CN118073073A - 线圈组件 - Google Patents

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CN118073073A
CN118073073A CN202311533695.5A CN202311533695A CN118073073A CN 118073073 A CN118073073 A CN 118073073A CN 202311533695 A CN202311533695 A CN 202311533695A CN 118073073 A CN118073073 A CN 118073073A
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lead
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金益燮
韩昇昊
赵泰衍
姜仁瑛
安石焕
朴成桓
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Samsung Electro Mechanics Co Ltd
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
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Abstract

本公开提供一种线圈组件。所述线圈组件包括：主体，包括彼此相对的第一表面和第二表面；线圈，设置在所述主体中并且具有设置在所述线圈的表面的一部分中的凹入部；外电极，设置在所述主体的所述第一表面上；以及连接导体，连接所述线圈和所述外电极。所述连接导体包括填充区域和渐缩区域，所述填充区域设置在所述线圈的所述凹入部的至少一部分中，所述渐缩区域具有相对于所述第一表面倾斜的侧表面。

Description

线圈组件
本申请要求于2022年11月24日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0159446号韩国专利申请和于2023年4月6日在韩国知识产权局提交的第10-2023-0045600号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(一种线圈组件)是与电阻器和电容器一起用于电子装置中的典型无源电子组件。
随着电子装置逐渐小型化并变得多功能和高性能，电感器也需要小型化，同时，对没有由于小型化引起的电容劣化的电感器的需求正在增加。
为了显著减小由于小型化引起的容量降低，需要显著增大电感器中磁性材料的体积。此外，在功耗效率方面，需要具有低DC电阻(Rdc)值的电感器。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种具有低DC电阻(Rdc)值的线圈组件。
本公开的一方面在于提供一种通过显著减少磁性材料的损耗而具有高电感的线圈组件。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，包括彼此相对的第一表面和第二表面；线圈，设置在所述主体中并且具有设置在所述线圈的表面的一部分中的凹入部；外电极，设置在所述主体的所述第一表面上；以及连接导体，连接所述线圈和所述外电极。所述连接导体包括填充区域和渐缩区域，所述填充区域设置在所述线圈的所述凹入部的至少一部分中，所述渐缩区域具有相对于所述第一表面倾斜的侧表面。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，包括彼此相对的第一表面和第二表面以及将所述第一表面与所述第二表面彼此连接的侧表面；线圈，设置在所述主体中，并且包括一匝或更多匝以及引出部，所述引出部从所述一匝或更多匝中的最外匝延伸到所述主体的侧表面；外电极，设置在所述主体的所述第一表面上；通路孔，设置在所述主体中并且具有从所述引出部到所述外电极增大的直径；以及连接导体，设置在所述通路孔中以将所述线圈与所述外电极彼此连接。
附图说明
通过以下结合附图的具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1是根据第一实施例的线圈组件的示意图；
图2是从上方观察的拆解的线圈的立体图；
图3是从下方观察的拆解的线圈的立体图；
图4至图6是与沿着图1的线I-I'截取的截面对应并示出连接导体的各种填充结构的示图；
图7和图8是在一个方向上观察的根据变型示例的线圈组件的平面图；
图9至图11是作为根据第一实施例的线圈组件的变型示例的与沿着图1的线I-I'截取的截面对应的示图；
图12是作为根据第一实施例的线圈组件的另一变型示例的与沿着图1的线I-I'截取的截面对应的示图；
图13是根据第二实施例的线圈组件的示意图；
图14至图16是与沿着图13的线II-II'截取的截面对应并示出连接导体的各种填充结构的示图；
图17示出了根据图13的第二实施例的线圈组件的变型示例，并且是与沿着图13中的线II-II'截取的截面对应的示图；
图18A和图18B各自示出了说明根据第二实施例的线圈组件的连接导体的示图；
图19是根据第三实施例的线圈组件的示意图；
图20至图22是与沿着图19的线III-III'截取的截面对应并示出连接导体的各种填充结构的示图；以及
图23是根据图19的第三实施例的线圈组件的变型示例，并且是与沿着图19中的线III-III'截取的截面对应的示图。
具体实施方式
在下文中，将参照详细实施例和附图描述本公开。然而，可以以许多不同的形式修改本公开的实施例，并且本公开的范围不限于下面描述的实施例。另外，提供本公开的实施例以向本领域技术人员更完整地描述本公开。因此，为了清楚的描述起见，可夸大附图中的要素的形状和尺寸，并且在附图中由相同附图标记指示的要素是相同的要素。
在电子装置中使用各种类型的电子组件，并且在这些电子组件之中，可适当地使用各种类型的线圈组件来去除噪声。例如，在电子装置中，线圈组件用作功率电感器、高频电感器、普通磁珠、高频磁珠(例如，适用于GHz频段的磁珠)、共模滤波器等。
(第一实施例)
图1是示意性示出根据第一实施例的线圈组件的示图。图2示出了拆解的线圈并且是从上方观察的立体图。图3是从下方观察的图2的线圈的立体图。图4至图6是与沿着图1的线I-I'截取的截面对应并示出连接导体的各种填充结构的示图。
参照图1至图6，根据本实施例的线圈组件1000包括主体100、线圈300、外电极400和500以及连接导体710和720，并且还可包括支撑构件200和绝缘层600。在这种情况下，连接导体710和720包括形成在线圈300的凹入部D1和D2的至少一部分中的填充区域F以及具有相对于主体100的第一表面101倾斜的侧表面的渐缩区域T。如在本实施例中那样，由于连接导体710和720以包括填充区域F和渐缩区域T的形式实现，因此通过调整通路孔的高径比，在通路孔的填充镀覆期间镀覆可以是有利的。
