CN116400868A - 存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘，其中，加速启动方法包括当接收到启动指令，读取存储芯片的寿命信息；当寿命信息表征存储芯片的擦写次数小于擦写次数阈值，选取存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取待读取数据，通过不同retry参数进行read retry，并统计不同retry参数下待读取数据被正确读取的笔数；将待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数；以目标retry参数开始执行default read操作。在存储芯片的擦写次数较低的情况下启动，不进行默认参数的default read，能够加速了存储芯片的启动，减少了启动时间。
Description
技术领域
本申请涉及存储芯片技术领域，尤其涉及一种存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘。
背景技术
半导体存储单元根据存储密度的不同，可以分为单阶储存单元（Single-LevelCell，SLC）、多阶储存单元（Multi-Level Cell，MLC）和三阶储存单元（Triple-Level Cell,TLC）等。不同存储密度的存储单元根据划分出的多个电压阈值进行数据存储，例如SLC通过一个电压阈值判断其存储的是0还是1，MLC通过三个电压阈值判断其存储的是00、01、10还是11，TLC通过七个电压阈值判断其存储的是000到111中的哪一个。
由此可知，通过电压阈值精确判断存储单元中的数据，对于半导体存储单元来说至关重要，随着存储密度的增大，要求的电压阈值越精确，但是外部环境有一定几率影响存储芯片中的数据，可能导致存储芯片的电压发生偏移。例如封装好的存储芯片在生产过程中，需要通过回流焊的方式焊接到电路板上，影响了存储芯片内存储单元的电压。按照default read方式默认启动固态硬盘对存储单元的数据进行读取时，主控就需要进行多次read retry，才能正确读出数据，表现为固态硬盘的读取速度变慢，影响用户体验。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本申请实施例提供了一种存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘，能够加快存储芯片的读取速度，减小固态硬盘启动时间。
第一方面，本申请实施例提供了一种存储芯片加速启动方法，包括：
当接收到启动指令，读取存储芯片的寿命信息，所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数；
当所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数小于擦写次数阈值，选取所述存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取所述待读取数据，通过不同retry参数进行readretry，并统计不同retry参数下所述待读取数据被正确读取的笔数；
将所述待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数；
以所述目标retry参数开始执行default read操作。
在一些实施例中，在以所述目标retry参数开始执行default read操作之后，所述加速启动方法还包括：
保存所述目标retry参数在预设存储区域。
在一些实施例中，还包括：
当接收到启动指令，检查所述预设存储区域中是否存储有所述目标retry参数；
若有，以所述目标retry参数执行default read操作。
在一些实施例中，还包括：
在所述存储芯片的运行过程中，监控所述存储芯片的寿命信息；
当所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数大于所述擦写次数阈值，清除所述目标retry参数。
在一些实施例中，在以所述目标retry参数开始执行default read操作之后，所述加速启动方法还包括：
记录以所述目标retry参数执行default read操作后成功启动所述存储芯片时的retry参数，作为有效retry参数；
将所述有效retry参数存储在所述预设存储区域。
在一些实施例中，所述选取所述存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取所述待读取数据，通过不同retry参数进行read retry，包括：
根据所述存储芯片的容量选取若干笔待读取数据；
按照retry参数从小到大的顺序，每次通过一组retry参数对所述待读取数据进行读操作，并校验每笔读取得到的数据。
在一些实施例中，所述将所述待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数，包括：
当一组所述retry参数下所述待读取数据被正确读取的笔数超过设定阈值，直接将当前的所述retry参数作为所述目标retry参数。
在一些实施例中，在所述存储芯片和所述存储芯片对应的主控芯片通过回流焊方式焊接到PCB之后，利用测试设备对所述PCB进行上电启动测试，以使所述主控芯片执行所述加速启动方法。
第二方面，本申请实施例提供了一种主控器件，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行如第一方面所述的加速启动方法。
第三方面，本申请实施例提供了一种固态硬盘，包括第二方面所述的主控器件。
第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如第一方面所述的加速启动方法。
