数据页参数：擦除次数—PE cycle和读次数—read次数，和，获取该数据页上所存储数据的数据存储状态参数：数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME(数据存储状态参数整体表征该数据页上存储的数据在该TEMP温度下存储了TIME长的时间)。

进一步地，在本实施例中，终端设备在使用nand flash作为存储介质的Flash存储器进行数据的存写和读取的整个过程当中，持续的针对存储数据的数据页的数据页参数，和，该数据页上所存储数据的数据存储状态参数进行记录，以供针对该数据页进行数据读取出现报错时进行调用。

在一种可行的实施例中，本发明Flash存储器的数据纠错方法，还可以包括：

步骤S500，在所述Flash存储器的预设存储空间当中，记录所述Flash存储器在使用过程中数据页的数据页参数和数据存储状态参数；

需要说明的是，在本实施例中，Flash存储器的预设存储空间为该Flash存储器中任意物理块上专门用于存储数据页参数和数据存储状态参数的存储空间。

终端设备预先在Flash存储器的内部设定好一个专门用于存储数据页参数和数据存储状态参数的存储空间，然后，在使用Flash存储器进行数据存写和读取的整个过程当中，在该存储空间当中持续的记录存储数据的数据页的数据页参数：擦除次数和读次数，和，该存储数据的数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间。

具体地，例如，终端设备预先在Flash存储器的一个物理块—block2上设定好一部分存储空间用于专门存储该Flash存储器在整个数据存储过程当中数据页的数据页参数和该数据页所存储数据的数据存储状态参数。如此，终端设备在Flash存储器的主控对存储器内部任意一个物理块—block2进行擦除时，同步在该block2当中使用一个2BYTE的空间来记录数据页参数：擦除次数—PE cycle；以及，在Flash存储器的主控对该block2中的一个数据页—page1进行数据读取时，同步在block2当中使用一个4BYTE的空间，将该空间中记录的数据页参数：读次数—read次数加1。

需要说明的是，在本实施例中，终端设备在上述记录数据页参数的过程中，在Flash存储器的主控对存储器内部任意一个物理块—block2进行擦除时，终端设备将清空物理块—block2上记录的数据页参数：读次数—read次数，同时，在该block2当中记录的数据页参数：擦除次数—PE cycle上加“1”。终端设备针对Flash存储器在整个数据存储过程当中，数据页所存储数据的数据存储状态参数进行记录的过程与上述记录数据页参数的过程相同。

在一种可行的实施例中，上述步骤S100中“获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数”的步骤，可以包括：

步骤S101，从所述预设存储空间当中提取所述数据页的所述数据页参数和所述数据存储状态参数。

终端设备在监测到针对Flash存储器中的数据页进行数据读取的操作出现报错现象时，立即从该Flash存储器中被设定专门存储数据页参数和数据存储状态参数的存储空间中，提取出该数据页的数据页参数：擦除次数和读次数，和，获取该数据页上所存储数据的数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间。

具体地，例如，终端设备在Flash存储器的主控针对数据页—Page1执行数据读取操作出现报错现象时，同步从Flash存储器的物理块—block1上设定的存储空间中，获取该数据页—Page1的数据页参数：擦除次数—PE cycle和读次数—read次数，和，获取该数据页上所存储数据的数据存储状态参数：数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME。

此外，在另一种可行的实施例中，终端设备看仅在Flash存储器的预设存储空间当中记录数据页参数，从而通过内置的传感器来实时的采集存储数据状态参数。进一步地，上述步骤S100中“获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数”的步骤，具体还可以包括：

步骤S102，从所述预设存储空间当中提取所述数据页的所述数据页参数，和，基于预设的传感器实时采集所述数据存储状态参数。

具体地，例如，终端设备在Flash存储器的主控针对数据页—Page1执行数据读取操作出现报错现象时，同步从Flash存储器的物理块—block1上设定的存储空间中，获取该数据页—Page1的数据页参数：擦除次数—PE cycle和读次数—read次数，和，基于Flash存储器内置的温度传感器实时采集Flash存储器当前的操作温度，并将该操作温度作为该数据页上所存储数据的数据存储状态参数：数据存储温度—TEMP，以及，基于终端设备系统时间计算得到该数据页上所存储数据的数据存储状态参数：数据存储时间—TIME。

