CN116914066A - 发光显示设备及其制造方法 - Google Patents

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CN116914066A CN202310143320.1A CN202310143320A CN116914066A CN 116914066 A CN116914066 A CN 116914066A CN 202310143320 A CN202310143320 A CN 202310143320A CN 116914066 A CN116914066 A CN 116914066A
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尹海荣
王盛民
孙智媛
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Abstract

本申请提供了发光显示设备及其制造方法。在发光显示设备中，光阻挡构件定位在封装层上并且包括红色开口、蓝色开口和绿色开口。红色开口、蓝色开口和绿色开口具有质心、最靠近质心的第一位置和距离质心最远的第二位置。在从质心到第二位置的距离与从质心到第一位置的距离的比率被称为最大最小距离比率的情况下，红色开口具有约1.02以上并且约1.15以下的值，蓝色开口具有约1.05以上并且约1.2以下的值，以及绿色开口具有约1.32以上并且约1.38以下的值。

Description

发光显示设备及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年4月12日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0045288号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及发光显示设备及其制造方法，以及具体地，涉及一种形成在定位在发光显示设备的前侧的光阻挡构件中的开口的结构和制造方法。
背景技术
显示设备是显示画面的设备，并且可以包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器等。显示设备可以用在各种电子设备(诸如移动电话、导航设备、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端)中。
诸如有机发光设备的显示设备可以具有这样的结构，其中显示设备可以使用柔性衬底来弯曲或折叠。
在诸如便携式电话的小型电子设备中，光学元件(诸如相机)和光学传感器可以形成在边框区域(其可以是显示区域的外围区域)中。然而，随着显示区域的外围区域的尺寸逐渐减小而显示屏幕的尺寸增大，正在开发一种能够将相机或光学传感器定位在显示区域的背面上的技术，并且正在开发一种不会在显示设备的正面上形成偏振器的结构，以改善光学传感器的效率。
在此背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对描述的技术的背景的理解，并且因此，其可以包括不形成在本国家中本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
实施方式用于通过以下来改善显示质量：即使偏振板没有形成在整个表面上，也确保孔径比同时减少当外部光可能不对称地被反射时生成的反射色带。
根据实施方式的发光显示设备可以包括：衬底；像素电路部件，定位在衬底上；发光二极管，电连接到像素电路部件；封装层，覆盖像素电路部件中的至少一个和发光二极管中的至少一个；以及光阻挡构件，定位在封装层上并且包括红色开口、蓝色开口和绿色开口。红色开口、蓝色开口和绿色开口中的每个可以具有质心、最靠近质心的第一位置和距离质心最远的第二位置。在从质心到第二位置的距离与从质心到第一位置的距离的比率被称为最大最小距离比率的情况下，红色开口可以具有约1.02以上并且约1.15以下的值作为最大最小距离比率，蓝色开口可以具有约1.05以上并且约1.2以下的值作为最大最小距离比率，以及绿色开口可以具有约1.32以上并且约1.38以下的值作为最大最小距离比率。
红色开口、蓝色开口和绿色开口可以具有包括直线和曲线的混合结构。
光阻挡构件可以包括由一个红色开口、一个蓝色开口和两个绿色开口形成的多个开口作为单元。
两个绿色开口可以在不同的方向上延伸。
由两个绿色开口分别沿其延伸的两个方向形成的角度可以为约90度。
发光显示设备还可以包括：不同颜色的滤色器，其可以分别定位在红色开口、蓝色开口和绿色开口中。
发光显示设备还可以包括：反射调整层，其填充红色开口、蓝色开口和绿色开口，并且形成在光阻挡构件上。
发光二极管可以包括阴极，以及发光显示设备还可以包括定位在阴极和封装层之间的低反射层。
发光显示设备还可以包括：覆盖层，定位在阴极和低反射层之间。
发光显示设备还可以包括：低粘性层，形成在可以不形成阴极的位置处。
根据实施方式的发光显示设备的制造方法可以包括：在光阻挡构件中形成初始开口；对初始开口和光阻挡构件应用高斯滤波器；以及对可以应用高斯滤波器的初始开口和光阻挡构件应用阈值以形成最终开口。最终开口可以包括红色开口、蓝色开口和绿色开口，形成红色开口的高斯滤波器可以具有约8μm以上并且约12μm以下的半峰全宽，形成蓝色开口的高斯滤波器可以具有约8μm以上并且约14μm以下的半峰全宽，以及形成绿色开口的高斯滤波器可以具有约8μm以上并且约10μm以下的半峰全宽。
初始开口可以仅包括直线并且可以不包括曲线。
初始开口可以具有四边形形状。
最终开口可以由包括直线和曲线的混合结构形成。
红色开口、蓝色开口和绿色开口中的每个可以具有质心、最靠近质心的第一位置和距离质心最远的第二位置。在从质心到第二位置的距离与从质心到第一位置的距离的比率被称为最大最小距离比率的情况下，红色开口可以具有约1.02以上并且约1.15以下的值作为最大最小距离比率，蓝色开口可以具有约1.05以上并且约1.2以下的值作为最大最小距离比率，以及绿色开口可以具有约1.32以上并且约1.38以下的值作为最大最小距离比率。
在形成最终开口中，阈值可以为约50％，高于阈值的值可以被改变为最大灰度，并且低于阈值的值可以被改变为最小灰度以形成最终开口。
用于形成红色开口的半峰全宽、用于形成蓝色开口的半峰全宽、以及用于形成绿色开口的半峰全宽可以彼此不同。
在半峰全宽小的情况下，最终开口可以接近初始开口，并且在半峰全宽大的情况下，最终开口的曲线组成部分可以增加。
用于形成蓝色开口的半峰全宽可以是最大的，用于形成红色开口的半峰全宽可以是次大的，并且用于形成绿色开口的半峰全宽可以是最小的。
用于形成蓝色开口的半峰全宽可以为约14μm，用于形成红色开口的半峰全宽可以为约12μm，以及用于形成绿色开口的半峰全宽可以为约10μm。
根据实施方式，即使没有在整个表面上形成偏振器，形成在光阻挡构件中的开口可以形成为特定结构，以便可以较少地生成反射色带并且可以确保孔径比，从而改善显示质量。例如，在光阻挡构件的开口形成为四边形的情况下，可能存在可能很大程度上生成反射色带的问题，并且在将光阻挡构件的开口形成为圆形形状的情况下，尽管反射色带可减小，但可能存在发光二极管的寿命可能随着孔径比可能减小而缩短的问题。然而，如在本公开中那样，可以在光阻挡构件中具有圆形和四边形的混合结构的同时形成具有高比率的曲线组成部分的开口，由此，可以确保孔径比同时由于衍射图案的高对称性可以减小反射色带，并且可以改善发光二极管的寿命。
附图说明
图1是示出根据实施方式的显示设备的使用状态的示意性立体图。
图2是根据实施方式的显示设备的分解示意性立体图。
图3是根据实施方式的显示设备的示意性框图。
图4是示出根据实施方式的发光显示设备的使用状态的示意性立体图。
图5是放大根据实施方式的发光显示设备的部分区域的示意性平面图。
图6是包括在根据实施方式的发光显示设备中的像素的示意性电路图。
图7是根据实施方式的发光显示设备的示意性剖视图。
图8是示出根据实施方式的发光显示设备之中的红色像素、蓝色像素和绿色像素的光阻挡构件的开口的示意性平面图。
图9是示出根据图8的实施方式的发光显示设备的平面结构和衍射图案的模拟结果的示意图。
图10是根据实施方式的发光显示设备的制造方法的示意性流程图。
图11是示出根据图10的制造方法的光阻挡构件的开口的结构的变化以及初始开口和最终开口之间的差异的示意图。
图12和图13是示出可以应用于本公开的高斯滤波器的结构的示意图。
图14至图20是示出通过使用具有可以彼此不同的半峰全宽的高斯滤波器而制造的光阻挡构件的开口以及根据其的衍射图案的示意图。
图21至图25是示出通过使用具有可以彼此不同的半峰全宽的高斯滤波器制造的光阻挡构件的开口中的质心、最靠近质心的点和距离质心最远点的示意图。
图26是示出基于半峰全宽从质心到最远点的距离与从质心到最近点的距离的比率的示意图。
图27是示出通过划分x坐标和y坐标计算每个质心的方法的示意图。
图28是根据另一个实施方式的发光显示设备的示意性剖视图。
具体实施方式
在下文中将参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出本公开的实施方式。如本领域的技术人员将认识到的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，所描述的实施方式可以以各种不同的方式修改。
除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指包括“A、B、或A和B”的任何组合。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
为了简洁起见，可以省略与本公开不直接相关的部件的描述，并且在整个说明书中相同的附图标记表示相同的元件。
由于为了更好地理解和易于描述，可以任意地给出附图中所示的组成构件的尺寸和厚度，因此本公开不限于所示的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。
