CN118028793A - 一种pcb化学镀铜用镀铜液及pcb板沉厚铜工艺 - Google Patents
一种pcb化学镀铜用镀铜液及pcb板沉厚铜工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN118028793A CN118028793A CN202410344964.1A CN202410344964A CN118028793A CN 118028793 A CN118028793 A CN 118028793A CN 202410344964 A CN202410344964 A CN 202410344964A CN 118028793 A CN118028793 A CN 118028793A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper plating
- pcb
- copper
- plating solution
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 203
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 203
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 203
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 157
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 title claims description 14
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 24
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 23
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 23
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 19
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 claims abstract description 19
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims abstract description 19
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims abstract description 6
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000276 potassium ferrocyanide Substances 0.000 claims description 10
- XOGGUFAVLNCTRS-UHFFFAOYSA-N tetrapotassium;iron(2+);hexacyanide Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[Fe+2].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] XOGGUFAVLNCTRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 9
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 3
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RCIVOBGSMSSVTR-UHFFFAOYSA-L stannous sulfate Chemical compound [SnH2+2].[O-]S([O-])(=O)=O RCIVOBGSMSSVTR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229910000375 tin(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
本发明涉及PCB板生产技术领域，具体公开了一种PCB化学镀铜用镀铜液及PCB板沉厚铜工艺。一种PCB化学镀铜用镀铜液，包括6~10g/L五水硫酸铜、30~50g/L络合剂、0.012~0.015g/L稳定剂、15~25g/L甲醛、0.001~0.005g/L表面活性剂、余量为去离子水；表面活性剂包含聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠；用氢氧化钠溶液调节pH值至11~12。本申请的镀铜液具有稳定性好、镀铜速度快、镀铜厚度均匀等优点，可以有效提高PCB板的质量和性能。
Description
技术领域
本发明涉及PCB板生产技术领域，尤其是涉及一种PCB化学镀铜用镀铜液及PCB板沉厚铜工艺。
背景技术