本申请实施例提供的存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘，至少具有如下有益效果：在存储芯片的擦写次数较低的情况下，开机需要启动存储芯片的时候，不进行默认参数的default read阶段，然后在存储芯片中取少量的待读取数据，并对这些待读取数据进行read retry，然后统计不同retry参数的读操作下待读取数据被正确读取的笔数，然后将被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数，设定default read从目标retry参数开始执行；由于跳过了默认参数的default read，不进行从默认参数到目标retry参数这一部分的read retry，因此能够加速了存储芯片的启动，减少了启动时间，也可以有效降低回流焊环节等外界因素对存储芯片造成的影响。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的示例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1是本申请实施例提供的加速启动方法的整体流程图；
图2是本申请实施例提供的将目标retry参数保存在预设存储区域的流程图；
图3是本申请实施例提供的启动时以预设存储区域中的目标retry参数进行default read的流程图；
图4是本申请实施例提供的根据运行中擦写次数清除目标retry参数的流程图；
图5是本申请实施例提供的将正确启动对应的有效retry参数保存在预设存储区域的流程图；
图6是本申请实施例提供的根据存储芯片的容量确定若干笔待读取数据的流程图；
图7是本申请实施例提供的根据设定阈值直接确定目标retry参数的流程图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
存储芯片或者装有存储芯片的存储设备（如固态硬盘、U盘等）根据存储密度不同采用SLC、MLC、TLC和QLC等类型，从TLC和QLC的读取电压阈值数量很多，存储芯片中晶体管受到外界环境影响可能会出现电压偏移，那么在读取这些晶体管时就需要用不同的电压阈值进行读取，每次读取都要对数据进行校验，判断当前电压阈值是否适合读取这些晶体管。相关技术中，存储芯片或者存储设备每次启动，都从默认参数的default read开始尝试电压阈值，default read如果不正确，则需要以不同的电压阈值参数进行read retry，并且每次判断read retry的结果是否正确，正确则按照当前一组retry参数启动，不正确则继续用下一组retry参数进行read retry。由此可知，retry每次读取都要校验，如果存储芯片的电压没有发生偏移，则上述retry过程的耗时较短，通常不会影响用户使用，但是考虑到受到外界环境影响的可能性，上述retry过程就可能出现多次read retry，耗时较长，影响了启动时间。
基于此，本申请实施例提供了一种存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘，在存储芯片的擦写次数较低的情况下，通过在存储芯片中选取若干笔待读取数据进行readretry，确定一个目标retry参数，以该目标retry参数执行default read，从而减少了启动时间，有效降低回流焊环节等外界因素对存储芯片造成的影响。
下面结合附图，对本申请实施例作进一步阐述。
参照图1所示的流程图，本申请实施例提供了一种存储芯片加速启动方法，包括但不限于以下步骤：
步骤S100，当接收到启动指令，读取存储芯片的寿命信息，寿命信息表征存储芯片的擦写次数；
步骤S200，当寿命信息表征存储芯片的擦写次数小于擦写次数阈值，选取存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取待读取数据，通过不同retry参数进行read retry，并统计不同retry参数下待读取数据被正确读取的笔数；
步骤S300，将待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数；
步骤S400，以目标retry参数开始执行default read操作。
在固态硬盘或者其他存储产品的生产场景下，存储芯片通过回流焊等方式焊接到PCB板上，高温焊接影响了存储芯片内晶体管的电压，使得读取电压也需要作出相应的调整。本申请实施例针对上述情况，按照上述步骤加速启动装有该存储芯片的存储产品。可以理解的是，回流焊之后，存储芯片和存储芯片对应的主控器件均固定在PCB上，因此启动存储芯片实际上是对整个存储产品（可不包括产品外壳）进行上电。因此本申请实施例通过主控器件实现对存储芯片的加速启动。
在上电启动时，主控器件接收到启动指令，并向存储芯片通电并读取存储芯片的寿命信息，寿命信息可以表示存储芯片的擦写次数，一次擦写次数是指存储芯片或者存储产品全盘容量完全擦写一次，那么对于较新的存储芯片来说，擦写次数较低，有可能会出现以默认参数进行default read时启动时间过程的问题，那么针对擦写次数较低（例如低于擦写次数阈值）的存储芯片或存储产品（擦写次数通常是按照全盘计算而非针对单个存储芯片计算的，但部分存储产品内可以仅装有一个存储芯片，此时该存储芯片的擦拭次数就是该存储产品的擦写次数），需要调整其default read的方式。
具体来说，选出存储芯片中若干笔待读取数据，例如100笔数据，然后针对这100笔数据按照不同的retry参数进行读操作。实际操作中，主控器件设置有多组retry参数，并且可以按照retry参数的大小依次对100笔数据进行读操作。例如首先以default read对应的第一组retry参数对这若干笔待读取数据进行读操作，读取出来的数据进行校验并记录第一组retry参数是否读成功；接着用第二组retry参数对这若干笔待读取数据进行读操作，读取出来的数据进行校验并记录第二组retry参数是否读成功，接着用第三组retry参数，以此类推。最后统计得到每个retry参数下读成功的笔数，选取读成功的笔数最多的那个retry参数作为目标retry参数，然后以该目标retry参数执行default read。