将理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或还可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”时，可能不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“上”或“上方”意指定位在物体部分上或上方，并且不一定意指基于重力方向定位在物体部分的上侧。
当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包括有”、“包含”和/或“包含有”、“具有”、“具备”和/或“具备有”及其变型指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
此外，在本申请中，短语“平面图”意指从顶部观察物体部分，并且短语“剖视图”意指从一侧观察其中物体部分被垂直切割的截面。
在整个说明书中，“连接”不但意指两个或更多组成元件可以直接连接，而且意指两个或更多组成元件可以通过其他组成元件间接连接。“连接”还可以包括：实质上整体的部件可以彼此连接(即使可以根据位置或功能用不同的名称来指称它们)的情况；以及物理连接或电连接的情况。
在整个说明书中，当说诸如布线、层、膜、区域、板和构成元件的部件“在第一方向或第二方向上延伸”时，这不但意指在相应方向上直线地延伸的直线形状，而且还可以包括沿着第一方向或第二方向整体延伸的结构、部分地可以弯曲并且具有锯齿形结构的结构、以及在包括曲线结构的情况下延伸的结构。
包括在本申请中描述的显示设备和显示面板的电子设备(例如，移动电话、电视、监视器、膝上型计算机等)或通过在本说明书中描述的制造方法制造的包括显示面板等的显示设备和电子设备，不排除在本说明书的适用范围之外。
如本文中所使用的“约”或“大约”包括所述值，并且意指在如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在通用词典中定义的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不会以理想化或过于形式化的含义进行解释，除非本文中明确地如此限定。
在下文中，参考图1至图3描述显示设备的示意性结构。图1是示出根据实施方式的显示设备的使用状态的示意性立体图，图2是根据实施方式的显示设备的分解示意性立体图，以及图3是根据实施方式的显示设备的示意性框图。
参考图1，根据实施方式的显示设备1000是用于显示动态图片或静止图像的设备，并且可以用作诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IOT)设备等的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子笔记本、电子书、PMP(便携式多媒体播放器)、导航设备、UMPC(超移动PC)等的便携式电子设备的显示屏。根据实施方式的显示设备1000可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴设备中。根据实施方式的显示设备1000可以用作汽车的仪器面板、汽车的中央仪表板或设置在仪表盘上的CID(中央信息显示器)、代替汽车的侧视镜的室内镜显示器、用于汽车的后座的娱乐设备、或设置在前座的后表面上的显示器。图1示出显示设备1000可以用作智能电话，以便更好地理解和便于描述。
显示设备1000可以在平行于第一方向DR1和第二方向DR2中的每个的显示表面上在第三方向DR3上显示图像。其上显示图像的显示表面可以与显示设备1000的前表面对应，并且可以与盖窗WU的前表面对应。图像可以包括静态图像以及动态图像。
在实施方式中，每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)基于可以沿其显示图像的方向来限定。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和后表面中的每个的法线方向可以平行于第三方向DR3。前表面和后表面之间的在第三方向DR3上的间隔距离可以与显示面板(参考图2中的DP)的在第三方向DR3上的厚度对应。
根据实施方式的显示设备1000可以检测用户从外部施加的输入(参考图1中的手)。用户的输入可以包括各种类型的外部输入，诸如用户身体的部位、光、热或压力。在实施方式中，用户的输入被示出为施加到前面的用户的手。然而，本公开不限于此。用户的输入可以以各种形式提供，并且显示设备1000可以根据显示设备1000的结构感测施加到显示设备1000的侧表面或后表面的用户的输入。
参考图1和图2，显示设备1000可以包括盖窗WU、壳体HM、显示面板DP和光学元件ES。在实施方式中，盖窗WU和壳体HM可以组合以构成显示设备1000的外观。
盖窗WU可以包括绝缘面板。例如，盖窗WU可以由玻璃、塑料或其组合制成。
盖窗WU的前表面可以限定显示设备1000的前表面。透射区域TA可以是光学透明区域。例如，透射区域TA可以是具有约90％或更高的可见光透射率的区域。
阻挡区域BA可以限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可以与透射区域TA相邻并且可以围绕透射区域TA。阻挡区域BA可以是与透射区域TA相比具有相对低的透光率的区域。阻挡区域BA可以包括阻挡光的不透明材料。阻挡区域BA可以具有预定的或可选择的颜色。阻挡区域BA可以由与限定透射区域TA的透明衬底分开设置的边框层限定，或可以由通过将其插入或着色到透明衬底中而形成的墨水层限定。
显示面板DP可以包括驱动部件50和显示图像的显示面板DP。显示面板DP可以包括前表面，该前表面包括显示区域DA和非显示区域PA。显示区域DA可以是其中像素PX根据电信号操作并且发射光的区域。
在实施方式中，显示区域DA可以是其中可以显示包括像素PX的图像的区域，并且可以是其中可以通过在像素PX的第三方向DR3上的上侧同时定位触摸传感器(参考图3中的TS)来感测外部输入的区域。
盖窗WU的透射区域TA可以至少部分地与显示面板DP的显示区域DA重叠。例如，透射区域TA可以与显示区域DA的前表面重叠，或可以与显示区域DA的至少部分重叠。因此，用户可以通过透射区域TA识别图像或基于图像提供外部输入。然而，本公开不限于此。例如，在显示区域DA中，其中可以显示图像的区域和其中可以检测外部输入的区域可以彼此分开。
显示面板DP的非显示区域PA可以至少部分地与盖窗WU的阻挡区域BA重叠。非显示区域PA可以是由阻挡区域BA覆盖的区域。非显示区域PA可以与显示区域DA相邻并且可以围绕显示区域DA。图像可以不在非显示区域PA中显示，并且用于驱动显示区域DA的驱动电路或驱动布线可以设置在非显示区域PA中。非显示区域PA可以包括定位在显示区域DA外部的第一外围区域PA1和包括驱动部件50、连接布线和弯曲区的第二外围区域PA2。在图2的实施方式中，第一外围区域PA1可以定位在显示区域DA的三个侧，并且第二外围区域PA2可以定位在显示区域DA的另一侧。
在实施方式中，显示面板DP可以被组装成平面状态，其中显示区域DA和非显示区域PA面向盖窗WU。然而，本公开不限于此。显示面板DP的非显示区域PA的部分可以弯曲。非显示区域PA的所述部分可以面向显示设备1000的后表面，以便示出在显示设备1000的前表面上的阻挡区域BA可以减小，并且如图2中所示，第二外围区域PA2可以弯曲以定位在显示区域DA的后表面上并且被组装。
显示面板DP可以包括组件区域EA，具体地，可以包括第一组件区域EA1和第二组件区域EA2。第一组件区域EA1和第二组件区域EA2可以至少部分地被显示区域DA围绕。尽管第一组件区域EA1和第二组件区域EA2示出为彼此间隔开，但是本公开不限于此，并且它们中的至少一些可以被连接。第一组件区域EA1和第二组件区域EA2可以是其中可以设置使用红外线、可见光和/或声音的组件的区域。
显示区域DA可以包括发光二极管以及用于生成发光电流并且将其传输到发光二极管中的每个的像素电路部件。这里，一个发光二极管和一个像素电路部件可以被称为像素PX。在显示区域DA中，可以一对一地形成一个像素电路部件和一个发光二极管。
第一组件区域EA1可以包括由透明层构成以允许光穿过的区域，导电层或半导体层可以不定位在与第一组件区域EA1对应的位置处，并且像素限定层和包括光阻挡材料的光阻挡层包括与对应于第一组件区域EA1的位置重叠的开口从而具有可以不阻挡光的结构。
第二组件区域EA2可以包括光和/或声音可以穿过的透射部件和包括像素PX的显示单元。透射部件可以定位在相邻像素PX之间，并且可以由光和/或声音可以穿过的透明层构成。通过增加多个像素PX，显示单元可以形成为具有一个单元结构，并且透射部件可以定位在相邻单元结构之间。
除了图1和图2之外，参考图3，显示面板DP可以包括显示区域DA和触摸传感器TS，显示区域DA包括显示像素。包括生成图像的像素PX，用户可以通过透射区域TA从外部视觉识别显示面板DP。触摸传感器TS可以定位在像素PX上，并且可以检测从外部施加的外部输入。触摸传感器TS可以检测提供给盖窗WU的外部输入。
再次参考图2，第二外围区域PA2可以包括弯曲部分。显示区域DA和第一外围区域PA1可以具有基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的平坦状态，并且第二外围区域PA2的一侧可以从平坦状态延伸并且在经过弯曲部分之后再次具有平坦状态。结果，第二外围区域PA2的至少部分可以被弯曲和组装以定位在显示区域DA的后表面侧。在组装的情况下，第二外围区域PA2的至少部分可以在平面上与显示区域DA重叠，从而可以减小显示设备1000的阻挡区域BA。然而，本公开不限于此。例如，第二外围区域PA2可以不弯曲。
驱动部件50可以安装在第二外围区域PA2中，并且可以安装在弯曲部分上或定位在弯曲部分的两侧中的一侧。驱动部件50可以以芯片的形式提供。
驱动部件50可以电连接到显示区域DA以向显示区域DA传输电信号。例如，驱动部件50可以向设置在显示区域DA中的像素PX提供数据信号。在其他实施方式中，驱动部件50可以包括触摸驱动电路，并且可以电连接到设置在显示区域DA中的触摸传感器TS。驱动部件50可以被设计成包括除了以上描述的电路之外的各种电路，或者被设计成向显示区域DA提供各种电信号。