主体100形成线圈组件1000的外部，并且线圈300和支撑构件200设置在主体100中。如图1中所示，主体100可整体形成为六面体的形状。主体100可包括在第一方向(X方向)上彼此相对的第一表面101和第二表面102、在第二方向(Y方向)上彼此相对的第三表面103和第四表面104以及在第三方向(Z方向)上彼此相对的第五表面105和第六表面106。在这种情况下，第一方向(X方向)、第二方向(Y方向)和第三方向(Z方向)可彼此垂直。作为示例，主体100可形成为使得根据本实施例的其中形成有外电极400和500(稍后将描述)的线圈组件1000可具有2.5mm的长度、2.0mm的宽度和1.0mm的厚度，2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，1.6mm的长度、0.8mm的宽度和0.8mm的厚度，1.0mm的长度、0.5mm的宽度和0.5mm的厚度，或者0.8mm的长度、0.4mm的宽度和0.65mm的厚度，但本公开不限于此。另一方面，由于上述数值仅是不反映工艺误差等的设计值，因此应当认为上述数值的可被识别为工艺误差的范围内的数值也是可行的。
上述线圈组件1000的在第一方向(X方向)上的长度可指基于在线圈组件1000的在第二方向(Y方向)上的中央处的线圈组件1000的在第一方向(X方向)-第三方向(Z方向)上的截面的光学显微镜图像或扫描电子显微镜(SEM)图像，分别连接截面图像中所示的线圈组件1000的在第一方向(X方向)上彼此面对的两条最外边界线并且平行于第一方向(X方向)的多条相应线段的尺寸之中的最大值。可选地，该长度可指分别连接截面图像中所示的线圈组件1000的在第一方向(X方向)上彼此面对的两条最外边界线并且平行于第一方向(X方向)的多条相应线段的尺寸之中的最小值。可选地，该长度可指分别连接截面图像中所示的线圈组件1000的在第一方向(X方向)上彼此面对的两条最外边界线并且平行于第一方向(X方向)的多条相应线段的尺寸中的至少三个的算术平均值。在这种情况下，平行于第一方向(X方向)的多条线段可在第三方向(Z方向)上彼此等距间隔开，但本公开的范围不限于此。
上述线圈组件1000的在第二方向(Y方向)上的长度可指基于在线圈组件1000的在第三方向(Z方向)上的中央处的线圈组件1000的在第一方向(X方向)-第二方向(Y方向)上的截面的光学显微镜图像或扫描电子显微镜(SEM)图像，分别连接截面图像中所示的线圈组件1000的在第二方向(Y方向)上彼此面对的两条最外边界线并且平行于第二方向(Y方向)的多条相应线段的尺寸之中的最大值。可选地，该长度可指分别连接截面图像中所示的线圈组件1000的在第二方向(Y方向)上彼此面对的两条最外边界线并且平行于第二方向(Y方向)的多条相应线段的尺寸之中的最小值。可选地，该长度可指分别连接截面图像中所示的线圈组件1000的在第二方向(Y方向)上彼此面对的两条最外边界线并且平行于第二方向(Y方向)的多条相应线段的尺寸中的至少三个的算术平均值。在这种情况下，平行于第二方向(Y方向)的多条线段可在第一方向(X方向)上彼此等距间隔开，但本公开的范围不限于此。
上述线圈组件1000的在第三方向(Z方向)上的长度可指基于在线圈组件1000的在第二方向(Y方向)上的中央处的线圈组件1000的在第一方向(X方向)-第三方向(Z方向)上的截面的光学显微镜图像或扫描电子显微镜(SEM)图像，分别连接截面图像中所示的线圈组件1000的在第三方向(Z方向)上彼此面对的两条最外边界线并且平行于第三方向(Z方向)的多条相应线段的尺寸之中的最大值。可选地，该长度可指分别连接截面图像中所示的线圈组件1000的在第三方向(Z方向)上彼此面对的两条最外边界线并且平行于第三方向(Z方向)的多条相应线段的尺寸之中的最小值。可选地，该长度可指分别连接截面图像中所示的线圈组件1000的在第三方向(Z方向)上彼此面对的两条最外边界线并且平行于第三方向(Z方向)的多条相应线段的尺寸中的至少三个的算术平均值。在这种情况下，平行于第三方向(Z方向)的多条线段可在第一方向(X方向)上彼此等距间隔开，但本公开的范围不限于此。
另一方面，线圈组件1000的在第一方向至第三方向上的长度中的每个可通过千分尺测量法来测量。千分尺测量法可通过以下方式执行：用具有可重复性和可再现性(GageR&R)的千分尺设定零点，将根据本实施例的线圈组件1000插入在千分尺的尖端之间并通过转动千分尺的测量杆来测量。另一方面，在通过千分尺测量法测量线圈组件1000的长度时，线圈组件1000的长度可指一次测量的值，或者可指多次测量的值的算术平均值。
主体100可包括树脂和磁性材料。详细地，主体100可通过堆叠包括树脂和分散在树脂中的磁性材料的一个或更多个磁性复合片，然后固化磁性复合片来形成。磁性材料可以是铁氧体或金属磁性粉末。铁氧体可以是例如尖晶石铁氧体(诸如Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体等)、六方晶系铁氧体(诸如Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体等)、石榴石铁氧体(诸如Y型铁氧体)和Li型铁氧体中的至少一种。金属磁性粉末可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的至少一种。例如，金属磁性粉末可以是纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末和Fe-Cr-Al基合金粉末中的至少一种。金属磁性粉末可以是非晶的或结晶的。例如，金属磁性粉末可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末，但不必限于此。铁氧体和金属磁性粉末中的每者可具有约0.1μm至约30μm的平均直径，但本公开不限于此。主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种类型的磁性材料。在这种情况下，当磁性材料为不同类型时，表示分散在树脂中的磁性材料通过平均直径、组成、结晶度和形状中的至少一者彼此区分。例如，可使用具有不同尺寸的多种类型的金属磁性粉末作为磁性材料。详细地，第一金属磁性粉末至第三金属磁性粉末可分别具有第一直径范围至第三直径范围。在这种情况下，第一直径范围可以是5μm-61μm，第二直径范围可以是0.6μm-4.5μm，第三直径范围可以是10nm-900nm。另一方面，在下文中，将在磁性材料为金属磁性粉末的前提下进行描述，但本公开的范围并非仅限于具有金属磁性粉末分散在树脂中的结构的主体100。树脂可单独或组合地包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等，但不限于此。
