CN117998897A - 显示装置和用于制造显示装置的方法 - Google Patents

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金泰昊
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Abstract

提供了显示装置和用于制造显示装置的方法。显示装置包括：发光区域和非发光区域；发光元件，布置在衬底上的发光区域中并且包括像素电极、发光层和上电极，像素电极、发光层和上电极被顺序地布置；阻光层，在非发光区域中布置在发光元件上；以及反射控制层，布置在发光元件上，覆盖阻光层并且在发光区域中包括从上表面凹陷的凹部。

Description

显示装置和用于制造显示装置的方法
技术领域
实施方式总体上涉及显示装置。更具体地，实施方式涉及提供视觉信息的显示装置。
背景技术
随着信息技术的发展，作为用户与信息之间的连接介质的显示装置的重要性已突显。例如，诸如液晶显示装置、有机发光显示装置、等离子体显示装置等的显示装置的用途正在增加。
由于显示装置包括包含金属的线、电极等，因此入射在显示装置上的外部光可从线和电极反射。为了防止外部光的反射，显示装置通常包括偏振器。然而，虽然偏振器可防止外部光的反射，但是显示装置的光效率可能因偏振器而降低。
发明内容
实施方式提供了具有减少的缺陷的改进的显示装置。
实施方式提供了制造显示装置的方法。
将由本公开实现的技术目标不限于本文中描述的那些技术目标，并且本领域技术人员将从本公开的描述中清楚地理解本文中未提及的其它技术目标。
根据本公开的实施方式的显示装置可包括：发光区域和非发光区域；发光元件，布置在衬底上的发光区域中并且包括像素电极、发光层和上电极，像素电极、发光层和上电极被顺序地布置；阻光层，在非发光区域中布置在发光元件上；以及反射控制层，布置在发光元件上，覆盖阻光层并且在发光区域中包括从上表面凹陷的凹部。
在实施方式中，显示装置还可包括布置在反射控制层上的粘合层。粘合层的折射率可大于反射控制层的折射率。
在实施方式中，粘合层的折射率与反射控制层的折射率之间的差可为约0.05或更大。
在实施方式中，粘合层可直接接触反射控制层。
在实施方式中，显示装置还可包括布置在发光元件与反射控制层之间的填充层。填充层的折射率可大于反射控制层的折射率。
在实施方式中，填充层可直接接触反射控制层。
在实施方式中，填充层的折射率与反射控制层的折射率之间的差可为约0.05或更大。
在实施方式中，显示装置还可包括布置在上电极上并且包括无机材料的光吸收层。
在实施方式中，光吸收层可仅布置在发光区域中。
在实施方式中，光吸收层可整个地布置在发光区域和非发光区域中。
在实施方式中，光吸收层可包括选自由金属、硅化合物和金属氧化物构成的组中的至少一种。
在实施方式中，反射控制层可包括无机材料或有机材料。
在实施方式中，反射控制层还可包括选自由溶剂、染料、颜料和表面活性剂构成的组中的至少一种。
在实施方式中，有机材料可包括光致抗蚀剂。
在实施方式中，显示装置还可包括布置在发光元件与阻光层之间并且包括第一触摸电极和电连接到第一触摸电极的第二触摸电极的触摸感测层。
一种根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法，该方法可包括：在衬底上的显示装置的发光区域中形成包括顺序地形成的像素电极、发光层和上电极的发光元件；在发光元件上的显示装置的非发光区域中形成阻光层；在发光元件上形成覆盖阻光层的预备反射控制层；以及通过去除预备反射控制层的在发光区域中的部分，形成在发光区域中包括从上表面凹陷的凹部的反射控制层。
在实施方式中，形成反射控制层可通过使用半色调掩模或狭缝掩模来执行。
在实施方式中，该方法还可包括：在反射控制层上形成粘合层。粘合层的折射率可大于反射控制层的折射率。
在实施方式中，粘合层的折射率与反射控制层的折射率之间的差可为约0.05或更大。
在实施方式中，粘合层可直接接触反射控制层。
在实施方式中，该方法还可包括：在发光元件的形成之后，在上电极上形成包括无机材料的光吸收层。
在实施方式中，反射控制层可包括无机材料或有机材料。
在实施方式中，反射控制层还可包括选自由溶剂、染料、颜料和表面活性剂构成的组中的至少一种。
根据本公开的实施方式的显示装置可包括发光区域和非发光区域、布置在衬底上的发光区域中的发光元件、在非发光区域中布置在发光元件上的阻光层、布置在发光元件上并且在发光区域中限定从上表面凹陷的凹部的反射控制层以及直接接触反射控制层的高折射率层(例如，粘合层或填充层)。高折射率层的折射率可大于反射控制层的折射率。相应地，可提高显示装置的光效率。
附图说明
通过结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解说明性的非限制性实施方式。
图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的示意性平面图。
图2是沿图1的线I-I'截取的示意性剖面图。
图3、图4、图5、图6、图7、图8和图9是用于解释制造图2的显示装置的方法的示意性剖面图。
图10是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的示意性剖面图。
图11是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的示意性平面图。
图12是示意性地示出图11的显示装置的示意性剖面图。
图13是沿图11的线II-II'截取的示意性剖面图。
图14、图15、图16、图17和图18是用于解释制造图13的显示装置的方法的示意性剖面图。
图19是示出包括图1的显示装置的电子装置的示意性框图。
图20是示出其中图19的电子装置被实现为电视机的实例的示意图。
图21是示出其中图19的电子装置被实现为智能电话的实例的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图对根据本公开的实施方式的显示装置进行详细解释。在附图中，相同的附图标记和/或附图字符用于相同的部件，并且将省略相同部件的冗余描述。
当元件被称为在另一元件“上”，“连接到”或“联接到”另一元件时，该元件可直接在另一元件上，直接连接到或联接到另一元件，或者可存在有居间元件或层。然而，当元件被称为“直接在”另一元件“上”，“直接连接到”或“直接联接到”另一元件时，则不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可指示在具有或不具有居间元件的情况下的物理、电和/或流体连接。
术语“重叠”或“重叠的”意味着第一物体可位于第二物体上方或下方或第二物体的侧面，并且反之亦然。附加地，术语“重叠”可包括层叠、堆叠、面对或面向、在……上面延伸、覆盖或部分覆盖，或由本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