步骤S200，将所述数据页参数和所述数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；

步骤S300，获取所述数据纠错模型基于所述数据页参数和所述数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；

终端设备在获取待数据页的数据页参数：擦除次数和读次数，和，获取该数据页上所存储数据的数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间之后，将该擦除次数和读次数，和该数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间作为模型输入，输入到预先基于Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到的数据纠错模型当中进行计算。在数据纠错模型基于该模型输入：该擦除次数、该读次数、该数据存储温度和该数据存储时间进行计算并输出实时最优重读参数之后，终端设备即获取该实时最优重复参数以供后续进行数据重读。

本实施例中，终端设备基于在Flash存储器的数据页在进行读取数据出现数据报错时，采集该数据页实时的数据页参数和数据存储状态参数，并基于预先训练的数据纠错模型利用采集到的数据进行计算以输出实时最优重读参数，实现了动态的基于读取数据出错的数据页的实时参数来计算得出准确的重读参数。

进一步地，在一种可行的实施例中，本发明Flash存储器的数据纠错方法，还包括：

步骤S600，获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数，并基于所述状态参数进行离线训练得到所述数据纠错模型。

终端设备在将获取的数据页参数和数据存储状态参数作为模型输入，以使用数据纠错模型计算实时最优重读参数之前，通过获取Flash存储器在各使用场景下的状态参数，并基于状态参数进行离线训练得到能够动态计算出准确进行数据重读的重读参数的数据纠错模型。

进一步地，在一种可行的实施例中，上述步骤S600中，“获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数”的步骤，可以包括：

步骤S601，模拟所述Flash存储器的各使用场景；

步骤S602，分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数。

需要说明的是，在本实施例中，Flash存储器的各使用场景包括但不限于：A、高温写，高温读；B、高温写，低温读；C、100/1000/10000等不同梯度的擦除次数-PE cycle下，数据存储1/2/3/4/5年；D、读取1万/10万/100万/1000万等不同次数；E、以上任意情况的组合。此外，Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数包括但不限于：状态参数包括：Flash存储器在各使用场景中的最优重读参数，和，Flash存储器的数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，数据页参数包括：擦除次数和读次数，数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间。

在本实施例中，终端设备具体使用一个或者多个相同类型的Flash存储器，分别模拟该Flash存储器在上述A至E各种使用场景下进行数据的存写与读取，并分析得出该Flash存储器在对应使用场景下的最优重读参数。之后，终端设备即采集Flash存储器在对应使用场景下的最优重读参数：read retry、数据页的数据页参数：PE cycle和读次数—read次数，和数据存储状态参数：数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME。

进一步地，在一种可行的实施例中，上述步骤S600中，“基于所述状态参数进行离线训练得到所述数据纠错模型”的步骤，可以包括：

步骤S603，以所述擦除次数、所述读次数、所述数据存储温度和所述数据存储时间为影响因子，针对各所述最优重读参数进行拟合形成所述数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型以曲线为模型的表现形式。

在本实施例中，终端设备在采集得到Flash存储器在对应使用场景下的数据页的数据页参数：PE cycle和读次数—read次数，和数据存储状态参数：数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME之后，即进一步利用该PE cycle、read次数，和，由数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME表征的数据页上存储的数据在该TEMP温度下存储了TIME长的时间进行离线训练，从而得到Flash存储器在对应使用场景下的各种最优重读参数：readretry table，最后，终端设备针对各read retry table进行拟合形成以曲线为表现形式的数据纠错模型，且该数据纠错模型的具体影响因子即为数据页参数：PE cycle和读次数—read次数，和数据存储状态参数：数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME。