焊盘部件可以定位在第二外围区域PA2的端部处，并且显示设备1000可以通过焊盘部件电连接到包括驱动芯片的柔性印刷电路板(FPCB)。这里，定位在柔性印刷电路板上的驱动芯片可以包括用于驱动显示设备1000或用于电力供应的连接器的各种驱动电路。根据实施方式，可以使用刚性印刷电路板(PCB)代替柔性印刷电路板。
光学元件ES可以设置在显示面板DP的下方。光学元件ES可以包括与第一组件区域EA1重叠的第一光学元件ES1和与第二组件区域EA2重叠的第二光学元件ES2。
第一光学元件ES1可以是使用光或声音的电子元件。例如，第一光学元件ES1可以是接收和使用光的传感器(诸如红外传感器)、输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯、或输出声音的扬声器等。当然，在使用光的电子元件的情况下，可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光和紫外光。
第二光学元件ES2可以是相机、红外相机(IR相机)、点投影仪、红外照明器和飞行时间传感器(ToF传感器)中的至少一个。
参考图3，显示设备1000可以包括显示面板DP、电力供应模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。显示面板DP、电力供应模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以彼此电连接。在图3中，显示面板DP的配置之中的触摸传感器TS和定位在显示区域DA中的显示像素被示为示例。
电力供应模块PM可以提供显示设备1000的整个操作所需的电力。电力供应模块PM可以包括传统的电池模块。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以包括用于操作显示设备1000的各种功能模块。第一电子模块EM1可以直接安装在电连接到显示面板DP的母板上，或者安装在单独的衬底上并且通过连接器(未示出)电连接到母板。
第一电子模块EM1可以包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。模块中的一些可以不安装在母板上，并且可以通过连接到其上的柔性印刷电路板电连接到母板。
控制模块CM可以控制显示设备1000的整体操作。控制模块CM可以是微处理器。例如，控制模块CM激活或禁用显示面板DP。控制模块CM可以基于从显示面板DP接收的触摸信号来控制其他模块，诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM。
无线通信模块TM可以使用蓝牙或Wi-Fi线路与其他终端传输/接收无线信号。无线通信模块TM可以通过使用通用通信线路来传输/接收语音信号。无线通信模块TM可以包括调制和传输要传输的信号的发射器TM1、以及对接收到的信号进行解调的接收器TM2。
图像输入模块IIM可以处理要被转换为可以在显示面板DP上显示的图像数据的图像信号。音频输入模块AIM可以通过麦克风以录音模式、语音识别模式等接收外部声音信号，以转换为电语音数据。
外部接口IF可以用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口或卡(例如，存储卡、SIM/UIM卡)插座的接口。
第二电子模块EM2可以包括音频输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM，以及这些中的至少一些作为如图2中所示的光学元件ES可以定位在显示面板DP的后表面上。光学元件ES可以包括发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM。第二电子模块EM2可以直接安装在母板上、安装在单独的衬底上并且通过连接器(未示出)电连接到显示面板DP、或电连接到第一电子模块EM1。
音频输出模块AOM可以将从无线通信模块TM接收的音频数据或存储在存储器MM中的音频数据转换为输出到外部。
发光模块LM可以生成和输出光。发光模块LM可以输出红外光。例如，发光模块LM可以包括发光二极管元件。例如，光接收模块LRM可以检测红外线。光接收模块LRM可以在检测到高于预定或可选择水平的红外线的情况下被激活。光接收模块LRM可以包括CMOS传感器。在由发光模块LM生成的红外线被输出之后，它们可以被外部对象(例如，用户的手指或脸部)反射，并且反射的红外线可以入射在光接收模块LRM上。相机模块CMM可以拍摄外部图像。
在实施方式中，光学元件ES可以另外包括光电传感器或热传感器。光学元件ES可以检测通过前表面接收的外部对象，或通过前表面向外部提供诸如语音的声音信号。光学元件ES可以包括多个组件，并且其不限于任何一个实施方式。
再次参考图2，壳体HM可以与盖窗WU物理连接。盖窗WU可以设置在壳体HM的前表面中。壳体HM可以与盖窗WU组合以提供预定的或可选择的容纳空间。显示面板DP和光学元件ES可以容纳在设置在壳体HM和盖窗WU之间的预定或可选择的容纳空间中。
壳体HM可以包括具有相对高的刚度的材料。例如，壳体HM可以包括由玻璃、塑料或金属或其组合制成的框架和/或板。壳体HM可以可靠地保护显示设备1000的容纳在内部空间中的组件免受外部冲击。
在下文中，参考图4描述根据另一个实施方式的显示设备1000的结构。图4是示意性地示出根据另一个实施方式的显示设备的示意性立体图。省略了与以上描述的构成元件相同的配置的描述。
图4的实施方式示出其中显示设备1000可以基于折叠轴FAX折叠的结构的可折叠的显示设备。
参考图4，在实施方式中，显示设备1000可以是可折叠的显示设备。显示设备1000可以基于折叠轴FAX向外或向内折叠。在基于折叠轴FAX向外折叠的情况下，显示设备1000的显示表面可以在第三方向DR3上定位在外部，以便可以在两个方向上显示图像。在基于折叠轴FAX向内折叠的情况下，显示表面可能不能从外部视觉识别。
在实施方式中，显示设备1000可以包括显示区域DA、组件区域EA和非显示区域PA。显示区域DA可以被分成第一/第一显示区域DA1-1、第一/第二显示区域DA1-2和折叠区FA。第一/第一显示区域DA1-1和第一/第二显示区域DA1-2可以基于折叠轴FAX的中心(或在折叠轴FAX的中心处)分别定位在左侧和右侧，并且折叠区FA可以定位在第一/第一显示区域DA1-1和第一/第二显示区域DA1-2之间。在基于折叠轴FAX向外折叠的情况下，第一/第一显示区域DA1-1和第一/第二显示区域DA1-2定位于在第三方向DR3上的两侧，并且图像可以在两个方向上显示。在基于折叠轴FAX向内折叠的情况下，第一/第一显示区域DA1-1和第一/第二显示区域DA1-2可以不从外部被视觉识别。
图5是放大并且示出根据实施方式的发光显示设备的部分区域的示意性平面图。
图5示出根据实施方式的发光显示设备之中的显示面板DP(例如，发光显示面板)的部分，并且显示面板DP使用用于移动电话的显示面板来示出。
显示面板DP可以具有定位在前表面上的显示区域DA，可以包括在前表面上的组件区域EA，并且具体地可以包括第一组件区域EA1和第二组件区域EA2。在图5的实施方式中，第一组件区域EA1可以定位在与第二组件区域EA2相邻的位置。在图5的实施方式中，第一组件区域EA1可以定位在第二组件区域EA2的左侧。对于每个实施方式，第一组件区域EA1的位置和数量可以变化。在图5中，与第二组件区域EA2对应的光学元件可以是相机，并且与第一组件区域EA1对应的光学元件可以是光学传感器。
发光二极管和用于生成发光电流并且将发光电流传输到发光二极管中的每个的像素电路部件可以在显示区域DA中形成。这里，一个发光二极管和一个像素电路部件被称为像素PX。在显示区域DA中，一个像素电路部件和一个发光二极管可以一对一地形成。在下文中，显示区域DA也被称为“正常显示区域”。在图5中，未示出在切割线之下的显示面板DP的结构，但是显示区域DA可以定位在切割线之下。
第一组件区域EA1可以包括允许光穿过的透明层，透明层可以不具有导电层或半导体层并且可以在下面板层中具有光电传感器区域，并且在上面板层的像素限定层(参考图7中的380)、光阻挡构件(参考图7中的220)和滤色器层(参考图7中的230)中，可以在与光电传感器区域对应的位置处形成开口(在下文中也称为附加开口)，从而具有可以不阻挡光的结构。另一方面，即使光电传感器区域可以定位在下面板层中，如果在上面板层中没有与光电传感器区域对应的开口，则光电传感器区域可以定位在显示区域DA而不是第一组件区域EA1中。
根据实施方式的显示面板DP可以被主要地分为下面板层和上面板层。下面板层可以是构成像素PX的发光二极管(参考图6中的LED)和像素电路部件所定位的部件，并且可以包括覆盖它们的封装层(参考图7中的400)。例如，下面板层可以是从衬底(参考图7中的110)到封装层，还可以包括阳极、像素限定层(参考图7中的380)、发射层(参考图7中的EML)、间隔件(参考图7中的385)、功能层(参考图7中的FL)和阴极(参考图7中的Cathode)，并且可以包括在衬底和阳极之间的绝缘层、半导体层和导电层。另一方面，作为定位在封装层上方的部件的上面板层可以包括感测绝缘层(参考图7中的501、510和511)和能够感测触摸的感测电极(参考图7中的540和541)，并且可以包括光阻挡构件(参考图7中的220)、滤色器层(参考图7中的230)、以及平坦化层(参考图7中的550)。
稍后将基于图7描述显示区域DA的下面板层的结构。
尽管在图5中未示出，但是外围区域可以进一步定位在显示区域DA的外部。此外，图5示出用于移动电话的显示面板，但是实施方式可以应用于其他设备，只要光学元件可以定位在显示面板DP的后表面上，并且它还可以应用于柔性显示设备。在柔性显示设备之中的可折叠显示设备的情况下，第二组件区域EA2和第一组件区域EA1的位置可以形成在与图5中所示的位置不同的位置中。
在下文中，参考图6详细描述定位在显示面板DP的下面板层中的像素PX的电路结构。
随后的像素结构可以是第二组件区域EA2和/或包括光电传感器区域的显示区域DA的像素结构。这里，光电传感器区域可以是与第一组件区域EA1对应的部分，并且在光不被光电传感器区域上方的光阻挡构件(参考图7中的220)等阻挡的情况下，光电传感器区域可以包括在显示区域DA中。
图6是包括在根据实施方式的发光显示设备中的像素的示意性电路图。