作为本领域中的惯例，在功能块、单元、部和/或模块方面，描述并且在附图中示出一些实施方式。本领域技术人员将领会，这些块、单元、部和/或模块通过可使用基于半导体的制备技术或其它制造技术形成的诸如逻辑电路、分立部件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、布线连接等的电子(或光学)电路物理地实现。在由微处理器或其它相似硬件实现的块、单元、部和/或模块的情况下，可使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制，以执行本文中所讨论的各种功能，并且可选地，它们可由固件和/或软件来驱动。还预期到每个块、单元、部和/或模块可由专用硬件实现，或者作为执行一些功能的专用硬件与执行其它功能的处理器(例如，一个或多个经编程的微处理器和相关联的电路)的组合来实现。而且，在不背离本公开的范围的情况下，一些实施方式的每个块、单元、部和/或模块可物理地分离成两个或更多个交互且分立的块、单元、部和/或模块。此外，在不背离本公开的范围的情况下，一些实施方式的块、单元、部和/或模块可物理地组合成更复杂的块、单元、部和/或模块。
在本公开中，除非上下文另有明确指示，否则单数形式(诸如“一”和“一个”)也旨在包括复数含义。
术语“和/或”包括相关联的配置中的一个或多个可限定的所有组合。例如，“A和/或B”可理解为意味着“A、B、或者A和B”。
出于本公开的目的，短语“A和B中的至少一个”可被解释为仅A、仅B、或A和B的任何组合。而且，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的组中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。
考虑到有关测量和与特定数量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中使用的术语“约”或者“大致”包括所陈述的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的针对特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可意味着在一个或者多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非在本文中另有定义或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解，术语，诸如常用词典中定义的那些术语，应被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则不应以理想的或过于刻板的意义来解释。
图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的示意性平面图。
参照图1，根据实施方式的显示装置100可包括显示区域DA和外围区域PA。显示区域DA可为显示图像的区域。外围区域PA可为不显示图像的区域。外围区域PA可定位成与显示区域DA相邻或在显示区域DA周围。例如，外围区域PA可完全围绕显示区域DA。
显示区域DA可包括发光区域EA和非发光区域NEA。发光区域EA可包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个可指示其中从发光元件发射的光被发射到显示装置100的外部的区域。例如，第一发光区域EA1可发射第一光，第二发光区域EA2可发射第二光，并且第三发光区域EA3可发射第三光。在实施方式中，第一光可为红色光，第二光可为绿色光，并且第三光可为蓝色光。然而，本公开不限于此。例如，发光区域EA可单独地或组合地发射黄色光、青色光和品红色光。
发光区域EA可发射四种或更多种颜色的光。例如，除了红色光、绿色光和蓝色光之外，发光区域EA还可单独地或组合地发射黄色光、青色光和品红色光中的至少一种。发光区域EA可单独地或组合地发射白色光。
在平面图中，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个可在行方向和列方向上重复地排列。在平面图中，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可在第一方向DR1和与第一方向DR1交叉(或相交)的第二方向DR2上重复地排列。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个可具有三角形平面形状、四边形平面形状、圆形平面形状、轨道形平面形状、椭圆形平面形状等。在实施方式中，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个可具有矩形平面形状。然而，本公开不限于此，并且第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个可具有不同的平面形状。
非发光区域NEA可位于第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3之间。例如，在平面图中，非发光区域NEA可围绕第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3。非发光区域NEA可不发射光。
在本说明书中，平面可被定义为第一方向DR1和第二方向DR2。例如，第一方向DR1可垂直于第二方向DR2。
本公开的显示装置100可为包括例如有机发光显示装置(OLED)、液晶显示装置(LCD)、场发射显示装置(FED)、等离子体显示装置(PDP)、电泳显示装置(EPD)和无机发光显示装置(ILED)的显示装置中的至少一种。
图2是沿图1的线I-I'截取的示意性剖面图。
参照图2，根据实施方式的显示装置100可包括衬底SUB、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3、绝缘结构IL、像素限定层PDL、第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3、覆盖层CL、第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3、封装层ENC、触摸感测层TCL、阻光层BL、反射控制层RCL和粘合层OL。
第一发光元件LED1可包括第一像素电极PE1、第一发光层EML1和第一公共电极CE1。第二发光元件LED2可包括第二像素电极PE2、第二发光层EML2和第二公共电极CE2。第三发光元件LED3可包括第三像素电极PE3、第三发光层EML3和第三公共电极CE3。
如上所述，显示装置100可包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及非发光区域NEA。由于显示装置100可包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及非发光区域NEA，因此包括在显示装置100中的部件(或元件，例如，衬底SUB)也可包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及非发光区域NEA。