主体100包括穿过线圈300(稍后将描述)的芯110。芯110可通过用磁性复合片填充线圈300的通孔来形成，但本公开不限于此。
根据本实施例的线圈组件1000还可包括支撑构件200。支撑构件200设置在主体100内并且可支撑线圈300。支撑构件200具有面向第一表面101的一个表面(在本实施例的情况下基于附图的下表面)和面向主体100的第二表面102的另一表面(在本实施例的情况下基于附图的上表面)。
支撑构件200利用包括诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂或感光绝缘树脂等绝缘材料形成，或者可利用通过将增强材料(诸如玻璃纤维或无机填料)浸渍在绝缘树脂中而形成的绝缘材料形成。例如，支撑构件200可利用诸如半固化片、味之素堆积膜(ABF，Ajinomoto build-up film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光电介质(PID)等的绝缘材料形成，但不限于此。无机填料的示例可包括从由二氧化硅(silicon dioxide，SiO2)、氧化铝(aluminum oxide，Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、黏土、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的至少一种。当支撑构件200利用包括增强材料的绝缘材料形成时，支撑构件200可提供优异的刚性。当支撑构件200利用不包含玻璃纤维的绝缘材料形成时，可有利于减小根据本实施例的线圈组件1000的厚度。此外，基于具有相同尺寸的主体100，可增大由线圈300和/或金属磁性粉末占据的体积，从而可改善组件特性。当支撑构件200利用包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，减少了用于形成线圈300的工艺数量，这可有利于降低生产成本。支撑构件200的厚度可例如大于等于10μm且小于等于50μm，但不限于此。
线圈300设置在主体100内。详细地，线圈300可包括设置在支撑构件200的一个表面(在本实施例的情况下基于附图的下表面)上的第一线圈310，以及设置在支撑构件200的另一表面(在本实施例的情况下基于附图的上表面)上的第二线圈320。在下文中，将参照图1至图3描述线圈的结构。
图2示出了拆解的线圈并且是从上方观察的立体图。
线圈300可包括设置在支撑构件200的一个表面上的第一线圈310、第一引出部331和第二引出部332。
线圈300可包括设置在支撑构件200的另一表面上的第二线圈320、第一辅助引出部341和第二辅助引出部342。
第一线圈310和第二线圈320围绕芯110形成一匝或更多匝，并且可具有平面螺旋形状。然而，本公开不限于此，并且第一线圈310和第二线圈320也可包括有棱角的形状。
参照图2，在支撑构件200的下表面上，第一线圈310连接到第一引出部331并与第一引出部331接触，并且第一线圈310和第一引出部331与第二引出部332间隔开。另外，在支撑构件200的上表面上，第二线圈320连接到第二辅助引出部342并与第二辅助引出部342接触，并且第二线圈320和第二辅助引出部342与第一辅助引出部341间隔开。例如，第一线圈310连接到第一引出部331，并且第二线圈320通过第二辅助引出部342连接到第二引出部332。另一方面，第一辅助引出部341与线圈300的其余组件之间的电连接无关，因此在本公开中可省略。在辅助引出部342形成在主体100的仅一侧的非对称结构的情况下，主体100的有效体积增大并且可改善电感特性。
第一过孔V1穿过支撑构件200并分别接触第一线圈310和第二线圈320。例如，可连接第一线圈310的最内匝的一个区域和第二线圈320的最内匝的一个区域。第二过孔V2穿过支撑构件200并分别接触第一引出部331和第一辅助引出部341。第三过孔V3穿过支撑构件200并分别接触第二引出部332和第二辅助引出部342。因此，线圈300可作为整体用作单个线圈。
引出部331和332以及辅助引出部341和342可延伸到主体100的在第二方向(Y方向)上彼此相对的第三表面103和第四表面104。详细地，第一引出部331和第一辅助引出部341可延伸到主体100的第三表面103，第二引出部332和第二辅助引出部342可延伸到主体100的第四表面104。
图3是从下方观察的图2的线圈的立体图。
参照图3，凹入部D1和D2形成在线圈300的表面的一部分上。详细地，凹入部D1和D2形成在线圈300的面向主体100的第一表面101的一个表面(在本实施例的情况下基于附图的下表面)的一部分上。当使用激光等在主体100中加工通路孔时，可通过穿过线圈300的一部分来形成凹入部D1和D2。例如，凹入部D1和D2可在通路孔的加工期间形成在线圈300的一个表面中。因此，线圈300的一个表面的一部分可比线圈300的一个表面的其余部分更多地凹入到线圈300中。
线圈300可包括第一引出部331和第二引出部332，第一引出部331设置在支撑构件200的一个表面上，连接到第一线圈310并具有第一凹入部D1，第二引出部332设置在支撑构件200的一个表面上，连接到第二线圈320并具有第二凹入部D2。
如稍后将描述的，线圈300与外电极400和500可通过填充线圈300的凹入部D1和D2的至少一部分以形成连接导体710和720来连接。详细地，凹入部D1和D2可通过连接导体710和720的填充区域F和竖直区域V填充。
构成线圈300的组件中的至少一个可包括一个或更多个导电层。例如，当线圈300通过对支撑构件200的表面应用镀覆工艺来形成时，构成线圈300的组件中的至少一个可包括通过无电镀覆等形成的第一导电层和设置在第一导电层上的第二导电层。第一导电层可以是用于通过镀覆在支撑构件200上形成第二导电层的种子层，并且第二导电层可以是电镀层。在这种情况下，电镀层可具有单层结构或多层结构。多层结构的电镀层可形成为其中一个电镀层被另一电镀层覆盖的共形膜结构，或者也可形成为其中另一电镀层仅层叠在一个电镀层的一个表面上的形状。线圈300可利用导电材料(诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金)形成，但不限于此。