PCB(Printed Circuit Board)即印刷电路板，是现代电子设备中不可或缺的重要部件。随着电子设备的不断发展，对PCB板的质量和性能要求也越来越高。其中，沉铜工艺是PCB板生产过程中非常重要的一环，为后续电镀工艺起到导电作用，因而沉铜工艺的好坏会影响到细密线路加工的好坏，对电子设备的稳定性和可靠性有一定的影响。
沉铜，又称孔金属化(PTH))，使双面或多层印制板层间导线之间联通。PCB沉铜工艺主要依赖于化学镀铜工艺，即在绝缘基材表面通过化学反应沉积一层铜层。
然而，现有的化学镀铜技术还存在一些问题，例如由于化学反应的均匀性限制，制得的铜层在微观尺度上可能存在一定的粗糙度和不均匀性，这影响了PCB后续电镀工艺的导电性能和稳定性，从而影响PCB的整体性能。因此，如何开发一种新型的PCB化学镀铜用镀铜液，以提高PCB沉铜工艺形成铜层均匀性，成为当前PCB生产技术领域亟待解决的问题。
发明内容
为了提高PCB沉铜工艺形成铜层均匀性，本申请提供一种PCB化学镀铜用镀铜液及PCB板沉厚铜工艺。本申请通过深入研究发现，本申请的镀铜液具有稳定性好、镀铜速度快、镀铜厚度均匀等优点，可以有效提高PCB板的质量和性能。同时，该工艺还具有操作简便、环保等优点，符合当前PCB板生产领域的发展需求。本申请的PCB化学镀铜用镀铜液具有很好的实用性，可以广泛应用于电子、通讯、计算机等制造领域。
第一方面，本申请提供的一种PCB化学镀铜用镀铜液采用如下的技术方案：
一种PCB化学镀铜用镀铜液，所述PCB化学镀铜用镀铜液的质量浓度配比如下：6～10g/L五水硫酸铜、30～50g/L络合剂、0.012～0.015g/L稳定剂、15～25g/L甲醛、0.001～0.005g/L表面活性剂、余量为去离子水；
所述表面活性剂包含聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠；
所述化学镀铜用镀铜液的pH值为11～12，用氢氧化钠溶液调节。
上述技术方案中，本申请通过采用五水硫酸铜作为铜源，提供镀铜所需的铜离子；络合剂可以与铜离子形成稳定的络合物，提高镀铜液的稳定性和镀铜速度；稳定剂可以保持镀铜液的稳定性，防止镀铜过程中出现沉淀或浑浊等现象；甲醛作为还原剂，可以将铜离子还原为金属铜，从而实现化学镀铜；同时本申请在研究中发现，由聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠配比而成的表面活性剂可以有效地提高镀铜液的稳定性和镀铜速度，并保证镀铜厚度的均匀性，这是因为聚乙烯亚胺具有良好的络合能力，可以与铜离子形成稳定的络合物，而十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠则具有良好的分散性，聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠相互配合，协同作用，能够有效改善镀铜液的镀铜均匀性，使镀铜厚度更加均匀。
优选的，所述聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠的质量比为1：(5～6)。
上述技术方案中，本申请通过优化聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠的质量比，使得表面活性剂在镀铜液中的性能得到进一步提高，从而进一步提高镀铜的均匀性和稳定性。
优选的，所述络合剂包含乙二胺四乙酸和巯基乙酸。
上述技术方案中，本申请通过研究发现，乙二胺四乙酸和巯基乙酸作为络合剂，具有优异的络合能力和稳定性，可以有效地提高镀铜液的稳定性和镀铜速度，同时保证镀铜厚度的均匀性。这是因为乙二胺四乙酸具有多个羧基和氨基，可以与铜离子形成多个配位键，形成稳定的络合物，而巯基乙酸中的巯基具有优异的亲铜性，可以与铜离子形成强烈的络合作用，进一步提高镀铜液的稳定性和镀铜速度。
更优选的，所述乙二胺四乙酸和巯基乙酸的质量比为(10～15)：(1～2)。
上述技术方案中，本申请通过进一步优化乙二胺四乙酸和巯基乙酸的质量比，使得络合剂在镀铜液中的性能得到进一步提高，从而进一步提高镀铜的均匀性和稳定性。
优选的，所述稳定剂包含亚铁氰化钾和聚乙二醇，所述亚铁氰化钾和聚乙二醇的质量比为(1～2)：10。
上述技术方案中，本申请通过采用亚铁氰化钾和聚乙二醇作为稳定剂，可以进一步提高镀铜液的稳定性和镀铜速度。亚铁氰化钾可以有效地防止镀铜过程中出现沉淀或浑浊等现象，而聚乙二醇则具有优异的润滑性和分散性，可以保证镀铜液的稳定性和均匀性。通过优化亚铁氰化钾和聚乙二醇的质量比，可以使得稳定剂在镀铜液中的性能得到进一步提高，从而进一步提高镀铜的均匀性和稳定性。
第二方面，本申请提供的一种PCB板沉厚铜工艺采用如下的技术方案：
一种PCB板沉厚铜工艺，包括以下步骤：
步骤1，前处理：对PCB板进行钻孔处理；钻孔处理后需确保孔内平整、无倒刺等，为后续的化学镀铜过程提供良好的基底；
步骤2，预处理：包括除油、微蚀、预浸、活化；其中，除油过程可以有效去除PCB板表面的油污，保证镀铜层与基材之间的结合力；微蚀过程可以进一步清洁PCB板表面，去除表面的氧化物和杂质；预浸过程可以使PCB板表面充分浸润在镀铜液中，提高镀铜的均匀性；活化过程可以在PCB板表面形成一层活性层，有利于铜离子的沉积；
步骤3，化学镀铜：采用第一方面所述的PCB化学镀铜用镀铜液进行化学镀铜处理，得到沉厚铜的PCB板。