根据实施方式的像素PX(参见图2)可以包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cboost和发光二极管LED，它们被连接到若干布线127、128、151、152、153、155、171、172和741。这里，除了发光二极管LED之外的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7和电容器(包括存储电容器Cst和升压电容器Cboost)构成像素电路部件。根据实施方式，可以省略升压电容器Cboost。
布线127、128、151、152、153、155、171、172和741可以连接到像素PX。该布线127、128、151、152、153、155、171、172和741可以包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。连接到第七晶体管T7的第一扫描线151还可以连接到第二晶体管T2，但是根据实施方式，第七晶体管T7可以通过与第二晶体管T2不同的单独的旁路控制线连接。
第一扫描线151可以连接到扫描驱动器(未示出)以将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2和第七晶体管T7。与施加到第一扫描线151的电压相反极性的电压可以在与第一扫描线151的信号相同的时序施加到第二扫描线152。例如，在向第一扫描线151施加负电压的情况下，可以向第二扫描线152施加正电压。第二扫描线152将第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3。初始化控制线153可以将初始化控制信号GI传输到第四晶体管T4。发光控制线155可以将发光控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
数据线171可以是传输由数据驱动器(未示出)生成的数据电压DATA的布线，并且因此，传输到发光二极管LED的发光电流的大小改变，并且因此发光二极管LED的亮度改变。驱动电压线172可以施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127可以传输第一初始化电压Vinit，并且第二初始化电压线128可以传输第二初始化电压AVinit。公共电压线741可以将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在实施方式中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可以分别是恒定电压。
第一晶体管T1(也称为驱动晶体管T1)可以是p型晶体管，并且可以具有硅半导体作为半导体层。它可以是根据驱动晶体管T1的栅电极的电压(即，存储在存储电容器Cst中的电压)的大小来调整输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的大小的晶体管。由于发光二极管LED的亮度可以根据输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的大小来调整，因此可以根据施加到像素PX的数据电压DATA来调整发光二极管LED的发光亮度。为此目的，驱动晶体管T1的第一电极可以被设置成接收驱动电压ELVDD，并且可以经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。驱动晶体管T1的第一电极还可以连接到第二晶体管T2的第二电极以接收数据电压DATA。驱动晶体管T1的第二电极可以向发光二极管LED输出发光电流，并且可以经由第六晶体管T6(在下文中称为输出控制晶体管T6)连接到发光二极管LED的阳极。驱动晶体管T1的第二电极还可以连接到第三晶体管T3，并且将施加到第一电极的数据电压DATA传输到第三晶体管T3。驱动晶体管T1的栅电极可以连接到存储电容器Cst的一个电极(在下文中称为“第二存储电极”)。因此，驱动晶体管T1的栅电极的电压可以根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，并且因此，可以改变由驱动晶体管T1输出的发光电流。存储电容器Cst可以用于使驱动晶体管T1的栅电极的电压对于一个帧保持恒定。驱动晶体管T1的栅电极还可以连接到第三晶体管T3，使得施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA可以通过第三晶体管T3传输到驱动晶体管T1的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极还可以连接到第四晶体管T4，并且可以通过接收第一初始化电压Vinit来初始化。
第二晶体管T2可以是p型晶体管，并且可以具有硅半导体作为半导体层。第二晶体管T2可以是将数据电压DATA接收到像素PX中的晶体管。第二晶体管T2的栅电极可以连接到第一扫描线151和升压电容器Cboost的一个电极(在下文中称为“下升压电极”)。第二晶体管T2的第一电极可以连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极可以连接到驱动晶体管T1的第一电极。在第二晶体管T2由通过第一扫描线151传输的第一扫描信号GW之中的负电压导通的情况下，通过数据线171传送的数据电压DATA可以被传送到驱动晶体管T1的第一电极，并且最后数据电压DATA可以被传送到驱动晶体管T1的栅电极并且存储在存储电容器Cst中。
第三晶体管T3可以是n型晶体管，并且可以具有氧化物半导体作为半导体层。第三晶体管T3可以电连接驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅电极。结果，它可以是允许数据电压DATA由驱动晶体管T1的阈值电压补偿并且存储在存储电容器Cst的第二存储电极中的晶体管。第三晶体管T3的栅电极可以连接到第二扫描线152，并且第三晶体管T3的第一电极可以连接到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极可以连接到存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器Cboost的另一电极(在下文中称为“上升压电极”)。第三晶体管T3可以由通过第二扫描线152接收的第二扫描信号GC之中的正电压导通，从而可以连接驱动晶体管T1的栅电极和驱动晶体管T1的第二电极，并且可以将施加到驱动晶体管T1的栅电极的电压传送到存储电容器Cst的第二存储电极并且存储在存储电容器Cst中。此时，存储在存储电容器Cst中的电压可以以这样的状态存储，在该状态中，可以存储在驱动晶体管T1截止的情况下驱动晶体管T1的栅电极的电压，从而可以补偿驱动晶体管T1的阈值电压。
第四晶体管T4可以是n型晶体管，并且可以具有氧化物半导体作为半导体层。第四晶体管T4可以用于初始化驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst的第二存储电极。第四晶体管T4的栅电极可以连接到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极可以连接到第一初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极可以连接到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器Cboost的上升压电极。第四晶体管T4可以由通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI的正电压导通，并且第一初始化电压Vinit可以传输到待初始化的驱动晶体管T1的栅电极、存储电容器Cst的第二存储电极和升压电容器Cboost的上升压电极。
第五晶体管T5和第六晶体管T6可以是p型晶体管，并且可以具有硅半导体作为半导体层。
第五晶体管T5可以用于将驱动电压ELVDD传送到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极可以连接到发光控制线155，第五晶体管T5的第一电极可以连接到驱动电压线172，并且第五晶体管T5的第二电极可以连接到驱动晶体管T1的第一电极。
第六晶体管T6可以用于将从驱动晶体管T1输出的发光电流传输到发光二极管LED。第六晶体管T6的栅电极可以连接到发光控制线155，第六晶体管T6的第一电极可以连接到驱动晶体管T1的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极可以连接到发光二极管LED的阳极。
第七晶体管T7可以是p型晶体管或n型晶体管，并且半导体层可以具有硅半导体或氧化物半导体。第七晶体管T7可以用于初始化发光二极管LED的阳极。第七晶体管T7的栅电极可以连接到第一扫描线151，第七晶体管T7的第一电极可以连接到发光二极管LED的阳极，并且第七晶体管T7的第二电极可以连接到第二初始化电压线128。在第七晶体管T7由第一扫描线151的负电压导通的情况下，第二初始化电压AVinit可以被施加到待初始化的发光二极管LED的阳极。另一方面，第七晶体管T7的栅电极可以连接到单独的旁路控制线，并且可以由与第一扫描线151分开的布线来控制。此外，根据实施方式，可以向其施加第二初始化电压AVinit的第二初始化电压线128可以与可以向其施加第一初始化电压Vinit的第一初始化电压线127相同。
尽管已经描述了像素PX包括7个晶体管T1至T7和两个电容器(存储电容器Cst、升压电容器Cboost)，但是本公开不限于此。例如，根据实施方式可以不包括升压电容器Cboost。尽管在实施方式中第三晶体管T3和第四晶体管T4是n型晶体管，但是它们中的仅一个可以形成为n型晶体管，或者其他晶体管可以形成为n型晶体管。
在上面，通过图6描述了形成在显示区域DA中的像素PX的电路结构。
在下文中，参考图7简要描述发光显示设备的整个截面结构。
图7是根据实施方式的发光显示设备的示意性剖视图。
在图7中，除了显示区域DA的堆叠结构之外，还示出第一组件区域EA1的堆叠结构。