虽然在附图中未示出，但绝缘层可形成在线圈300的表面上。绝缘层可一体地覆盖线圈300和支撑构件200。详细地，绝缘层可设置在线圈300与主体100之间以及支撑构件200与主体100之间。绝缘层可沿着支撑构件200的其上形成有线圈300的表面形成，但本公开不限于此。绝缘层用于电隔离线圈300与主体100，并且可包括已知的绝缘材料(诸如聚对二甲苯)，但不限于此。作为另一示例，绝缘层可包括诸如除聚对二甲苯之外的环氧树脂等绝缘材料。绝缘层可通过气相沉积形成，但不限于此。作为另一示例，绝缘层可通过在支撑构件200的其上形成有线圈300的两个表面上层叠用于形成绝缘层的绝缘膜并使其固化来形成，或者也可通过在支撑构件200的其上形成有线圈300的两个表面上涂覆用于形成绝缘层的绝缘膏并使其固化来形成。另一方面，在本实施例中绝缘层是可省略的组件。例如，如果主体100在线圈组件1000的设计工作电流和设计工作电压下具有足够的电阻，则在本实施例中可省略绝缘层。
外电极400和500设置在主体100的第一表面101上。如图1、图4至图6中所示，外电极400和500可仅设置在主体100的第一表面101上。与此不同，外电极400和500的一部分也可设置在主体100的侧表面(例如，第三表面103至第六表面106)的至少一部分上。外电极可包括分别连接到第一线圈310和第二线圈320的第一外电极400和第二外电极500。详细地，第一外电极400和第二外电极500在主体100的第一表面101上彼此间隔开地设置，并且通过连接导体710和720(稍后将描述)连接到线圈300。当线圈组件1000安装在电子装置等上时，第一外电极400和第二外电极500可用于将线圈组件1000中的线圈300电连接到电子装置。
第一外电极400和第二外电极500可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、铬(Cr)、钛(Ti)、它们的合金等的导电材料形成，但本公开不限于此。第一外电极400和第二外电极500可形成为多层结构。例如，第一外电极400和第二外电极500可形成为单层，或者可实现为如图4中所示的多层结构。详细地，外电极400和500可包括包含铜(Cu)和银(Ag)中的至少一种的第一导电层401和501、设置在第一导电层401和501上并包含镍(Ni)的第二导电层402和502以及设置在第二导电层402和502上并包含锡(Sn)的第三导电层403和503。第一导电层401和501可以是镀层或者通过涂覆包含导电粉末(包含铜(Cu)和银(Ag)中的至少一种)和树脂的导电树脂并使之固化而形成的导电树脂层。第二导电层402和502以及第三导电层403和503可以是镀层，但本公开的范围不限于此。此外，为了确保可靠性，第一导电层410可根据需要包括多个上述导电树脂层。
根据本实施例的线圈组件1000还可包括绝缘层600，绝缘层600覆盖主体100的外表面并且设置为使设置在第一表面101(例如，安装表面)上的第一外电极400和第二外电极500暴露。绝缘层600可通过例如在主体100的表面上涂覆包含绝缘树脂的绝缘材料并使之固化来形成。在这种情况下，绝缘层600可包括热塑性树脂(诸如聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、橡胶树脂和丙烯酸树脂)、热固性树脂(诸如苯酚基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、三聚氰胺基树脂和醇酸基树脂)和感光绝缘树脂中的至少一种。
连接导体710和720穿过主体100的一部分以使线圈300与外电极400和500连接。连接导体710和720的一端从主体100的第一表面101延伸，并连接到设置在第一表面101上的外电极400和500，连接导体710和720的另一端连接到线圈300。通过以这种方式用连接导体710和720使线圈300与外电极400和500连接，可实现通过显著减少磁性材料的损耗而具有高电感的线圈组件。
连接导体710和720可包括连接第一引出部331与第一外电极400的第一连接导体710以及连接第二引出部332与第二外电极500的第二连接导体720。
如下面将描述的，连接导体710和720可通过用激光等照射主体100和线圈300以加工通路孔然后填充镀覆通路孔来形成。当通过激光钻孔加工通路孔时，通路孔的形状可变化。详细地，通路孔可具有相对于主体100的第一表面101倾斜的侧表面，可具有与主体100的第一表面101基本垂直的侧表面，或者可具有弯曲表面。可选地，通路孔可包括相对于主体100的第一表面101具有不同倾斜角的第一侧表面和第二侧表面。
连接导体710和720可通过填充镀覆通路孔来形成。在这种情况下，连接导体710和720可具有与通路孔基本相同的形状。例如，连接导体710和720可以是通过镀覆通路孔而获得的过孔。在下文中，将参照图4至图6详细描述连接导体710和720的形状和填充结构。
图4至图6是与沿着图1的线I-I'截取的截面对应并示出连接导体的各种填充结构的示图。
如上所述，连接导体710和720可包括填充在线圈300的凹入部D1和D2的至少一部分中的填充区域F以及具有相对于主体100的第一表面101倾斜的侧表面的渐缩区域T。类似于填充区域F，渐缩区域T和竖直区域V(将在下面描述)可通过用填充镀覆来填充通路孔形成。为了与填充区域F区分开，如上被称为渐缩区域T和竖直区域V。
填充区域F可填充线圈300的凹入部D1和D2的至少一部分。如上所述，由于凹入部D1和D2可包括形成在第一引出部331上的第一凹入部D1和形成在第二引出部332上的第二凹入部D2，因此连接导体710和720的相应填充区域F可填充第一凹入部D1的至少一部分和第二凹入部D2的至少一部分。
连接导体710和720的构成渐缩区域T的侧表面相对于主体100的第一表面101倾斜。因此，渐缩区域T的与第一表面101平行的截面可在第一方向上(X方向)逐渐增大或逐渐减小。因此，如图4至图6中所示，渐缩区域T的一部分可在第一方向(X方向)上偏离凹入部D1和D2而不与其叠置。渐缩区域T可延伸到主体100的第一表面101并且连接到外电极400和500。本实施例的一方面在于调整通路孔的高径比，使得在通路孔的填充镀覆期间可顺利地执行镀覆。通路孔可形成为具有各种高径比。高径比越高，镀覆期间诸如空隙的缺陷越多，因此，可能更加难以执行填充镀覆。详细地，当高径比相对较高时，通路孔的深度增加。因此，由于镀液难以在通路孔内循环，因此在填充镀覆期间缺陷的发生率增大。因此，在本实施例中，由于引入了具有渐缩侧表面的通路孔，因此即使在形成高径比较高的通路孔时，也可顺利地执行填充镀覆。另一方面，渐缩区域T的侧表面不一定仅具有一个倾斜角，并且渐缩区域T可以以具有多个倾斜角的形状实现，且还可包括弯曲区域。