优选的，步骤2中所述活化是指将PCB板在40～50℃下浸泡于活化液中5～8min，所述活化液的质量浓度配比如下：9～11g/L硫酸、0.3～0.6g/L硫酸钯。
更优选的，所述活化液的质量浓度配比如下10g/L硫酸、0.5g/L硫酸钯。
优选的，所述步骤3中的镀铜参数如下：反应时间为30～40min，温度为28～32℃，镀铜厚度为5～7μm，本申请通过控制镀铜参数，可以得到具有均匀、稳定铜层的PCB板，这样的PCB板所镀铜层厚度在5～7μm，较现有技术的沉铜工艺得到的铜层厚度更均匀、导电性能更好，满足后续细密线路加工的要求，能够使得后续的电镀工艺得到铜厚更薄、表面铜层更均匀。
上述技术方案中，本申请的PCB板沉厚铜工艺通过前处理、预处理和化学镀铜三个步骤，实现了对PCB板的沉厚铜处理。其中，前处理步骤可以有效地去除PCB板表面的油污和杂质，为后续的沉铜处理做好准备；预处理步骤则通过除油、微蚀、预浸和活化等步骤，进一步清洁PCB板表面，提高镀铜液的润湿性和均匀性；化学镀铜步骤则采用本申请的PCB化学镀铜用镀铜液进行镀铜处理，可以快速、均匀地形成一层厚铜层，实现PCB板的沉厚铜。
综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
1.本申请通过采用五水硫酸铜作为铜源，配合络合剂、稳定剂和还原剂等添加剂，制备出了一种高效、稳定的PCB化学镀铜用镀铜液，该镀铜液具有镀铜速度快、镀铜厚度均匀、稳定性好等优点，适用于大规模工业生产。
2.本申请的镀铜液中加入了由聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠配比而成的表面活性剂，该表面活性剂能够有效提高镀铜液的稳定性和镀铜速度，并保证镀铜厚度的均匀性，解决了现有技术中镀铜液稳定性和镀铜均匀性不佳的问题。
3.本申请的PCB板沉厚铜工艺通过前处理、预处理和化学镀铜三个步骤，实现了对PCB板的沉厚铜处理，该工艺操作简单、易于控制，能够得到具有均匀、稳定铜层的PCB板，满足后续细密线路加工的要求，提高了PCB板的导电性能和可靠性。
4.本申请的PCB板沉厚铜工艺中，通过控制镀铜参数，限定镀铜参数如下：反应时间为30～40min，温度为28～32℃，可以得到具有优异性能的PCB板，该PCB板所镀铜层厚度在5～7μm，镀铜层均匀、导电性能良好，为后续的电镀工艺提供了更好的基础。
5.本申请的PCB板沉厚铜工艺具有良好的经济效益。采用本申请的PCB化学镀铜用镀铜液和PCB板沉厚铜工艺，可以显著提高生产效率，降低生产成本。同时，由于所得到的PCB板铜层均匀、导电性能良好，可以满足更高要求的电子产品生产，从而提高了产品的附加值和市场竞争力。
6.本申请的PCB化学镀铜用镀铜液和PCB板沉厚铜工艺具有广泛的应用前景。随着电子产品的不断升级换代，对PCB板的要求也越来越高。本申请的镀铜液和沉铜工艺可以满足大规模、高精度、高可靠性的PCB板生产需求，适用于各种电子产品的生产，具有广阔的市场前景。
具体实施方式
为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
一种PCB化学镀铜用镀铜液，质量浓度配比如下：
6g/L五水硫酸铜、30g/L络合剂、0.012g/L稳定剂、15g/L甲醛、0.001g/L表面活性剂、余量为去离子水，加入氢氧化钠将pH值调节为11。
其中，表面活性剂是聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠以1：5的质量比配比而成。
其中，络合剂是乙二胺四乙酸和巯基乙酸以10：1的质量比配比而成。
其中，稳定剂是亚铁氰化钾和聚乙二醇以1：10的质量比配比而成。
其中，PCB化学镀铜用镀铜液的制备方法如下：
先将络合剂溶解在去离子水中，边搅拌边加入五水硫酸铜，溶解后再加入稳定剂、甲醛、表面活性剂，最后加入氢氧化钠将pH值调节为11。
实施例2
一种PCB化学镀铜用镀铜液，与实施例1不同的是，质量浓度配比如下：10g/L五水硫酸铜、50g/L络合剂、0.015g/L稳定剂、25g/L甲醛、0.005g/L表面活性剂、余量为去离子水，加入氢氧化钠将pH值调节为11.5。
其中，表面活性剂是聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠以1：6的质量比配比而成。
其中，络合剂是乙二胺四乙酸和巯基乙酸以15：2的质量比配比而成。
其中，稳定剂是亚铁氰化钾和聚乙二醇以2：10的质量比配比而成。
其中，PCB化学镀铜用镀铜液的制备方法如下：
先将络合剂溶解在去离子水中，边搅拌边加入五水硫酸铜，溶解后再加入稳定剂、甲醛、表面活性剂，最后加入氢氧化钠将pH值调节为11.5。
实施例3
一种PCB化学镀铜用镀铜液，与实施例1不同的是，质量浓度配比如下：8g/L五水硫酸铜、40g/L络合剂、0.014g/L稳定剂、20g/L甲醛、0.004g/L表面活性剂、余量为去离子水，加入氢氧化钠将pH值调节为11.5。
其中，表面活性剂是聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠以1：5.7的质量比配比而成。
其中，络合剂是乙二胺四乙酸和巯基乙酸以13：1.5的质量比配比而成。
其中，稳定剂是亚铁氰化钾和聚乙二醇以1.5：10的质量比配比而成。
其中，PCB化学镀铜用镀铜液的制备方法如下：