衬底SUB可包括透明材料和/或不透明材料。衬底SUB可由例如透明树脂衬底制成(或者可包括例如透明树脂衬底)。透明树脂衬底的实例可包括聚酰亚胺衬底等。聚酰亚胺衬底可包括第一有机层、第一阻挡层和第二有机层。作为另一实例，衬底SUB可包括例如石英衬底、合成石英衬底、氟化钙衬底、掺F石英衬底、钠钙玻璃衬底、无碱玻璃衬底等。这些可单独使用或者彼此组合使用。
第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3可布置在衬底SUB上。例如，第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3中的每个可包括非晶硅、多晶硅和金属氧化物半导体中的至少一种。在实施方式中，第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3中的每个可为薄膜晶体管。
金属氧化物半导体可包括例如含有铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)、四元化合物(ABxCyDz)等中的至少一种。例如，金属氧化物半导体可包括氧化锌(ZnOx)、氧化镓(GaOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锌(IGZO)等中的至少一种。这些可单独使用或者彼此组合使用。
绝缘结构IL可布置在衬底SUB上。绝缘结构IL可覆盖第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3(或与第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3重叠)。绝缘结构IL可包括无机绝缘层和有机绝缘层中的至少一种。例如，无机绝缘层可包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、碳化硅(SiCx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)等中的至少一种。有机绝缘层可包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂、环氧基树脂等中的至少一种。这些可单独使用或者彼此组合使用。
第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可布置在绝缘结构IL上。在视图或方向上(例如，在平面图中)，第一像素电极PE1可与第一发光区域EA1重叠，第二像素电极PE2可与第二发光区域EA2重叠，并且第三像素电极PE3可与第三发光区域EA3重叠。第一像素电极PE1可通过穿过绝缘结构IL的第一接触孔电连接到第一晶体管TR1，第二像素电极PE2可通过穿过绝缘结构IL的第二接触孔电连接到第二晶体管TR2，并且第三像素电极PE3可通过穿过绝缘结构IL的第三接触孔电连接到第三晶体管TR3。例如，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。这些可单独使用或者彼此组合使用。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可用作阳极。
像素限定层PDL可布置在绝缘结构IL以及第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3上。像素限定层PDL可与非发光区域NEA重叠。像素限定层PDL可覆盖第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个的侧面(例如，两个侧面)，并且可暴露第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个的上表面的至少一部分。像素限定层PDL可包括有机材料和/或无机材料。在实施方式中，像素限定层PDL可包括有机材料。例如，像素限定层PDL可包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂等中的至少一种。这些可单独使用或者彼此组合使用。
第一发光层EML1可布置在第一像素电极PE1上，第二发光层EML2可布置在第二像素电极PE2上，并且第三发光层EML3可布置在第三像素电极PE3上。例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每个可包括发射某种颜色(例如，预定或可选择的颜色)的光的有机材料。第一发光层EML1可包括发射第一颜色光L1的有机材料，第二发光层EML2可包括发射第二颜色光L2的有机材料，并且第三发光层EML3可包括发射第三颜色光L3的有机材料。例如，第一颜色可为红色，第二颜色可为绿色，并且第三颜色可为蓝色。然而，本公开不限于此。
第一公共电极CE1可布置在第一发光层EML1和像素限定层PDL上，第二公共电极CE2可布置在第二发光层EML2和像素限定层PDL上，并且第三公共电极CE3可布置在第三发光层EML3和像素限定层PDL上。第一公共电极CE1、第二公共电极CE2和第三公共电极CE3可一体地形成(或彼此成一体)。例如，第一公共电极CE1、第二公共电极CE2和第三公共电极CE3中的每个可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可单独使用或者彼此组合使用。第一公共电极CE1、第二公共电极CE2和第三公共电极CE3可操作为阴极。
相应地，包括第一像素电极PE1、第一发光层EML1和第一公共电极CE1的第一发光元件LED1可布置在衬底SUB上的第一发光区域EA1中。包括第二像素电极PE2、第二发光层EML2和第二公共电极CE2的第二发光元件LED2可布置在衬底SUB上的第二发光区域EA2中。包括第三像素电极PE3、第三发光层EML3和第三公共电极CE3的第三发光元件LED3可布置在衬底SUB上的第三发光区域EA3中。
第一发光元件LED1可电连接到第一晶体管TR1，第二发光元件LED2可电连接到第二晶体管TR2，并且第三发光元件LED3可电连接到第三晶体管TR3。
覆盖层CL可布置在第一公共电极(或上电极)CE1、第二公共电极(或上电极)CE2和第三公共电极(或上电极)CE3上。覆盖层CL可整个地布置在第一公共电极CE1、第二公共电极CE2和第三公共电极CE3上。覆盖层CL可用于保护第一公共电极CE1、第二公共电极CE2和第三公共电极CE3。例如，覆盖层CL可包括有机材料和/或无机材料。
第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3可布置在覆盖层CL上。第一光吸收层LAL1可与第一发光区域EA1重叠，第二光吸收层LAL2可与第二发光区域EA2重叠，并且第三光吸收层LAL3可与第三发光区域EA3重叠。第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3可吸收外部光。第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3中的每个可包括无机材料和/或有机材料。