连接导体710和720可包括具有与主体100的第一表面101垂直的侧表面的竖直区域V。在这种情况下，“垂直”的含义包括连接导体710和720的侧表面与第一表面101形成大致直角的情况。因此，竖直区域V中与第一表面101平行的截面的面积可基本相同。然而，竖直区域V的侧表面不必完全与第一表面101垂直，并且当从竖直区域V的侧表面整体看时，表示竖直区域V的侧表面与第一表面101基本垂直。因此，例如，如在连接导体710和720的表面粗糙度水平较高的情况下，在竖直区域V的侧表面上可包括一些非竖直区域。竖直区域V可设置在填充区域F与渐缩区域T之间，以连接填充区域F与渐缩区域T。例如，可通过竖直区域V设计高径比较高的通路孔，在这种情况下，镀液可通过渐缩区域T顺利地循环到该通路孔中。
参照图4和图5，竖直区域V的至少一部分可设置在凹入部D1和D2中。在这种情况下，竖直区域V的至少一部分接触凹入部D1和D2。例如，竖直区域V的至少一部分可填充凹入部D1和D2。图4是示出整个竖直区域V设置在凹入部D1和D2中的示图，图5是示出竖直区域V的一部分设置在凹入部D1和D2中的示图。然而，本公开不限于此，并且竖直区域V可不设置在凹入部D1和D2中。
参照图6，竖直区域V可不接触线圈300的凹入部D1和D2。例如，竖直区域V可不填充线圈300的凹入部D1和D2。
连接导体710和720可包括弯曲表面，并且弯曲表面可形成上述填充区域F的一部分。例如，连接导体710和720的弯曲表面可接触线圈300的凹入部D1和D2。
根据第一实施例的线圈组件1000的连接导体710和720的填充结构可如下确认。在线圈组件的第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)的截面中，获取穿过连接导体710和720(例如，连接导体710和720的中央)的截面样品。线圈300的凹入部D1和D2可形成通路孔的一部分，并且凹入部D1和D2定位在连接导体710和720的填充区域F和竖直区域V中。因此，在线圈的凹入部D1和D2与连接导体710和720之间形成有边界。可通过用光学显微镜图像或扫描电子显微镜(SEM)图像观察收集的截面样品的边界来确认填充结构。
渐缩通路孔的高径比可如下设计。当将连接导体710和720的渐缩区域T中与第一表面101平行的截面的最大直径和最小直径的平均值称为“a”并且将渐缩区域T的在第一方向上的长度称为“c”时，c/a可大于等于0.18且小于等于12.25。最大直径可以是渐缩区域T的延伸到主体的第一表面101的截面的直径，最小直径可以是渐缩区域T与竖直区域(或填充区域)相交的点处的截面的直径。
根据本实施例的线圈组件1000的连接导体710和720的直径可如下测量。在线圈组件的在第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)上的截面之中，获取穿过连接导体710和720的中央的截面样品。详细地，由于渐缩区域T的形状类似于锥台，因此渐缩区域的在其在第一方向上的两端上的与主体的第一表面101平行的一个端表面和另一端表面可具有圆形形状。穿过连接导体710和720的中央的截面是指穿过连接导体710和720的一个端表面和另一端表面(圆形)的中央的截面。圆形的直径可通过用光学显微镜图像或扫描电子显微镜(SEM)图像分析收集的截面样品来获得。“a”可以是测量的圆形的最大直径和最小直径的值的算术平均值。
根据本实施例的线圈组件1000的渐缩区域T的在第一方向上的长度可通过在上述线圈组件的第一方向(X方向)-第二方向(Y方向)截面之中获取穿过连接导体710和720的中央的截面样品，并且通过用所获取的截面样品的光学显微镜图像或扫描电子显微镜(SEM)图像测量连接导体710和720的一个端表面与另一端表面之间的距离来获得。
基于从第一引出部331到第二引出部332的方向(第二方向)，第一连接导体710可在比第一引出部331的中心线更内侧处连接到第一引出部331，在这种情况下，第一连接导体710的位置可以是与第一凹入部D1的中央对应的区域。类似地，基于从第二引出部332朝向第一引出部331的方向(第二方向)，第二连接导体720可在比第二引出部332的中心线更内侧处连接到第二引出部332。在这种情况下，第二连接导体720的位置可以是与第二凹入部D2的中央对应的区域。另外，第一引出部331的中心线和第二引出部332的中心线可分别指的是第一引出部331和第二引出部332的在第二方向上的中心线。例如，第一连接导体710和第二连接导体720可不设置在引出部331和332的中央，而可朝向线圈组件1000的内部偏置设置。
第一连接导体710和第二连接导体720可设置在形成对称结构的位置。例如，参照图7和图8，图7和图8与从一个方向观察的根据变型示例的线圈组件的平面图(参照图1从下方观察的平面图)对应。首先，参照图7，在第一连接导体710和第二连接导体720在第二方向(Y方向)上彼此面对的情况下，在主体100的与第一表面101平行的面截中，第一连接导体710和第二连接导体720可相对于该截面的中心点P或与第二方向(Y方向)垂直的中心线L具有对称结构。在这种情况下，相对于该截面的中心线L的对称形式与图1的实施例中的形式对应。接下来，参照图8，由于工艺中的误差等，在主体100的与第一表面101平行的面截中，第一连接导体710和第二连接导体720可相对于该截面的中心点P或与第二方向(Y方向)垂直的中心线L具有不对称结构。
形成连接导体710和720的方法如下。首先，通过激光钻孔、机械钻孔等在主体100和线圈300中加工通路孔。例如，可使用具有不同加工宽度的两种或更多种类型的激光器来形成通路孔。首先，通过照射具有相对较大的加工宽度的激光来加工具有倾斜侧表面的通路孔，然后使用具有较小的加工宽度的激光加工具有竖直侧表面或倾斜侧表面的通路孔。然后，可将填充镀覆(例如，导电材料)填充在形成的通路孔中。
因此，连接导体710和720可以是填充镀覆过孔并且可包括镀层。连接导体710和720的镀层可包括铜(Cu)，但不限于此。
图9至图11是作为根据第一实施例的线圈组件的变型示例的与沿着图1的线I-I'截取的截面对应的示图。
如下面将描述的，由于当连接导体710和720设置在线圈组件的较内侧时DC电阻(Rdc)倾向于减小，因此连接导体710和720可与引出部331和332的内侧表面接触，如图9至图11中所示。
详细地，参照图9至图11，第一连接导体710连接到第一引出部331的面向第一线圈310的内匝的侧表面，第二连接导体720可连接到第二引出部332的面向第一线圈310的内匝的侧表面。在这种情况下，可实现具有相对较低DC电阻(Rdc)的电感器特性。
下面的表1和表2是比较当形成具有渐缩区域(T)的连接导体710和720时的电感器特性与没有形成过孔(连接导体)的一般底部电极电感器的电感器特性的表。