可以理解的是，对于外界因素影响的存储芯片，default read的默认参数（例如是第一组retry参数）与目标retry参数（例如第i组retry参数）往往不相同，本申请实施例通过上述方式，可以避开default read从第一组retry参数到第i-1组retry参数之间的readretry过程，这些过程每次都要读操作后校验，并且每次读操作的数据量显然要大于上述选取的若干笔读取数据（例如100笔数据）的数据量，因此本申请实施例选取成功率较高的第i组retry参数开始进行default read，能够加快存储芯片的启动速度，这样能够进一步减少启动时间，尤其是第一次上电往往时间较长的、新使用的存储芯片或存储产品。
参照图2所示的流程图，在一些实施例中，上述步骤S400之后，本申请实施例的加速启动方法还包括：
步骤S500，保存目标retry参数在预设存储区域。
在存储芯片中，可以划定一小块区域存储该目标retry参数，以便于存储芯片后续启动时参考已有的目标retry参数进行启动。这样，主控器件的上电启动过程则增加一步，先检查预设存储区域中是否存储有目标retry参数，具体来说，参照图3所示的流程图，包括：
步骤S510，当接收到启动指令，检查预设存储区域中是否存储有目标retry参数；
步骤S520，若有，以目标retry参数执行default read操作。
当然，在主控器件启动过程中，即使预设存储区域中已经存储有目标retry参数，也可以执行上述步骤S100至步骤S400的操作，然后得到另一个目标retry参数，然后可以将这个目标retry参数也存储在预设存储区域中，后续主控器件启动时可以按照预设存储区域中的多个目标retry参数进行read retry。当然，预设存储区域也可以限制目标retry参数的保存数量，例如限制只能保存5个，那么涉及一个更新目标retry参数的机制，例如按照日期将较旧的目标retry参数删除。
参照图4所示的流程图，在一些实施例中，本申请实施例的加速启动方法还包括：
步骤S610，在存储芯片的运行过程中，监控存储芯片的寿命信息；
步骤S620，当寿命信息表征存储芯片的擦写次数大于擦写次数阈值，清除目标retry参数。
随着存储产品的擦写次数增加，原先存储芯片中电压偏移已经被纠正或者被擦写，已经不需要按照上述步骤S100至步骤S400中的方法进行启动，可以按照常规的defaultread启动。因此在存储产品的运行过程中，监控存储芯片或者存储产品的擦写次数，当擦写次数达到一定值（擦写次数阈值），即认为当前存储芯片或者存储产品可以按照常规的default read启动，那么清除预设存储区域中的目标retry参数。在清除目标retry参数之后，还可以释放预设存储区域，避免占用存储芯片的存储空间。
参照图5所示的流程图，在一些实施例中，在以目标retry参数开始执行defaultread操作之后，加速启动方法还包括：
步骤S710，记录以目标retry参数执行default read操作后成功启动存储芯片时的retry参数，作为有效retry参数；
步骤720，将有效retry参数存储在预设存储区域。
应用目标retry参数进行default read操作并不意味着目标retry参数就是最终用于启动存储芯片的retry参数，在目标retry参数开始执行default read操作之后，可能还需要进行read retry，因此本申请实施例还记录成功启动存储芯片时的retry参数，作为有效retry参数，然后将该有效retry参数存储在预设存储区域。那么在存储芯片下次启动时，主控器件可以直接调用有效retry参数。当然随着存储产品使用，有效retry参数可能并不一直有效，那么每次启动完成，主控器件都可以对预设存储区域中的有效retry参数进行更新。
参照图6所示的流程图，在一些实施例中，上述步骤S200中选取存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取待读取数据，通过不同retry参数进行read retry，包括：
步骤S210，根据存储芯片的容量选取若干笔待读取数据；
步骤S220，按照retry参数从小到大的顺序，每次通过一组retry参数对待读取数据进行读操作，并校验每笔读取得到的数据。
待读取数据的笔数可以设为固定值，例如100笔，每笔数据的大小固定，也可以根据存储芯片的容量大小确定待读取数据的笔数，例如256GB的存储产品中设定待读取数据为200笔。然后按照retry参数从小到大的顺序，每一组retry参数都每笔待读取数据进行读操作，然后根据校验结果判断是否读成功。
参照图7所示的流程图，在一些实施例中，上述步骤S300中将待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数，包括：
S310，当一组retry参数下待读取数据被正确读取的笔数超过设定阈值，直接将当前的retry参数作为目标retry参数。
本实施例考虑不是全部retry参数都对待读取数据进行一次读操作，按照retry参数从小到大的顺序，对待读取数据进行读操作过程中，如果某一组retry参数的读操作结果为足够多笔数（超过设定阈值）的待读取数据成功读取，则可以考虑将其作为目标retry参数。这样就不需要将全部retry参数都应用一次，进一步减少启动时间。
如前，本申请实施例的方法可以应用于回流焊之后的存储产品，在存储芯片和存储芯片对应的主控芯片通过回流焊方式焊接到PCB之后，利用测试设备对PCB进行上电启动测试，以使主控芯片执行上述步骤的加速启动方法。如果回流焊之后存储产品直接出货，售出到用户手中，在用户第一次上电启动或前几次上电启动该存储产品的时候，存储产品的主控器件也可以执行上述步骤的加速启动方法，以减少启动时间。