需要说明的是，在本实施例中，终端设备具体可以使用任意类型的初始模型算法，来以采集到的Flash存储器在对应使用场景下的数据页的数据页参数：PE cycle和读次数—read次数，和数据存储状态参数：数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME之后，即进一步利用该PE cycle、read次数，和，由数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME表征的数据页上存储的数据在该TEMP温度下存储了TIME长的时间进行离线训练。应当理解的是，基于实际应用的不同设计需要，在不同可行的实施方式当中，终端设备当然可以被设定采用不同类型的模型算法进行上述离线训练，本发明Flash存储器的数据纠错方法并不针对终端设备所使用的具体模型算法进行限定。

进一步地，在一种可行的实施例中，上述步骤S601，模拟所述Flash存储器的各使用场景；和步骤S602，分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数，可以包括：

在本实施例中，终端设备具体使用一个Flash存储器中的其中一个目标数据页：page1，分别模拟该目标数据页page1在上述A至E各种使用场景下进行数据的存写与读取，并分析得出该目标数据页page1在对应使用场景下的最优重读参数。之后，终端设备即采集该目标数据页page1在对应使用场景下的最优重读参数：read retry、page1的数据页参数：PE cycle和读次数—read次数，和数据存储状态参数：数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME。

从而，终端设备在采集得到该目标数据页page1在对应使用场景下的数据页参数：PE cycle和读次数—read次数，和数据存储状态参数：数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME之后，即进一步利用该PE cycle、read次数，和，由数据存储温度—TEMP和数据存储时间—TIME表征的page1上存储的数据在该TEMP温度下存储了TIME长的时间进行离线训练，从而得到Flash存储器中目标数据页page1在对应使用场景下的各种最优重读参数：read retry table，最后，终端设备针对各read retry table进行拟合形成以曲线为表现形式的数据纠错模型，且该数据纠错模型专属于针对目标数据页page1进行重读以准确纠正该数据页page1出现的数据错误。

需要说明的是，在本实施例中，由于现有传统的retry table应用，通常都是由Flash存储器的所有block使用相同的一组retry table来进行数据重读。比如：某一Flash存储器记录有64组retry table，则该Flash存储器无论是哪一个block上的哪个page有数据出错，则该Flash存储器都是遍历这64组table，直到有一组可以把该page上出错的数据进行纠正。针对此，本发明Flash存储器的数据纠错方法除了基于上述过程进行离线训练得到数据纠错模型之外，还可以通过将上述所有的状态参数都基于Flash存储器中的一个page来做分析和采集的过程统计得到，如此，本发明Flash存储器的数据纠错方法即可针对Flash存储器中不同的page，来训练得出不同page专属的数据纠错模型以对该不同的page做更精准的适配，从而既能够显著的提高准确对page进行数据纠正的概率，还可以有效地减少了对page进行重读的次数，进而提高了数据读取的效率。

步骤S400，根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错。

需要说明的是，在本实施例中，实时最优重读参数为一组能够将出错的数据页上所存储数据读正确的阈值电压。

终端设备在基于数据纠错模型动态的计算得到实时最优重读参数之后，基于该能够将出错的数据页上所存储数据读正确的阈值电压来针对该数据页进行数据重读操作以实现准确的数据纠错过程。

进一步地，在一种可行的实施例中，步骤S400，可以包括：

步骤S401，根据所述实时最优重读参数确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。

在本实施例中，终端设备在基于数据纠错模型动态的计算得到实时最优重读参数之后，进一步基于出错的数据页的默认电压阈值，和该实时最优重读参数：将出错的数据页上所存储数据读正确的阈值电压，确定当前针对该数据页进行数据重读操作时，应当将该数据页的默认电压阈值进行向左或者向右偏移的偏移方向，从而在确定该偏移方向之后，便可直接按照该偏移方向将该数据页的默认电压阈值进行偏移达到该正确的阈值电压之后，重新读取该数据页来提取数据。