下面的表1示出了根据连接导体710和720的加工位置以及渐缩区域T的在第一方向上的长度c的电感器特性与1412 0.33μH模型的比较。在这种情况下，1412对应于长度、宽度和高度分别为1.4mm、1.2mm和0.8mm的线圈组件。在表1和表2中，“连接导体位置为0”是指连接导体定位在引出部331和332的在第二方向(Y方向)上的中央，“Ls@1MHz”是指频率为1MHz时的电感值，“Isat”是指基于电感值的变化率的额定电流。
[表1]
下面的表2示出了根据连接导体710和720的加工位置以及渐缩区域T的在第一方向上的长度c的电感器特性与0804 0.68μH模型的比较。在这种情况下，0804对应于长度、宽度和高度分别为0.8mm、0.4mm和0.65mm的线圈组件。
[表2]
参照表1和表2，当形成连接导体710和720时，电感的值比底部电极电感器的电感值大。另外，当连接导体710和720向线圈组件的内侧移动时，DC电阻(Rdc)倾向于减小。
图12是作为根据第一实施例的线圈组件的另一变型示例的与沿着图1的线I-I'截取的截面对应的示图。
参照图12，填充区域F可包括相对于主体100的第一表面101倾斜的第一侧表面，渐缩区域T可包括相对于主体100的第一表面101倾斜的第二侧表面。例如，填充区域F的第一侧表面可以不是具有曲率的弯曲表面，并且可与主体100的第一表面101具有预定倾斜角。
第一侧表面和第二侧表面可相对于主体100的第一表面101具有不同的倾斜角。通过形成具有不同倾斜角的通路孔，通路孔中的镀液可顺利地循环，并且可实现高径比较高的通路孔。
第一侧表面相对于主体100的第一表面101的倾斜角可小于第二侧表面相对于主体100的第一表面101的倾斜角。
根据本实施例的线圈组件1000的连接导体710和720的侧表面的倾斜角可如下测量。在线圈组件的在第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)上的截面之中，获取穿过连接导体710和720的中央的截面样品。详细地，由于渐缩区域T的形状类似于锥台，因此渐缩区域的在其在第一方向的两端上的与主体的第一表面101平行的一个端表面和另一端表面是圆形的。穿过连接导体710和720的中央的截面是指穿过连接导体710和720的一个端表面和另一端表面(圆形)的中央的截面。倾斜的角度可通过使用获取的截面样品的光学显微镜图像或扫描电子显微镜(SEM)图像测量由主体的第一表面101与连接导体710和720的侧表面形成的角度来获得。
(第二实施例)
图13是根据第二实施例的线圈组件的示意图。图14至图16是与沿着图13的线II-II'截取的截面对应并示出连接导体的各种填充结构的示图。图17是根据图13的第二实施例的线圈组件的变型示例，并且是与沿着图13的线II-II'截取的截面对应的示图。图18A和图18B是示出根据第二实施例的线圈组件的连接导体的示图。
在下文中，将参照图13至图18B描述根据第二实施例的线圈组件2000，并且将详细描述与根据第一实施例的线圈组件1000的差异。
根据第二实施例的线圈组件2000的连接导体710和720的一个侧表面延伸到主体100的第三表面103和第四表面104。详细地，第一连接导体710延伸到主体100的第三表面103，第二连接导体720延伸到主体100的第四表面104。这是用于减少所加工的通路孔的数量的设计，并且可以是切割填充镀覆过孔的结果。例如，当切割为单独的片时，一个填充镀覆过孔可分布到两个相邻的不同片。根据第二实施例的线圈组件2000具有连接导体710和720延伸到主体100的侧表面的结构，并且可通过减少通路孔的数量来简化工艺。
连接导体710和720的与主体的第一表面101平行的截面的至少一部分可具有圆形的一部分的形状(诸如半圆形形状)。例如，在切割为单独的片时，填充镀覆过孔可分成两半并分布到两个相邻的彼此不同的片。由于在切割为单独的片之前过孔的与第一表面平行的截面是圆形的，因此切割之后的连接导体710和720的截面可以是半圆形的。然而，本公开不限于此，并且在切割单独的片时填充镀覆过孔的一部分可被部分地去除，因此填充镀覆过孔的被去除的部分可不分布到两个相邻片。在这种情况下，如下面的图18A和图18B中所示，连接导体710和720的渐缩区域T的与主体100的第一表面101平行的截面可具有扇形形状。
主体100可包括连接导体710和720设置在其中的凹部。如上所述，通路孔可跨越两个相邻的彼此不同的片形成，并且在任一片中形成的通路孔的一部分可被称为凹部。凹部通过以下方式形成：通过钻孔加工主体100和线圈300，然后通过划片工艺将填充镀覆过孔分布到不同的相邻片。
连接导体710和720的一个侧表面和主体的一个侧表面可形成共面表面。详细地，第一连接导体710具有延伸到主体100的第三表面103的一个侧表面，并且第一连接导体710的该一个侧表面可与主体100的第三表面103基本共面。第二连接导体720具有延伸到主体100的第四表面104的一个侧表面，并且第二连接导体720的该一个侧表面可与主体100的第四表面104基本共面。在这种情况下，第一连接导体710的一个侧表面和第二连接导体720的一个侧表面可以是填充镀覆过孔的切割表面。
根据第二实施例的线圈组件2000的凹部的高径比可如下测量。
在连接导体710和720的与主体的第一表面101平行的截面的至少一部分具有半圆形形状的情况下，凹部的与渐缩区域T对应的区域中与第一表面101平行的截面的最大半径和最小半径的平均值可被称为“a”。关于测量平均值的方法，可类推并应用第一实施例中的描述。
图18A和图18B各自示出了说明根据第二实施例的线圈组件2000的连接导体的示图。详细地，图18A示出了在连接导体710和720具有竖直区域V的情况下的连接导体，图18B示出了在连接导体710和720不具有竖直区域(V)的情况下的连接导体。
参照图18A和图18B，连接导体710和720的渐缩区域T的与主体100的第一表面101平行的截面可具有扇形形状。当将渐缩区域T的位于渐缩区域T的在第一方向上的两端处的与主体100的第一表面101平行的一个端表面和另一端表面分别被称为S1和S2时，端表面S1和S2中的在第二方向上位于弧与弦之间的长度的最大值分别被称为a1和a2。在这种情况下，a1和a2的平均值被称为a，渐缩区域T的在第一方向上的长度被称为c。凹部的高径比被定义为c/a，并且如在第一实施例中那样，c/a的值可大于等于0.18且小于等于12.25。
根据本实施例的线圈组件2000的“a”值可如下测量。在线圈组件的在第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)上的截面之中，获取穿过连接导体710和720的中央的截面样品。穿过连接导体710和720的中央的截面是指在切割之前穿过具有渐缩区域的过孔的一个端表面和另一端表面(圆形)的中央的截面，并且可类推并应用第一实施例中的描述。通过用光学显微镜图像或扫描电子显微镜(SEM)图像分析收集的截面样品，获得连接导体710和720的在第二方向上位于弧与弦之间的长度的最大值。