例如，第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3中的每个可包括诸如金属、硅化合物、金属氧化物等的无机材料。金属的实例可包括银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、金(Au)、钽(Ta)、铜(Cu)、钙(Ca)、钴(Co)、铁(Fe)、钼(Mo)、钨(W)、铂(Pt)、镱(Yb)等。硅化合物的实例可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等。金属氧化物的实例可包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化钇(Y2O3)、氧化铍(BeO)、氧化镁(MgO)、氧化铅(PbO2)、氧化钨(WO3)等。这些可被单独或彼此组合使用。作为另一实例，第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3中的每个可包括诸如氟化锂(LiF)、氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)、硫化镉(CdS)等的无机材料。这些可单独使用或者彼此组合使用。
封装层ENC可布置在覆盖层CL以及第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3上。封装层ENC可防止杂质、湿气等从外部透过第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3。封装层ENC可包括无机封装层和有机封装层中的至少一种。例如，无机封装层可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等中的至少一种，并且有机封装层可包括诸如聚丙烯酸酯等的聚合物固化材料中的至少一种。
触摸感测层TCL可布置在封装层ENC上。触摸感测层TCL可用作显示装置100的输入单元。触摸感测层TCL可包括第一触摸绝缘层TIL1、第二触摸绝缘层TIL2、第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2和保护层PL中的至少一个。
第一触摸绝缘层TIL1可布置在封装层ENC上。第一触摸绝缘层TIL1可包括无机材料和/或有机材料。例如，第一触摸绝缘层TIL1可包括诸如氧化硅、氮化硅等的无机材料。这些可单独使用或者彼此组合使用。
第一触摸电极TE1可布置在第一触摸绝缘层TIL1上。第一触摸电极TE1可与非发光区域NEA重叠。例如，第一触摸电极TE1可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。这些可单独使用或者彼此组合使用。
第二触摸绝缘层TIL2可布置在第一触摸绝缘层TIL1和第一触摸电极TE1上。第二触摸绝缘层TIL2可充分覆盖第一触摸电极TE1。第二触摸绝缘层TIL2可包括无机材料或有机材料。例如，第二触摸绝缘层TIL2可包括诸如氧化硅、氮化硅等的无机材料。这些可单独使用或者彼此组合使用。
第二触摸电极TE2可布置在第二触摸绝缘层TIL2上。第二触摸电极TE2可与非发光区域NEA重叠。第二触摸电极TE2可通过穿过第二触摸绝缘层TIL2的接触孔电连接到第一触摸电极TE1。例如，第二触摸电极TE2可包括碳纳米管(CNT)、透明导电氧化物、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、石墨烯、银纳米线(AgNW)、铜(Cu)、铬(Cr)等中的至少一种。这些可单独使用或者彼此组合使用。
第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2可包括相同的材料。作为另一实例，第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2可包括不同的材料。
保护层PL可布置在第二触摸绝缘层TIL2和第二触摸电极TE2上。保护层PL可充分覆盖第二触摸电极TE2。保护层PL可保护第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2。保护层PL可包括无机材料和/或有机材料。例如，保护层PL可包括诸如氧化硅、氮化硅等的无机材料。这些可单独使用或者彼此组合使用。
阻光层BL可布置在保护层PL上。阻光层BL可与非发光区域NEA重叠(或布置在非发光区域NEA中)。阻光层BL可阻挡入射到阻光层BL的光。相应地，阻光层BL可防止第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3之间的颜色混合。与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个重叠的开口可限定在阻光层BL中。例如，阻光层BL可包括含有黑色颜料或黑色染料的有机材料或无机材料。
反射控制层RCL可布置在保护层PL上。反射控制层RCL可覆盖阻光层BL。由于显示装置100包括反射控制层RCL，因此显示装置100可不包括偏振器。例如，反射控制层RCL可代替偏振器的功能。换言之，反射控制层RCL可根据波长选择性地吸收从显示装置100的内部反射的外部光以防止显示装置100的光效率劣化。
反射控制层RCL可包括无机材料和/或有机材料。例如，反射控制层RCL可包括诸如彩色光致抗蚀剂的有机材料。在实施方式中，反射控制层RCL可包括负性彩色光致抗蚀剂。
反射控制层RCL还可包括溶剂、染料、颜料、表面活性剂等中的至少一种。例如，反射控制层RCL可包括染料，诸如四氮杂卟啉基化合物、卟啉基化合物、恶嗪基化合物、方酸基化合物、三芳基甲烷基化合物、菁基化合物、蒽醌基化合物、偶氮基化合物、苝基化合物、呫吨基化合物、二铵基化合物、二吡咯亚甲基化合物等。这些可单独使用或者彼此组合使用。
例如，反射控制层RCL的最大吸收波长可在约530nm至约600nm的波长范围内。例如，反射控制层RCL可吸收具有在从第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3发射的红色光、绿色光或蓝色光的波长范围之外的波长的光。
在实施方式中，从反射控制层RCL的上表面凹陷的凹部RS可限定在反射控制层RCL中。凹部RS可与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个重叠。
粘合层OL可布置在反射控制层RCL上。粘合层OL可在反射控制层RCL上连续地延伸。在实施方式中，粘合层OL可直接接触反射控制层RCL。粘合层OL可填充反射控制层RCL的凹部RS。粘合层OL可包括透明无机材料和/或有机材料。例如，粘合层OL可包括光学透明粘合剂(OCA)、光学透明树脂(OCR)、压敏粘合剂(PSA)等中的至少一种。这些可单独使用或者彼此组合使用。