发光显示设备可以被主要地分成下面板层和上面板层，并且下面板层可以是其中可以定位有构成像素的发光二极管LED和像素电路部件的部件并且可以包括覆盖它们的封装层400。这里，像素电路部件可以包括第二有机层182和第三有机层183并且可以意指它们下方的配置，并且发光二极管LED意指定位在第三有机层183上方并且位于封装层400下方的配置。定位在封装层400上方的结构可以与上面板层对应。
参考图7，金属层BML可以定位在衬底110上。
衬底110可以包括由于刚性特性而不会弯曲的材料(诸如玻璃)、或可以弯曲的柔性材料(诸如塑料或聚酰亚胺)。在柔性衬底的情况下，如图7中所示，其可以具有这样的结构，在该结构中，可以形成聚酰亚胺和在聚酰亚胺上由无机绝缘材料形成的阻挡层的双层结构。
金属层BML可以形成于在平面图中与随后的第一半导体层ACT(P-Si)之中的、驱动晶体管T1的沟道重叠的位置处，并且也被称为下屏蔽层。金属层BML可以包括金属(诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti))或金属合金。
在衬底110和金属层BML上，可以定位覆盖它们的缓冲层111。缓冲层111可以用于阻挡杂质元素渗入第一半导体层ACT(P-Si)中，并且可以是包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等或其组合的无机绝缘层。
由硅半导体(例如，多晶半导体(P-Si))形成的第一半导体层ACT(P-Si)可以定位在缓冲层111上。第一半导体层ACT(P-Si)可以包括包含驱动晶体管T1在内的多晶晶体管LTPS TFT的沟道以及定位在沟道的两侧的第一区域和第二区域。这里，多晶晶体管LTPSTFT不仅可以包括驱动晶体管T1，还可以包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。第一半导体层ACT(P-Si)的沟道的两侧可以具有通过等离子体处理或掺杂而具有导电层特性的区域，使得其可以用作晶体管的第一电极和第二电极。
第一栅电极绝缘层141可以定位在第一半导体层ACT(P-Si)上。第一栅电极绝缘层141可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等的无机绝缘层。
包括多晶晶体管LTPS TFT的栅电极在内的第一栅电极导电层GAT1可以定位在第一栅电极绝缘层141上。
在第一栅电极导电层GAT1中，除了多晶晶体管LTPS TFT的栅电极之外，还可以形成第一扫描线151(参见图6)或发光控制线155(参见图6)。第一栅电极导电层GAT1可以包括金属(诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti))或金属合金，并且可以配置为单层或多层。
在形成第一栅电极导电层GAT1之后，可以执行等离子体处理或掺杂工艺以使第一半导体层ACT(P-Si)的暴露区域导电。例如，被第一栅电极导电层GAT1覆盖的第一半导体层ACT(P-Si)可以不导电，并且第一半导体层ACT(P-Si)的未被第一栅电极导电层GAT1覆盖的部分可以具有与导电层相同的特性。
第二栅电极绝缘层142可以定位在第一栅电极导电层GAT1和第一栅电极绝缘层141上。第二栅电极绝缘层142可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等的无机绝缘层。
在第二栅电极绝缘层142上可以定位有第二栅电极导电层GAT2，所述第二栅电极导电层GAT2包括存储电容器Cst的一个电极GAT2(Cst)和氧化物晶体管Oxide TFT的下屏蔽层GAT2(BML)。氧化物晶体管Oxide TFT的下屏蔽层GAT2(BML)可以定位在氧化物晶体管Oxide TFT的沟道下方，从而用于屏蔽从下侧提供给沟道的光学或电磁干扰。存储电容器Cst的电极GAT2(Cst)可以与驱动晶体管T1的栅电极重叠以形成存储电容器Cst。根据实施方式，第二栅电极导电层GAT2还可以包括扫描线、控制线或电压线。第二栅电极导电层GAT2可以包括金属(诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti))或金属合金，并且可以配置为单层或多层。
第一层间绝缘层161可以定位在第二栅电极导电层GAT2上。第一层间绝缘层161可以包括无机绝缘层，该无机绝缘层包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)等，并且根据实施方式，无机绝缘材料可以厚厚地形成。
包括氧化物晶体管Oxide TFT的沟道、第一区域和第二区域在内的氧化物半导体层ACT2(IGZO)可以定位在第一层间绝缘层161上。
第三栅电极绝缘层143可以定位在氧化物半导体层ACT2(IGZO)上。第三栅电极绝缘层143可以定位在氧化物半导体层ACT2(IGZO)和第一层间绝缘层161的整个表面上。第三栅电极绝缘层143可以包括无机绝缘层，该无机绝缘层包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等。
在第三栅电极绝缘层143上，可以定位包括氧化物晶体管Oxide TFT的栅电极在内的第三栅电极导电层GAT3。氧化物晶体管Oxide TFT的栅电极可以与沟道重叠。第三栅电极导电层GAT3还可以包括扫描线或控制线。第三栅电极导电层GAT3可以包括金属(诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti))或金属合金，并且可以配置为单层或多层。
第二层间绝缘层162可以定位在第三栅电极导电层GAT3上。第二层间绝缘层162可以具有单层或多层结构。第二层间绝缘层162可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)，并且可以根据实施方式包括有机材料。
在第二层间绝缘层162上可以定位第一数据导电层SD1，所述第一数据导电层SD1包括可以连接到多晶晶体管LTPS TFT和氧化物晶体管Oxide TFT中的每个的第一区域和第二区域的连接构件。第一数据导电层SD1可以包括金属(诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti))或金属合金，并且可以配置为单层或多层。
第一有机层181可以定位在第一数据导电层SD1上。第一有机层181可以是包括有机材料的有机绝缘体，并且有机材料可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种材料。
包括阳极连接构件ACM2在内的第二数据导电层可以定位在第一有机层181上。第一有机层181可以包括有机层开口OP3。第二数据导电层可以包括数据线或驱动电压线。第二数据导电层可以包括金属(诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti))或金属合金，并且可以配置为单层或多层。
第二有机层182和第三有机层183可以定位在第二数据导电层上，并且阳极连接开口OP4可以形成在第二有机层182和第三有机层183中。阳极连接构件ACM2可以通过阳极连接开口OP4电连接到阳极Anode。第二有机层182和第三有机层183可以是有机绝缘体，并且可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂构成的组中的至少一种材料。根据实施方式，可以省略第三有机层183。
在阳极Anode上可以定位覆盖阳极Anode的至少部分同时具有暴露阳极Anode的开口OP的像素限定层380。像素限定层380可以是由具有黑色的有机材料形成的黑色像素限定层，使得从外部施加的光可以不被反射回外部，并且根据实施方式，其可以由透明有机材料形成。根据实施方式，黑色像素限定层380可以包括阴图型(negative-type)黑色的有机材料，并且可以包括黑色颜料。
间隔件385(385-1、385-2)可以定位在像素限定层380上。与像素限定层380不同，间隔件385可以由透明有机绝缘材料形成。根据实施方式，间隔件385可以由阳图型(positive-type)透明有机材料形成。
功能层FL和阴极Cathode可以在阳极Anode、间隔件385和像素限定层380上顺序地形成，并且在显示区域DA和第一组件区域EA1中，功能层FL和阴极Cathode可以遍及整个区定位。发射层EML可以定位在功能层FL之间，并且发射层EML可以仅定位在像素限定层380的开口OP内。在下文中，功能层FL和发射层EML的组合可以被称为中间层。功能层FL可以包括辅助层(诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层)中的至少一个，空穴注入层和空穴传输层可以定位在发射层EML之下，并且电子传输层和电子注入层可以定位在发射层EML上。
封装层400可以定位在阴极Cathode上。封装层400可以包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且根据实施方式，可以具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层400可以用于保护发射层EML免受可能从外部流入的湿气或氧气的影响。根据实施方式，封装层400可以包括其中无机层和有机层可以顺序地彼此堆叠的结构。
感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541可以定位在封装层400上用于触摸感测。在图7的实施方式中，可以使用两个感测电极540和541以电容类型来感测触摸。
具体地，第一感测绝缘层501可以形成在封装层400上，并且感测电极540和541可以形成在第一感测绝缘层501上。感测电极540和541可以通过置于其间的第二感测绝缘层510被绝缘，并且这些部分可以通过定位在第二感测绝缘层510中的开口电连接。这里，感测电极540和541可以包括金属(诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钼(Mo)、钛(Ti)或钽(Ta)等)或金属合金或其组合，并且可以由单层或多层组成。第三感测绝缘层511可以形成在感测电极540上。