下面的表3是示出根据第二实施例的线圈组件的连接导体710和720的c/a范围的表。根据片尺寸(0804、1007、1412)、连接导体加工的位置和覆盖线圈的覆盖部(例如，从第一线圈310的下表面到第一表面101或从第二线圈320的上表面到第二表面102的部分)的厚度t，可提供各个c/a范围，如下面的表3中所示。c1、c2和c3是渐缩区域T的在第一方向上的长度c的各个示例。在这种情况下，0804对应于长度和宽度分别为0.8mm和0.4mm的线圈组件。在这种情况下，1007对应于长度和宽度分别为1.0mm和0.7mm的线圈组件。在这种情况下，1412对应于长度和宽度分别为1.4mm和1.2mm的线圈组件。
[表3]
根据第二实施例的线圈组件2000的连接导体710和720的其他细节与上面在第一实施例的描述中描述的那些基本相同，并且可同样应用第一实施例的描述。例如，如图14至图16中所示，可提供连接导体的各种填充结构，并且如图17中所示，连接导体可变形为包括具有不同倾斜角的侧表面。
详细地，除了暴露于主体100的第三表面103和第四表面104的一个侧表面之外，连接导体710和720可具有与主体100的第一表面101垂直的侧表面。在连接导体710和720中，除了暴露于主体100的第三表面103和第四表面104的一个侧表面之外，具有与主体100的第一表面101垂直的侧表面的区域可被称为如第一实施例中那样的竖直区域V。
竖直区域V可设置在填充区域F与渐缩区域T之间，以连接填充区域F和渐缩区域T。
竖直区域V的至少一部分可设置在凹入部D1和D2中。在第二实施例的情况下，凹入部D1和D2可形成凹部的一部分。这是因为，如上所述，在第二实施例的情况下，通路孔可跨越两个相邻片形成，并且在任一片上形成的通路孔的一部分可被称为凹部。
连接导体710和720包括弯曲表面，并且连接导体710和720的弯曲表面可形成填充区域F的一部分。
在根据第二实施例的线圈组件2000中，绝缘层600覆盖连接导体710和720的从主体100暴露的侧表面。如上所述，第一连接导体710的侧表面和第二连接导体720的侧表面分别延伸到主体100的第三表面103和第四表面104，并且绝缘层600在相应表面上设置在连接导体710和720的延伸的侧表面上。
其他内容与上面在第一实施例的描述中描述的内容基本相同，因此省略了详细描述。
(第三实施例)
图19是根据第三实施例的线圈组件的示意图。图20至图22是与沿着图19的线III-III'截取的截面对应并示出连接导体的各种填充结构的示图。图23示出了根据图19的第三实施例的线圈组件的变型示例，并且是与沿着图19的线III-III'截取的截面对应的示图。
在下文中，参照图19至图23，将描述根据第三实施例的线圈组件3000，并且将详细描述与根据第一实施例的线圈组件1000和第二实施例的线圈组件2000的差异。
在根据第三实施例的线圈组件3000的情况下，连接导体710和720部分地填充主体100的凹部。连接导体710和720可沿着主体100的凹部的表面形成，并且可仅填充凹部的一部分。
根据第三实施例的线圈组件3000的连接导体710和720如下形成。在第三实施例的情况下，与第一实施例和第二实施例不同，通路孔可被部分镀覆而不被完全填充。可切割部分镀覆的过孔并将其分布到两个相邻的彼此不同的片，并且形成部分填充凹部的连接导体710和720。
在根据第三实施例的线圈组件3000的情况下，存在可显著减少填充通路孔的导电材料的量的优点。
根据第三实施例的线圈组件3000的凹部的高径比可通过类推第二实施例中的方法来获得。例如，用光学显微镜图像或扫描电子显微镜(SEM)图像分析获取的截面样品，并且在凹部被完全镀覆的前提下可获得“a”值。
其它内容与上面在第一实施例和第二实施例的描述中描述的内容基本相同，因此省略了详细描述。
如上所述，根据实施例，可减小线圈组件的DC电阻(Rdc)值。
另外，根据实施例，可通过显著减少线圈组件的磁性材料的损耗来确保高电感。
虽然上面已经示出和描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员来说将易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可进行修改和变型。

Claims (46)

1.一种线圈组件，包括：
主体，包括彼此相对的第一表面和第二表面；
线圈，设置在所述主体中并且具有设置在所述线圈的表面的一部分中的凹入部；
外电极，设置在所述主体的所述第一表面上；以及
连接导体，连接所述线圈和所述外电极，
其中，所述连接导体包括填充区域和渐缩区域，所述填充区域设置在所述线圈的所述凹入部的至少一部分中，所述渐缩区域具有相对于所述第一表面倾斜的侧表面。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述连接导体还包括具有与所述第一表面垂直的侧表面的竖直区域。
3.根据权利要求2所述的线圈组件，其中，所述竖直区域设置在所述填充区域与所述渐缩区域之间，并且连接所述填充区域和所述渐缩区域。
4.根据权利要求2所述的线圈组件，其中，所述竖直区域的至少一部分设置在所述凹入部中，或者所述竖直区域不设置在所述凹入部中。
5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述渐缩区域连接到所述外电极。
6.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述连接导体包括弯曲表面。
7.根据权利要求6所述的线圈组件，其中，所述弯曲表面形成所述填充区域的一部分。
8.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述连接导体的一个侧表面延伸到所述主体的侧表面。
9.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述连接导体还包括具有与所述第一表面垂直的侧表面的竖直区域。
10.根据权利要求9所述的线圈组件，其中，所述竖直区域设置在所述填充区域与所述渐缩区域之间，并且连接所述填充区域和所述渐缩区域。
11.根据权利要求9所述的线圈组件，其中，所述竖直区域的至少一部分设置在所述凹入部中，或者所述竖直区域不设置在所述凹入部中。
12.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述连接导体包括弯曲表面。
13.根据权利要求12所述的线圈组件，其中，所述弯曲表面形成所述填充区域的一部分。