因此可知，在存储芯片的擦写次数较低的情况下，开机需要启动存储芯片的时候，不进行默认参数的default read阶段，然后在存储芯片中取少量的待读取数据，并对这些待读取数据进行read retry，然后统计不同retry参数的读操作下待读取数据被正确读取的笔数，然后将被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数，设定defaultread从目标retry参数开始执行；由于跳过了默认参数的default read，不进行从默认参数到目标retry参数这一部分的read retry，因此能够加速了存储芯片的启动，减少了启动时间，也可以有效降低回流焊环节等外界因素对存储芯片造成的影响。
本申请实施例还提供了一种主控器件，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器运行计算机程序时执行上述步骤的的加速启动方法。
本申请实施例还提供了一种固态硬盘，包括上述主控器件。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如第二方面实施例的加速启动方法。
本申请的说明书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或装置不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或装置固有的其他步骤或单元。
应当理解，在本申请中，“至少一个(项)”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，用于描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“A和/或B”可以表示：只存在A，只存在B以及同时存在A和B三种情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，“a和b”，“a和c”，“b和c”，或“a和b和c”，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
应当理解，在本申请实施例的描述中，多个（或多项）的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其他的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机装置(可以是个人计算机，服务器，或者网络装置等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
还应了解，本申请实施例提供的各种实施方式可以任意进行组合，以实现不同的技术效果。
以上是对本申请的较佳实施进行了具体说明，但本申请并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本申请精神的共享条件下还可作出种种等同的变形或替换，这些等同的变形或替换均包括在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种存储芯片加速启动方法，其特征在于，包括：
当接收到启动指令，读取存储芯片的寿命信息，所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数；
当所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数小于擦写次数阈值，选取所述存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取所述待读取数据，通过不同retry参数进行read retry，并统计不同retry参数下所述待读取数据被正确读取的笔数；
将所述待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数；
以所述目标retry参数开始执行default read操作。
2.根据权利要求1所述的加速启动方法，其特征在于，在以所述目标retry参数开始执行default read操作之后，所述加速启动方法还包括：
保存所述目标retry参数在预设存储区域。
3.根据权利要求2所述的加速启动方法，其特征在于，还包括：
当接收到启动指令，检查所述预设存储区域中是否存储有所述目标retry参数；
若有，以所述目标retry参数执行default read操作。
4.根据权利要求2所述的加速启动方法，其特征在于，还包括：
在所述存储芯片的运行过程中，监控所述存储芯片的寿命信息；
当所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数大于所述擦写次数阈值，清除所述目标retry参数。
5.根据权利要求2所述的加速启动方法，其特征在于，在以所述目标retry参数开始执行default read操作之后，所述加速启动方法还包括：
记录以所述目标retry参数执行default read操作后成功启动所述存储芯片时的retry参数，作为有效retry参数；
将所述有效retry参数存储在所述预设存储区域。
6.根据权利要求1所述的加速启动方法，其特征在于，所述选取所述存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取所述待读取数据，通过不同retry参数进行read retry，包括：
根据所述存储芯片的容量选取若干笔待读取数据；
按照retry参数从小到大的顺序，每次通过一组retry参数对所述待读取数据进行读操作，并校验每笔读取得到的数据。
7.根据权利要求6所述的加速启动方法，其特征在于，所述将所述待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数，包括：
当一组所述retry参数下所述待读取数据被正确读取的笔数超过设定阈值，直接将当前的所述retry参数作为所述目标retry参数。
8.根据权利要求1所述的加速启动方法，其特征在于，在所述存储芯片和所述存储芯片对应的主控芯片通过回流焊方式焊接到PCB之后，利用测试设备对所述PCB进行上电启动测试，以使所述主控芯片执行所述加速启动方法。