光阻挡构件220和滤色器层230可以定位在感测电极540和第三感测绝缘层511上。
光阻挡构件220可以被定位以便在平面上与感测电极540和541重叠，并且被定位以便在平面上不与阳极Anode重叠。这可以防止能够显示图像的阳极Anode被光阻挡构件220以及感测电极540和541覆盖。
滤色器层230可以定位在第三感测绝缘层511和光阻挡构件220上。滤色器层230可以包括透射红光的红色滤色器、透射绿光的绿色滤色器和透射蓝光的蓝色滤色器。每个滤色器层230可以定位以便在平面上与发光二极管LED的阳极Anode重叠。从发射层EML发射的光可以在穿过滤色器并且被改变成相应的颜色的情况下被发射。
光阻挡构件220可以分别定位在滤色器层230的滤色器之间。根据实施方式，滤色器层230可以用颜色转换层代替，或可以进一步包括颜色转换层。颜色转换层可以包括量子点。此外，根据实施方式，填充光阻挡构件220的开口OPBM的反射调整层(参考图28中的235)可以被定位成代替滤色器层230。反射调整层可以具有覆盖光阻挡构件220的结构，并且这将参考图28进行描述。
覆盖滤色器层230的平坦化层550可以定位在滤色器层230上。在实施方式中，偏振器可以不附接在平坦化层550上。例如，可以附接偏振器以防止外部光被反射。在实施方式中，光阻挡构件220的开口OPBM可以形成为特定结构，以减少反射色带的其中外部光可以被非对称反射的问题，从而可以不需要包括偏振器。
另一方面，图7还示出第一组件区域EA1的截面结构。
第一组件区域EA1可以是其中光电传感器区域可以定位在下面板层中的区域，并且可以意指其中可以不形成像素限定层380、光阻挡构件220和滤色器层230的区域。
第一组件区域EA1可以仅包括透明层以允许光穿过，可以不定位导电层或半导体层，并且像素限定层380、光阻挡构件220和滤色器层230可以具有形成在与光电传感器区域对应的位置处的开口(在下文中也称为附加开口)，从而具有可以不阻挡光的结构。
具体地说，根据实施方式的第一组件区域EA1的堆叠结构基于图7描述如下。
缓冲层111(其可以是无机绝缘层)可以定位在衬底110上，并且第一栅电极绝缘层141和第二栅电极绝缘层142(其可以是无机绝缘层)可以依次定位在缓冲层111上。在第二栅电极绝缘层142上，第一层间绝缘层161、第三栅电极绝缘层143和第二层间绝缘层162(其可以是无机绝缘层)可以顺序地彼此堆叠。在有机绝缘体之中，只有第一有机层181可以堆叠在第二层间绝缘层162上。然而，根据实施方式，第二有机层182和/或第三有机层183可以堆叠在第一有机层181上。根据实施方式，在第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183的有机绝缘体之中可以仅形成一个或两个有机层。功能层FL可以定位在第一有机层181上，并且阴极Cathode可以定位在功能层FL上。到目前为止，从衬底110到阴极Cathode的堆叠结构可以与光电传感器区域对应。
封装层400可以定位在阴极Cathode上，并且感测绝缘层501、510和511可以依次定位在封装层400上。封装层400可以具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。感测绝缘层501、510和511可以都是无机绝缘层。
附加开口可以分别定位在第三感测绝缘层511上的光阻挡构件220和滤色器层230中，并且光阻挡构件220和滤色器层230可以不形成在第一组件区域EA1中。由于附加开口还可以定位在像素限定层380中，因此像素限定层380可以不形成在第一组件区域EA1中。
在第一组件区域EA1中，平坦化层550可以定位在第三感测绝缘层511上。
在第一组件区域EA1和光电传感器区域中，可以不定位金属层BML、第一半导体层ACT(P-Si)、第一栅电极导电层GAT1、第二栅电极导电层GAT2、氧化物半导体层ACT2(IGZO)、第三栅电极导电层GAT3、第一数据导电层SD1、第二数据导电层和阳极Anode。而且，可以不形成发射层EML和感测电极540和541。
在第一组件区域EA1和光电传感器区域中，附加开口可以形成在像素限定层380、光阻挡构件220和滤色器层230中，使得像素限定层380、光阻挡构件220和滤色器层230可以不形成在第一组件区域EA1和光电传感器区域中。然而，如果即使当所使用的光电传感器使用不同于可见光的波长的波长(例如，红外)时光阻挡构件220定位在整个表面上，在感测中也不存在问题，则光阻挡构件220可以定位在整个表面上。
在上文中，已经描述了这样的实施方式，其中可以形成总共三个有机层，并且可以在第二有机层182和第三有机层183中形成阳极连接开口OP4。然而，有机层可以由至少两个形成，阳极连接开口OP4可以定位在定位成远离衬底110的上部有机层中，并且下部有机层开口OP3可以定位在下部有机层中。
在上文中，详细描述了发光显示设备和像素的整体结构。
在下文中，描述光阻挡构件220的开口OPBM的详细结构。
光阻挡构件220的开口OPBM可以不形成为四边形、圆形或椭圆形形状，而是可以形成为包括曲线和直线的平面结构(在下文中也称为混合结构)，并且红色开口OPBM、蓝色开口OPBM和绿色开口OPBM可以通过特定数值范围来表征，同时形成如下的不同形状。
在光阻挡构件220的红色开口OPBM中，距离质心最远侧的距离和距离质心最近侧的距离的距离比率Rmax/Rmin可以具有约1.02以上并且约1.15以下的值，在光阻挡构件220的蓝色开口OPBM中，距离比率Rmax/Rmin可以具有约1.05以上并且约1.2以下的值，并且在光阻挡构件220的绿色开口OPBM中，距离比率Rmax/Rmin可以具有约1.32以上并且约1.38以下的值。
通过形成光阻挡构件220的具有以上结构的开口OPBM，可以减小反射色带并且可以确保孔径比，从而可以改善发光二极管的寿命。
在下文中，具体地，参考图8和图9描述根据实施方式的红色开口OPBM、蓝色开口OPBM和绿色开口OPBM的结构及其衍射图案。
首先，通过图8描述红色开口OPBM、蓝色开口OPBM和绿色开口OPBM的结构。
图8是示出根据实施方式的发光显示设备之中的红色像素、蓝色像素和绿色像素的光阻挡构件的开口的示意性平面图。
在图8中，R表示具有形成在光阻挡构件220中的红色开口OPBM的结构的像素，G1和G2表示具有形成在光阻挡构件220中的绿色开口OPBM的两种结构的像素，并且B表示具有形成在光阻挡构件220中的蓝色开口OPBM的结构的像素。
在图8中，红色开口OPBM、蓝色开口OPBM和绿色开口OPBM具有不但可以包括曲线而且可以包括直线组成部分的结构(混合结构)。
在图8中，光阻挡构件220被示出为分成两个光阻挡部件BM1和BM2，第一光阻挡部件BM1具有四边形形状的初始开口(参考图10)，并且第二光阻挡部件BM2可以是定位在具有四边形形状的初始开口内部的部分，以另外阻挡光并且与第一光阻挡部件BM1一起构成具有混合结构的最终开口OPBM(参考图8和图10)。
在图8中，第一光阻挡部件BM1和第二光阻挡部件BM2以不同的颜色示出，使得它们可以容易地被区分。
图8示出半峰全宽(full width at half maximum)D，并且半峰全宽D表示在稍后描述的图10中使用的高斯滤波器的半峰全宽D。这在图10至图26中更详细的讨论。参考图8，可以使用具有不同的半峰全宽D的高斯滤波器来形成红色开口OPBM、蓝色开口OPBM和绿色开口OPBM。
红色开口OPBM可以使用半峰全宽D为约12μm的高斯滤波器，蓝色开口OPBM可以使用半峰全宽D为约14μm的高斯滤波器，并且绿色开口OPBM可以使用半峰全宽D为约10μm的高斯滤波器，从而可以使用具有不同半峰全宽D的高斯滤波器。此外，蓝色开口OPBM的半峰全宽D可以具有最大值，红色开口OPBM的半峰全宽D可以具有次大值，并且绿色开口OPBM的半峰全宽D可以具有最小值。
发光显示设备的光阻挡构件220可以具有多个开口OPBM，它们形成为一个红色开口OPBM、一个蓝色开口OPBM和两个绿色开口OPBM的单元，并且在这些中，两个绿色开口OPBM可以分别形成为在不同的方向上伸长，并且由两个绿色开口OPBM分别沿其延伸的两个方向形成的角度可以为约90度。
通过图9描述该光阻挡构件220的平面结构和衍射图案的模拟结果。
图9是示出根据图8的实施方式的发光显示设备的平面结构和衍射图案的模拟结果的示意图。
在图9中，A1表示形成在光阻挡构件220中的红色开口OPBM、蓝色开口OPBM和绿色开口OPBM的布置，并且A2表示在红色开口OPBM或蓝色开口OPBM中的衍射图案的模拟结果，该红色开口OPBM或蓝色开口OPBM可以是它们之中的一个开口OPBM。
首先，参考图9，A1表示其中一个红色开口OPBM、一个蓝色开口OPBM和两个绿色开口OPBM彼此相邻定位的结构。此外，在图9中，示出像素R、像素B、像素G1和像素G2，并且分别示出与图8的像素R的结构对应的像素R、与图8的像素B的结构对应的平面形状的像素B、与图8的像素G1的结构对应的平面形状的像素G1、以及与图8的像素G2的结构对应的平面形状的像素G2。
根据本实施方式的光阻挡构件220的开口OPBM可以具有包括曲线和直线的混合结构，并且可以包括较少的直线组成部分，如图9的A2中所示，可以对称地形成衍射图案。由于衍射图案可以对称地形成，因此在外部光入射的情况下，不对称反射的程度可以变小，以便反射色带现象也可以变小。
参考图10和图11详细描述了形成具有如以上描述的包括曲线和直线的混合结构的开口OPBM的方法。
图10是根据实施方式的发光显示设备的制造方法的示意性流程图，并且图11是示出根据图10的制造方法的光阻挡构件的开口的结构的变化以及初始开口和最终开口之间的差异的示意图。
在图10中，步骤S10与图11的在附图标记S10上方的视图对应，并且如果执行图10的步骤S20，则它可以被改变为图11的在附图标记S20上方的视图，然而如果执行图10的步骤S30，则它可以被改变为图11的在附图标记S30上方的视图。此外，在图11中，A是示出步骤S10的初始开口与直到执行步骤S30的最终开口OPBM(对应于上面描述的开口OPBM)之间的比较的视图。在图11的分别在附图标记S10、S20和S30上方的视图中，沿着x轴和y轴写入的100、200、300、400和500示出x轴和y轴的尺寸的以μm为单位的值。定位在右边的参考图表示针对图中所示的灰度值的最大值(白色)为1的归一化值和最小值(黑色)为0的归一化值。