14.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述主体包括凹部，所述连接导体设置在所述凹部中。
15.根据权利要求14所述的线圈组件，其中，所述连接导体的一个侧表面和所述主体的一个侧表面共面。
16.根据权利要求14所述的线圈组件，其中，所述连接导体部分设置在所述主体的所述凹部中。
17.根据权利要求8所述的线圈组件，所述线圈组件还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述连接导体的从所述主体暴露的所述一个侧表面。
18.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述连接导体的与所述第一表面平行的截面的至少一部分具有圆形的一部分的形状。
19.根据权利要求18所述的线圈组件，其中，所述圆形的所述一部分的形状是半圆形形状。
20.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述填充区域包括相对于所述第一表面倾斜的第一侧表面，所述渐缩区域的所述侧表面为第二侧表面。
21.根据权利要求20所述的线圈组件，其中，所述第一侧表面和所述第二侧表面相对于所述第一表面具有不同的倾斜角。
22.根据权利要求21所述的线圈组件，其中，所述第一侧表面相对于所述第一表面的倾斜角小于所述第二侧表面相对于所述第一表面的倾斜角。
23.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，当所述第一表面和所述第二表面彼此相对的方向被定义为第一方向时，所述渐缩区域的与所述第一表面平行的截面的最大直径和最小直径的平均值a与所述渐缩区域的在所述第一方向上的长度c满足0.18≤c/a≤12.25。
24.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述连接导体包括镀层。
25.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述外电极包括依次设置在所述主体的所述第一表面上的第一导电层、第二导电层和第三导电层。
26.根据权利要求25所述的线圈组件，其中，所述第一导电层是导电树脂层，并且
所述第二导电层和所述第三导电层是镀层。
27.根据权利要求25所述的线圈组件，其中，所述第一导电层至所述第三导电层是镀层。
28.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括支撑构件，所述支撑构件设置在所述主体内并且具有分别面向所述主体的所述第一表面和所述第二表面的一个表面和另一表面，
其中，所述线圈包括设置在所述支撑构件的所述一个表面上的第一线圈和设置在所述支撑构件的所述另一表面上的第二线圈，并且
所述外电极包括分别连接到所述第一线圈和所述第二线圈的第一外电极和第二外电极。
29.根据权利要求28所述的线圈组件，所述线圈组件还包括第一过孔，所述第一过孔穿过所述支撑构件并且连接所述第一线圈的最内匝的一个区域和所述第二线圈的最内匝的一个区域。
30.根据权利要求28所述的线圈组件，其中，所述线圈还包括：第一引出部，设置在所述支撑构件的所述一个表面上，连接到所述第一线圈并具有第一凹入部；以及第二引出部，设置在所述支撑构件的所述一个表面上，连接到所述第二线圈并具有第二凹入部，并且
所述连接导体包括连接所述第一引出部与所述第一外电极的第一连接导体和连接所述第二引出部与所述第二外电极的第二连接导体。
31.根据权利要求30所述的线圈组件，其中，基于从所述第一引出部到所述第二引出部的方向，所述第一连接导体在比所述第一引出部的中心线更内侧处连接到所述第一引出部，并且
基于从所述第二引出部到所述第一引出部的方向，所述第二连接导体在比所述第二引出部的中心线更内侧处连接到所述第二引出部。
32.根据权利要求31所述的线圈组件，其中，所述第一连接导体连接到所述第一引出部的面向所述第一线圈的内匝的侧表面，并且
所述第二连接导体连接到所述第二引出部的面向所述第一线圈的内匝的侧表面。
33.根据权利要求30所述的线圈组件，其中，当所述第一表面和所述第二表面彼此面对的方向被定义为第一方向，并且所述第一连接导体和所述第二连接导体彼此面对且与所述第一方向垂直的方向被定义为第二方向时，
在所述主体的与所述第一表面平行的截面中，所述第一连接导体和所述第二连接导体相对于所述截面的中心点或与所述第一方向和所述第二方向垂直的中心线对称。
34.根据权利要求30所述的线圈组件，其中，当所述第一表面和所述第二表面彼此面对的方向被称为第一方向，并且所述第一连接导体和所述第二连接导体彼此面对且与所述第一方向垂直的方向被称为第二方向时，
在所述主体的与所述第一表面平行的一个截面中，所述第一连接导体和所述第二连接导体相对于所述截面的中心点或与所述第一方向和所述第二方向垂直的中心线具有不对称结构。
35.根据权利要求23所述的线圈组件，其中，a与c满足0.20≤c/a≤5.00。
36.根据权利要求23所述的线圈组件，其中，a与c满足0.28≤c/a≤5.25。
37.一种线圈组件，包括：
主体，包括彼此相对的第一表面和第二表面以及将所述第一表面与所述第二表面彼此连接的侧表面；
线圈，设置在所述主体中，并且包括一匝或更多匝以及引出部，所述引出部从所述一匝或更多匝中的最外匝延伸到所述主体的侧表面；
外电极，设置在所述主体的所述第一表面上；
通路孔，设置在所述主体中并且具有从所述引出部到所述外电极增大的直径；以及
连接导体，设置在所述通路孔中以将所述线圈与所述外电极彼此连接。
38.根据权利要求37所述的线圈组件，其中，所述连接导体的一个侧表面延伸到所述主体的所述侧表面。
39.根据权利要求38所述的线圈组件，其中，所述连接导体的所述一个侧表面和所述主体的所述侧表面共面。
40.根据权利要求37所述的线圈组件，其中，所述线圈具有设置在所述线圈的表面的一部分中的凹入部，所述通路孔部分设置在所述凹入部中，并且所述连接导体包括弯曲的侧表面。
41.根据权利要求37所述的线圈组件，其中，所述连接导体的与所述第一表面平行的截面的至少一部分具有圆形的一部分的形状。
42.根据权利要求37所述的线圈组件，其中，所述连接导体的一部分具有锥台的形状。
43.根据权利要求37所述的线圈组件，其中，所述连接导体包括镀层。
44.根据权利要求37所述的线圈组件，其中，所述通路孔部分填充有所述连接导体。
45.根据权利要求37所述的线圈组件，其中，所述通路孔完全填充有所述连接导体。
46.根据权利要求37所述的线圈组件，其中，所述通路孔延伸到所述引出部的内部。
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