覆盖窗可布置在粘合层OL上。例如，覆盖窗可包括玻璃和/或塑料。覆盖窗可通过粘合层OL附接到反射控制层RCL。
对于可见光，反射控制层RCL可具有相对低的折射率，并且粘合层OL可具有相对高的折射率。在实施方式中，对于可见光，粘合层OL的折射率可大于反射控制层RCL的折射率。例如，粘合层OL的折射率与反射控制层RCL的折射率之间的差可为约0.05或更大。粘合层OL的折射率与反射控制层RCL的折射率之间的差可为约0.1或更大。在粘合层OL的折射率与反射控制层RCL的折射率之间的差小于0.05的情况下，显示装置100的光效率可降低。
由于限定在反射控制层RCL中的凹部RS以及粘合层OL与反射控制层RCL之间的折射率的差，反射控制层RCL的凹部RS可执行透镜功能。例如，在从第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3发射的光之中，入射在反射控制层RCL的凹部RS上的光L可在与衬底SUB垂直的方向上发射到显示装置100的外部。相应地，可提高显示装置100的光效率。
如上所述，反射控制层RCL可包括含有染料、颜料、溶剂、表面活性剂等的无机材料和/或有机材料。例如，反射控制层RCL可包括含有染料、颜料、溶剂、表面活性剂等的彩色光致抗蚀剂中的至少一种。在染料和颜料中，染料可为反射控制层RCL的主要材料。反射控制层RCL的凹部RS的深度d可通过调节彩色光致抗蚀剂的分子量、彩色光致抗蚀剂的粘度和表面活性剂的量来调节。例如，可通过调节彩色光致抗蚀剂的分子量、彩色光致抗蚀剂的粘度和表面活性剂的量来改善反射控制层RCL的凹部RS作为透镜的功能。例如，在增加彩色光致抗蚀剂的分子量、增加彩色光致抗蚀剂的粘度或者减少表面活性剂的量的情况下，可增加反射控制层RCL的凹部RS的深度d。
根据比较例，在反射控制层RCL的上表面完全平坦的情况下，包括反射控制层RCL的显示装置100的光效率可降低。
根据本公开的实施方式的显示装置100可包括反射控制层RCL和高折射率层(例如，图2的粘合层OL或图13的填充层FL)，在反射控制层RCL中从上表面凹陷的凹部RS被限定在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中，高折射率层直接接触反射控制层RCL。高折射率层的折射率可大于反射控制层RCL的折射率。相应地，可提高显示装置100的光效率。
图3、图4、图5、图6、图7、图8和图9是用于解释制造图2的显示装置的方法的示意性剖面图。
参照图3，可在衬底SUB上顺序地形成第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3、绝缘结构IL、第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3、像素限定层PDL、第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3、第一公共电极CE1、第二公共电极CE2和第三公共电极CE3以及覆盖层CL。
参照图4，可在覆盖层CL上形成第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3。第一光吸收层LAL1可形成在第一发光区域EA1中，第二光吸收层LAL2可形成在第二发光区域EA2中，并且第三光吸收层LAL3可形成在第三发光区域EA3中。例如，第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3中的每个可通过使用金属、硅化合物、金属氧化物等中的至少一种来形成。
参照图5，可在覆盖层CL以及第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3上形成封装层ENC。封装层ENC可包括无机封装层和有机封装层中的至少一种。
第一触摸绝缘层TIL1可形成在封装层ENC上。例如，第一触摸绝缘层TIL1可通过使用无机材料形成。第一触摸电极TE1可形成在第一触摸绝缘层TIL1上。第二触摸绝缘层TIL2可形成在第一触摸绝缘层TIL1和第一触摸电极TE1上。例如，第二触摸绝缘层TIL2可通过使用无机材料形成。第二触摸电极TE2可形成在第二触摸绝缘层TIL2上。第二触摸电极TE2可通过经由去除第二触摸绝缘层TIL2的一部分而形成的接触孔电连接到第一触摸电极TE1。保护层PL可形成在第二触摸绝缘层TIL2和第二触摸电极TE2上。例如，保护层PL可通过使用无机材料形成。
参照图6，可在保护层PL上的非发光区域NEA中形成阻光层BL。例如，阻光层BL可通过使用包含诸如黑色颜料、黑色染料等的阻光材料的无机材料和/或有机材料来形成。
参照图7，可在保护层PL上形成预备反射控制层RCL'。预备反射控制层RCL'可覆盖阻光层BL。例如，预备反射控制层RCL'可通过使用包含染料、颜料、溶剂、表面活性剂等的无机材料或有机材料来形成。
参照图8和图9，可在预备反射控制层RCL'上定位掩模M。在实施方式中，掩模M可包括半色调掩模和/或狭缝掩模。例如，掩模M可包括半透射部分M2和光透射部分M1。光透射部分M1可透射光，并且半透射部分M2可仅透射光的一部分。
可通过掩模M对预备反射控制层RCL'执行曝光和显影工艺。预备反射控制层RCL'的与光透射部分M1对应的部分可不被去除。另一方面，可部分地去除预备反射控制层RCL'的与半透射部分M2对应的部分。相应地，可形成其中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。凹部RS可与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个重叠。
在对预备反射控制层RCL'执行的曝光工艺中，反射控制层RCL的厚度可根据曝光量而变化。例如，在对预备反射控制层RCL'执行的曝光工艺中，反射控制层RCL的厚度可随着曝光量的增加而增加。
返回参照图2，可在反射控制层RCL上形成粘合层OL。粘合层OL可填充反射控制层RCL的凹部RS。例如，粘合层OL可通过使用无机材料和/或有机材料形成。
相应地，可制造图2中所示的显示装置100。
在下文中，将参照图2描述根据比较实施方式和实施方式1和2的本公开的效果。
在实施方式1和实施方式2中，通过使用彩色光致抗蚀剂形成其中在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。通过使用丙烯酸树脂在反射控制层RCL上形成粘合层OL。
在比较实施方式中，通过使用彩色光致抗蚀剂形成作为整体具有平坦的上表面的反射控制层。然后，通过使用丙烯酸树脂在反射控制层上形成粘合层。
在实施方式1中，反射控制层RCL的折射率为约1.48，并且粘合层OL的折射率为约1.53。在实施方式2中，反射控制层RCL的折射率为约1.48，并且粘合层OL的折射率为约1.63。
相应地，测量了满足实施方式1、实施方式2和比较实施方式的显示装置100的光效率。
<表1>
折射率差 光效率(％)
实施方式1 0.05 102