在发光显示设备中，可以设置和形成初始开口的结构(步骤S10)，该初始开口的结构可以仅包括直线并且可以不具有曲线。在图11的实施方式中，如图11的在附图标记S10上方的视图中所示，四边形类型的菱形结构可以被预定或选择为初始开口。
之后，可以将滤波器(例如，高斯滤波器)应用于预定的或可选择的角度的初始开口和光阻挡构件220(步骤S20)。如图11的在附图标记S20上方的视图中所示，可以将仅由白色和黑色组成的初始开口的结构改变为各种灰度。
之后，可以将阈值应用于初始开口，可以将高斯滤波器应用于该初始开口以形成最终开口OPBM(步骤S30)。这里，所使用的阈值可以为约50％，基于右边的图上约0.5的灰度值，可以将约0.5以上的值改变为最大灰度(白色)，并且可以将小于约0.5的值改变为最小灰度(黑色)，以形成最终开口OPBM。
图11的视图A是比较初始开口和最终开口OPBM的图，并且其中最终开口OPBM可以形成为小于初始开口的部分以灰色示出。此外，如图11中所证实的，通过从初始开口起包括更多的曲线，最终开口OPBM可以改变为混合结构。
最终开口OPBM可以包括红色开口OPBM、蓝色开口OPBM和绿色开口OPBM，并且它们中的每个可以具有不同的尺寸和/或形状。
根据实施方式和/或根据所使用的颜色，高斯滤波器可以是不同的，并且所施加的阈值还可以是不同的。对于步骤S30中的阈值，可以使用除了约50％以外的值，并且可以使用约40％以上并且约60％以下的值。
高斯滤波器的大小可以根据半峰全宽D来确定，并且通过图12和图13来描述高斯滤波器和半峰全宽D。
图12和图13是示出本公开可以应用的高斯滤波器的结构的示意图。
图12示出沿着高斯滤波器的一个轴方向的高斯滤波器值(滤波器权值)，并且图13示出沿着x轴和y轴的高斯函数g(x，y)的图。
参考图12，可以清楚地示出半峰全宽D。半峰全宽D表示在高斯函数g(x，y)的值的情况下的宽度并且基于约0.01的最大值可以具有约0.005的半值，并且图12示出具有约10μm的半峰全宽D的高斯滤波器。
在实施方式中，可以根据颜色使用不同的高斯滤波器，基于半峰全宽D，蓝色开口OPBM的半峰全宽D可以具有最大值，红色开口OPBM的半峰全宽D可以具有次大值，并且绿色开口OPBM的半峰全宽D可以具有最小值。
用于形成红色开口OPBM的高斯滤波器可以具有约8μm以上并且约12μm以下的值作为半峰全宽D，用于形成蓝色开口OPBM的高斯滤波器可以具有约8μm以上并且约14μm以下的值作为半峰全宽D，并且用于形成绿色开口OPBM的高斯滤波器可以具有约8μm以上并且约10μm以下的值作为半峰全宽D。这里，半峰全宽D的最小值可以为约8μm，并且最大值可以根据每种颜色而不同。根据实施方式，半峰全宽D的最大值可以具有大出约10％的更大值。
在下文中，可以根据每个半峰全宽D形成光阻挡构件220的最终开口OPBM，并且如下通过图14至图20比较它们的差异。
图14至图20是示出通过使用具有可以彼此不同的半峰全宽的高斯滤波器制造的光阻挡构件的开口以及根据其的衍射图案的示意图。
在图14至图20中，示出了像素R的红色开口OPBM的结构、像素G1和G2的绿色开口OPBM的结构以及像素B的蓝色开口OPBM的结构，且A1表示布置在光阻挡构件220中的每个开口OPBM的结构，并且A2示出模拟的衍射图案。
在应用具有半峰全宽D的小值的高斯滤波器的情况下，最终开口OPBM可以形成为接近初始开口的形状，随着半峰全宽D的值增大，曲线组成部分增加，使得最终开口OPBM可以形成为接近圆形或椭圆形形式。
在图14中，半峰全宽D可以是0，因此初始开口和最终开口OPBM可以是相同的。参考图14的A2，由于衍射图案可以在很大程度上不对称，所以反射色带可以大，但是初始开口可以不减小并且可以形成最终开口OPBM，因此孔径比可以最大，并且在孔径比大的情况下，发光二极管的寿命可以长。
然而，在实施方式中，由于偏振器可能不附接到发光显示设备的前面，因此由于反射色带的缘故可能难以使用它。
在图15至图20中，在从初始开口改变到最终开口OPBM的过程中可以增大的部件被示为第二光阻挡部件BM2。此外，从图15至图20，随着半峰全宽D的值增加，第二光阻挡部件BM2的面积也增加，从而可能减小最终开口OPBM的面积，并且还可能减小光阻挡构件220的孔径比。结果，可能存在发光二极管的寿命可能缩短的问题。相反，从图15至图20，参考每幅图的A2，可以证实衍射图案的对称性增加，并且结果反射色带减小。
因此，随着半峰全宽D增加，可能同时出现优点和缺点，并且考虑到该优点和缺点，可以根据每个颜色和用于发光二极管的发光材料来选择和使用半峰全宽D的适当值。
图16示出在半峰全宽D可以为约8μm的情况，并且参考图16的A2，由于衍射图案的对称性可以在一定水平上被识别，所以每种颜色的半峰全宽D的值可以是至少约8μm或更大。
尽管绿色开口OPBM的初始开口具有矩形形状，但是通过增加以约90度布置的两个绿色开口OPBM，可以要求衍射图案的对称性，使得在一个绿色开口OPBM中的衍射图案的对称性可能相对较低。结果，绿色开口OPBM的半峰全宽D可以具有约10μm的最大值。
相反，由于可以形成仅一个红色开口OPBM和一个蓝色开口OPBM，因此衍射图案的对称性可以相对高于绿色开口OPBM的衍射图案的对称性。考虑到蓝色开口OPBM可以形成为比红色开口OPBM相对更大，红色开口OPBM的半峰全宽D可以具有约12μm的最大值，并且蓝色开口OPBM的半峰全宽D可以具有约14μm的最大值。
总之，用于形成红色开口OPBM的高斯滤波器可以具有约8μm以上并且约12μm以下的半峰全宽D，用于形成蓝色开口OPBM的高斯滤波器可以具有约8μm以上并且约14μm以下的半峰全宽D，并且用于形成绿色开口OPBM的高斯滤波器可以具有约8μm以上并且约10μm以下的半峰全宽D。这里，半峰全宽D的最小值可以为约8μm，并且最大值可以根据每种颜色而不同。根据实施方式，半峰全宽D的最大值可以具有大出约10％的更大值。
在下文中，基于质心和从质心和到侧的距离参考图21至图27描述通过图10的制造方法根据各种半峰全宽D制造的光阻挡构件220的开口OPBM的特性。
图21至图25是示出通过使用具有可以彼此不同的半峰全宽的高斯滤波器制造的光阻挡构件的开口中的质心、最靠近质心的点和距离质心最远点的示意图，图26是示出基于半峰全宽从质心到最远点的距离与从质心到最近点的距离的比率的示意图，并且图27是示出通过划分x坐标和y坐标计算每个质心的方法的示意图。
在图21至图25中，示出像素R的红色开口OPBM、像素G的绿色开口OPBM和像素B的蓝色开口OPBM，在每个开口OPBM内，分别指示质心CM、从质心CM到开口OPBM的边界的距离之中具有最长距离Rmax的点、以及从质心CM到开口OPBM的边界的距离之中具有最短距离Rmin的点。
图21示出其半峰全宽D为约0μm的开口OPBM，图22示出其半峰全宽D为约5μm的开口OPBM，图23示出其半峰全宽D为约8μm的开口OPBM，图24示出其半峰全宽D为约10μm的开口OPBM，并且图25示出其半峰全宽D为约15μm的开口OPBM。
结合图21至图25，图26示出了质心CM中的最大最小距离比率Rmax/Rmin根据半峰全宽D的图形。质心CM中的最大最小距离比率Rmax/Rmin可以是从质心CM到具有从质心CM到开口OPBM的边界的距离之中的最长距离Rmax的点的距离除以从质心CM到具有从质心CM到开口OPBM的边界的距离之中的最短距离Rmin的点的距离的值。此外，图26作为图形示出对于红色开口OPBM、绿色开口OPBM和蓝色开口OPBM中的每个，根据半峰全宽D的质心CM中的最大最小距离比率Rmax/Rmin。
同时参考图26，在考虑用于图14至图20中描述的每个颜色的开口OPBM的半峰全宽D的值时，可以获得质心CM中的最大最小距离比率Rmax/Rmin的范围，如下。
例如，光阻挡构件220的红色开口OPBM在质心CM中可以具有约1.02以上并且约1.15以下的最大最小距离比率Rmax/Rmin，光阻挡构件220的蓝色开口OPBM在质心CM中可以具有约1.05以上并且约1.2以下的最大最小距离比率Rmax/Rmin，并且光阻挡构件220的绿色开口OPBM在质心CM中可以具有约1.32以上并且约1.38以下的最大最小距离比率Rmax/Rmin。
例如，红色开口OPBM、蓝色开口OPBM和绿色开口OPBM具有质心CM、最靠近质心CM的第一位置和距离质心CM最远的第二位置，在从质心CM到第二位置的最长距离Rmax与从质心CM到第一位置的最短距离Rmin的比率被称为最大最小距离比率Rmax/Rmin的情况下，红色开口OPBM可以具有约1.02以上并且约1.15以下的最大最小距离比率Rmax/Rmin，蓝色开口OPBM可以具有约1.05以上并且约1.2以下的最大最小距离比率Rmax/Rmin，并且绿色开口OPBM可以具有约1.32以上并且约1.38以下的最大最小距离比率Rmax/Rmin。
质心CM中的最大最小距离比率Rmax/Rmin可以在绿色开口OPBM中具有最大值，在蓝色开口OPBM中具有次大值，并且在红色开口OPBM中具有最小值。
通过形成如以上描述的结构的光阻挡构件220的开口OPBM，可以减小反射色带并且可以确保孔径比，从而可以改善发光二极管的寿命。
另一方面，在图27中，示出即使在具有复杂结构的情况下也能够获得质心CM的方法，并且示出分别获得x坐标和y坐标的中心并且最终证实质心CM的x坐标和y坐标的方法。在图27中，定位在正方形中的数字分别表示x坐标值或y坐标值。
在上文中，如图7中所示，描述了其中滤色器层230可以形成在光阻挡构件220的开口OPBM中的实施方式。更具体地，红色滤色器、蓝色滤色器和绿色滤色器可以分别形成在光阻挡构件220的红色开口OPBM、蓝色开口OPBM和绿色开口OPBM中。然而，可以使用反射调整层代替滤色器层230，并且在下文中通过图28描述应用反射调整层235代替滤色器层230的实施方式的堆叠结构。
图28是根据另一个实施方式的发光显示设备的示意性剖视图。
图28是与图7对应的截面图，并且解释了与图7不同的部件。