9.一种主控器件，其特征在于，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行如权利要求1至8任一所述的加速启动方法。
10.一种固态硬盘，其特征在于，包括权利要求9所述的主控器件。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|---|
| US20140153333A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Sandisk Technologies Inc. | Systems and Methods to Avoid False Verify and False Read |
| US9514845B1 (en) * | 2013-12-12 | 2016-12-06 | SK Hynix Inc. | Check after write for assessing wear related degradation in solid state storage |
| US9563502B1 (en) * | 2013-12-20 | 2017-02-07 | Seagate Technology Llc | Read retry operations with read reference voltages ranked for different page populations of a memory |
| US20190348143A1 (en) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | Lite-On Electronics (Guangzhou) Limited | Solid state storage device and control method thereof |
| CN110673788A (zh) * | 2019-09-05 | 2020-01-10 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 固态硬盘的数据读取方法、装置、设备及可读存储介质 |
| CN114356218A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-04-15 | 广州致存科技有限责任公司 | Flash存储器的数据纠错方法、设备以及介质 |
| CN115295048A (zh) * | 2022-07-28 | 2022-11-04 | 山东华芯半导体有限公司 | 一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法 |
| CN115394340A (zh) * | 2022-07-30 | 2022-11-25 | 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 | 一种Nand颗粒偏转电压的预测方法和系统 |
-
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140153333A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Sandisk Technologies Inc. | Systems and Methods to Avoid False Verify and False Read |
| US9514845B1 (en) * | 2013-12-12 | 2016-12-06 | SK Hynix Inc. | Check after write for assessing wear related degradation in solid state storage |
| US9563502B1 (en) * | 2013-12-20 | 2017-02-07 | Seagate Technology Llc | Read retry operations with read reference voltages ranked for different page populations of a memory |
| US20190348143A1 (en) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | Lite-On Electronics (Guangzhou) Limited | Solid state storage device and control method thereof |
| CN110673788A (zh) * | 2019-09-05 | 2020-01-10 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 固态硬盘的数据读取方法、装置、设备及可读存储介质 |
| CN114356218A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-04-15 | 广州致存科技有限责任公司 | Flash存储器的数据纠错方法、设备以及介质 |
| CN115295048A (zh) * | 2022-07-28 | 2022-11-04 | 山东华芯半导体有限公司 | 一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法 |
| CN115394340A (zh) * | 2022-07-30 | 2022-11-25 | 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 | 一种Nand颗粒偏转电压的预测方法和系统 |
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