实施方式2 0.15 115
比较实施方式 0.03 100
作为结果，参照表1，可确认满足实施方式1和实施方式2的显示装置100的光效率高于满足比较实施方式的显示装置100的光效率。
实验例1：根据彩色光致抗蚀剂的分子量的凹部深度的比较
(制备例1)
如下表2中所示，通过使用具有约60000的分子量并且含有染料、颜料、溶剂和表面活性剂的彩色光致抗蚀剂来形成其中在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。反射控制层RCL的厚度t为约3μm。对于染料和颜料使用普通材料。对于溶剂使用丙二醇甲醚乙酸酯，并且使用F基和Si基表面活性剂。
(制备例2)
如下表2中所示，通过使用具有约25000的分子量并且含有染料、颜料、溶剂和表面活性剂的彩色光致抗蚀剂来形成其中在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。反射控制层RCL的厚度t为3μm。对于染料和颜料使用普通材料。对于溶剂使用丙二醇甲醚乙酸酯，并且使用F基和Si基表面活性剂。
(制备例3)
如下表2中所示，通过使用具有8000的分子量并且含有染料、颜料、溶剂和表面活性剂的彩色光致抗蚀剂来形成其中在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。反射控制层RCL的厚度t为约3μm。对于染料和颜料使用普通材料。对于溶剂使用丙二醇甲醚乙酸酯，并且使用F基和Si基表面活性剂。
(制备例4)
如下表2中所示，通过使用具有约3000的分子量并且含有染料、颜料、溶剂和表面活性剂的彩色光致抗蚀剂来形成其中在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。反射控制层RCL的厚度t为约3μm。对于染料和颜料使用普通材料。对于溶剂使用丙二醇甲醚乙酸酯，并且使用F基和Si基表面活性剂。
<表2>
作为结果，参照表2，可确认反射控制层RCL的凹部RS的深度d随着彩色光致抗蚀剂的分子量的增加而增加。
实验例2：根据彩色光致抗蚀剂的粘度的凹部深度的比较
(制备例5)
如下表3中所示，通过使用具有5cp的粘度并且含有染料、颜料、溶剂和表面活性剂的彩色光致抗蚀剂来形成其中在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。反射控制层RCL的厚度t为约2μm。对于染料和颜料使用普通材料。对于溶剂使用丙二醇甲醚乙酸酯，并且使用F基和Si基表面活性剂。
(制备例6)
如下表3中所示，通过使用具有约16cp的粘度并且含有染料、颜料、溶剂和表面活性剂的彩色光致抗蚀剂来形成其中在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。反射控制层RCL的厚度t为约2μm。对于染料和颜料使用普通材料。对于溶剂使用丙二醇甲醚乙酸酯，并且使用F基和Si基表面活性剂。
<表3>
作为结果，参照表3，可确认反射控制层RCL的凹部RS的深度d随着彩色光致抗蚀剂的粘度的增加而增加。
实验例3：根据曝光量的反射控制层的厚度的比较
(制备例7)
如下表4中所示，在通过使用含有染料、颜料、溶剂和表面活性剂的彩色光致抗蚀剂形成预备反射控制层之后，将预备反射控制层曝光于具有约50mJ的曝光量的光，并且用氢氧化钾(KOH)对预备反射控制层进行显影以形成其中在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。对于染料和颜料使用普通材料。对于溶剂使用丙二醇甲醚乙酸酯，并且使用F基和Si基表面活性剂。
(制备例8)
如下表4中所示，在通过使用含有染料、颜料、溶剂和表面活性剂的彩色光致抗蚀剂形成预备反射控制层之后，将预备反射控制层曝光于具有约100mJ的曝光量的光，并且用氢氧化钾(KOH)对预备反射控制层进行显影以形成其中在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。对于染料和颜料使用普通材料。对于溶剂使用丙二醇甲醚乙酸酯，并且使用F基和Si基表面活性剂。以与制备例7中使用的彩色光致抗蚀剂的量相同的量来使用彩色光致抗蚀剂。
<表4>
曝光量(mJ) 反射控制层的厚度(μm)
制备例7 50 2.5
制备例8 100 3.0
作为结果，参照表4，可确认在形成反射控制层RCL的曝光工艺中，反射控制层RCL的厚度t随着曝光量的增加而增加。
图10是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的示意性剖面图。
参照图10，根据本公开的另一实施方式的显示装置101可包括衬底SUB、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3、绝缘结构IL、像素限定层PDL、第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3、覆盖层CL、光吸收层LAL、封装层ENC、触摸感测层TCL、阻光层BL、反射控制层RCL和粘合层OL。然而，除了光吸收层LAL的形状之外，参照图10描述的显示装置101可与参照图2描述的显示装置100实质上相同或相似。在下面，省略或简化冗余描述。
光吸收层LAL可布置在覆盖层CL上。光吸收层LAL可整个地布置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及非发光区域NEA中。例如，光吸收层LAL可在覆盖层CL上连续地延伸。例如，光吸收层LAL可包括金属、硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。这些可单独使用或者彼此组合使用。
图11是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的示意性平面图。图12是示意性地示出图11的显示装置的剖面图。
参照图11和图12，根据本公开的另一实施方式的显示装置102可包括显示区域DA和外围区域PA。显示区域DA可包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及非发光区域NEA。在下文中，将省略或简化相对于参照图1描述的显示装置100的那些描述重复的描述。
显示装置102可包括第一衬底SUB1、电路层DCL、发光元件层LEL、填充层FL、密封构件SL、反射控制层RCL、第二衬底SUB2和触摸感测层TCL。
第一衬底SUB1可包括透明材料和/或不透明材料。例如，第一衬底SUB1可包括玻璃、塑料等。
电路层DCL可布置在第一衬底SUB1上。电路层DCL可与显示区域DA重叠。例如，电路层DCL可包括晶体管、绝缘结构等。发光元件层LEL可布置在电路层DCL上。发光元件层LEL可电连接到电路层DCL。例如，发光元件层LEL可包括发射某种颜色(例如，预定或可选择的颜色)的光的发光元件。