反射调整层235可以设置在光阻挡构件220上。反射调整层235可以选择性地吸收从显示设备(例如，发光显示设备)内部反射的光和从显示设备的外部入射的光之中的一些波段的波长的光。反射调整层235可以填充光阻挡构件220的开口OP。
例如，反射调整层235吸收约490nm至约505nm的第一波长区和约585nm至约600nm的第二波长区，使得在第一波长区和第二波长区中的透光率可以被提供为约40％或更小。反射调整层235可以吸收波长在由发光二极管发射的红光、绿光或蓝光的发光波长范围之外的光。如此，由于反射调整层235吸收可能不属于从发光二极管发射的红光、绿光或蓝光的波长范围的波长的光，因此可以防止或最小化显示设备的亮度的降低，并且同时防止或最小化显示设备的发光效率的劣化并且改善可见度。
在实施方式中，反射调整层235可以被提供为包括染料、颜料或其组合的有机材料层。反射调整层235可以包括基于四氮杂卟啉(TAP)的化合物、基于卟啉的化合物、基于金属卟啉的化合物、基于嗪的化合物、基于方酸菁的化合物、基于三芳基甲烷的化合物、基于聚甲炔的化合物、基于蒽醌的化合物、基于酞菁的化合物、基于偶氮的化合物、基于二萘嵌苯的化合物、基于氧杂蒽的化合物、基于二亚铵的化合物、基于二吡咯亚甲的化合物、基于花菁的化合物或其组合。
在实施方式中，通过SCI(包括镜面组件)模式在反射调整层235的表面上测量的反射率可以为约10％或更低。例如，反射调整层235吸收显示设备的外部光反射，从而可以改善可见度。
在实施方式中，反射调整层235可以具有约64％至约72％的透射率。反射调整层235的透射率可以根据包括在反射调整层235中的颜料和/或染料的含量来调整。
根据实施方式，反射调整层235可以不定位在第一组件区域EA1中。
此外，在包括反射调整层235的实施方式中，可以在阴极Cathode和封装层400之间另外形成覆盖层AL1和低反射层AL2。
覆盖层AL1可以用于通过相长干涉的原理来改善发光二极管的发光效率。例如，覆盖层AL1可以包括对于具有约589nm的波长的光具有约1.6或更大的折射率的材料。
覆盖层AL1可以是包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层、或包括有机材料和无机材料的复合覆盖层。例如，覆盖层AL1可以包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可以任选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。
低反射层AL2可以设置在覆盖层AL1上。低反射层AL2可以与衬底110的整个表面重叠。
低反射层AL2可以包括具有低反射率的无机材料，并且在实施方式中，可以包括金属或金属氧化物。在低反射层AL2包括金属的情况下，例如，可以包括镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)或其组合。在低反射层AL2包括金属氧化物的情况下，例如，可以包括SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、SiNx、LiF、CaF2、MgF2、CdS或其组合。
在实施方式中，包括在低反射层AL2中的无机材料的吸收系数(k)可以为约4.0以上并且约0.5以下(0.5≤k≤4.0)。包括在低反射层AL2中的无机材料可以具有约1或更大(n≥1.0)的折射率(n)。
低反射层AL2可以在入射到显示设备中的光与从设置在低反射层AL2之下的金属反射的光之间引起相消干涉，从而降低外部光反射率。因此，通过经由低反射层AL2降低显示设备的外部光的反射率，可以改善显示设备的显示质量和可见度。
根据实施方式，可以省略覆盖层AL1，使得低反射层AL2可以与阴极Cathode接触。
封装层400可以定位在低反射层AL2上，并且其他结构可以与图17的结构相同，并且省略其描述。
另一方面，阴极Cathode可以形成在显示区域DA中而不形成在第一组件区域EA1中，并且在实施方式中，在第一组件区域EA1中，低粘性层WAL可以定位在不形成阴极Cathode的位置处。低粘性层WAL可以定位在第一组件区域EA1中的功能层FL上。低粘性层WAL可以是具有弱粘合性的材料，并且根据实施方式，阴极Cathode可以不设置在低粘性层WAL的上表面上，或可以包括具有其中阴极Cathode可以由非常薄的膜形成的特性的材料。
例如，低粘性层WAL可以通过使用诸如8-喹啉锂(Liq；[8-羟基喹啉锂])、N,N-二苯基-N、N-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺(HT01)、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(LG201)等的材料形成。
本说明书示出和描述了其中低粘性层WAL可以定位在第一组件区域EA1中的实施方式，但是在另一个实施方式中，它可以通过激光工艺等去除。激光工艺可以是在阴极Cathode上进行的激光工艺。
在第一组件区域EA1中，可以在低粘性层WAL上设置覆盖层AL1、低反射层AL2以及封装层400。
尽管已经结合被认为是实际实施方式的那些描述了本公开，但是要理解，本公开不限于所公开的实施方式。相反，本公开旨在包括包含在本公开的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (20)

1.一种发光显示设备，包括：
衬底；
像素电路部件，定位在所述衬底上；
发光二极管，电连接到所述像素电路部件；
封装层，覆盖所述像素电路部件中的至少一个和所述发光二极管中的至少一个；以及
光阻挡构件，定位在所述封装层上并且包括红色开口、蓝色开口和绿色开口，其中，
所述红色开口、所述蓝色开口和所述绿色开口中的每个具有质心、最靠近所述质心的第一位置和距离所述质心最远的第二位置，
在从所述质心到所述第二位置的距离与从所述质心到所述第一位置的距离的比率被称为最大最小距离比率的情况下：
所述红色开口具有1.02以上并且1.15以下的值作为所述最大最小距离比率，
所述蓝色开口具有1.05以上并且1.2以下的值作为所述最大最小距离比率，以及
所述绿色开口具有1.32以上并且1.38以下的值作为所述最大最小距离比率。
2.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，
所述红色开口、所述蓝色开口和所述绿色开口具有包括直线和曲线的混合结构。
3.根据权利要求2所述的发光显示设备，其中，
所述光阻挡构件包括由一个红色开口、一个蓝色开口和两个绿色开口形成的多个开口作为单元。
4.根据权利要求3所述的发光显示设备，其中，
所述两个绿色开口在不同的方向上延伸。
5.根据权利要求4所述的发光显示设备，其中，
由所述两个绿色开口分别沿其延伸的两个方向形成的角度为90度。
6.根据权利要求2所述的发光显示设备，还包括：
不同颜色的滤色器，分别定位在所述红色开口、所述蓝色开口和所述绿色开口中。
7.根据权利要求2所述的发光显示设备，还包括：
反射调整层，填充所述红色开口、所述蓝色开口和所述绿色开口，并且形成在所述光阻挡构件上。
8.根据权利要求7所述的发光显示设备，其中，
所述发光二极管包括阴极，以及
所述发光显示设备还包括定位在所述阴极和所述封装层之间的低反射层。
9.根据权利要求8所述的发光显示设备，还包括：
覆盖层，定位在所述阴极和所述低反射层之间。
10.根据权利要求8所述的发光显示设备，还包括：
低粘性层，形成在不形成所述阴极的位置处。
11.一种发光显示设备的制造方法，包括：
在光阻挡构件中形成初始开口；
对所述初始开口和所述光阻挡构件应用高斯滤波器；以及
对应用所述高斯滤波器的所述初始开口和所述光阻挡构件应用阈值以形成最终开口，其中，
所述最终开口包括红色开口、蓝色开口和绿色开口，
形成所述红色开口的所述高斯滤波器具有8μm以上并且12μm以下的半峰全宽，
形成所述蓝色开口的所述高斯滤波器具有8μm以上并且14μm以下的半峰全宽，以及
形成所述绿色开口的所述高斯滤波器具有8μm以上并且10μm以下的半峰全宽。
12.根据权利要求11所述的发光显示设备的制造方法，其中，
所述初始开口仅包括直线并且不包括曲线。
13.根据权利要求12所述的发光显示设备的制造方法，其中，
所述初始开口具有四边形形状。
14.根据权利要求13所述的发光显示设备的制造方法，其中，
所述最终开口由包括直线和曲线的混合结构形成。
15.根据权利要求14所述的发光显示设备的制造方法，其中，
所述红色开口、所述蓝色开口和所述绿色开口中的每个具有质心、最靠近所述质心的第一位置和距离所述质心最远的第二位置，
在从所述质心到所述第二位置的距离与从所述质心到所述第一位置的距离的比率被称为最大最小距离比率的情况下：
所述红色开口具有1.02以上并且1.15以下的值作为所述最大最小距离比率，
所述蓝色开口具有1.05以上并且1.2以下的值作为所述最大最小距离比率，以及
所述绿色开口具有1.32以上并且1.38以下的值作为所述最大最小距离比率。
16.根据权利要求11所述的发光显示设备的制造方法，其中，
在形成所述最终开口中，所述阈值为50％，高于所述阈值的值被改变为最大灰度，并且低于所述阈值的值被改变为最小灰度以形成所述最终开口。
17.根据权利要求11所述的发光显示设备的制造方法，其中，
用于形成所述红色开口的所述半峰全宽、用于形成所述蓝色开口的所述半峰全宽、以及用于形成所述绿色开口的所述半峰全宽彼此不同。
18.根据权利要求17所述的发光显示设备的制造方法，其中，
在所述半峰全宽小的情况下，所述最终开口接近所述初始开口，并且在所述半峰全宽大的情况下，所述最终开口的曲线组成部分增加。
19.根据权利要求17所述的发光显示设备的制造方法，其中，
用于形成所述蓝色开口的所述半峰全宽是最大的，用于形成所述红色开口的所述半峰全宽是次大的，并且用于形成所述绿色开口的所述半峰全宽是最小的。
20.根据权利要求19所述的发光显示设备的制造方法，其中，
用于形成所述蓝色开口的所述半峰全宽为14μm，
用于形成所述红色开口的所述半峰全宽为12μm，以及
用于形成所述绿色开口的所述半峰全宽为10μm。
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