需要说明的是，在本实施例中，数据页的默认电压阈值为存储介质基于向该数据页上编写存储数据时的电压来确定的、在从该数据页上读取数据时默认使用的电压大小。

在本实施例中，本发明通过在检测到主控从Flash存储器的数据页上读取数据出现报错时，先获取该数据页的数据页参数：擦除次数和读次数，和，获取该数据页上所存储数据的数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间；之后，将该数据存储温度和数据存储时间擦除次数和读次数，和该数据存储状态参数：数据存储温度和数据存储时间作为模型输入，输入到预先基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到的数据纠错模型当中，从而获取该数据纠错模型基于该模型输入进行计算后输出的实时最优重读参数，最后，根据该实时最优重读参数来针对该数据页进行数据重读操作以正确读取到该数据页上存储的数据。

此外，请参照图3，本发明实施例还提出一种Flash存储器的数据纠错装置，本发明Flash存储器的数据纠错装置包括：

获取模块10，用于在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；

模型输入模块20，用于将所述数据页参数和所述数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；

模型输出模块30，用于获取所述数据纠错模型基于所述数据页参数和所述数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；

数据纠错模型40，用于根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错。

优选地，本发明Flash存储器的数据纠错装置，还包括：

模型训练模块，用于获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数，并基于所述状态参数进行离线训练得到所述数据纠错模型。

优选地，模型训练模块，包括：

场景模拟单元，用于模拟所述Flash存储器的各使用场景；

场景分析单元，用于分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数。

优选地，场景模拟单元，还用于模拟所述Flash存储器中一个目标数据页的各使用场景，场景分析单元，还用于分析和采集所述目标数据页在各所述使用场景下的状态参数。

优选地，所述状态参数包括：所述Flash存储器在各所述使用场景中的最优重读参数，和，所述Flash存储器的数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间。

优选地，模型训练模块，还用于以所述擦除次数、所述读次数、所述数据存储温度和所述数据存储时间为影响因子，针对各所述最优重读参数进行拟合形成所述数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型以曲线为模型的表现形式。

优选地，数据纠错模型40，还用于根据所述实时最优重读参数确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。

优选地，本发明Flash存储器的数据纠错装置，还包括：

数据记录模块，用于在所述Flash存储器的预设存储空间当中，记录所述Flash存储器在使用过程中数据页的数据页参数和数据存储状态参数；

获取模块10，还用于从所述预设存储空间当中提取所述数据页的所述数据页参数和所述数据存储状态参数。

本发明Flash存储器的数据纠错装置的各个功能模块在控制器运行时所实现的步骤，可参照上述本发明Flash存储器的数据纠错方法的实施例，此处不再赘述。

此外，本发明实施例还提出一种终端设备，该终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的Flash存储器的数据纠错程序，该Flash存储器的数据纠错程序被所述处理器执行时实现如上述中的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。

其中，在所述处理器上运行的Flash存储器的数据纠错程序被执行时所实现的步骤可参照本发明Flash存储器的数据纠错方法的各个实施例，此处不再赘述。

此外，本发明实施例还提出一种计算机存储介质，应用于计算机，该计算机存储介质可以为非易失性计算机可读计算机存储介质，该计算机存储介质上存储有Flash存储器的数据纠错程序，所述Flash存储器的数据纠错程序被处理器执行时实现如上所述的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个计算机存储介质(如Flash存储器、ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)中，用于控制该存储介质进行数据读写操作的控制器执行本发明各个实施例所述的方法。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims

1.一种Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述Flash存储器的数据纠错方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述Flash存储器的数据纠错方法还包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数的步骤，包括：

模拟所述Flash存储器的各使用场景；

4.如权利要求3所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述模拟所述Flash存储器的各使用场景，和所述分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数的步骤，包括：

5.如权利要求2至4任一项所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述状态参数包括：所述Flash存储器在各所述使用场景中的最优重读参数，和，所述Flash存储器的数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间。

6.如权利要求5所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述基于所述状态参数进行离线训练得到所述数据纠错模型的步骤，包括：

7.如权利要求1所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错的步骤，包括：

8.如权利要求1所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述Flash存储器的数据纠错方法还包括以下步骤：

9.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的Flash存储器的数据纠错程序，所述Flash存储器的数据纠错程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。

10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。