密封构件SL可布置在第一衬底SUB1的外围区域PA中。密封构件SL可布置成在平面图中围绕显示区域DA，并且第一衬底SUB1和第二衬底SUB2可通过密封构件SL接合。密封构件SL可防止异物、湿气等从外部渗透到显示装置102中。
第二衬底SUB2可布置成面对第一衬底SUB1。在实施方式中，第二衬底SUB2可为封装衬底。第二衬底SUB2和第一衬底SUB1可包括相同的材料。例如，第二衬底SUB2可包括玻璃、塑料等。
反射控制层RCL可布置在第二衬底SUB2下方。反射控制层RCL可减少因外部光造成的反射率。下面将详细描述反射控制层RCL。
触摸感测层TCL可布置在第二衬底SUB2上。触摸感测层TCL可包括触摸电极并且可感测用户的触摸。
填充层FL可布置在第一衬底SUB1与第二衬底SUB2之间。填充物可填充在填充层FL中。例如，填充物可包括空气、有机聚合物材料、树脂等。填充层FL可提高显示装置102的高温稳定性和减震性。
图13是沿图11的线II-II'截取的示意性剖面图。
参照图13，根据本公开的另一实施方式的显示装置102可包括第一衬底SUB1、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3、绝缘结构IL、第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3、像素限定层PDL、覆盖层CL、第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3、填充层FL、反射控制层RCL、阻光层BL以及第二衬底SUB2。在下文中，将省略或简化相对于参照图2描述的显示装置100的那些描述重复的描述。
第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3、绝缘结构IL、第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3、像素限定层PDL、覆盖层CL以及第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3可顺序地布置在第一衬底SUB1上。
第二衬底SUB2可布置成面对第一衬底SUB1。阻光层BL可布置在第二衬底SUB2下方。阻光层BL可与非发光区域NEA重叠。例如，阻光层BL可包括含有诸如黑色颜料、黑色染料等的阻光材料的无机材料和/或有机材料。
反射控制层RCL可布置在第二衬底SUB2下方。例如，反射控制层RCL可包括含有颜料、染料、溶剂、表面活性剂等的无机材料和/或有机材料。在实施方式中，从反射控制层RCL的上表面凹陷的凹部RS可限定在反射控制层RCL中。凹部RS可与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个重叠。
填充层FL可布置在第一衬底SUB1和第二衬底SUB2之间。填充层FL可布置在覆盖层CL与反射控制层RCL之间。在实施方式中，填充层FL可直接接触反射控制层RCL。例如，填充层FL可填充反射控制层RCL的凹部RS。
在实施方式中，对于可见光，填充层FL的折射率可大于反射控制层RCL的折射率。例如，填充层FL的折射率与反射控制层RCL的折射率之间的差可为约0.05或更大。填充层FL的折射率与反射控制层RCL的折射率之间的差可为约0.1或更大。
图14、图15、图16、图17和图18是用于解释制造图13的显示装置的方法的示意性剖面图。
在下文中，将省略或简化关于参照图3、图4、图5、图6、图7、图8和图9描述的制造显示装置100的方法的重复描述。
参照图14，可在第二衬底SUB2上形成阻光层BL。阻光层BL可与非发光区域NEA重叠。例如，阻光层BL可通过使用包含阻光材料的无机材料和/或有机材料来形成。
参照图15，可在第二衬底SUB2上形成预备反射控制层RCL'。预备反射控制层RCL'可覆盖阻光层BL。例如，预备反射控制层RCL'可通过使用包含染料、颜料、溶剂、表面活性剂等的无机材料或有机材料来形成。
参照图16和图17，可在预备反射控制层RCL'上定位掩模M。例如，掩模M可包括半透射部分M2和光透射部分M1。光透射部分M1可透射全部的光，并且半透射部分M2可仅透射光的一部分。
可通过掩模M对预备反射控制层RCL'执行曝光和显影工艺。预备反射控制层RCL'的与光透射部分M1对应的部分可不被去除。另一方面，可部分地去除预备反射控制层RCL'的与半透射部分M2对应的部分。相应地，可形成其中限定有从上表面凹陷的凹部RS的反射控制层RCL。凹部RS可与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个重叠。
参照图2、图13和图18，可在第一衬底SUB1上顺序地形成第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3、绝缘结构IL、第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3、像素限定层PDL、覆盖层CL以及第一光吸收层LAL1、第二光吸收层LAL2和第三光吸收层LAL3。
第一衬底SUB1和第二衬底SUB2可通过密封构件SL接合。填充物可填充在覆盖层CL与反射控制层RCL之间。例如，填充物可为(或可包括)空气、有机聚合物材料、树脂等中的至少一种。当第一衬底SUB1和第二衬底SUB2接合在一起时，可限定包括填充物的填充层FL。
相应地，可制造图13中所示的显示装置102。
图19是示出包括图1的显示装置的电子装置的示意性框图。图20是示出其中图19的电子装置被实现为电视机的实例的示意图。图21是示出其中图19的电子装置被实现为智能电话的实例的示意图。
参照图19、图20和图21，在实施方式中，电子装置900可包括处理器910、存储器装置920、存储装置930、输入/输出(I/O)装置940、电源950和显示装置960中的至少一个。显示装置960可对应于参照图1至图18描述的显示装置100、101和102。电子装置900还可包括能够与视频卡、声卡、存储卡、USB装置等通信的各种端口。
在实施方式中，如图20中所示，电子装置900可被实现为电视机。在另一实施方式中，如图21中所示，电子装置900可被实现为智能电话。然而，电子装置900不限于此，并且在另一实施方式中，电子装置900可被实现为蜂窝电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板个人计算机(PC)、汽车导航系统、计算机监视器、笔记本计算机、头戴式显示器(HMD)等。
处理器910可执行各种计算功能。在实施方式中，处理器910可为微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等中的至少一个。处理器910可经由地址总线、控制总线、数据总线等联接到其它部件。处理器910可联接到诸如外围部件互连(PCI)总线的扩展总线。处理器910可为至少一个处理器，该至少一个处理器中的任一个单独地或组合地被配置成执行一个或多个操作。