先将络合剂溶解在去离子水中，边搅拌边加入五水硫酸铜，溶解后再加入稳定剂、甲醛、表面活性剂，最后加入氢氧化钠将pH值调节为12。
实施例4
一种PCB化学镀铜用镀铜液，与实施例1不同的是，络合剂是乙二胺四乙酸。
实施例5
一种PCB化学镀铜用镀铜液，与实施例1不同的是，稳定剂是亚铁氰化钾。
对比例1
一种PCB化学镀铜用镀铜液，与实施例1不同的是，表面活性剂是十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠。
对比例2
一种PCB化学镀铜用镀铜液，与实施例1不同的是，表面活性剂是聚乙烯亚胺。
对比例3
一种PCB化学镀铜用镀铜液，与实施例1不同的是，不含表面活性剂。
应用例1
一种PCB板沉厚铜工艺，包括以下步骤：
步骤1，前处理：对PCB板进行钻孔处理，
步骤2，预处理：包括除油、微蚀、预浸、活化。
其中，除油参数：50℃，浸泡8min，除油液的质量浓度配比如下：10g/L氢氧化钠、5g/L碳酸钠、2g/L乙二胺四乙酸、0.5g/L季铵盐阳离子表面活性剂。
其中，微蚀参数：常温，浸泡1min，微蚀液的质量浓度配比如下：60g/L过硫酸钠、30g/L硫酸、10g/L硫酸铜。
其中，预浸参数：30℃，浸泡1min，预浸液的质量浓度配比如下：10g/L硫酸亚锡、0.05g/L盐酸。
其中，活化参数：45℃，浸泡5～8min，活化液的质量浓度配比如下：10g/L硫酸、0.5g/L硫酸钯。
步骤3，化学镀铜，镀铜参数如下：温度为30℃，浸泡30min，镀铜厚度为5～7μm。
其中，PCB化学镀铜用镀铜液来自上述各实施例。
通过上述的PCB板沉厚铜工艺，所镀铜层厚度在5～7μm，且铜层厚度均匀、导电性能好，满足后续细密线路加工的要求，能够使得后续的电镀工艺得到铜厚更薄、表面铜层更均匀。
性能测试
测试样品：上述各实施例及对比例的PCB化学镀铜用镀铜液。
背光测试：采用应用例1的PCB板沉厚铜工艺镀厚铜，然后在显微镜下进行背光测试，背光等级一共分为10级，等级越高，代表沉铜表面越平整、光滑，镀层覆盖情况越好，测试结果记录于表1。
铜厚均匀性测试：采用应用例1的PCB板沉厚铜工艺镀厚铜，镀铜完成后，沿孔中线切开，分别取四点，测出镀层厚度，记为X1、X2、X3、X4、X5，并计算5个测量值的方差D(X)，方差越小，铜厚均匀性越好，记录结果于表1。
表1：
结合实施例1-5、对比例1-3以及表1，不难看出，使用实施例1-5的PCB化学镀铜用镀铜液的铜层厚度更均匀且沉铜速率更高。
结合实施例1和对比例1-3分析，不难看出，实施例1添加了由聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠配比而成的表面活性剂，对比例1未添加聚乙烯亚胺，对比例2未添加十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠，对比例3未添加由聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠配比而成的表面活性剂，由此可见，只有在PCB化学镀铜用镀铜液中同时加入聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠，聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠相互配合，协同作用，才能够有效改善镀铜液的镀铜均匀性，使镀铜厚度更加均匀。
本具体实施例仅仅是对本申请的解释，其并不是对本申请的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。
Claims (8)
1.一种PCB化学镀铜用镀铜液，其特征在于，所述PCB化学镀铜用镀铜液的质量浓度配比如下：
6~10g/L五水硫酸铜、30~50g/L络合剂、0.012~0.015g/L稳定剂、15~25g/L甲醛、0.001~0.005g/L表面活性剂、余量为去离子水；
所述表面活性剂包含聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠；
所述化学镀铜用镀铜液的pH值为11~12，用氢氧化钠溶液调节。
2.根据权利要求1所述的一种PCB化学镀铜用镀铜液，其特征在于，所述聚乙烯亚胺和十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠的质量比为1：（5~6）。
3.根据权利要求1所述的一种PCB化学镀铜用镀铜液，其特征在于，所述络合剂包含乙二胺四乙酸和巯基乙酸。
4.根据权利要求1所述的一种PCB化学镀铜用镀铜液，其特征在于，所述乙二胺四乙酸和巯基乙酸的质量比为（10~15）：（1~2）。
5.根据权利要求1所述的一种PCB化学镀铜用镀铜液，其特征在于，所述稳定剂包含亚铁氰化钾和聚乙二醇，所述亚铁氰化钾和聚乙二醇的质量比为（1~2）：10。
6.一种PCB板沉厚铜工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，前处理：对PCB板进行钻孔处理；
步骤2，预处理：包括除油、微蚀、预浸、活化；
步骤3，化学镀铜：采用如权利要求1~5任一项所述的PCB化学镀铜用镀铜液进行化学镀铜处理，得到沉厚铜的PCB板。