存储器装置920可存储用于电子装置900的操作的数据。在实施方式中，存储器装置920可包括非易失性存储器装置和易失性存储器装置中的至少一种。非易失性存储器装置可为例如可擦除可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置、闪速存储器装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻式随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮栅存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁阻随机存取存储器(MRAM)装置、铁电随机存取存储器(FRAM)装置等。易失性存储器装置可为动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置、移动DRAM装置等。
存储装置930可包括固态驱动(SSD)装置、硬盘驱动(HDD)装置、光盘只读存储器(CD-ROM)装置等中的至少一种。
I/O装置940可包括诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板、触摸屏等的输入装置以及诸如打印机、扬声器等的输出装置。
电源950可提供用于电子装置900的操作的电力。显示装置960可经由总线或其它通信链路联接或连接到其它部件。在实施方式中，显示装置960可包括在I/O装置940中。
本公开能够应用于各种显示装置。例如，本公开可应用于各种显示装置，诸如用于车辆、船舶和飞行器的显示装置、便携式通信装置、用于展览或信息传输的显示装置、医疗显示装置等。
上面的描述为本公开的技术特征的实例，并且本公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此，上述的本公开的实施方式可单独地实现或者彼此组合地实现。
在本公开中公开的实施方式并不旨在限制本公开的技术精神，而是描述本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不受这些实施方式限制。本公开的保护范围应由随附的权利要求书来解释，并且应解释为等同范围内的所有技术精神被包含在本公开的范围中。

Claims (23)

1.一种显示装置，包括：
发光区域和非发光区域；
发光元件，所述发光元件布置在衬底上的所述发光区域中，并且包括：
像素电极；
发光层；以及
上电极，所述像素电极、所述发光层和所述上电极被顺序地布置；阻光层，所述阻光层在所述非发光区域中布置在所述发光元件上；以及反射控制层，所述反射控制层布置在所述发光元件上，覆盖所述阻光层并且在所述发光区域中包括从上表面凹陷的凹部。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
粘合层，所述粘合层布置在所述反射控制层上，
其中，所述粘合层的折射率大于所述反射控制层的折射率。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述粘合层的所述折射率与所述反射控制层的所述折射率之间的差为0.05或更大。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述粘合层直接接触所述反射控制层。
5.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
填充层，所述填充层布置在所述发光元件与所述反射控制层之间，
其中，所述填充层的折射率大于所述反射控制层的折射率。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述填充层直接接触所述反射控制层。
7.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述填充层的所述折射率与所述反射控制层的所述折射率之间的差为0.05或更大。
8.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
光吸收层，所述光吸收层布置在所述上电极上并且包括无机材料。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述光吸收层仅布置在所述发光区域中。
10.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述光吸收层整个地布置在所述发光区域和所述非发光区域中。
11.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述光吸收层包括选自由金属、硅化合物和金属氧化物构成的组中的至少一种。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射控制层包括无机材料或有机材料。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中，所述反射控制层还包括选自由溶剂、染料、颜料和表面活性剂构成的组中的至少一种。
14.如权利要求12所述的显示装置，其中，所述有机材料包括光致抗蚀剂。
15.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
触摸感测层，所述触摸感测层布置在所述发光元件与所述阻光层之间，并且包括第一触摸电极和电连接到所述第一触摸电极的第二触摸电极。
16.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在衬底上的所述显示装置的发光区域中形成发光元件，所述发光元件包括顺序地形成的像素电极、发光层和上电极；
在所述发光元件上的所述显示装置的非发光区域中形成阻光层；
在所述发光元件上形成覆盖所述阻光层的预备反射控制层；以及
通过去除所述预备反射控制层的在所述发光区域中的部分，形成在所述发光区域中包括从上表面凹陷的凹部的反射控制层。
17.如权利要求16所述的制造显示装置的方法，其中，形成所述反射控制层通过使用半色调掩模或狭缝掩模来执行。
18.如权利要求16所述的制造显示装置的方法，还包括：
在所述反射控制层上形成粘合层，
其中，所述粘合层的折射率大于所述反射控制层的折射率。
19.如权利要求18所述的制造显示装置的方法，其中，所述粘合层的所述折射率与所述反射控制层的所述折射率之间的差为0.05或更大。
20.如权利要求18所述的制造显示装置的方法，其中，所述粘合层直接接触所述反射控制层。
21.如权利要求16所述的制造显示装置的方法，还包括：
在所述发光元件的所述形成之后，在所述上电极上形成包括无机材料的光吸收层。
22.如权利要求16所述的制造显示装置的方法，其中，所述反射控制层包括无机材料或有机材料。
23.如权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中，所述反射控制层还包括选自由溶剂、染料、颜料和表面活性剂构成的组中的至少一种。
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