7.根据权利要求6所述的一种PCB板沉厚铜工艺，其特征在于，步骤2中所述活化是指将PCB板在40~50℃下浸泡于活化液中5~8min，所述活化液的质量浓度配比如下：9~11g/L硫酸、0.3~0.6g/L硫酸钯。
8.根据权利要求6所述的一种PCB板沉厚铜工艺，其特征在于，所述步骤3中的镀铜参数如下：反应时间为30~40min，温度为28~32℃，镀铜厚度为5~7μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410344964.1A CN118028793A (zh) | 2024-03-25 | 2024-03-25 | 一种pcb化学镀铜用镀铜液及pcb板沉厚铜工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410344964.1A CN118028793A (zh) | 2024-03-25 | 2024-03-25 | 一种pcb化学镀铜用镀铜液及pcb板沉厚铜工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118028793A true CN118028793A (zh) | 2024-05-14 |
Family
ID=91002563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410344964.1A Pending CN118028793A (zh) | 2024-03-25 | 2024-03-25 | 一种pcb化学镀铜用镀铜液及pcb板沉厚铜工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN118028793A (zh) |
-
2024
- 2024-03-25 CN CN202410344964.1A patent/CN118028793A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6081199B2 (ja) | めっき触媒および方法 | |
| CN110724943A (zh) | 铜表面化学镀镍前无钯活化液及制备方法和镀镍方法 | |
| CN108823554A (zh) | 一种化学镀钯液、其制备方法和其使用方法以及应用 | |
| CN109355645B (zh) | 一种近中性化学镀高W含量Ni-W-P合金镀层的方法 | |
| CN109536965B (zh) | 用于去除半导体封装件不良镀锡层的剥锡剂及其制备方法 | |
| CN113388829A (zh) | 化学镀铜液以及利用化学镀铜液镀铜基板的方法 | |
| CN109207971B (zh) | 一种化学快速还原镀金液及其应用 | |
| RU2398049C2 (ru) | Усовершенствованные стабилизация и рабочие характеристики автокаталитических способов нанесения покрытия методом химического восстановления | |
| CN105330821B (zh) | 二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺的共聚物 | |
| CN113005437A (zh) | 一种用于印制线路板的化学沉金液 | |
| CN108823555B (zh) | 一种还原型化学镀金液及其制备方法和使用方法以及应用 | |
| CN118028793A (zh) | 一种pcb化学镀铜用镀铜液及pcb板沉厚铜工艺 | |
| CN113026005B (zh) | 一种应用在柔性线路板化学镀镍钯金镀层的化学镀溶液及工艺 | |
| JP6081200B2 (ja) | めっき触媒および方法 | |
| CN114016098A (zh) | 一种PCB用覆铜板电镀Ni-Co-Ce薄膜镀液及薄膜制备方法 | |
| CN113897600A (zh) | 一种双络合体系低应力化学镀铜液及其制备方法和应用 | |
| CN102877044A (zh) | 一种环保型无铅化学镍金的生产方法 | |
| CN1659312A (zh) | 用于银沉积的酸性溶液及在金属表面上沉积银层的方法 | |
| CN114059053B (zh) | 化学镀Ni-W-P镀液及其制备方法、Ni-W-P镀层及其制备方法 | |
| CN114808048B (zh) | 一种化学镍电镀液及其电镀工艺 | |
| CN113026004B (zh) | 一种用于化学镍金印制线路板的高磷化学镍溶液 | |
| CN102797000A (zh) | 基于氯化胆碱的化学镀银溶液及其使用方法 | |
| US6524490B1 (en) | Method for electroless copper deposition using a hypophosphite reducing agent | |
| CN114411130A (zh) | 一种延展性良好的厚化学镀铜溶液 | |
| CN115522188A (zh) | 一种高速化学镀铜溶液及其镀铜工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |